JPS5856360A - Ic用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 - Google Patents
Ic用リ−ドフレ−ム及びその製造方法Info
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- JPS5856360A JPS5856360A JP56154653A JP15465381A JPS5856360A JP S5856360 A JPS5856360 A JP S5856360A JP 56154653 A JP56154653 A JP 56154653A JP 15465381 A JP15465381 A JP 15465381A JP S5856360 A JPS5856360 A JP S5856360A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は中央に開口部を有するIC用リードフレームの
改善された構造及びその製造方法に関するものである。
改善された構造及びその製造方法に関するものである。
半導体集積回路素子(以下ICチップという)をセラミ
ック基板に塔載する形式のセラミックパッケージ材料と
して、例えば第1図に示すような中央に開口部1を有1
この開口部lから外側に延びる多数のり−ド2を支持枠
3で一体に形成したリードフレームが用いられている。
ック基板に塔載する形式のセラミックパッケージ材料と
して、例えば第1図に示すような中央に開口部1を有1
この開口部lから外側に延びる多数のり−ド2を支持枠
3で一体に形成したリードフレームが用いられている。
このリードフレームはpe−Ni合金条材に、ストライ
プ状にアルミニウムを被着(図示せず)したものを順送
シ金型により打抜き加工した後、アルミニウムの被着面
とは反対側に外部リード部をコの字型に折(第3員) シ曲げたもので、セラミックデュアルインラインパッケ
ージ(以下Cer()ipという)用のリードフレーム
である。
プ状にアルミニウムを被着(図示せず)したものを順送
シ金型により打抜き加工した後、アルミニウムの被着面
とは反対側に外部リード部をコの字型に折(第3員) シ曲げたもので、セラミックデュアルインラインパッケ
ージ(以下Cer()ipという)用のリードフレーム
である。
とのCer−()jpの組立ては、前記リードフレーム
の開口部1に該当する部分の表面に傘の層を形成したセ
ラはツク基板4と上記リードフレームとを基板4の上面
に被着した低融点ガラス層5奢介して加熱融着しICチ
ップを基板4上で、且つ前記開口部1部分の金の層に固
着し、アルミニウム線でワイヤボンディングを施した彼
、基板4と同様の形状で、且つリードフレームと接する
面に低融点カラス層を被着した図示しない蓋体をリード
フレーム上に載せて加熱し、基板4と蓋体とKよシリー
ドフレームを挾んで機密に封止【、X最後KIJ−ドフ
レームの支持枠3を切り−して完成される。
の開口部1に該当する部分の表面に傘の層を形成したセ
ラはツク基板4と上記リードフレームとを基板4の上面
に被着した低融点ガラス層5奢介して加熱融着しICチ
ップを基板4上で、且つ前記開口部1部分の金の層に固
着し、アルミニウム線でワイヤボンディングを施した彼
、基板4と同様の形状で、且つリードフレームと接する
面に低融点カラス層を被着した図示しない蓋体をリード
フレーム上に載せて加熱し、基板4と蓋体とKよシリー
ドフレームを挾んで機密に封止【、X最後KIJ−ドフ
レームの支持枠3を切り−して完成される。
ところで、このような形状のリードフレームは、リード
2の外側が支持枠3で支持されているが、リード2の内
側社何ら支持されてい危いため、輸送中とか基板4への
融着作業中に内側リードが上下、(14b昭58−56
3GO(2) 左右に曲げられることがある。若し、内側リードが上方
向に反っている場合は、ガラス層5で充分融着すること
ができず、又内側リードが左右に曲けられている場合は
、隣接するリード2と接触することがあり、ボンディン
グ不良や完成した半導体装置の動作不良の原因となる。
2の外側が支持枠3で支持されているが、リード2の内
側社何ら支持されてい危いため、輸送中とか基板4への
融着作業中に内側リードが上下、(14b昭58−56
3GO(2) 左右に曲げられることがある。若し、内側リードが上方
向に反っている場合は、ガラス層5で充分融着すること
ができず、又内側リードが左右に曲けられている場合は
、隣接するリード2と接触することがあり、ボンディン
グ不良や完成した半導体装置の動作不良の原因となる。
このように内側リードの曲りは、リード数が多くなる程
リード幅が細く且つ長くなるため、発生頻度が高くなる
。このような不良を減少する方法の一つとして複数の内
側リードを先端部で支持する板を折り取り可能に形成し
ておく方法が例えば特開昭54−61874号公報によ
シ提案されている。この方法によれば基板4へ融着する
まで内側リードが変形する恐れが少なく、リード1抄不
良減少に効果がある。
リード幅が細く且つ長くなるため、発生頻度が高くなる
