JPS6032890B2 - 高記録密度磁気デイスクの製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、高記録密度磁気ディスクの製造法に関するも
のである。

〔発明の背景〕

薄膜磁性体をめつきにより形成する磁気ディスクの製造
において、非磁性の下地層の上に霞着する磁性層の厚さ
が０．１仏程度と薄くなると、磁性層の磁気特性は下地
層表面の影響を強く受けるようになり、角形比の低下な
ど品質が低下する問題を生じる。

この下地の影響、作用の断ち切り磁気特性の優れた高品
質の磁性薄膜層を得るために、磁性層と下地層研摩面と
の間に下地層表面の影響、作用を断ち切るものとして中
間層を設ける方法が検討されてきた。

従釆、中間層としてよく用いられているスズめつき層は
、常温で非磁性であり、この上に亀着する磁性層の磁気
特性を改善する。

すなわちスズめつきの中間層なしの場合と比較して、ｔ
ｌ｝抗磁力の増加、【２１残留磁性の増加、糊角型比の
増加、【４｝ノイズの減少、の作用を有する。即ち高出
力、高分解能、低ノイズとなる。この磁気特性の向上に
より、記録特性も改善される。しかし、アルミニウム合
金基体上に直接銅めつきをしたのでは密着性が悪かった
（特開昭５０一９６２０３）。

〔発明の目的〕本発明の目的は、上記した従来技術の欠
点をなくし、アルミニウム合金基体とこの上に形成した
スズめつき層の密着性を改善した高記録密度磁気ディス
クの製造法を提供するにある。

〔発明の概要〕

そのためには、アルミニウム合金基体表面を平坦かつ平
滑なものとし、この基体面を亜鉛置換処梨して表面処理
層を形成し、この層上に銅層を形成し、この銅層上に銅
合金層を形成し、これらをすべて熱処理し、銅合金層表
面を平坦かつ平滑にし、この平滑面上スズ層からなる中
間層を形成し、このスズ層上に磁性層と保護層を順次形
成すれば良いｏなお、上記の銅合金層は、例えばＣｕ−
Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金もしくはＣｕ−Ｓｎ合金であ
る。

〔発明の実施例〕以下本発明を実施例により説明する。

実施例 １ 図において、機械加工により表面を平担かつ平滑に仕上
げた耐食アルミニウム合金よりなるディスク状基体１（
３５６マ−１６８０．２）の両面上に亜鉛置換処理によ
り０．５仏の表面処理層２を形成した。

ひきつづいて密着性向上のため錦ストライクめつきによ
り銅めつき層３（厚さ４仏）を形成した。次にこのディ
スクを特公昭４５一９４４７に記載されている穴あきジ
ャマ板と補助陰極とを用いることを特長とする電気めつ
き槽に入れ、ディスク両面に４０仏の銅合金（Ｃｕ−Ｎ
ｉ合金）めつきにより下地めつき層４を形成した。次に
このディスクは上記ディスク状基体１、表面処理層２、
節めつき層３、下地めつき層４の性質を安定させるため
に３２０ｏｏ。ｌｈｒの熱処理を行なった。ひきつつい
て下地めつき層４の表面を機械的に研摩加工し、高度な
平坦性と平滑性を達成した。

一般にディスクの記録密度が２０，００雌ＰＩと高くな
ると磁気層厚さは０．１仏以下にする必要があり、又ヘ
ッドとディスク表面間隔いわゆるスベーシングも０．５
仏と非常に狭くする必要がある。 ※※ このためヘッ
ドとディスクの衝突（ヘッドクラッシュ）を防止して高
記録密度を達成するためにディスク表面は高度な平損性
、平滑性かつ無欠陥性が必要である。本実施例において
は加工後の表面状態は表面アラサ０．０００５一ｍＲａ
、真直度（半径方向）１．５ｒｍ／７仇吻、無欠陥性２
仏ｍ？以上、欠陥（５コ以下）／（面）であった。次に
この下地めつき層４上に第１表に示すめつき俗を用いて
、同じく第１表の条件でスズめつきを行ない中間層５を
形成し、この上に第２表に示すめつき俗を用いて、同じ
く第２表に示す条件で磁性層６を形成し、最後に磁性層
６上に保護層７を形成した。

