JPS588136B2 - ソシトリツケヨウキタイ - Google Patents
ソシトリツケヨウキタイInfo
- Publication number
- JPS588136B2 JPS588136B2 JP48122418A JP12241873A JPS588136B2 JP S588136 B2 JPS588136 B2 JP S588136B2 JP 48122418 A JP48122418 A JP 48122418A JP 12241873 A JP12241873 A JP 12241873A JP S588136 B2 JPS588136 B2 JP S588136B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- metal piece
- piece
- metal base
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は素子取付用基体に関し、特に素子と基体金属と
の熱膨脹係数の差に基づく応力を吸収するために金属基
体の素子取付け位置に中間金属片を固着したものにおい
て、中間金属片を全面均一でかつ確実強固に金属基体に
固着することを目的とする。
の熱膨脹係数の差に基づく応力を吸収するために金属基
体の素子取付け位置に中間金属片を固着したものにおい
て、中間金属片を全面均一でかつ確実強固に金属基体に
固着することを目的とする。
トランジスタ、サイリスク、整流器、集積回路装置等の
半導体装置においては、半導体ペレットの放熱、電気的
接続あるいは気密封止等のために、第１図に示すように
、半導体ペレットＰを良熱伝導性の金属基体Ｍに固着し
ている。
半導体装置においては、半導体ペレットの放熱、電気的
接続あるいは気密封止等のために、第１図に示すように
、半導体ペレットＰを良熱伝導性の金属基体Ｍに固着し
ている。
しかるに、半導体ペレットＰの寸法が大きくなると、半
導体ペレットＰと金属基体Ｍとの熱膨脹係数の差に基づ
く応力によって、半導体ペレットＰが金属基体Ｍから剥
れたり、甚しい場合は割れたりする。
導体ペレットＰと金属基体Ｍとの熱膨脹係数の差に基づ
く応力によって、半導体ペレットＰが金属基体Ｍから剥
れたり、甚しい場合は割れたりする。
このため第２図に示すように、半導体ペレットＰと金属
基体Ｍとの間に、熱膨脹係数が両者の中間値であるよう
な中間金属片Ｄを介在させて、上記の欠点を除くことは
公知である。
基体Ｍとの間に、熱膨脹係数が両者の中間値であるよう
な中間金属片Ｄを介在させて、上記の欠点を除くことは
公知である。
一般にこの種半導体装置では、金属基体Ｍの素子取付け
予定位置に、まず中間金属片Ｄを溶接等により固定して
おき、次いで半導体ペレットＰをマウントする。
予定位置に、まず中間金属片Ｄを溶接等により固定して
おき、次いで半導体ペレットＰをマウントする。
しかるに、中間金属片Ｄに比し溶接電極が小さ過ぎると
、第３図Ａのように中間金属片Ｄの中央部分のみが金属
基体Ｍと固着され、周辺部に空所Ｖが形成される。
、第３図Ａのように中間金属片Ｄの中央部分のみが金属
基体Ｍと固着され、周辺部に空所Ｖが形成される。
また、溶接電極が十分な大きさである場合は、中間金属
片Ｄの全面に溶接電流が均一に流れ難くなって、第３図
ＡあるいはＢのように、空所Ｖが形成される。
片Ｄの全面に溶接電流が均一に流れ難くなって、第３図
ＡあるいはＢのように、空所Ｖが形成される。
このように中間金属片Ｄと金属基体Ｍとの間に空所Ｖが
存在すると、半導体ペレットＰをマウントした半導体装
置において、中間金属片Ｄと金属基体Ｍとの間の電気抵
抗が増大して発熱量が増大し、同時に熱抵抗も増大する
ので熱放散が悪くなるという欠点がある。
存在すると、半導体ペレットＰをマウントした半導体装
置において、中間金属片Ｄと金属基体Ｍとの間の電気抵
抗が増大して発熱量が増大し、同時に熱抵抗も増大する
ので熱放散が悪くなるという欠点がある。
本発明はこのような点にかんがみ提案されたもので、中
間金属片として、その表面に化学ニッケルメッキによる
金属層を有するものを用い、この中間金属片を金属基体
に固着する際に前記金属層全体を溶融させ、中間金属片
の全面を溶融した金属層を介して金属基体に密着固定し
たことを特徴とする。
間金属片として、その表面に化学ニッケルメッキによる
金属層を有するものを用い、この中間金属片を金属基体
に固着する際に前記金属層全体を溶融させ、中間金属片
の全面を溶融した金属層を介して金属基体に密着固定し
たことを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面により説明すると、第４図
ないし第６図において１は良熱伝導性の金属、たとえば
鉄、銅等からなるステム、スタツド、リードフレーム等
の金属基体、２は熱膨脹係数が素子と金属基体１との中
間値である金属、たとえばモリブデン、コバール、鉄、
ニッケル合金等の中間金属片、３は中間金属片２を金属
基体１に固着する際の熱で溶融してろう材の作用をする
金属層である。
ないし第６図において１は良熱伝導性の金属、たとえば
鉄、銅等からなるステム、スタツド、リードフレーム等
の金属基体、２は熱膨脹係数が素子と金属基体１との中
間値である金属、たとえばモリブデン、コバール、鉄、
ニッケル合金等の中間金属片、３は中間金属片２を金属
基体１に固着する際の熱で溶融してろう材の作用をする
