JPS587618A - 測光回路の温度補償方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はカメ２等に用いる観光回路の１１度補償方式で
、４１に集積回路（ＩＣ）化に迩し九温度補償され九掬
光回路に関するものである。

カメ２等に用いる欄光崗路紘光電度換素子よシの光電ａ
″１圧ｍ特性を有する演算増幅器で増幅し友Ｏちトラン
ジスタ勢により伸張して側光出力を得るものであり、屑
一温度の変化により側光出力がｔｍするのを電気的に補
償する回路を備えている。このような回路に必要な絶対
温度に比例した補償用電圧源を得ることが本発明の目的
である。

まず初めに、８１１図を参照して、当分野の技術的背景
について述べることにする。第１図はカメラ用綱光１路
の一例を示す一路図で、ｌは＾入力インピーダンスを有
する例えばＭＯＳ−ＦＥＴを入力段に用い九演算増＠器
（以下ｏＰｌと記す）、２は皺ＯＰＩの非反転入力端子
と反転六方端子間に接続されて照度に比例する１１流１
ａｒｎを流すシリコンフォトダイオード等の光電変換素
子、３はＯＰＩの出力端子と反転六方端子間に接続され
てＯＰＩの員４還１路を構成する対数圧縮ダイオード、
４はＶｒｅｆなる出力電圧【有し、ＯＰＩの非反転入力
端子をバイアスする基準電圧線、５はそのベース端子が
皺ＯＰＩの出方端子に接続され、そのエミッタ端子が接
地された伸張トランジスタ、６は皺伸張ト″）／ジスタ
のコレクタ端子と電＃ｌあるいは他の一定電位７との間
に挿入されＣなる容量値を有する時定コンデンサ、８Ｆ
ｉ、常時閉成され、受光素子照度に反比例する時間を得
る際にその計数の最初のタイミングに同期して開成され
るカウントスイッチ、及び９は、上記電位７からの温度
に対しはは一定の電位Ｖ□を一方の端子に、伸張トラン
ジスタ５のコレクタ端子を他方の端子にそれぞれ人力さ
れた比較器である。この構成に於て、ＯＰｌの出力電圧
０ＰＩＯＵＴはｌＩａ的演算演算増幅器性及びり゛イオ
ードの１１Ｌ流−電圧特性を示す式を用いてで表わされ
る。

ここに、ｑ　：電子１個あ友）Ｏ電荷（クーロン）ｋ：
ボルツマン定数 ｉｓ：圧縮ダイオードの逆方向飽和電流Ｔ　　：ＩＰ、
対温度で表わした周囲温度（０ｋ）■。ｆ二基準電圧 １ｓｒｓ　：受光素子の光電流、である。

一方伸張ト２ンジスタ５０コレクタに流れる電流をｉｃ
と置き、伸張トランジスタ５のＨ□（電流増幅率）がｉ
ｅとｌ・（エンツタ電ａ）Ｏ差が無視出来る程大きいと
すると、そのベース電位Ｖｌム１罵　　１友 で表わされる。

ここに、ｉｓは伸張トランジスタ５０ベース・エゼツタ
嫉合に於秒る逆方向飽和電流であり、これは該圧縮ダイ
オード３を伸張トランジスタ５とｌＷ１様の構成にする
ことにより（１）式に於ける１ｍと同じ値、特性が期待
できる。すなわち（１）および（２）式０１畠は等しく
なる。

（１）式と（３）式を等しいと置くと ｉ　ｃ／１ａｐｏ　＝　ＫＸＰ　（Ｑ　Ｘ　Ｖｒ＊ｆ／
ｋＴ　）　　　−（３）一方、カウントスイッチ８が閉
成から開成に転じ圧伏、伸張コンデンサ６が伸張電流１
ｃにょシ充電されてＶｙｍと勢しくなる迄の時間ｔはＣ
Ｘ　Ｖｒ腫 ｔ−□　　　　　　　　　　・・・（４）Ｃ で表わされる。

（３）式ｔ（４１式に代入すると が得られる。この式から明らかな様に、ｔが温度に依存
せず受光素子電＃ｌＥ　ｆａｒｍに反比例する為には、
温度依存項Ｔを消去し得るよう絶対温度に比例すること
が必要である。もちろん（５）式に於て、Ｖｒｄ＝ＯＡ
慢ｌである場合もｔ紘温度に依存せずｆａｒｍに反比例
するが、一般にはｌａｐｍは非常に微少であるので、１
ａｐ−を増倍したｉｃを得ることが要求され、通常１０
００〜２０００倍０増幅率を得る九めＣ）　Ｖｒ・ｆ　
＝　２００ｍＶ近辺θ値が選ばれることが多い。

