JPS5857624A - 磁気記録体 - Google Patents

磁気記録体

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Publication number
JPS5857624A
JPS5857624A JP56156687A JP15668781A JPS5857624A JP S5857624 A JPS5857624 A JP S5857624A JP 56156687 A JP56156687 A JP 56156687A JP 15668781 A JP15668781 A JP 15668781A JP S5857624 A JPS5857624 A JP S5857624A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetic
plating layer
substrate
magnetic recording
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56156687A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Tanaka
英男 田中
「はた」野 貞夫
Sadao Hatano
Fumio Goto
文男 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP56156687A priority Critical patent/JPS5857624A/ja
Publication of JPS5857624A publication Critical patent/JPS5857624A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/64Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
    • G11B5/66Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
    • G11B5/672Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気ディスク等の磁
気記録体にかかる。
近年、高密度磁気記録体として、磁性薄膜がめつき法に
より作製されためつき磁気ディスクが用いられ始めた。
磁性薄膜をめっき法により形成する場合、その磁気特性
と表面状態の均一性は下地遅板の影響を強く受#J1シ
ばしば電m変換特性の低下を招いている。
この4;li ’f、r下地基板の影響を断ち切り研気
%ヂ1と表111均一性の優れた但4/1薄膜を得るた
めに、磁性薄膜と下地rill磨而との面に中間層を設
ける方法が用いられてきた。
通常下地基鈑としてはハ帆後旋削加」二されたアルミ合
金水板−1−にニッケル合金めっきを施し、更にこのニ
ッケル合金めっき層を研磨したものが用いられる。この
十に形成する中間層としては従来ニッケルーリンめっき
膜が用いられることが寥くこれによって下地ill磨面
の鋭い細動軌跡凹凸が緩第11されそのJlこ形成され
る磁性薄膜の磁気特性向上に寄与している。ところがニ
ッケルーリンめっき膜は下地仙磨面とばば同質のニッケ
ル合金めっき膜でI)るため、アルミ合金木板が受けた
圧延、旋削等の加工歪の影響を受+7)継ぎ、磁性めっ
き膜の表面均一+′j、 iこ影響を及ぼす。即ち、圧
延、旋削等の加工歪の大きい場合には着しいがの低下を
招くことになる。
ところで上記の様な加工歪の影響を遮断する金属として
白金が知られている。ところが、これを中間層に適用し
た場合、その上に形成される磁性薄膜の磁気特性の低下
を招くため出力が著しく減少するという問題を生じる。
即ち、現在のところ下地基板の影響を断ち切り高出力か
つ低ノイズの要求を共に満たす中間層は見い出されてい
ない。
本発明の目的は、これらの問題点を改善して高出力かつ
低ノイズの高密度磁気記録体を提供することにある。
本発明による磁気記録体は、非磁性基板と、この基板を
被覆するニッケル合金めっき層さ、このニッケル合金め
っき層を被覆するコバルト合金めっき層と、このコバル
ト合金めっき層を被覆する保護膜とからなる磁気記録体
において、非磁性基板とニッケル合金めっき層の間に白
金めっき屑を設けたことを特徴としており、磁性薄膜の
磁気特性を保ちながら下地基板の影響を遮断し、低ノイ
ズかつ高出力を達成できる。
以下、本発明による磁気記録体の特長を比較例七よび実
施例により説明する。
比較例1゜ アルミ合金圧延板よりプレスにて打抜いたドーナツ状円
板を旋削加工により表面を平坦かつ平滑に仕上げアルミ
合金素板とする。この上に無電解ニッケルーリンめっき
液(日本カニゼン社製、シュー7−BO)を用いてg¥
原原註0μInニッケルーリンめっき膜を形成した。こ
の両面を機械加工により鏡面研磨し、第1図に示される
ごとく非磁性基板1を得た。次にこの非磁性基板上に無
電解ニッケルーリンめっき液を用いて膜厚03μmのニ
ッケル合金めっき層2を形成した後、下記に示すメッキ
浴にて月り厚008μmのコバルト合金めっき層3を形
成した。
メッキ3谷 ol 硫酸コバルト    0.06   /。
硫酸ニッケル    O,io  〃 次亜リン酸ナト11ウム 0.20  〃硫酸アンモニ
ウム  010 〃 マロン酸ナトリウム 030 〃 lLンコRH−)+Jr)ム0.40””/l   P
