JPH0695552B2 - 半導体集積回路の配線方式 - Google Patents
半導体集積回路の配線方式Info
- Publication number
- JPH0695552B2 JPH0695552B2 JP10535986A JP10535986A JPH0695552B2 JP H0695552 B2 JPH0695552 B2 JP H0695552B2 JP 10535986 A JP10535986 A JP 10535986A JP 10535986 A JP10535986 A JP 10535986A JP H0695552 B2 JPH0695552 B2 JP H0695552B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- metal wiring
- layer
- layer metal
- sides
- Prior art date
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路の配線方式に関し、特に二層の
金属配線構造を有する半導体集積回路の配線方式に関す
る。
金属配線構造を有する半導体集積回路の配線方式に関す
る。
第２図は従来の二層の金属配線方式の一例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
従来、この種の二層の金属配線構造をもつ半導体集積回
路における機能ブロック間の配線は、水平方向配線トラ
ックおよび垂直方向配線トラックを設定し、例えば、水
平方向には第１層目、垂直方向には第２層目という様
に、予め決めた配線方向によって二層の金属配線を使い
分けるようになっていた。
路における機能ブロック間の配線は、水平方向配線トラ
ックおよび垂直方向配線トラックを設定し、例えば、水
平方向には第１層目、垂直方向には第２層目という様
に、予め決めた配線方向によって二層の金属配線を使い
分けるようになっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕 上述した従来の二層の金属配線構造をもった半導体集積
回路の配線方式は、どの配線を第１層目金属配線にする
か第２層目金属配線にするかの最適化がなされていな
い。論理機能ブロック内の素子間は第１層目金属配線で
配線されている為、第１層目金属配線が論理機能ブロッ
クに入力または通過する際には、新たに配線領域を設け
なければならない。しかし第２図に示す様に、垂直方向
の配線６に第２層目金属配線また水平方向の配線４およ
び５に第１層目金属配線という様に方向別に金属配線層
を決定して配線すると、論理機能ブロックＣを横断する
第１層目金属配線４による配線領域の増加分は、配線４
の本数と辺ｋおよびｌの長さの積に比べて配線６の本数
と辺ｉおよびｊの長さ積が大きいので、配線４を第１層
目、配線６を第２層目金属配線にした時より少ないが、
論理機能ブロックＤを横断する第１層目配線５による配
線領域の増加分が大きくなってしまうという欠点があ
る。
回路の配線方式は、どの配線を第１層目金属配線にする
か第２層目金属配線にするかの最適化がなされていな
い。論理機能ブロック内の素子間は第１層目金属配線で
配線されている為、第１層目金属配線が論理機能ブロッ
クに入力または通過する際には、新たに配線領域を設け
なければならない。しかし第２図に示す様に、垂直方向
の配線６に第２層目金属配線また水平方向の配線４およ
び５に第１層目金属配線という様に方向別に金属配線層
を決定して配線すると、論理機能ブロックＣを横断する
第１層目金属配線４による配線領域の増加分は、配線４
の本数と辺ｋおよびｌの長さの積に比べて配線６の本数
と辺ｉおよびｊの長さ積が大きいので、配線４を第１層
目、配線６を第２層目金属配線にした時より少ないが、
論理機能ブロックＤを横断する第１層目配線５による配
線領域の増加分が大きくなってしまうという欠点があ
る。
本発明の半導体集積回路の配線方式は、半導体基板上に
形成されたそれぞれ複数個のトランジスタから成る複数
個の論理機能ブロックと二層の金属配線層を含み、前記
論理機能ブロックに入力または通過する配線の配線領域
が最小となる様に、前記論理機能ブロックの互いに平行
な第１および第２の辺に直交する第１の配線方向ならび
に前記第１および第２の辺に垂直に第３および第４の辺
に直交する第２の配線方向の二層の金属配線層を比較
し、前記第１および第２の辺の辺長と前記第２の配線方
向の配線数の積と前記第３および第４の辺の辺長と前記
第１の配線方向の配線数の積との大きい方の配線方向を
第２層目金属配線とし、また小さい方の配線方向を第１
層目金属配線とすることを特徴とする。
形成されたそれぞれ複数個のトランジスタから成る複数
個の論理機能ブロックと二層の金属配線層を含み、前記
論理機能ブロックに入力または通過する配線の配線領域
が最小となる様に、前記論理機能ブロックの互いに平行
な第１および第２の辺に直交する第１の配線方向ならび
に前記第１および第２の辺に垂直に第３および第４の辺
に直交する第２の配線方向の二層の金属配線層を比較
し、前記第１および第２の辺の辺長と前記第２の配線方
向の配線数の積と前記第３および第４の辺の辺長と前記
第１の配線方向の配線数の積との大きい方の配線方向を
第２層目金属配線とし、また小さい方の配線方向を第１
層目金属配線とすることを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のブロック図である。本実施
例は論理機能ブロックＡおよびＢ、第１層目金属配線
１、第２層目金属配線２、配線層が異なる金属配線３お
よびスルーホールＴを有する。
例は論理機能ブロックＡおよびＢ、第１層目金属配線
１、第２層目金属配線２、配線層が異なる金属配線３お
よびスルーホールＴを有する。
論理機能ブロックＡは向かい合った２組の辺a,bおよび
c,dを、また論理機能ブロックＢは向かい合った２組の
辺e,fおよびg,fをそれぞれ有する。配線層が異なる金属
配線３は論理機能ブロックＡを横断するときは第２層目
で、また論理機能ブロックＢを横断するときは第１層目
でそれぞれ配線される。スルーホールＴはこの配線層の
異なる金属配線３の層間をつなぐためのものである。
c,dを、また論理機能ブロックＢは向かい合った２組の
辺e,fおよびg,fをそれぞれ有する。配線層が異なる金属