特性の測定結果を第３表に示した。第１表第２表 第 ３ 表 分解館：１８ＭＨｚと９ＭＨｚの出力比 角形比：残留磁化と５ＫＯｅでの磁場での磁化の比第３
表の結果から中間層であるスズめつき層を形成した後、
この上にめつきにより磁性層を形成したデスクの磁気特
性は、抗磁力、残留磁化、角形比の値が良好であった。

また中間層であるスズめつき層は、使用中はく雛するこ
とがなかった。実施例 ２ 下地めつき層４としてＣｕ−Ｚｎ合金を用いた場合でも
、中間層としてのスズめつき層の特性は実施例１と同様
良好であった。

実施例 ３ 図において、機械加工により表面を平坦かつ平滑に仕上
げた耐食アルミ合金よりなるディスク状基体１（３５６
０−１６８０，幻）の両面に亜鉛置換処理により０．５
仏の表面処理層２を形成した。

ひきつづいて密着性向上のため銅ストライクめつきによ
り銅めつき層３（厚さ４仏）を形成した。次に、この銅
めつき層３上に４０仏の銅一すず合金めつきにより下地
めつき層４を形成させた。ひきつづいて下地めつき層４
の表面を機械的に研摩加工し、高度な平坦‘性と平滑性
を達成した。一般的にディスクの記録密度が２０，００
雌ＰＩと高くなると磁気層厚さは０．１仏以下にする必
要が＊ある。

またヘッドとディスク表面間隔いわゆるスベーシングも
０．５仏ｍと非常に狭くする必要がある。このためヘッ
ドクラッシュを避けて高記録密度を達成するために、デ
ィスク表面には高度の平坦性、平滑性かつ無欠陥・性が
要求される。本実施例におけるディスクでは加工後の表
面状態は表面あらさ０．００５仏ｍＲａ、真直度（半径
方向）１．５Ａｍ／７仇舷・２ｈ？以上の欠陥なしとい
う状態であつた。次に、上記下地めつき層４上に、第１
表に示す組成のめつき格を用い、同じく第１表に示す条
件でスズめつきを行ない中間層５を形成し、この上に第
２表に示す組成のめつき格を用い、同じく第２表に示す
条件でＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金よりなる磁性層６を形成し、
この磁性層６上に保護層７をめつきにより形成した。

磁気特性、記録特性の測定結果を第４表に示した結果は
実施例１と同様良好であった。また中間層であるスズめ
つき層は、使用中は〈離することがなかった。第 ４
表 分解館：１８ＭＨｚと９ＭＨｚの出力比 角型比：残留磁化と磁場５ＫＯｅでの磁化の比〔発明の
効果〕以上述べたように本発明によれば、高出力、高分
解能かつ低ノイズであり、かつ使用中中間層がはく離し
ない記録密度２０，００肥ＰＩの高記録密度磁気ディス
クを完成できる。

【図面の簡単な説明】

図は高記録密度磁気ディスクの断面図である。 １・・・・・・ディスク状基体、２・・・…表面処理層
、３・・・・・・鋼めつき層、４・・・・・・下地めつ
き層、５・・・・・・中間層、６・・・・・・磁性層、
７・・・・・・保護層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面が平担かつ平滑なアルミニウム合金基体面を亜
   鉛置換処理して表面処理層を形成しこの層上に銅層を形
   成し、この銅層上に銅合金層を形成し、銅合金層を形成
   したアルミニウム合金基体を熱処理し、その後銅合金層
   表面を平担かつ平滑にし、この平滑面上にスズ層を形成
   し、このスズ層上に磁性層を形成しこの磁性層上に保護
   層を形成することを特徴とする高記録密度磁気デイスク
   の製造法。 ２ 銅合金層がＣｕ−Ｎｉ合金、Ｃｕ−Ｚｎ合金もしく
   はＣｕ−Ｓｎ合金であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の高記録密度磁気デイスクの製造法。