JPS5879736A - 配線構体 - Google Patents
配線構体Info
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- JPS5879736A JPS5879736A JP17772781A JP17772781A JPS5879736A JP S5879736 A JPS5879736 A JP S5879736A JP 17772781 A JP17772781 A JP 17772781A JP 17772781 A JP17772781 A JP 17772781A JP S5879736 A JPS5879736 A JP S5879736A
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- JP
- Japan
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- wiring
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- Pending
Links
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241000345998 Calamus manan Species 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000012950 rattan cane Nutrition 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は大規模集積回路（以下、ＬＳＩと叶ぶ）の配
線構成に関する。
線構成に関する。
ＬＳＩの中で矩形または矩形に近い形状の配線領域が明
確に定められている場合垂直な線分と水平な線分を用い
、前者に第一層、後者に第二層を割シ当て両者の交点部
にコンタクトを配置し電気的に接続する方法が用いられ
ている。この方法はチャネル配線法と呼ばれ、例えば、
Ｐｒｏ＠＊＊ｄｉｎｇｇ＋ ｏｆ ｌ’ｌｔｈ
Ｄ＠ｓｉｇｎ Ａｕｔｏｍａｔ１ｏｎＣｏｎｆ＠ｒ＠
ｎｃｅ １９７６年６月、Ｐ４２５〜Ｐ４３３ におい
てＩＬＮ、Ｄ＠ｕｔｃｈ によシム’ｄｏｇｌ＠ｇ’
ａｈａｎｎ＊１ ｒｏｕｔｅｒによって紹介されてい
る。従来の方法では配線の水平線分と垂直線分の層が固
足されているため配線トラ、りを異なる２つの信号で共
用できない、ｔた、コンタクト−コンタクト間の余裕の
制限のため、異なる信号に属するコンタクトは相互の１
１接が禁止されるため、配線トラ、りが無駄に使われる
ことが多い、このために集積度の低下および配線不能な
どの問題が発生している。
確に定められている場合垂直な線分と水平な線分を用い
、前者に第一層、後者に第二層を割シ当て両者の交点部
にコンタクトを配置し電気的に接続する方法が用いられ
ている。この方法はチャネル配線法と呼ばれ、例えば、
Ｐｒｏ＠＊＊ｄｉｎｇｇ＋ ｏｆ ｌ’ｌｔｈ
Ｄ＠ｓｉｇｎ Ａｕｔｏｍａｔ１ｏｎＣｏｎｆ＠ｒ＠
ｎｃｅ １９７６年６月、Ｐ４２５〜Ｐ４３３ におい
てＩＬＮ、Ｄ＠ｕｔｃｈ によシム’ｄｏｇｌ＠ｇ’
ａｈａｎｎ＊１ ｒｏｕｔｅｒによって紹介されてい
る。従来の方法では配線の水平線分と垂直線分の層が固
足されているため配線トラ、りを異なる２つの信号で共
用できない、ｔた、コンタクト−コンタクト間の余裕の
制限のため、異なる信号に属するコンタクトは相互の１
１接が禁止されるため、配線トラ、りが無駄に使われる
ことが多い、このために集積度の低下および配線不能な
どの問題が発生している。
ここで、従来の方法による配線例を第１図及び第２図に
示す。図中、実線で描いた線分は第一層の垂直線分を、
破線で描いた線分は第二層の水平線分を示している０例
えば、第１図の配線領域ａにおいて、籐一層には４つの
垂直線分１１〜１４が、第二層に扛水千線分１５．１６
が形成されている。また、上記垂直線分１１゜１３と上
記水平線分１５との交差する点にはコンタクト１１．１
８が設けられて−る。さらに、上記垂直線分１：Ｉ、１
４と上記水平線分１６との交差する点にはコンタクト１
９．２０が設けられている。このことによル、第一層に
形成されている垂直線分１１．１３と第二層に形成され
ている水平線分１１ＦｉコンタクトＩＴ、１８を介して
電気的に接続される。また、同様にして第一層に形成さ
れている垂直線分１２．１４と第二層に形成されている
水平線分１６Ｆｉ、コンタクト１９．２０を介して電気
的に接続される。
示す。図中、実線で描いた線分は第一層の垂直線分を、
破線で描いた線分は第二層の水平線分を示している０例
えば、第１図の配線領域ａにおいて、籐一層には４つの
垂直線分１１〜１４が、第二層に扛水千線分１５．１６
が形成されている。また、上記垂直線分１１゜１３と上
記水平線分１５との交差する点にはコンタクト１１．１