本＠明は以上に記し友技術的背景に於いて、絶対温度に
比例した電圧源を得る為の具体的方法に関するものであ
る。

従来、光起電力素子に流れる短絡電流を圧縮ダイオード
に流すことによって得られる電圧を用いて一党演算を行
なう一路において、絶対温度比例項の温度補償は多くの
工夫を畳し、−例では、絶対温度にはげ比例する抵抗特
性を有する抵抗素子を用いたものがある。しかしこの場
合、そＯような素子が一般に４価であることの弛に、そ
の特性が不安定あるいはウネリがあシ糟度Ｏ良い補償が
出来ないというような欠点がＴｏｎ、また温度係数の少
ない抵抗が対として必要になる場合も多く、集積回路化
に不都合であるというような欠点もある。また、別の例
では、特開昭５２−５５８８に見られるように、絶対温
度に比例する定電ｉｉｔ源を構成し、その電流を抵抗器
Ｋｍすことにより絶対温度に比例する電圧を得ているも
のがあるが、この場合−１構成が複雑になるばかりでな
く、温度依存性を有しない抵抗が集積回路化する場合に
外付部品として必要になるというような、欠点を有して
い友。

本発明は上記の如き従来方式における欠点を論い先側光
回路の温度補償方式を提供すること／ｉ を目的とするもので、囲路構成が簡単であシ、かつ抵抗
の温度係数を気にする必ＩＮがなく、集積崗路化Ｋｉｋ
めて適し友−のであると同時に、他機能との兼用も容易
である経済的効果もすぐれ九回路構成が期待し得るよう
な温度補償方式以下、＃Ａ面に基づいて本発明の詳細な
説明する。＃Ｉ２図は本発明の温度補償回路を用いたカ
メラの回路構成の一実施例であり、まず点線で囲ったブ
ロックについては、Ａは光電変換部、ＢはＪｉｌｋ！Ａ
で８と示され九カウントスイッチの機能を電気的に行な
う電気カウントスイッチ部、Ｃはシャッター秒時を最終
的に抜足する自動露出終了信号発生部、Ｄは電源部、Ｅ
は各種基準電圧発生部、Ｆは絶対値比例電圧増幅部、Ｇ
はバッテリーチェック部、Ｈはシャッター制御用コイル
駆動部、工はロジック制御部、Ｊ＃′ｉ、発振器、Ｋは
レリーズ指令信号発生部及びＬは電源投入時に７リツプ
７０ツブ勢をリセットする信号（以下ＰＵＣ信号と称す
る）を発生するＰＵＣ発生部である。ブロックＡ及びＣ
に於いて数字で示され１１１図と同じ番号が与えられて
いるものは同一機能を有するものであｐｌここでは説明
を省略する。５２は自動露出レベル調整用可変抵抗器で
一端は接地され他端は後述のブロックＦの演算増幅器２
５の出力に接続され、その摺動端子は光電変換用演算増
幅器の非反転入力端子Ｋｌｉ続されてｘｉ図４のＶｒｓ
ｆなるバイアス電圧を与える。１ｌＦｉ副絞り等の受光
素子前に置かれ九絞りで、１２はＡ８Ａ情報等を入力す
る為のフィルターであるｏ　ＩＩ　１図に６と示され７
なる電位ＫＩＩ続された時定コンデンサＣは、本実施例
では、ブロックＥｏ１つの出力であるＶＣなる電位に接
続されておシ、１ＩＸ１図で８として示され九メカカク
ン）ＳＷは、本実施例では、エイツタを前記ＶＣに、コ
レクタを特定コンデンナ６と伸張トランジスタ５０コレ
クタ及び比軟器９の非反転入力端子の接続点に、ベース
端子をブロックｌ０４９と示され九ＮＡＮＤゲートの出
力に接続された階トランジスタ１３で構成されている。