金属層である。
この金属層３は金属基体１と中間金属片２との材質によ
って任意のものを選択して使用できるが、次亜燐酸ナト
リウムを還元剤とする化学ニッケルメッキを施して燐の
含有量が２〜１２重量％のニッケルメッキ層が良好な結
果を与える。
って任意のものを選択して使用できるが、次亜燐酸ナト
リウムを還元剤とする化学ニッケルメッキを施して燐の
含有量が２〜１２重量％のニッケルメッキ層が良好な結
果を与える。
特に酸性メッキの場合、燐の含有量は８〜１２重量％と
高くなり、その融点が約８９０℃程度に低下するので、
最も良好な結果を与えることが判明した。
高くなり、その融点が約８９０℃程度に低下するので、
最も良好な結果を与えることが判明した。
また第５図に示すように、ニッケルメッキ層３１の上に
銀メッキ層３２を積層形成した場合、ニッケルメッキ層
３１が金属基体１にくわれるのを銀メッキ層３２が阻止
する働きがあり、中間金属片２と金属基体１との固着強
度が著しく向上することも判明した。
銀メッキ層３２を積層形成した場合、ニッケルメッキ層
３１が金属基体１にくわれるのを銀メッキ層３２が阻止
する働きがあり、中間金属片２と金属基体１との固着強
度が著しく向上することも判明した。
このような中間金属片２を金属基体１に溶接すると、中
間金属片３と金属基体１とを溶接する際に、金属層３の
比抵抗が２７〜４５×１０−６Ωｃｍ程度あるため、溶
接電流による自己発熱によって金属層３全体が溶融して
ろう材の作用をするので、仮に溶接電極の大きさが中間
金属片２の大きさに対して小さ過ぎても、また溶接電流
の分布が不均一であっても第６図Ａ，Ｂのように空所と
なるべき部分を溶融した金属層３が満たして、中間金属
片２の全面をもって金属基体１に固着できる。
間金属片３と金属基体１とを溶接する際に、金属層３の
比抵抗が２７〜４５×１０−６Ωｃｍ程度あるため、溶
接電流による自己発熱によって金属層３全体が溶融して
ろう材の作用をするので、仮に溶接電極の大きさが中間
金属片２の大きさに対して小さ過ぎても、また溶接電流
の分布が不均一であっても第６図Ａ，Ｂのように空所と
なるべき部分を溶融した金属層３が満たして、中間金属
片２の全面をもって金属基体１に固着できる。
なお、金属層３を銀層で形成した場合は、その比抵抗が
化学ニッケルメッキ層の約１／２０〜１／３０の１．６
２×１０−６Ωｃｍ程度であり、銀層自体の発熱による
溶融は行なわれない。
化学ニッケルメッキ層の約１／２０〜１／３０の１．６
２×１０−６Ωｃｍ程度であり、銀層自体の発熱による
溶融は行なわれない。
なお、上記実施例では中間金属片２を抵抗溶接により金
属基体１に固着する場合について説明したが、場合によ
っては加熱を行なって固着してもよい。
属基体１に固着する場合について説明したが、場合によ
っては加熱を行なって固着してもよい。
この場合、金属層３を金属基体１の方にではなく、中間
金属片２の方に形成するので、所望部分の金属層３のみ
を溶融できる利点がある。
金属片２の方に形成するので、所望部分の金属層３のみ
を溶融できる利点がある。
以上のように本発明によれば、中間金属片として、その
表面に化学ニッケルメッキによる金属層を有するものを
用い、この中間金属片を金属基体に固着する際に前記金
属層を溶融させ、中間金属片の全面を溶融した金属層を
介して金属基体に密着固定したから、中間金属片が金属
基体に電気的かつ熱的に低抵抗でしかも機械的に強固に
固着されており、中間金属片の上に半導体ペレット等の
素子を固着した場合、素子と金属基体との間の電気抵抗
が小さくて発熱が少なく、かつ発生した熱は効果的に金
属基体に放散され、しかも金属基体から中間金属片とと
もに素子が剥離することも起り難いという効果を奏する
。
表面に化学ニッケルメッキによる金属層を有するものを
用い、この中間金属片を金属基体に固着する際に前記金
属層を溶融させ、中間金属片の全面を溶融した金属層を
介して金属基体に密着固定したから、中間金属片が金属
基体に電気的かつ熱的に低抵抗でしかも機械的に強固に
固着されており、中間金属片の上に半導体ペレット等の
素子を固着した場合、素子と金属基体との間の電気抵抗
が小さくて発熱が少なく、かつ発生した熱は効果的に金
属基体に放散され、しかも金属基体から中間金属片とと
もに素子が剥離することも起り難いという効果を奏する
。
第１図および第２図は従来公知の半導体装置の要部正面
図、第３図は従来の素子取付用基体の要部断面図、第４
図ないし第６図は本発明の素子取付用基板の要部断面図
で、第４図は固着前の状態を示し、第５図は中間金属片
の実施例の拡大断面図を示し、第６図は固着後の状態を
示す。 １・・・・・・金属基体、２・・・・・・中間金属片、
３・・・・・・金属層。
図、第３図は従来の素子取付用基体の要部断面図、第４
図ないし第６図は本発明の素子取付用基板の要部断面図
で、第４図は固着前の状態を示し、第５図は中間金属片
の実施例の拡大断面図を示し、第６図は固着後の状態を
示す。 １・・・・・・金属基体、２・・・・・・中間金属片、
３・・・・・・金属層。
Claims (1)
- １ 素子と金属基体との熱膨脹係数の差に基づく応力を
吸収するために金属基体の素子取付け位置に中間金属片
を固着したものにおいて、前記中間金属として、その表
面に化学ニッケルメッキによる金属層を有するものを用
い、この中間金属片を金属基体に固着する際に金属層全