８が設けられて−る。さらに、上記垂直線分１：Ｉ、１
４と上記水平線分１６との交差する点にはコンタクト１
９．２０が設けられている。このことによル、第一層に
形成されている垂直線分１１．１３と第二層に形成され
ている水平線分１１ＦｉコンタクトＩＴ、１８を介して
電気的に接続される。また、同様にして第一層に形成さ
れている垂直線分１２．１４と第二層に形成されている
水平線分１６Ｆｉ、コンタクト１９．２０を介して電気
的に接続される。
また、図中における破線外には上記垂直線分を介して論
理素子に接続されるものである。従来において、異なっ
た垂直線分の組に対する水平線分はそれぞれ異なったト
ラ、り上に形成されていえ。この場合、コンタクト１９
．２０を水平線分１５上に設けることはできなかった。
理素子に接続されるものである。従来において、異なっ
た垂直線分の組に対する水平線分はそれぞれ異なったト
ラ、り上に形成されていえ。この場合、コンタクト１９
．２０を水平線分１５上に設けることはできなかった。
なぜなら、垂直線分１１．１１及び水平線分１５が電気
的に接続されると、無条件に垂直線分１２゜１４と水平
線分ＩＣが電気的に接続されてしまうという欠点が生じ
てしまうことである。このため、従来において、異なっ
た組に対する水平線分はそれぞれ別々のトラ、り上に設
ける必要が生じておシ、限られた配線領域を有効に使用
することはできなかった。ｔた、第１図の配線領域ｂｅ
ｅは同様な理由によシ複数トラ、り上に水平線分を形成
しなければならなかった。
的に接続されると、無条件に垂直線分１２゜１４と水平
線分ＩＣが電気的に接続されてしまうという欠点が生じ
てしまうことである。このため、従来において、異なっ
た組に対する水平線分はそれぞれ別々のトラ、り上に設
ける必要が生じておシ、限られた配線領域を有効に使用
することはできなかった。ｔた、第１図の配線領域ｂｅ
ｅは同様な理由によシ複数トラ、り上に水平線分を形成
しなければならなかった。
第２図において、配線領域ｄにおいて、第一層には６つ
の垂直線分３１〜３６が、第二層にＬ水子線分３１〜３
＃が形成されている。また、上記垂直線分５ｘｅｘｘと
上記水平線分３１との交差する点にはコンタクト４０．
４１が設けられている。さらに、上記垂直線分３３．８
４と上記水平線分ｊ＃との交差する点にはコンタクト４
；１１．４３が設けられている。また、上記垂直線分ｓ
ｓ 、ｓｅｔと上記水平線分Ｓ９との客差する点にはコ
ンタクト４４．４５が設けられている。このように、コ
ンタクトが配置されている場合、各コンタクトは一定距
離を離さなければならなかった１例えば第２図配線領域
ｄにおいてはコンタクト４５．４４間は２トラツクの間
隔が入っている。このように配線領域内にＩＩＩ数のコ
ン夛りトが存在する場合、コンタクトを所定トラ、り以
上離さなければならないため、限られた配線領域を有効
に使用することができなかつ九。また、第２図の配線領
域・においても矢印で示すようにコンタクト間を所定ト
ラ。
の垂直線分３１〜３６が、第二層にＬ水子線分３１〜３
＃が形成されている。また、上記垂直線分５ｘｅｘｘと
上記水平線分３１との交差する点にはコンタクト４０．
４１が設けられている。さらに、上記垂直線分３３．８
４と上記水平線分ｊ＃との交差する点にはコンタクト４
；１１．４３が設けられている。また、上記垂直線分ｓ
ｓ 、ｓｅｔと上記水平線分Ｓ９との客差する点にはコ
ンタクト４４．４５が設けられている。このように、コ
ンタクトが配置されている場合、各コンタクトは一定距
離を離さなければならなかった１例えば第２図配線領域
ｄにおいてはコンタクト４５．４４間は２トラツクの間
隔が入っている。このように配線領域内にＩＩＩ数のコ
ン夛りトが存在する場合、コンタクトを所定トラ、り以
上離さなければならないため、限られた配線領域を有効
に使用することができなかつ九。また、第２図の配線領
域・においても矢印で示すようにコンタクト間を所定ト
ラ。
り以上離さなければならなかった。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、その目的
は配線の水平線分と垂直線分の層を変東もしくは重複に
よって配線トラ、りに２つの異なる信号を共有させ、ま
た、コンタクト−コンタクト間の余裕による制限の解除
を行なう仁とができる配−構体を提供することにある。
は配線の水平線分と垂直線分の層を変東もしくは重複に
よって配線トラ、りに２つの異なる信号を共有させ、ま
た、コンタクト−コンタクト間の余裕による制限の解除
を行なう仁とができる配−構体を提供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
この発明の配線方法は、配線の水平線分、垂直線分をそ
れぞれ水平トラ、り、垂直トラックに割シ当てる際、各
線分に対して２つの層を用いることによりて、２つの異
なる信号が互いの絶縁関係を保ちながら、互いに同一の