比較４１９の反転入力端子は前記ＶＣを抵抗２３．２４
で分圧した電位であるＫＶＣＫ　＊″続されており、そ
の出力社、自動露出終了時に＠Ｈ″レベルから１Ｌルベ
ルへ転するＡＥＥＮＤ信号として、ＮＡＮＤグー）５１
０一つの入力端に接続されている。１４は、ＶＢＡＴな
る電圧を有する電源で、例えばシャッターボタン（不図
示）のｊＩｌストロークに連動して閉じられる１５と記
され九９Ｎｌを介してｖＣＣなる電圧を出力し、ＶＣＣ
は第２図中に於いて特に電源が示されていな、い各−路
素子に接続されている。

７’　ａ　７　／　Ｅ　Ｋ於て１６はｖＣＣとＶＣＯ１
４１Ｋ挿入された定電流源で１７〜２４で構成され九回
路に電ｆｉｔを供給している。抵抗１７は一方の端子を
骸ＶＣＫ接続され他端は、エンツタとベースを接続され
たトランジスタ１８の鋏接続点Ｋｍ続されると共にトラ
ンジスタ２００ベースにｌｉＭされている。トランジス
タ１８のエンツタは接の 地されている。トランジスタ２０＃；寸カコレクタは、
抵抗１９を介してＶＣＫ接続されると共に、又トランジ
スタ２２０ベースにも接続されている。２０のエミッタ
は抵抗２１を介して接地されると共に演算増幅器２ｈの
非反転入力端子にも接続されている。トランジスタ２２
のコレクタはＶｃ　ｆＣ接続されエミッターは接地され
ている。演算項ＩＩ器２５の反転入力端子は帰還紙杭２
７を介してその出力と！！続されると共に抵抗２６を介
して接地され、ａＴと記され九抵抗２１０両端電位ｔ−
（抵抗２６＋抵抗２７　）／（抵抗２６）の倍率で増幅
している。その出力は前記可変抵抗５２の一端ばかりで
なく、演算増幅９２８の非反転入力端子にも接続されて
いる。

演算増幅ｖＭ２８は比較的大きな電ｍ’を制御する友め
Ｏ）Ｆンジスタ３２が付設されている。すなわちトラン
ジスタ３２のベースは演算増幅器の出力と接続され、そ
のコレクタは前記ＶＢＡＴに、そのエミッターはシャッ
ター羽根駆動用で一端を接地されたコイル３３と、負帰
還路を構成し他端は演算増幅器２８０反転入力端子と接
続された可変抵抗器３０とに接続されている。

尚、２９は皺反転入力端子と接地との間に挿入され九抵
抗で、前記トランジスタ３２のベースにコレクタを接続
された制御用トランジスタがオフの時、コイル３１０両
端電位が演算項＊優２５の出力電圧１−（抵抗２９＋可
変抵抗３０）／（抵抗２９）倍し九一定電圧になる様に
制御する。　トラ／ジスタ３１＃ｉ：、のエミッタは接
地され、そのベースはＮＡＮＤゲート５１０出力である
ＣＬＯ８Ｅが入力されている０比較＠３４はその非反転
入力には前記Ｋｖ＠、反転入力にはＶｃｃを抵抗３５と
３６で分圧した電圧が入力されており、電源電圧が所定
値以上であった場合には、３７と示され友バッテリーチ
ェック用スイッチＢＣ８Ｗが閉じられた時Ｋｌ！示用Ｌ
ＥＤ　３８　ｔ一点灯させるバッテリーチェック−路を
構成している。

