JP2589122B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は基板の絶縁表面に少なくとも第１電極膜、光
活性層を含む半導体膜及び第２電極膜をこの順序で積層
せしめた光電変換素子を備える光起電力装置の製造方法
に関する。
活性層を含む半導体膜及び第２電極膜をこの順序で積層
せしめた光電変換素子を備える光起電力装置の製造方法
に関する。
（ロ） 従来の技術 基板の絶縁表面に複数の膜状光電変換素子を近接配置
し、これら素子を電気的に直列接続することで任意の出
力電圧を得ることができる。斯る複数の膜状光電変換素
子を作成するには、当該素子を構成する第１電極膜、半
導体膜及び第２電極膜を各個別の素子毎や任意の形状に
パターニングする必要がある。
し、これら素子を電気的に直列接続することで任意の出
力電圧を得ることができる。斯る複数の膜状光電変換素
子を作成するには、当該素子を構成する第１電極膜、半
導体膜及び第２電極膜を各個別の素子毎や任意の形状に
パターニングする必要がある。
従来各構成膜のパターニングはフオトリソグラフイ手
法を用いたエツチングプロセスが主流であったが、現在
基板サイズの大面積化や生産性に鑑み、特開昭57−1256
8号公報、米国特許第4,668,840号明細書及び図面や、特
開昭62−33477号公報に開示された如くレーザビーム、
電子ビーム等のエネルギビームを分割部位に照射し選択
的に除去する方法が提案され本命視されている。
法を用いたエツチングプロセスが主流であったが、現在
基板サイズの大面積化や生産性に鑑み、特開昭57−1256
8号公報、米国特許第4,668,840号明細書及び図面や、特
開昭62−33477号公報に開示された如くレーザビーム、
電子ビーム等のエネルギビームを分割部位に照射し選択
的に除去する方法が提案され本命視されている。
斯るエネルギビームの照射によるパターニングにおい
て留意すべきは、除去せんとする分割部位の下層に他の
構成膜が存在し、残存すべき下層の構成膜を除去した
り、除去しないまでもエネルギビームの直撃による変質
やダメージを与えないことである。
て留意すべきは、除去せんとする分割部位の下層に他の
構成膜が存在し、残存すべき下層の構成膜を除去した
り、除去しないまでもエネルギビームの直撃による変質
やダメージを与えないことである。
一般にエネルギビームによる分割部位の加工状態を安
定する主たるフアクタは、エネルギビームのエネルギ密
度と、当該エネルギビームの走査速度である。従って、
パターニングすべき分割部位に照射されるエネルギビー
ムは、除去せんとする構成膜だけを選択的に除去し得る
エネルギ密度と走査速度（照射時間）を備えると共に、
エネルギビームの直撃を受ける下層の構成膜の加工閾値
エネルギが上記除去される構成膜より十分高いとき、上
記下層の構成膜への悪影響は実用上無視し得る。
定する主たるフアクタは、エネルギビームのエネルギ密
度と、当該エネルギビームの走査速度である。従って、
パターニングすべき分割部位に照射されるエネルギビー
ムは、除去せんとする構成膜だけを選択的に除去し得る
エネルギ密度と走査速度（照射時間）を備えると共に、
エネルギビームの直撃を受ける下層の構成膜の加工閾値
エネルギが上記除去される構成膜より十分高いとき、上
記下層の構成膜への悪影響は実用上無視し得る。
しかし乍ら、エネルギビームを分割部位に連続的に走
査する際、除去すべきパターン、即ち走査パターンが直
線状ではなく特定の角度を備えた屈曲部を備えている
と、斯る屈曲部においてエネルギビームの走査速度は走
査方向を変更するために一瞬ゼロとなり、その期間エネ
ルギビームの照射が当該屈曲部に集中することになる結
果、下層の構成膜への悪影響は免れない。特に光電変換
素子の第２電極膜を除去するためにエネルギビームを走
査する過程で、上記屈曲部が存在すると、屈曲部及びそ
の前後において走査速度の低下及び停止に伴なって分割
部位では過大なエネルギビームの照射により第２電極膜
のみならず、下層の半導体膜迄も除去され第１電極膜が
露出すると共に、第２電極膜は分割部位近傍が溶融され
るために、当該第１電極膜露出部位と、上記溶融した第
２電極膜の溶融垂れとが結合し、電気的短絡略を形成す
る。米国特許第4,668,840号明細書及び図面や、特開昭6
2−33477号公報に開示された先行技術では下層の構成膜
への悪影響をSiO2膜やSiO2ペーストからなる絶縁体を設
けることにより回避することを提案するも、エネルギビ
ームが集中すると当該エネルギビームの下層への透過を
阻止し得ることができない。
査する際、除去すべきパターン、即ち走査パターンが直
線状ではなく特定の角度を備えた屈曲部を備えている
と、斯る屈曲部においてエネルギビームの走査速度は走
査方向を変更するために一瞬ゼロとなり、その期間エネ