配線トラックを並行させる。ｔた、同様の方法によって
コンタクトを消去、移動させることによってコンタクト
−コンタクト間余裕による制約に起因する配線線分の同
一トラ、り、瞬接トラ、りの割シ当て禁止を解除してい
る。
れぞれ水平トラ、り、垂直トラックに割シ当てる際、各
線分に対して２つの層を用いることによりて、２つの異
なる信号が互いの絶縁関係を保ちながら、互いに同一の
配線トラックを並行させる。ｔた、同様の方法によって
コンタクトを消去、移動させることによってコンタクト
−コンタクト間余裕による制約に起因する配線線分の同
一トラ、り、瞬接トラ、りの割シ当て禁止を解除してい
る。
つ′ｔシ、従来第１図に示した配線領域ａの配線の本願
による配線構体は第３図に示すようになる。つまシ、従
来篇二層に形成されていた水平線分ＩＣｔ−第一層のコ
ネクトＩＴ、１ｇ上に形成している。！３図中では水平
線分１５と第一層に形成される水平線分とは離れて書い
であるが、実際は重なシ合う位置に位置する。このこと
により、垂直線分が２組ある場合でも１トツ、り内で配
線を割〕蟲てることができる。
による配線構体は第３図に示すようになる。つまシ、従
来篇二層に形成されていた水平線分ＩＣｔ−第一層のコ
ネクトＩＴ、１ｇ上に形成している。！３図中では水平
線分１５と第一層に形成される水平線分とは離れて書い
であるが、実際は重なシ合う位置に位置する。このこと
により、垂直線分が２組ある場合でも１トツ、り内で配
線を割〕蟲てることができる。
また、′１ｇ４図は従来第１図の配線領域すの配線の本
願による配線構体を示すものであり、従来第二層に形成
されていた水平線分５１を第一層の水平線分５２として
形成することにより同一トラック上に複数線の垂直線分
に対応する複数の水平線分をもつことができる。
願による配線構体を示すものであり、従来第二層に形成
されていた水平線分５１を第一層の水平線分５２として
形成することにより同一トラック上に複数線の垂直線分
に対応する複数の水平線分をもつことができる。
また、第５図は従来第１図の配線領域Ｃの配線の本願に
よる配線構体を示すものであシ、従来第二層に形成され
ていた水平線分を第一層の要し 水平線分５３．５４とすることによ、ｂ−ｓｂれた配線
領域を有効に使っている。
よる配線構体を示すものであシ、従来第二層に形成され
ていた水平線分を第一層の要し 水平線分５３．５４とすることによ、ｂ−ｓｂれた配線
領域を有効に使っている。
また、第６図は従来第２図の配線領域ｄの配線の本願に
よる配線構体を示す。
よる配線構体を示す。
つまり、従来第二層に形成されてい走水平線３７を第一
層に形成する＠これにより、従来のコネクト４０．４１
をなくしている。この仁とにより、従来のコネクト４１
と４２間を所定トラック以上離しておかなければならな
いことを不要にしている。このため、第一層に形成され
た水平線分３７と第二層に形成された水平線分３８とを
町−トラック上に形成することを可能にしている。を九
、従来第二層に形成されていた水平線分Ｓ９を第一層に
形成される水平線分３９２と第二層に形成される水平線
分３９１とに分けることにより、上記水平線分３７、水
平線分３８、水平線分３１１１，３９２を同一トラック
上に形成している。このことによシ、配線領域を有効に
使用することができる。
層に形成する＠これにより、従来のコネクト４０．４１
をなくしている。この仁とにより、従来のコネクト４１
と４２間を所定トラック以上離しておかなければならな
いことを不要にしている。このため、第一層に形成され
た水平線分３７と第二層に形成された水平線分３８とを
町−トラック上に形成することを可能にしている。を九
、従来第二層に形成されていた水平線分Ｓ９を第一層に
形成される水平線分３９２と第二層に形成される水平線
分３９１とに分けることにより、上記水平線分３７、水
平線分３８、水平線分３１１１，３９２を同一トラック
上に形成している。このことによシ、配線領域を有効に
使用することができる。
まえ、第７図は従来第２図の配線領域ｅの配線の本願に
よる配線構体を示す。つまシ従来第二層に形成されてい
え水平線分５５を第一層に形成し、従来第二層に形成さ
れていた水平線分５６を第一層に形成される水平線分６
ノ及び第二層に形成される水平線分６０とに分け、コネ
クト５１をなくシ、コネクト５８の位置をコネクト５９
の位置に移すことによシコネクト間の余裕による制限を
解除している。
よる配線構体を示す。つまシ従来第二層に形成されてい
え水平線分５５を第一層に形成し、従来第二層に形成さ
れていた水平線分５６を第一層に形成される水平線分６
ノ及び第二層に形成される水平線分６０とに分け、コネ
クト５１をなくシ、コネクト５８の位置をコネクト５９
の位置に移すことによシコネクト間の余裕による制限を
解除している。
以上詳述したようにこの発明によれば、配線の水平線分
と垂直線分の層を変更もしくは重複によって配線トラッ
クを２つの異なる信号を共有させ、また、コンタクト−