尚スイッチＢＣ８Ｗは、開示しないが、その閉じ動作の
過程でスイッチｓｗｉ　ｔも同時に閉成し得る構成が望
ましい０４０は例えばシャッターボタン（不図示）の第
２ストロークで閉成され撮影者のレリーズ意志を回路に
伝えるスイッチ（以下Ｓ％ｖ２と称°す）で、一端は接
地され他端はプルアップ用抵抗３９に接続されてお夛、
その接続点はＮＡＮＤゲート４６に入力されている０抵
抗４１は一端を電源Ｖｃｃ、他端をコンデンサ４２に接
続されており、コンデンサ４２の他端は接地され、４１
と４２の接続点はインバータゲート４３の入力に８Ｍさ
れている。プμツクＪ中の発振ｓ　ｏｓｃの出力は、分
周器４７０Ｔ入力端子に接続されている。インバータゲ
ート４４はその人力がインバータゲー）　４３Ｃ）出力
と接続され、その出力は、スイッチ！ＩＩＷＩ閉成時か
ら所定期間Ｏみ１Ｌ”レベルとなるＰＵＣ信号としてＮ
ＡＮＤゲート４５及びＮＡＮＤゲート５００Å力ＫＪＩ
！Ｉされている。ＮＡＮＤゲート４６とＮＡＮＤゲート
４５は夫々の出力を相手の入力にたすきが社歌に帰還を
加えることでＲ−８７リツプ７−ツプを構成し、ＮＡＮ
Ｄゲート４６の出力は、スイッチ諭が一担閉じると“Ｈ
”レベルを保持する５ＴＡＲＴ信号として、前記分周Ｉ
！４７のクリアー人力であるＣＬ（”Ｌ”レベルが入力
された時クリアー人力として機能する）　、ＮＡＮＤゲ
ー記 ト４８の一方の入力及び曽嶌ＮＡＮＤゲート５１の他方
の入力に接続されている。またＮＡＮＤゲート４８の他
方の入力は、分周器４７の出力であるＱ端子と接続され
その出力はＮＡＮＤゲート４９の一方の入力端に接続さ
れ゛ている。ＮＡＮＤゲート４９と５０とは、夫々の出
力を相手の入力にたすきかけ状に帰還を加えることでＲ
−８７リツプ７０ツグを形成している。

次に上記構成の回路の動作を説明する。全ての＠路線ス
イッチ開が閉成されて初めてその電＃Ｉを供給される。

まずブロックＥの各ｔ１１−ＪＩＩＥ率電圧発生部に於
いて、絶対温度に比例する電圧ａＴ及び温度に依存しな
い電圧Ｖｃ並ひにＫＶｃ　Ｏ出力が得られる原ｍを述べ
る。抵抗１７，１９および２１０値を夫々職、鳥および
鶏とし、１８゜２０および２２は特性の良く揃ったトラ
ンジスタであるとする。トランジスタ１８のコレクタは
ベースと結線されているためにそのコレクタ電位はトラ
ンジスタのベース−エミッタＭＩＫ位ＶＢｌ　Ｋ　勢り
い。一方トランジスタ２０のコレクタ電位モトランジス
タ２２０ペースと接続されている九めに同様にＶｍｍで
あｐｌすなわちト２ンジスタ１８と２０のコレクタ電位
ははぼ等しい。また抵抗１７および１９は夫々の一端が
共通電位Ｖｃ　Ｋ接続されているために抵抗１７を通し
トランジスタ１８に流れる電［Ｉ、と抵抗１９を通して
トランジスタ２０Ｋｆｉれる電ｆＩＬ１１との比は、Ｒ
，：ＲＩとなる。この時抵抗２１の両端電位ａＴは次式
の橡に表わされる。

ａＴ　＝　（）フンジ２７１ｇの■ｍ１）−（）、ｙ／
ジｘ／２００Ｖｍりここでｑ、に、Ｔ、ｉｓについては
前記（１）式で説明したものと同様である。すなわち１
Ｔは、鴇／爬の値が温度によって不変でおることは、充
分に期待し得るので、絶対Ｉｉ度に比例し、島／Ｒ，＝
ｌＯなる値を選べば２５℃に於て約６０ｍＶＯ値を有す
ることになる。電圧ａＴＯ絶対値自体鉱原理上へ／丸の
値を更に大きくすることによシ大きくすることは可能で
あるが、集積−路として構成する場合、抵抗比を大きく
することにより此の精度ばかりでなくその抵抗温度特性
にも差を生じることになってあｔ９得策ではない。

尚、これらの回路は通常、バンドギヤラグ基準電圧回路
として、電源電圧変動及び温度に対して安定な出力を得
る為に用いられるもので、事実Ｍ例に於けるＶｅが温度
に対して安定な電圧であることは次の様に説明される。

すなわち、ブロックＥからの基準電圧Ｖｃは、 Ｖｃ＝（）ランジスタ２２のＶ農１）＋喰抗１９両端電
圧）であり、抵抗１９の両端電圧は、トランジスタ２０
のｈｆｅが充分に大きいと見なされれば、Ｖｃは、 で表わされる。上式第一項Ｏトランジスタのを打ち消す
為にＪＩＩ２項の常温での絶対値を第１項と１１１！同
様になるようにＲｔ　ｐ　Ｒ１−Ｒｓの抵抗値を選べば
、その絶対温度に比例するという性質、すなわち約÷３
３００ｐｐｍ　＝　＋　２ｍＶ／’Ｏによって、和であ
るＶｃは絶対値約１．２〜１．３Ｖ（シリコンのバンド
ギャップ電圧）で殆んど温度に依存しないという性質を
得られることになる。本実施例では、伸張コンデンサｔ
−Ｖｃに接続し、Ｖｃを抵抗で分圧し、従ってこれも温
度、電源電圧変動に対して安定であることが期待出来る
ＫＶｃを、比較ｉＳの基準入力として用いているため、
第１図に於けるＶｙｍはＶｃ　−ＫＶｃとなりやはや温
度、電源電圧変動に対して安定なものを得ている。