体を溶融させ、中間金属片の全面を溶融した金属層を介
して金属基体に密着固定したことを特徴とする素子取付
用基体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48122418A JPS588136B2 (ja) | 1973-10-30 | 1973-10-30 | ソシトリツケヨウキタイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48122418A JPS588136B2 (ja) | 1973-10-30 | 1973-10-30 | ソシトリツケヨウキタイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5073572A JPS5073572A (ja) | 1975-06-17 |
| JPS588136B2 true JPS588136B2 (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=14835321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48122418A Expired JPS588136B2 (ja) | 1973-10-30 | 1973-10-30 | ソシトリツケヨウキタイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588136B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6016539U (ja) * | 1983-07-08 | 1985-02-04 | 日立電線株式会社 | 半導体素子用支持電極板 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4864879A (ja) * | 1971-12-10 | 1973-09-07 |
-
1973
- 1973-10-30 JP JP48122418A patent/JPS588136B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4864879A (ja) * | 1971-12-10 | 1973-09-07 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5073572A (ja) | 1975-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2922092A (en) | Base contact members for semiconductor devices | |
| JP3829860B2 (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| US3046651A (en) | Soldering technique | |
| JP2005203778A (ja) | ヒートシンクおよびヒート・スプレッダ・アセンブリ | |
| JP4023032B2 (ja) | 半導体装置の実装構造及び実装方法 | |
| JP6641524B1 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3291578A (en) | Metallized semiconductor support and mounting structure | |
| JPS58169942A (ja) | 半導体装置 | |
| US3002135A (en) | Semiconductor device | |
| JPS588136B2 (ja) | ソシトリツケヨウキタイ | |
| US3950142A (en) | Lead assembly for semiconductive device | |
| JPS61107751A (ja) | 樹脂モ−ルド型半導体装置 | |
| JP2966079B2 (ja) | リードフレーム、これを用いた半導体装置および半導体装置の実装方法 | |
| JP4403661B2 (ja) | 放熱板を用いた部品の実装構造及びその製造方法 | |
| US3120052A (en) | Method of making alloyed junction semiconductor devices | |
| JPS6116345B2 (ja) | ||
| JPH0661368A (ja) | フリップチップ型半導体装置 | |
| JPH0118580B2 (ja) | ||
| JP2003133337A (ja) | 半導体実装構造および半導体実装方法 | |
| JP3827442B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
| JPH06140540A (ja) | ヒートシンク及びそのヒートシンクを用いた半導体装置の実装方法 | |
| JPS607494Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0353780B2 (ja) | ||
| JPS6032773Y2 (ja) | 気密端子 | |
| JPS6352461B2 (ja) |