JPS5873907A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
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- JPS5873907A JPS5873907A JP56172480A JP17248081A JPS5873907A JP S5873907 A JPS5873907 A JP S5873907A JP 56172480 A JP56172480 A JP 56172480A JP 17248081 A JP17248081 A JP 17248081A JP S5873907 A JPS5873907 A JP S5873907A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
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-
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波用−電体ＩＩ□ＩＩ組威物に関し、＊に
高同波用會たは一変補償層として好適！高周波７１１１
１電体＊ａ組威物に興する。
高同波用會たは一変補償層として好適！高周波７１１１
１電体＊ａ組威物に興する。
マイク−波蕾Ｅｌｌ！用・される講ンデンｔＫ好適な誘
電体碑ｌ１ＩＩＩＡ成物としては、Ｗ＊係黴が比較的小
１（、かり誘電率およびＱが高く、シかもこれら０１度
依存性が少ないこと、９會伽容量変化率Ｏ小さいことが
ｍすれる。そして更もに−ｖイクロ波領領域おける回路
の小蓋化、低摩化を１的に各種誘電体１！Ｉ＃料の開尭
がすすめられて自た。例えばＴ１０１ 、 Ｍｇ’ｌ’
ｌ Ｏ＠−ＣａＴｉ ０ｓ−Ｘａ幻０＠ ｍ ２ ＴＩ
Ｏ＠ 、 Ｚｒ０ｌ−８ｎＯＢ−ＴｌＯ＊、 Ｃａ
Ｚｒ０＠、ＢａＯｅｍＴｌｏｇ（ｎ−４，４，５）など
い（りかＯ組成が、Ｉｌ案されている。しかしこれらや
従来Ｏ誘電体磁器組成６物は常湿での誘電率と１１度係
黴□１１１Ｋが誘電率が大きくなる程潟度係数の値も大
亀〈な、り、 ｉｍ＊係数の値を小さくす為と必−的に
誘電率も小＋ｉ！ くなるという関係ＫＴｏる九めに、
１１１１１！４１数が小さくて誘電率の大暑いものが
得られないという電気的特性、材料Ｏ安定性。
電体碑ｌ１ＩＩＩＡ成物としては、Ｗ＊係黴が比較的小
１（、かり誘電率およびＱが高く、シかもこれら０１度
依存性が少ないこと、９會伽容量変化率Ｏ小さいことが
ｍすれる。そして更もに−ｖイクロ波領領域おける回路
の小蓋化、低摩化を１的に各種誘電体１！Ｉ＃料の開尭
がすすめられて自た。例えばＴ１０１ 、 Ｍｇ’ｌ’
ｌ Ｏ＠−ＣａＴｉ ０ｓ−Ｘａ幻０＠ ｍ ２ ＴＩ
Ｏ＠ 、 Ｚｒ０ｌ−８ｎＯＢ−ＴｌＯ＊、 Ｃａ
Ｚｒ０＠、ＢａＯｅｍＴｌｏｇ（ｎ−４，４，５）など
い（りかＯ組成が、Ｉｌ案されている。しかしこれらや
従来Ｏ誘電体磁器組成６物は常湿での誘電率と１１度係
黴□１１１Ｋが誘電率が大きくなる程潟度係数の値も大
亀〈な、り、 ｉｍ＊係数の値を小さくす為と必−的に
誘電率も小＋ｉ！ くなるという関係ＫＴｏる九めに、
１１１１１！４１数が小さくて誘電率の大暑いものが
得られないという電気的特性、材料Ｏ安定性。
材料が安価で参ること等の画でＯ要求をすべて満足する
にはにｆｔりて％ｆ！なかった。
にはにｆｔりて％ｆ！なかった。
またｆｌｌじ＜Ｉ１度補償眉−−；ンデンｔなどＯ誘電
体磁器組成物として温度係数が小さく誘電率シよびＱが
高く・誘電率″ｉｍ＊依存性をも丸な“ことがｍすれて
自九、ｌｉ来はこＯような誘電体磁器組成、−とし、て
Ｔ ｋ Ｏｓ系Ｏもの１例えばＢａ０−ａ町へ系、 ０
＠町へ−Ｍｇ”ｌ’ｌへ−Ｌ−〇、−２’ｌ’１偽系等
の磁器組成物を使用していえ。しかしながらこれらの組
成物で誘電体共振器中コンデンサを作り九場会。
体磁器組成物として温度係数が小さく誘電率シよびＱが
高く・誘電率″ｉｍ＊依存性をも丸な“ことがｍすれて
自九、ｌｉ来はこＯような誘電体磁器組成、−とし、て
Ｔ ｋ Ｏｓ系Ｏもの１例えばＢａ０−ａ町へ系、 ０
＠町へ−Ｍｇ”ｌ’ｌへ−Ｌ−〇、−２’ｌ’１偽系等
の磁器組成物を使用していえ。しかしながらこれらの組
成物で誘電体共振器中コンデンサを作り九場会。
一度係数が小さく誘電率の高いものを得ることが困難で
参った。
参った。
し九がって本発明の■的紘、このような間周点を改善し
良、高誘電率で無負荷Ｑが高（、共振周波数ｉｉ＊係数
の値をＯｐｐｍ／℃を中心に任意かつ安置して得ること
が可能なマイク胃波帯誘電体磁器組成物を提供しようと
すゐもｏ′ｃｍる。
良、高誘電率で無負荷Ｑが高（、共振周波数ｉｉ＊係数
の値をＯｐｐｍ／℃を中心に任意かつ安置して得ること