ｔｆｉｃ、皺に％’ｃはバッテリーチェックの基準入力
としても用いられている為に、安定なバクテリーチェッ
ク機能を保証し得る構成となっている。

すなわちブロックＧに於いて、比ｌｌＺ器３４の一方の
端子には電源電圧Ｖｃａを抵抗３５．３６で分圧し友値
が入力されており、他方の端子には、温度の変動に対し
て安定な基準入力としてＫＶｅが人力されこの両方の電
圧を比較することにより電源電圧が他の囲路を作動させ
るのに充分か否かを判別している。本実施例では基準入
力として、Ｋｖｃが入力されているが、これはＶｅでも
良い。電源電圧Ｖｅｅが（抵抗３５＋抵抗３６）ｘ　Ｋ
Ｖｅ　／　（抵抗３６）より大きｂ場合は比較器３４は
１Ｌ”レベルを出力しスイッチＢＣ８Ｗを閉成した場合
には、３８の■りの発光でこれを表示する様に構成しで
ある。本！Ｊ施例では、温度および電源の変動に対して
安定な基準電圧があることが望ましい一例としてバッテ
リーチェック機能を示したが、このような基準電圧が存
在することは、カメラシステム構成上自由度を拡げるこ
とは周知のことであや、その用途については本実施例の
ものに限定されないことは云うまでもない。

つぎにブロックＥからの絶対温度に比例する性質を有す
る電圧ａＴは増幅−路ｓＦで、絶対温度比例という性質
は損なわれないまま、適轟な電圧に増幅され、１つは、
光電変換ｉ１Ａの、光電流増幅、温度補償用のバイアス
源Ｖｒｅｆとして用いられている。ここで、可変抵抗器
５２の抵抗値はそれを常時流れる電流に較べて受光素子
２を流れて摺動切片から流入する光電流が充分小さいと
して無視し得る様な値が選定されていることはいうまで
もない。他方ブロックＦの出磁力を発生するコイル３３
を絶対温度に比例する電圧で定電圧駆動する為にも用い
られている。

このような用い方をすることの利点は、本発明と同一出
願人による先願で開示されている。プロラタムに於いて
、Ｖｒ＠ｆが絶対温度に比例する場合Ｏ利点は第１図の
ところで述べられているのでこれもここでは省略するこ
とにする。

次に以上で触れられなかったシーケンス的動作について
説明する。スイッチＳＷＩが閉成されると、回路各部が
動き始めると同時に、コンデンサ４２は抵抗４１を通じ
て充電され始め、抵抗、コンデンサの値で決まる時定数
とインバータ４３のスレショールド電圧で定まる所定＋
ｌＪの正パルスがインバーター４３から出力される０こ
の出力はインバータゲート４４で反転され、すなわち、
電源投入の瞬間から所定時間の閾のみ負パルスとなるＰ
ＵＣ出力を形成し、この信号でＲ−８７リツプ７０ツグ
を初期リセットする０すなわち、この結果、ＮＡＮＤゲ
ート４６及び４９０出力燻″″Ｌ”レベルにリセットさ
れ保持される。

ゲート４６の出力信号８ＴＡＥＴは１Ｌ”レベルであり
、これで分周器４７を不動作にしてそのＱ出力ｔ　”Ｌ
”レベルに初期設定すると共に、ＮＡＮＤゲート４８に
も入力され、その出力ｔ−＠Ｈ”レベルにする。また、
ＮＡＮＤゲート４９の出力の″ビレベルは、トランジス
タ１３を作動状履にし、特定コンチンｔ６を短絡して、
露出制御動作の開始に備える。この時、比較器９０非反
転入力はほぼＶｃで反転入力はＫＶａであり、従ってＡ
ＥＥＮＤは＠Ｈ”レベル出力となっているが、島却ゲー
ト５１は一方の入力が５ＴＡＲＴ　＝　”Ｌ”であるた
め１Ｈ″レベルを出力し、トランジスタ３１ｔオンにす
ることによってトランジスタ３２を不作動としてコイル
３３への通電を阻止している。