コンタクト間の余裕による制限の解除を行なうことがで
きる配線構体を提供することができる。
と垂直線分の層を変更もしくは重複によって配線トラッ
クを２つの異なる信号を共有させ、また、コンタクト−
コンタクト間の余裕による制限の解除を行なうことがで
きる配線構体を提供することができる。
第１図及び第２図はそれぞれ従来の配線構体を示す図、
第３図ないし第７図はそれぞれこの発明の具体例を示す
図である０ １７、Ｉｌｌ、４２．４８・・・コネクト、５２，５：
１゜５４・・・水平−分、３１．３１．３４・・・垂直
線へ出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−１＝
第３図ないし第７図はそれぞれこの発明の具体例を示す
図である０ １７、Ｉｌｌ、４２．４８・・・コネクト、５２，５：
１゜５４・・・水平−分、３１．３１．３４・・・垂直
線へ出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦−１＝
Claims (2)
- （１）矩形または矩形に近い形状をもつ配−領域、およ
び上記配線領域の組み合せからなる配線領域内で行なわ
れる水平な線分と垂直な線分に対して２層を用いて行な
われる配線構体において、水平な配線線分と垂直な配線
線分のどちらか、または両方の配線線分の部分もしくは
全体の層を変更することによって異なる信号に属する配
線線分が連続する同一の配線トラ、りを共有することを
特徴とする配線構体。 - （２） 上記水平な配線線分、または上記垂直な配線
−分の一部または全体の層を変更、もしくは２層を重複
させることによってコンタクトを移動もしくは消去する
ことを４Ｉ徴とするｔｆ＃＃！Ｆ請求の範囲第１項記載
の配ＭＩＩ体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17772781A JPS5879736A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 配線構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17772781A JPS5879736A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 配線構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5879736A true JPS5879736A (ja) | 1983-05-13 |
Family
ID=16036052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17772781A Pending JPS5879736A (ja) | 1981-11-05 | 1981-11-05 | 配線構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5879736A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746965A (en) * | 1985-03-29 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrated semiconductor circuit device |
| US8006205B2 (en) | 2003-07-23 | 2011-08-23 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device layout method, a computer program, and a semiconductor device manufacture method |
-
1981
- 1981-11-05 JP JP17772781A patent/JPS5879736A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4746965A (en) * | 1985-03-29 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Integrated semiconductor circuit device |
| US8006205B2 (en) | 2003-07-23 | 2011-08-23 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor device layout method, a computer program, and a semiconductor device manufacture method |
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