が可能なマイク胃波帯誘電体磁器組成物を提供しようと
すゐもｏ′ｃｍる。
そしてヒのようｔｉｉ釣を達成する九めに２本発明では
、 ｘＭｇＯ−ｙｃａｏ−ｇＴｌｏｌ−ｗＬａｌＯ＠Ｏ
４成分系磁器組成物であって、０２≦Ｘ≦ＯＨ２，＆０
０２≦ｙ≦（ＬＯＪｉ５ 、 ｒＬ５７≦８≦１７０．
０＜ｗ≦ａ２１の範囲内に重量比ｘ、ｙ、ｇ、ｗがあっ
てかつＸ＋ｙ＋ｇ＋ｗｓ−ｔとなるような組成にし九こ
とを特徴としている。
、 ｘＭｇＯ−ｙｃａｏ−ｇＴｌｏｌ−ｗＬａｌＯ＠Ｏ
４成分系磁器組成物であって、０２≦Ｘ≦ＯＨ２，＆０
０２≦ｙ≦（ＬＯＪｉ５ 、 ｒＬ５７≦８≦１７０．
０＜ｗ≦ａ２１の範囲内に重量比ｘ、ｙ、ｇ、ｗがあっ
てかつＸ＋ｙ＋ｇ＋ｗｓ−ｔとなるような組成にし九こ
とを特徴としている。
そしてこのような組成範Ｓにすることｋよ砂。
□
本発明Ｏ１ｔ的とする高周波ＩＩ！電体ａｍ組成物が得
られることが判明しえ。
られることが判明しえ。
すなわち１本発明では、 Ｍｇ Ｏ−Ｃｍ Ｏ−Ｔ１０
ｓ系の誘電体磁器組成物が高いＱを有するものＯ誘電率
が低く瀉ｊｌ！特性の直線性が悪い仁とを改善しようと
する％Ｏ″ｅ小如ｔ ”ａｓｏｓを添加することによ抄
誘電体磁器中にＬ勧０ｓａＳＴｉＯｓ ｏ形で存在させ
るようにしたものである。
ｓ系の誘電体磁器組成物が高いＱを有するものＯ誘電率
が低く瀉ｊｌ！特性の直線性が悪い仁とを改善しようと
する％Ｏ″ｅ小如ｔ ”ａｓｏｓを添加することによ抄
誘電体磁器中にＬ勧０ｓａＳＴｉＯｓ ｏ形で存在させ
るようにしたものである。
Ｌａ１０３とＴ［）、０化会物としてはＬａｇ Ｏｙ
＠ ２ Ｔｉ ０Ｈ（Ｌ勧Ｔ１．Ｏｙ）が強誘電体とし
て全知である。しかしこのＬａｇ Ｏｓａ ２７１０ｍ
は強誘電体でｔｈＤ、＊：Ｌ−リー潟度紘高いがマイク
ロ波領域ＫｓＰいて紘Ｑが悪化するという性質がある。
＠ ２ Ｔｉ ０Ｈ（Ｌ勧Ｔ１．Ｏｙ）が強誘電体とし
て全知である。しかしこのＬａｇ Ｏｓａ ２７１０ｍ
は強誘電体でｔｈＤ、＊：Ｌ−リー潟度紘高いがマイク
ロ波領域ＫｓＰいて紘Ｑが悪化するという性質がある。
しかしながら Ｃａなどのアルカリ土類金属が介在し九
砂、特定の還元雰囲気中ではＬ勧Ｏｓ・３ＴｉＯ，が生
成されゐことが知られている。
砂、特定の還元雰囲気中ではＬ勧Ｏｓ・３ＴｉＯ，が生
成されゐことが知られている。
そこで本発明では添加したり、、Ｏｓを意識的ＫＬ幻０
．・１７１０ｍ０形で存在させる。しか％Ｌａ１Ｏｓ・
！ｌＴｌ０．がＬ幻ＯＩ・２’ｒｉＯ，に比較して共振
周波数温度係数がプラス側であるが、高いＱを有しマイ
ナスの共振周波ａｉｍ＊係数を有するＭｇＴ１０ｍの成
分が増えているＯ″ｅＱＯｅＱＯ大幅可能ａ＊ｅ。
．・１７１０ｍ０形で存在させる。しか％Ｌａ１Ｏｓ・
！ｌＴｌ０．がＬ幻ＯＩ・２’ｒｉＯ，に比較して共振
周波数温度係数がプラス側であるが、高いＱを有しマイ
ナスの共振周波ａｉｍ＊係数を有するＭｇＴ１０ｍの成
分が増えているＯ″ｅＱＯｅＱＯ大幅可能ａ＊ｅ。
しかも椙度係数零（ＮＰＯ）をＱの大きな、ｌｌ電率の
高い状態で実現することができる。
高い状態で実現することができる。
以下本発明を実施例にもとづ自詳細に説明する。
まず市販の原料Ｍｇ Ｏ、Ｃａ Ｏ、Ｔ１０ｓ ｓＩ−
よびＬａｇＯｓ＆表１に示す各組成に応じて秤量し、こ
れらをボール建ルで２０時時間式混合し丸、ζ０１ｍ４
ｒ愉を脱水、乾燥させ、ａＳｔ／−の圧力で゛プレスし
て口５０℃で２時間仮焼成し良後、ボ―ｋｉルで２０時
時間式費砕した。ζｉを脱水乾燥し′九後。
よびＬａｇＯｓ＆表１に示す各組成に応じて秤量し、こ
れらをボール建ルで２０時時間式混合し丸、ζ０１ｍ４
ｒ愉を脱水、乾燥させ、ａＳｔ／−の圧力で゛プレスし
て口５０℃で２時間仮焼成し良後、ボ―ｋｉルで２０時
時間式費砕した。ζｉを脱水乾燥し′九後。
バインダーで造粒し、直径１１＄１１１１． 高さ１
０麿Ｏ形状に威瀝して１２６０℃〜１４００℃で２時間
本焼成し丸。このようにして得られ九ｓＩＩを所定０寸
ＧＨｚＫおける誘電率Ｃ２無負荷Ｑおよび共振周波′と
きの測定法としては誘電体円柱透過法を用い丸。
０麿Ｏ形状に威瀝して１２６０℃〜１４００℃で２時間
本焼成し丸。このようにして得られ九ｓＩＩを所定０寸
ＧＨｚＫおける誘電率Ｃ２無負荷Ｑおよび共振周波′と
きの測定法としては誘電体円柱透過法を用い丸。
すなわち前記の如くして得られ九円柱状の試料な□Ｔ２
秋。。ｊｌｉｉつ、□ｌｔｒ゛門２゛よよ〉共、器、。
秋。。ｊｌｉｉつ、□ｌｔｒ゛門２゛よよ〉共、器、。
成し、そのＴＩＨｚ４−ドから前記ｔ 、 Ｑ 、 Ｔ
Ｃｆを求めた。このようにして得られ九−宣結果を表１
に姦す。なお表１に′ｓＰいて纜Ｃｆは一４０℃から＋
ｍｌの１ ８０℃の１２０℃間における共振局波数の変化分を単位