次いで、シャッターボタンの！２ストローク等でスイッ
チｓｗ２が閉成されるとＮＡＮＤゲート４６へ紘′″Ｌ
“レベルが入力され、ＮＡＮＤゲート４６０出力５ＴＡ
ＲＴ　ｔｉ　”Ｈ”レベルに反転しこれを保持する。こ
の５ＴＡＲＴ信号が１Ｈ”レベルに反転することにより
、分周器４７はＯ２０からの入力を受は入れ分周動作を
開始する。この時点では、ＮＡＮＤゲート４８の一方の
入力は１Ｌ″から１Ｈ″へと転するが、分局器４７０Ｑ
出力が所定時間た九ないと′″Ｌ”レベルのままなので
まだ１Ｈ″レベルを出力している。一方、ＮＡＮＤゲー
）５１は、一方の入力である后歯５が１Ｈ″レベルで他
方入力５ＴＡＲＴが“Ｈ”に転じるので、その出力は１
Ｈ“レベルカラ”Ｌ″レベル転Ｌ、従ってコイル３３へ
の通電が開始され、これによりシャッター羽根の開成動
作が開始する。分周器４７は、シャッター羽ａｍ成中の
あるタイミング、例えば−絞りがプリ開口状層から全閉
に転するタイミング、に相当する時勢にその出力Ｑを′
″Ｈ＝に転する様に構成されてお）、この時、ＮＡＮＤ
ゲート４８は２人力が共Ｋ　＠Ｈ”となるので“Ｌ”レ
ベルを出力し、ＮＡＮＤゲート４９０出力は＠Ｈルベル
に反転しこれを保持する。これにより、トランジスタ１
３はオフとなって、受光素子への入射光に比例する伸張
電流は時定コンチンゾロを充電し始め、いわゆる自動露
出時間を決定する時定動作が開始される。時定コンテン
１０充電電位は先に説明され友様に、伸張電流すなわち
、受光素子への入射光に比例する電流に反比例し走時間
でＶｅ　−ＫＶｃなるレベルに到達し、この時比較器９
の出力ＡＥＩ）ａ）は＠Ｈ″レベルから”Ｌ”レベルに
反転する。これによ＃５ＮＡＮＤゲート５１の出力は再
び＠Ｈ”レベルに反転し、従ってトランジスタ３１をオ
ン、トランジスタ３２をオフしてコイル３３への通電を
断ち、シャッターは閉成動作に移行する０これらシーケ
ンスのタイミングを示すチャートを１１１３図に示す。

以上によｐ＊夷１例に於いては、電源電圧、龜度による
変動を受けることなく受光素子への入射光量に反比例し
たシャッター秒時憂作り出すことが可能である０尚、本
発明では、電磁力によるシャッター羽根作動、或いは、
副絞９による自動露出１１１１＃動作については詳しく
は触れなかつ九が、いずれの場合に於ても、電気回路と
しては、常に安定に受光素子への入射光に反比例する秒
時を作シ出せることが肝要であ夛、上記周辺技術につい
ては数多くの公知例もあることでｉｈシ、ここでの省略
は本発明の本質をいささかも損なうものでないことは云
うまでもない。

逆に云えば、本発明の本質は、シリコンフォトダイオー
ド等の光電素子を用いて圧縮、伸張によ）露出秒時を決
定し、マグネット等の電磁部材を介してシャッター羽根
の動きを制御する系の改善にあり、具体的なシャッター
羽根駆動機構、或いは受光素子への光の入射の制御法を
限定するもＯではない。

ま九更に本実施例では電磁力によるシャッター羽根駆動
方式では力が弱く機械的なカウントオフするカウントス
イッチを示したが、これは、例えば副絞シの動きを、そ
れを通して来る入射光量の変化によ）検知してカウント
スイッチタイミングを電気的に決定して開くようにして
もよい。前記実施例中回路ブロックＥｔｉその本質を踏
まえて以下の様な構成とすることも可能で多る。これ管
系４図に示す。