H−9,2コハク酸ナトリウム  0.50  I  
 浴温 80℃更にこの上に膜厚01μmの保霞膜4を
形成したこうして得られた磁気記録体を下記の条件で記
録再生特性の測定を行ったところ記録密度630FR,
PM(16,0OOFILPI)にて0.8 m ’V
 P Pの再生出力があったが、So”’−”N1m8
は36dBであった。
この磁気記録体の磁気特性の測定を行ったところHc=
6100eで?f1つだ。
測定条件 ディスク同転数    3,000 rpm使用トラッ
ク     直径1256酊使用ヘツド   :   
トラック巾 18,5μm1ギヤツプ長 1μm1 コイル巻数 16 + 1(i ヘッド浮上量  二  02μm 記録電流  :   40mAP−P 比較例2゜ 比較例1.と同様の手肥で磁気記録体を作製したが、本
比較例では非磁性基板上に二、ケル−リン 5− 合金めっき層2のかわりに第2図に示されるごとく下記
のめっき液及びめっき条件にて膜厚01μmの白金めっ
き層5を形成した。
めっき液 白金めっき液  Pt−745(日本エンゲルハルト社
)めっき条件 温   度  :  77℃ PH:12.5 電流密度 :  0.8A/dnl’ めっき時間  :  60秒 こうして得られた磁気記録体の記録拘止Q41性を比較
例1.と同条件で測定を行ったところ80−p/Nrf
rlsは39 dB  と向上していたが、出力はo、
 5 m V p  pと著しく減少していた。この磁
気記録体の磁気特性の測定を行ったところHeは390
Qe  に低下していた。
実施例 比較例1.と同様の手順で磁気記録体を作製したが、本
実施例では第3図に示されるごとく非磁性へ6一 基板1上に膜厚01μmの白金めつき層5と膜厚03μ
mのニッケル合金めっき#2を形成した後コバルト合金
めっき層3を形成した。
こうして得られた磁気記録体の記録再生特性を比較例1
と同条件で測定を行ったところ 5o−1)/Nrms
は40 dBに改善され、出力も0.8mV、、と比較
例と同じ値であった。この磁気記録体の磁気特性の測定
を行ったところHeが605Qeであり比較例1の場合
とほぼ同じ飴を示した。
以上、比較例及び実施例で示されたように本発明によれ
ば、非磁性基板と、この基板を被覆するニッケル合金め
っき層と、このニッケル合金めっき層を被覆するコバル
ト企金めつき層と、このコバルト合金めっき層を被覆す
る保験膜とからなる磁気記録体において非磁性基板とニ
ッケル合金めっき層の間に白金めっき層を設けることに
より、再生出力の低下を招くことなしに% の改善がは
かれる。
【図面の簡単な説明】
比較例2及び実施例で用いた磁気記録体の断面図である
。 1 非磁性基板 2 ニッケル合金めっき層 3、 コバルト合金めっき層 4  保  護  膜 、5.  白金めっき層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非磁性基板と、この基板を被接するニッケル合金めっき
    層と、このニラうル侶金めつき層を被覆するコバルト合
    金めっき層を被覆するコバルト合金めっき層と、このコ
    バルト合金層を被覆する保護膜とからなる磁気記録体に
    おいて、非磁性基板とニッケル合金めっきI−間に白金
    めつき層を設けたことを%徽とする磁気記録体。
JP56156687A 1981-10-01 1981-10-01 磁気記録体 Pending JPS5857624A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56156687A JPS5857624A (ja) 1981-10-01 1981-10-01 磁気記録体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56156687A JPS5857624A (ja) 1981-10-01 1981-10-01 磁気記録体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5857624A true JPS5857624A (ja) 1983-04-05

Family

ID=15633127

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JP56156687A Pending JPS5857624A (ja) 1981-10-01 1981-10-01 磁気記録体

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JP (1) JPS5857624A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393450U (ja) * 1986-12-08 1988-06-16
JPH0590075U (ja) * 1992-05-08 1993-12-07 三菱電機株式会社 通気用複層管

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6393450U (ja) * 1986-12-08 1988-06-16
JPH059477Y2 (ja) * 1986-12-08 1993-03-09
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