温度で換算しえものを示し，またＭｇＯ，ＣａＯ，Ｔｉ
Ｏ２，Ｌａ２Ｏ，の数字は重量％で示している。そして
またＸ線解析よりＬａ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の存在が確認
できた。． ここで表１の１は本発明の範囲内のものを示し、表１の
２は本発明の範囲外のものを示している。
Ｃｆを求めた。このようにして得られ九−宣結果を表１
に姦す。なお表１に′ｓＰいて纜Ｃｆは一４０℃から＋
ｍｌの１ ８０℃の１２０℃間における共振局波数の変化分を単位
温度で換算しえものを示し，またＭｇＯ，ＣａＯ，Ｔｉ
Ｏ２，Ｌａ２Ｏ，の数字は重量％で示している。そして
またＸ線解析よりＬａ２Ｏ３・２ＴｉＯ２の存在が確認
できた。． ここで表１の１は本発明の範囲内のものを示し、表１の
２は本発明の範囲外のものを示している。
この表１より明らかな如く、誘電率がいずれも２０台で
あって比較的大きく、Ｑも最低が３，９００であり良好
な値を示している。そしてＴＣｆも０ｐｐｍ／℃を中心
に大体−２０〜＋３０の範囲を任意に選択することがで
きる。ｍた温度特性の直線性が良好である。例えば図に
本発明の範囲内である表１の試料Ｎｏ．１０のものと本
発明の範囲外である試料Ｎｏ．３０のものについてそれ
それ共振周波数の温度特性が図示されているが，その直
線性のすぐれていることがわかる。
あって比較的大きく、Ｑも最低が３，９００であり良好
な値を示している。そしてＴＣｆも０ｐｐｍ／℃を中心
に大体−２０〜＋３０の範囲を任意に選択することがで
きる。ｍた温度特性の直線性が良好である。例えば図に
本発明の範囲内である表１の試料Ｎｏ．１０のものと本
発明の範囲外である試料Ｎｏ．３０のものについてそれ
それ共振周波数の温度特性が図示されているが，その直
線性のすぐれていることがわかる。
ここでｙが０．００２よりも小さいとＬａ２Ｏ３がＬａ
２Ｏ３・ＴｉＯ３の形で存在することが困難となりまた
０．０３５を超えると，試料Ｎｏ．３６により明らかな
ように，Ｑが低下して実用的でない。（試科Ｎｏ．３０
ではεが小さい欠点がある．）又ｗが０．１２を超える
とＴＣｆが正になりすぎＱも劣化して実用的でない。
２Ｏ３・ＴｉＯ３の形で存在することが困難となりまた
０．０３５を超えると，試料Ｎｏ．３６により明らかな
ように，Ｑが低下して実用的でない。（試科Ｎｏ．３０
ではεが小さい欠点がある．）又ｗが０．１２を超える
とＴＣｆが正になりすぎＱも劣化して実用的でない。
以上説明の如く，本発明によれば誘電率が比較的大きく
，Ｑが良好でＴＣｆの値を０ｐｐｍ／℃を中心に任意か
つ安定して得ることが可能でしかも直線性が良好である
高周波用誘電体磁器組成物を提供できるので，誘電体フ
ィルター中マイクロ波用の回路素子等の基板として有用
であるばかりでなく，固体発振器の周波数安定化にも使
用することができる。
，Ｑが良好でＴＣｆの値を０ｐｐｍ／℃を中心に任意か
つ安定して得ることが可能でしかも直線性が良好である
高周波用誘電体磁器組成物を提供できるので，誘電体フ
ィルター中マイクロ波用の回路素子等の基板として有用
であるばかりでなく，固体発振器の周波数安定化にも使
用することができる。
図は共振周波数の温度特性を示す。
特許出願人東京電気化学工業株式金社
代理人弁理士山谷晧条
Claims (1)
- （１１ｘＭｇＯ−ｙｃａＯ−−テ１０＠−ＷＬＩＩＯＩ
（）４ ＩＩＥ 分糸磁器組成物であり？、（Ｌ２≦
Ｘ≦ｌＩ２．（ＬＯＧ！≦ｙ≦ａ、ｏｓｓ、ａ蕩７≦２
≦１７０．Ｏ＜ｗ≦（Ｌ１１０ａｓ内に重量比ｘ、ｙ、
ｓ、ｗｌｌＴｏＤｔ九ｘ＋ｙ十厘＋７−１となるよう１
ｋＩＩＡ虞であることを畳敷とする高周波用誘電体磁器
組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172480A JPS5873907A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| GB08229556A GB2111968B (en) | 1981-10-28 | 1982-10-15 | Dielectric ceramic composition |
| DE19823238545 DE3238545A1 (de) | 1981-10-28 | 1982-10-18 | Dielektrisches keramisches material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172480A JPS5873907A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873907A true JPS5873907A (ja) | 1983-05-04 |