。このような不良を減少する方法の一つとして複数の内
側リードを先端部で支持する板を折り取り可能に形成し
ておく方法が例えば特開昭54−61874号公報によ
シ提案されている。この方法によれば基板4へ融着する
まで内側リードが変形する恐れが少なく、リード1抄不
良減少に効果がある。
しかしながら、この方法による場合、上記支持板は2〜
4個に分離さねているため、支持板毎に変形する恐れが
ある。又この方法はリード先端部で折れ曲けて切ヤ離す
ものであるため、数回折り曲げを繰に返さないと切に離
すことができず、機(第5頁) 械化するのに大変都合が悪い等の欠点があった。
4個に分離さねているため、支持板毎に変形する恐れが
ある。又この方法はリード先端部で折れ曲けて切ヤ離す
ものであるため、数回折り曲げを繰に返さないと切に離
すことができず、機(第5頁) 械化するのに大変都合が悪い等の欠点があった。
本発明は、このような従来の欠点を除去し、セラミック
基板へ融着するまでは全部の内側リードを完全に支持し
、融着後れワンタッチで支持を解除できるように改善し
たリードフレームの構造と、その製造方法を提供しよう
とするものである。以下本発明の一実施例を図面を用い
て詳細に説明する。
基板へ融着するまでは全部の内側リードを完全に支持し
、融着後れワンタッチで支持を解除できるように改善し
たリードフレームの構造と、その製造方法を提供しよう
とするものである。以下本発明の一実施例を図面を用い
て詳細に説明する。
wg2図は、本発明IC用リードフレームの一実施例を
示す斜視図である。第2図に示すようにIC用リードフ
レームは、第1図における開口部IK金属片6を嵌入し
、リード2の内側先端部をその金属片6によシ緊密に仮
留めしたものである。
示す斜視図である。第2図に示すようにIC用リードフ
レームは、第1図における開口部IK金属片6を嵌入し
、リード2の内側先端部をその金属片6によシ緊密に仮
留めしたものである。
第3図はこの金属片6の拡大図で、(2)はその平面図
、■は同じくその正面図である8第3図に示すように、
金属片6は外周に凹凸が設けられておシ、その凹部7は
リード2の内側先端部に嵌合し、凸部8はリード2の内
側先端部の間隙に嵌合するようになっている。又、この
凹凸部7.8の内側方向にはスリット9が、又、金属片
6の4隈には(第6頁) 切り込み10が設けられ、それぞれ4個の櫛状片を形成
し、又、金属片6の中央部には中心線で左右対称に形成
され且つ上方に折れ曲げられた2枚の取手11を有する
。
、■は同じくその正面図である8第3図に示すように、
金属片6は外周に凹凸が設けられておシ、その凹部7は
リード2の内側先端部に嵌合し、凸部8はリード2の内
側先端部の間隙に嵌合するようになっている。又、この
凹凸部7.8の内側方向にはスリット9が、又、金属片
6の4隈には(第6頁) 切り込み10が設けられ、それぞれ4個の櫛状片を形成
し、又、金属片6の中央部には中心線で左右対称に形成
され且つ上方に折れ曲げられた2枚の取手11を有する
。
このようにすると、取手11を上方に持ち上げた場合、
スリット9と切り込み100間に形成される4個所の屈
曲部12に集中し、4辺の前記櫛状片が互に独立して屈
曲部12が折り曲げられて第4・図のようにな9、その
結果円清な除去が可能となる。なお、こnらのスリット
9及び切り込み10が無い場合は、金属片6の除去に過
大な力を要し、第1図に示すガラス層5を破壊したり、
リード2の浮き上りの原因となり易い。例えばリード数
40本のリードフレーム用の金属片の場・合、スリット
9及び切り込み10を形成しない場合は約10Kgのガ
を要したものが、本発明のようにスリット9及び切り込
み10を形成したものにあっては約4Kgで除去するこ
とができた。しかし、この力が小さ過ぎれば当然僅かな
衝撃でも金属片6は脱落することになる。このため金属
片6の支(第7頁) 持方、即ち除去力の調整は金属片6の外周に設けた凹部
7の深さで調整するのが良い。又、凹部7a、1 の深さはリード2の内側先端部のり−Ig)&4〜4倍
の範囲内とするのが適当で、0.5〜1倍がよシ好まし
い。次に、スリット9は凹部7から板厚の2倍以上内側
に設けるのが適当で、スリット9及び切シ込み100幅
は板厚の0.5〜1.5倍程度にすると良い。又、屈曲
部12において隣接するスリット端部の間隔は板厚と同
程度が適当である。
スリット9と切り込み100間に形成される4個所の屈
曲部12に集中し、4辺の前記櫛状片が互に独立して屈
曲部12が折り曲げられて第4・図のようにな9、その
結果円清な除去が可能となる。なお、こnらのスリット
9及び切り込み10が無い場合は、金属片6の除去に過
大な力を要し、第1図に示すガラス層5を破壊したり、
リード2の浮き上りの原因となり易い。例えばリード数
40本のリードフレーム用の金属片の場・合、スリット
9及び切り込み10を形成しない場合は約10Kgのガ
を要したものが、本発明のようにスリット9及び切り込
み10を形成したものにあっては約4Kgで除去するこ
とができた。しかし、この力が小さ過ぎれば当然僅かな
衝撃でも金属片6は脱落することになる。このため金属