配線３は論理機能ブロックＡを横断するときは第２層目
で、また論理機能ブロックＢを横断するときは第１層目
でそれぞれ配線される。スルーホールＴはこの配線層の
異なる金属配線３の層間をつなぐためのものである。
以上のように構成された本実施例においては、論理機能
ブロックＡに関しては、配線１の本数と辺ｃおよびｄの
長さの積に比べて配線３の本数と辺ａおよびｂの長さの
積の方が大きいので、配線３を第２層目金属配線、配線
１を第１層目金属配線１にし、また論理機能ブロックＢ
に関しては、配線３の本数と辺ｅおよびｆの長さの積に
比べて配線２の本数と辺ｇおよびｈの長さの積の方が大
きいので、配線２を第２層目金属配線、配線３を第１層
目金属配線にすればよい。配線３の論理機能ブロックＡ
上とＢ上とで配線層が異なるので、論理機能ブロックA,
B間でスルーホールＴにより配線層を切り換えるように
する。
ブロックＡに関しては、配線１の本数と辺ｃおよびｄの
長さの積に比べて配線３の本数と辺ａおよびｂの長さの
積の方が大きいので、配線３を第２層目金属配線、配線
１を第１層目金属配線１にし、また論理機能ブロックＢ
に関しては、配線３の本数と辺ｅおよびｆの長さの積に
比べて配線２の本数と辺ｇおよびｈの長さの積の方が大
きいので、配線２を第２層目金属配線、配線３を第１層
目金属配線にすればよい。配線３の論理機能ブロックＡ
上とＢ上とで配線層が異なるので、論理機能ブロックA,
B間でスルーホールＴにより配線層を切り換えるように
する。
なお本実施例においては、第１層目金属配線１、第２番
目金属配線２および配線層が異なる金属配線３の本数を
それぞれ４本で例示しだが、この本数はそれぞれ何本で
もよく、要は論理機能ブロックの辺の長さと横断する配
線本数の積を比較すればよい。
目金属配線２および配線層が異なる金属配線３の本数を
それぞれ４本で例示しだが、この本数はそれぞれ何本で
もよく、要は論理機能ブロックの辺の長さと横断する配
線本数の積を比較すればよい。
以上説明したように本発明は、論理機能ブロック上を横
断する金属配線層を、横断する長さと配線数の積の小さ
い方の配線方向を第１層目に、積の大きい方を第２層目
にすることにより、素子領域上を通過できる第２層目金
属配線領域を最大限に増やして素子間配線に使用するこ
とができ、また素子領域上を通過できない第１層目金属
配線領域を最小限に抑えることができ、従ってチップ面
積を小さくできる効果がある。
断する金属配線層を、横断する長さと配線数の積の小さ
い方の配線方向を第１層目に、積の大きい方を第２層目
にすることにより、素子領域上を通過できる第２層目金
属配線領域を最大限に増やして素子間配線に使用するこ
とができ、また素子領域上を通過できない第１層目金属
配線領域を最小限に抑えることができ、従ってチップ面
積を小さくできる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のブロック図、第２図は従来
の二層の金属配線方式の一例を示すブロック図である。 1,4,5…第１層目金属配線、2,6…第２層目金属配線、３
…配線層が異なる金属配線、A,B,C,D…論理機能ブロッ
ク、Ｔ…スルーホール、a,b,c,d,e,f,g,h,i,j,k,l,m,n,
o,p…辺。
の二層の金属配線方式の一例を示すブロック図である。 1,4,5…第１層目金属配線、2,6…第２層目金属配線、３
…配線層が異なる金属配線、A,B,C,D…論理機能ブロッ
ク、Ｔ…スルーホール、a,b,c,d,e,f,g,h,i,j,k,l,m,n,
o,p…辺。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板上に形成されたそれぞれ複数個
のトランジスタから成る複数個の論理機能ブロックと二
層の金属配線層を含む半導体集積回路の配線方式におい
て、前記論理機能ブロックに入力または通過する配線の
配線領域が最小となる様に、前記論理機能ブロックの互
いに平行な第１および第２の辺に直交する第１の配線方
向ならびに前記第１および第２の辺に垂直な第３および
第４の辺に直交する第２の配線方向の二層の金属配線層
を比較し、前記第１および第２の辺の辺長と前記第２の
配線方向の配線数の積と前記第３および第４の辺の辺長
と前記第１の配線方向の配線数の積との大きい方の配線
方向を第２層目金属配線とし、また小さい方の配線方向
を第１層目金属配線とすることを特徴とする半導体集積
回路の配線方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10535986A JPH0695552B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体集積回路の配線方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10535986A JPH0695552B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体集積回路の配線方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261146A JPS62261146A (ja) | 1987-11-13 |
| JPH0695552B2 true JPH0695552B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=14405529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10535986A Expired - Lifetime JPH0695552B2 (ja) | 1986-05-07 | 1986-05-07 | 半導体集積回路の配線方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0695552B2 (ja) |
-
1986
- 1986-05-07 JP JP10535986A patent/JPH0695552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62261146A (ja) | 1987-11-13 |
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