| JPH0237645B2 JPH0237645B2 (ja) | 1990-08-27 |
Family
ID=15942762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172480A Granted JPS5873907A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5873907A (ja) |
| DE (1) | DE3238545A1 (ja) |
| GB (1) | GB2111968B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61128411A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH07187772A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | セラミック誘電体材料 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08133834A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-05-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138008A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition for microwave |
| JPS5654272A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-14 | Tdk Electronics Co Ltd | Dielectric ceramic composition for microwave |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3431124A (en) * | 1964-06-10 | 1969-03-04 | Tdk Electronics Co Ltd | Ceramic dielectric |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56172480A patent/JPS5873907A/ja active Granted
-
1982
- 1982-10-15 GB GB08229556A patent/GB2111968B/en not_active Expired
- 1982-10-18 DE DE19823238545 patent/DE3238545A1/de not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138008A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition for microwave |
| JPS5654272A (en) * | 1979-10-05 | 1981-05-14 | Tdk Electronics Co Ltd | Dielectric ceramic composition for microwave |
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| JPS61128411A (ja) * | 1984-11-27 | 1986-06-16 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH07187772A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | セラミック誘電体材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2111968B (en) | 1984-11-21 |
| GB2111968A (en) | 1983-07-13 |
| JPH0237645B2 (ja) | 1990-08-27 |
| DE3238545A1 (de) | 1983-05-05 |
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|---|---|---|
| JPS5873907A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
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