片6の支(第7頁) 持方、即ち除去力の調整は金属片6の外周に設けた凹部
7の深さで調整するのが良い。又、凹部7a、1 の深さはリード2の内側先端部のり−Ig)&4〜4倍
の範囲内とするのが適当で、0.5〜1倍がよシ好まし
い。次に、スリット9は凹部7から板厚の2倍以上内側
に設けるのが適当で、スリット9及び切シ込み100幅
は板厚の0.5〜1.5倍程度にすると良い。又、屈曲
部12において隣接するスリット端部の間隔は板厚と同
程度が適当である。
さらに取手11は上方に引っ張ることができる構造であ
れば如何なる形状であっても良い。なお、第3図に示す
取手11は、そのような構造の一例であり、この取手1
1は中心部に孔13を有し、この孔13に棒等を通して
持ち上げる金属片6の除去機構で、このため金属片6の
除去は機械化が容易となる。
れば如何なる形状であっても良い。なお、第3図に示す
取手11は、そのような構造の一例であり、この取手1
1は中心部に孔13を有し、この孔13に棒等を通して
持ち上げる金属片6の除去機構で、このため金属片6の
除去は機械化が容易となる。
この金属片61!−有するり1ドフレームはプレス打抜
き加工によシ容易に製造することができる。
き加工によシ容易に製造することができる。
即ち、エツチング、プレス打抜き等で形成した後に切離
さf(て金属片6となる部分、リード2及びて申子を形
成【7、スリット9及び切り込み10を設け、前記リー
ド2のすべての内側先端が独立して突出するように金属
片6を抜き落し、次いでその金属片6をブツシュパック
(後記する)して凹凸部7.8t−リード先端部及びリ
ード間の間隙に嵌入せしめる。これらの加工は順送シ金
型によるプレス加工で容易に行なうことができる。
さf(て金属片6となる部分、リード2及びて申子を形
成【7、スリット9及び切り込み10を設け、前記リー
ド2のすべての内側先端が独立して突出するように金属
片6を抜き落し、次いでその金属片6をブツシュパック
(後記する)して凹凸部7.8t−リード先端部及びリ
ード間の間隙に嵌入せしめる。これらの加工は順送シ金
型によるプレス加工で容易に行なうことができる。
前記ブツシュパックとは、第57囚に示すように、金属
片6を一旦打抜いた後、これを第5図囚に示すように元
の位置に押し戻す操作で、打抜きプレスにおける公知の
手段である。なお、取手11、の折り曲げ加工は金属片
6をブツシュパックした後に行なうようにすると良い。
片6を一旦打抜いた後、これを第5図囚に示すように元
の位置に押し戻す操作で、打抜きプレスにおける公知の
手段である。なお、取手11、の折り曲げ加工は金属片
6をブツシュパックした後に行なうようにすると良い。
なお、Car−Dipミル用リードフレーム常金属条材
を順送シ金型により打抜き加工して得られるが本発明の
リードフレームはこの金型に上記工程を付加するだけで
容易に得らする。
を順送シ金型により打抜き加工して得られるが本発明の
リードフレームはこの金型に上記工程を付加するだけで
容易に得らする。
以上の説明はCer−Dipミル用リードフレームいて
述べたが、本発明は、こ扛に限定されるもので(第9j
[) けない。例えば外部リードがコの字型に折り曲げられて
いない所謂フラットパッケージ用リードフレームに適用
で倉る1内部リード先端部が金、銀等でメッキされたも
のであっても差支えない。
述べたが、本発明は、こ扛に限定されるもので(第9j
[) けない。例えば外部リードがコの字型に折り曲げられて
いない所謂フラットパッケージ用リードフレームに適用
で倉る1内部リード先端部が金、銀等でメッキされたも
のであっても差支えない。
又、内部リード先端部の形状は矩形、三角形、半円形等
積々の形であって奄何ら問題はない。
積々の形であって奄何ら問題はない。
以上詳細に説明したように、本発明によれはセラミック
基板とリードフレームをガラス融着し良パッケージ材料
の歩留り及び信頼性を大幅に向上せしめる効果がある。
基板とリードフレームをガラス融着し良パッケージ材料
の歩留り及び信頼性を大幅に向上せしめる効果がある。
第1図はCer−Dipミル用リードフレーム明図、第
2図は本発明ICIJ−ドフレームの斜視図、第3図は
金属片を示u囚はその平面図、■は正面図、第4図は金
属片を引っ張ったときの動作説明図、第57囚、■はブ
ツシュパックの動作説明図である。 1・・・開口部、2・・・リード、3晶支持忰、4・・
・基板、5・・・ガラス層、6・・・金属片、7・・・
凹部、8・・・凸部、9・・・スリット、10・・・切
込み、11・・・取手、(第10頁) 12・・・屈曲部、13・・・孔 特許出願人住友金属鉱山株式会社 第3図 (A) (B) 1 第4図 第5図 (B)
2図は本発明ICIJ−ドフレームの斜視図、第3図は
金属片を示u囚はその平面図、■は正面図、第4図は金
属片を引っ張ったときの動作説明図、第57囚、■はブ
ツシュパックの動作説明図である。 1・・・開口部、2・・・リード、3晶支持忰、4・・
・基板、5・・・ガラス層、6・・・金属片、7・・・
凹部、8・・・凸部、9・・・スリット、10・・・切