図において、１０１は一端を電源■ｃｃＫ接続された定
電流源でその他端はトランジスタ１０２０ペースに接続
されている。この接続点に／Ｉｉ抵抗１１５　ｉ介して
コンチンｔ　１０５　Ｏ一端、トランジス／　１０４　
、１０３のコレクタも接続されている。

トランジスタ１０３のエミッタは接地されてお９、そＯ
ベースはトランジスタ１０４のエミッタに接続されると
共に抵抗１０６を介して接地されている。トランジスタ
１０４のペースには、前記コンデンサ１０５の他端、ト
ランジスタ１１００コレクタ及び抵抗１０７　（２）一
端も！Ｉ絖されている。皺抵抗１０７の他端は、前記ト
ランジスタ１０２のエミッタＫｌｉ続されこの点はＶｅ
’出力となっている。

こＯＶｃ　’には他にトランジスタｌ１６のコレクタ、
抵抗１０８の一端及び抵抗１１３の一端も接続されてお
ｐ１嬉２図のブロックＥ（Ｄ誉シに用いられれば第２図
においてＶａが接続されているところにそのまま接続さ
れるものとみなして良い。トランジスタ１０２０コレク
タはＶｃｃに接続されている。トランジスタ１１０　Ｏ
エミッタは抵抗１０９を介してＩＩｊｌｋされ、そのペ
ースには、前記トランジスタ１１６のエミッタ、トラン
ジスタ１１１のペースが接続されると共に、抵抗１１２
を介して接地されている。トランジスタ１１１のエミッ
タ社接地され、そのコレクタは前記トランジスタ１１６
　（Ｄペースに接続されると共に抵抗１０８の他端にも
接続されている。前記抵抗１１３の他端は抵抗１１４を
介して接地されると共に、１１４との接続点は和℃′と
して出力され、！Ｉ！２図に於けるブロックＥ　ＯＫＶ
Ｃ出力としてそのまま第２図の他の部分に接続されるも
のとみなして嵐い。次にその動作を説明する。この回路
の仕様で第２図のブロックＥと異なる点鉱、第４図にお
けるＶｃ’Ｏ値は、［２図におけるＷｅ　Ｏ値０２倍、
すなわち、シリコンのバンドギャップ電圧の２倍である
ということである。これを可能にしている基本構成の差
は次のように表わされる。すなわち Ｖｃ’　＝　（）ランジスタ１０３　ＯＶｍｍ　）　”
　（）　５ンジスタ１０４のＶａｎ　）　＋　（抵抗１
０７＾端電圧） 上式において、第１項と１１２項との和はＶｌｌの２倍
で約−４ｍ　Ｖ／”０４０　ｍｌ　１１４Ｉ性を有する
為に、抵抗１０７０両端電圧を、飴対値約１．２〜１．
３Ｖで絶対温度に比例する特性、すなわち＋４ｍＶ／ｌ
）でキャンセルする様に構成したものである。詳述する
と、トランジス／ｌｌ０Ｃ）コレクタ１１ＥｆＱｔｌ）
　９　ンシｘｆｉ　１０３　、１０４０各Ｖａｎ　Ｋ　
ｊ　’）　約２Ｖｍｍに国家されている。抵抗１１５及
び１／Ｉｋ抗１０６は夫々トランジスタ１０３　、１０
４に流れる電流をはげ決定している。他方トランジスタ
ｌｌｌのコレク夕電位は、トランジスタ１１１　、１１
６の各Ｖｉａによりこれも約２Ｖｍｍに固定されている
。抵抗１１２及び抵抗１０８は夫々トランジスタ１１６
，１１１に流れる電ｆＩＬをｔｌば決定し、これらによ
ってトランジスタ１１０　、　Ｉｌｌのコレクタ電位の
２Ｖｍｍという値及びそのｆｆｉ度変比変化ｉｔ　ｔ！
　勢しく出来る。抵抗１０７（抵抗値をＲム）および抵
抗１０８（抵抗値Ｒ鼻とする）は、その一端がＶｃ’に
接続され、夫々Ｏ仙趨がトランジスタ１１０　、１１１
のコレクタに接続されているので、各トランジスタに流
れるｔｍＯ比／Ｉ′ｉＲｍ　：　Ｈ，となる。これによ
）抵抗１０９（抵抗値ＲＣとする）の両端に表われる電
圧（籐２図のａＴと同様のものとして良くａＴ’と称す
る）は、Ｊ１１２図ブロックＥの説明と同様に 従って抵抗１０７両端に表われる電圧は、トランジスタ
１０９及び１０４のｈｆ・が大きい場合には、（抵抗１
０７０両端電圧）　−”ｊ　ｋＴ　／ｎＲＪｃ　ｑＲＡ となり、Ｒ４ｃ　ｔ　Ｒｍ／’Ｒムは温度に依存しない
様に構成し得るので絶対温度に比例する性質を有する。