込み、11・・・取手、(第10頁) 12・・・屈曲部、13・・・孔 特許出願人住友金属鉱山株式会社 第3図 (A) (B) 1 第4図 第5図 (B)
Claims (3)
- (1)中央の開口部から外方向に向って延びる多数のリ
ードを有し且つその外側で支持棒にょシ一体に形成さ扛
るIC用リードフレームにおいて、その開口部に金Qの
外周が前記内側リードの先端部及びそのリード間の間隙
に嵌入可能な凹凸を有し、且つその凹凸の内側方向に形
成した適当数のスリットとそのスリット間に形成した切
込みKよシ屈曲部を介して複数個の櫛状片を形成せしめ
、それぞれが独立して折り曲げ可能にしたIC用リード
フレーム。 - (2)金属片外周の凹凸の深さは、リード先端の幅の0
.1〜4倍である特許請求の範囲第1項記載のIC用リ
ードフレーム。 - (3)談に切離されて金属片となる部分と、この部分か
ら外方向に向って延びゐ多数のリードと、このリードを
外側で支持する草持忰とが一体に形成(第2頁) ≠れた金属板状体にスタンピングプレス加工を施して前
記り・−ドのすべての内側先端部が独立し7て突出する
ように金属片を抜き落1次いでその金属片をブツシュバ
ックしてリード先端部及びそのリード間の間隙に嵌入せ
しめることt特徴とするIC用リードフレームの製造方
法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56154653A JPS5856360A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | Ic用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 |
US06/425,102 US4523218A (en) | 1981-09-29 | 1982-09-27 | Lead frame for integrated circuits and method of fabricating the same |
US06/664,968 US4633583A (en) | 1981-09-29 | 1984-10-26 | Method of making a lead frame for integrated circuits |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56154653A JPS5856360A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | Ic用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5856360A true JPS5856360A (ja) | 1983-04-04 |
Family
ID=15588933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56154653A Pending JPS5856360A (ja) | 1981-09-29 | 1981-09-29 | Ic用リ−ドフレ−ム及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4523218A (ja) |
JP (1) | JPS5856360A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60161199A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | シ−ドゴム工業株式会社 | 字消し及びその製造方法 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5126820A (en) * | 1985-02-01 | 1992-06-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thermal expansion compensated metal lead frame for integrated circuit package |
US4918511A (en) * | 1985-02-01 | 1990-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Thermal expansion compensated metal lead frame for integrated circuit package |
USRE37690E1 (en) * | 1987-02-25 | 2002-05-07 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
US4942452A (en) * | 1987-02-25 | 1990-07-17 | Hitachi, Ltd. | Lead frame and semiconductor device |
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