七〇＊＊変化が約＋４ｍＶ／υになる様な紀 値をＲム、　Ｒ，、Ｒｃ　により遇べば、前隅の式でも
明らかな様にＶｃ’は約２．４〜２．６ＶＯ温度に対し
て安定な基準電源となし得る。尚、＃１４図の回路ｔ−
第２図にあてはめ走時には、トランジスタ１１０のエミ
ッタ電位が第２−に於けるａＴとして他に配線されるも
のとする。更に銀４−に於ては、トランジスタ１０３　
、１０４のコレクタはＶｃ’には縁続せず抵抗１１５を
介してトランジスタ１０２０ベースに接続しているが、
これはＪＩｚ図で示した定電ｍ［１６による電流供給を
、負帰ｊｌを施こすことによシ安定化を閣ると同時にＶ
ｃ’Ｏ電流供給能力を向上した一部でコンチンｔ１０５
により位相補償を行なっている。

前記実施例のような構成をとることにより以下のような
効果が期待できる０すなわち、１、抵抗の温度係数に気
づかうことなく安定な側光′回路の温度補償が期待出来
る。。

１　絶対温度に比例する基準電圧をコイル勢の温度補償
にも兼用できる。

３、絶対温度に比例する基準電圧を温度に安定な基準電
圧発生回路の一部を用いているので一路規模の増大を抑
えられる。

勢が挙げられ、回路としては特に集積回路化に好適で且
つ、シャッターシステム全体として良好な温度保証が期
待出来るものである。

【図面の簡単な説明】

１１１図は本発明の技術的背景を説明するためＯ細光回
路〇−例を示す回路図、縞２図は本発明による温度補償
方式を用いたカメラの一路構成の一夾一１％ｌを示す一
路接続図、第３図は第２噸示の（ロ）路のシーケンス動
作を説明するためのタイ建ングテヤー）、Ｊｉ４図は本
発明０渥度補償方式の他の夾ｍ例を示す回路図である。 Ａ・・・ｊｔ電変換部、Ｂ由電気カウントスイッチ部、
Ｃ・・自動露出終了信号発生部、Ｄ・・電源部、Ｅ・・
・基準電圧発生部、Ｆ・・・絶対温度比例電圧増幅部、
Ｇ・・バッテリーチェック部、Ｈ・・・シャッター制御
用コイル駆動部、■・・・ロジック制御部、Ｊ・・・発
振部、Ｋ・レリーズ指令信号発生部、Ｌ・・・ＰＵＣ信
号発生部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ＋１）　　温度変化により出力電圧の変動するｉｌＪ″
   １ａ路の出力変化を該温度変化に応じたバイアス電源の
   印加により補償する測光回路の温度補償方式において、
   一対のトランジスタに温度に依存しない一定比の電流を
   流すこと等によシ、該一対のトランジスタの接合面にお
   ける電ｆｌＬ書度差により生じるそれぞれのベース・エ
   ミッタ関電圧Ｏ差電圧を得、該差電圧或いはこれを適宜
   比例増幅した電圧を前記観光回路のバイアス電源として
   印加することを特徴とする観光回路の温度補償方式。 伐１４１軒請求の範囲＋１）記載のものにおいて、前記
   観光回路は受光素子照度に比例した電ｆＩＬｔ−圧縮し
   圧電圧に前記バイアス電源による電圧を加算し、この出
   力を伸張した側光出力を得る圧縮伸張方式の關賂でおる
   ことを特徴とする観光回路の温ｌ１ＩＬ補償方式。 （３）特許請求の範囲（１）記載のものにおいて、前記
   バイアス電源は観光回路の受光素子および圧縮用ダイオ
   ードを備える演算増幅器の非反転入力端子に印加せしめ
   ること紮特徴とする１１党（ロ）路の温度補償方式。 （４）特許請求の範ＦＭ（１）記載のものにおいて、前
   記バイアス電源はシャッター躯鋤−路の制御用基準電圧
   として用いる仁とを特徴とする細光−路ＯＸ度補償方式
   。