ルギビームの照射が当該屈曲部に集中することになる結
果、下層の構成膜への悪影響は免れない。特に光電変換
素子の第２電極膜を除去するためにエネルギビームを走
査する過程で、上記屈曲部が存在すると、屈曲部及びそ
の前後において走査速度の低下及び停止に伴なって分割
部位では過大なエネルギビームの照射により第２電極膜
のみならず、下層の半導体膜迄も除去され第１電極膜が
露出すると共に、第２電極膜は分割部位近傍が溶融され
るために、当該第１電極膜露出部位と、上記溶融した第
２電極膜の溶融垂れとが結合し、電気的短絡略を形成す
る。米国特許第4,668,840号明細書及び図面や、特開昭6
2−33477号公報に開示された先行技術では下層の構成膜
への悪影響をSiO2膜やSiO2ペーストからなる絶縁体を設
けることにより回避することを提案するも、エネルギビ
ームが集中すると当該エネルギビームの下層への透過を
阻止し得ることができない。
（ハ） 発明が解決しようとする課題 本発明は上述の如くエネルギビームを第２電極膜の分
割部位に連続的に走査する際、走査パターンに屈曲部が
存在すると、下層の半導体膜迄も除去し、更に下層の表
１電極膜を露出せしめる結果、斯る第１電極膜の露出部
分と第２電極膜が第２電極膜の溶融垂れ等を介して局部
的に短絡することを解決しようとするものである。
割部位に連続的に走査する際、走査パターンに屈曲部が
存在すると、下層の半導体膜迄も除去し、更に下層の表
１電極膜を露出せしめる結果、斯る第１電極膜の露出部
分と第２電極膜が第２電極膜の溶融垂れ等を介して局部
的に短絡することを解決しようとするものである。
（ニ） 課題を解決するための手段 本発明は基板の絶縁表面に少なくとも第１電極膜、光
活性層を含む半導体膜及び第２電極膜をこの順序で積層
せしめた光電変換素子を備え、上記第２電極膜を複数の
領域に分割する際当該分割部位にエネルギビームを照射
する光起電力装置の製造方法であって、上記課題を解決
するために、分割することなく被着された第２電極膜に
対してエネルギビームを連続的に走査するに先立ち、当
該エネルギビームの走査パターンにおける屈曲部の下層
に第１電極膜が不存在な絶縁領域を設けることを特徴と
する。
活性層を含む半導体膜及び第２電極膜をこの順序で積層
せしめた光電変換素子を備え、上記第２電極膜を複数の
領域に分割する際当該分割部位にエネルギビームを照射
する光起電力装置の製造方法であって、上記課題を解決
するために、分割することなく被着された第２電極膜に
対してエネルギビームを連続的に走査するに先立ち、当
該エネルギビームの走査パターンにおける屈曲部の下層
に第１電極膜が不存在な絶縁領域を設けることを特徴と
する。
（ホ） 作用 上述の如く第２電極膜の分割部位にエネルギビームを
連続的に走査するに先立ち、当該エネルギビームの走査
パターンにおける屈曲部の下層に第１電極膜が不存在な
絶縁領域を設けることによって、上記屈曲部及びその近
傍において分割部位に過大なエネルギビームの照射を受
けても当該エネルギビームは第１電極膜を露出するに至
らない。
連続的に走査するに先立ち、当該エネルギビームの走査
パターンにおける屈曲部の下層に第１電極膜が不存在な
絶縁領域を設けることによって、上記屈曲部及びその近
傍において分割部位に過大なエネルギビームの照射を受
けても当該エネルギビームは第１電極膜を露出するに至
らない。
（ヘ） 実施例 第１図は本発明製造方法により製造される光起電力装
置の一実施例を示し、透光性且つ絶縁性のガラス等から
なる基板（１）の表面に、SnO2、ITO等に代表される透
光性導電酸化物の第１電極膜（２）、光活性層を含む例
えばアモルフアスシリコンを主体とする半導体膜（３）
及び金属材料の第２電極膜（４）をこの順序で積層した
第１〜第３光電変換素子（SC1）、（SC2）、（SC3）が
並置されている。そして、特開昭62−33477号公報に示
されたように斯る光電変換素子（SC1）、（SC2）、（SC
3）は互いに隣接せる隣接間隔部において、第１電極膜
（２）の隣接間隔辺に沿って予めスクリーン印刷により
設けられた導電ストリツプ（５）が後工程で設けられる
半導体膜（３）を実質的に貫通したり、或いは人為的な
レーザビーム等エネルギビームの照射により隣接の光電
変換素子（SC2）、（SC1）の第２電極膜（４）と結合す
ることによって電気的に結合されると共に、上記導電ス
トリツプ（５）と近接して同じく第１電極膜（２）上に
スクリーン印刷により設けられた絶縁ストリツプ（６）
上において、第２電極膜（４）がエネルギビームの照射
を受けることにより除去され各素子（SC1）、（SC2）、
（SC3）毎に分割されている。
置の一実施例を示し、透光性且つ絶縁性のガラス等から
なる基板（１）の表面に、SnO2、ITO等に代表される透
光性導電酸化物の第１電極膜（２）、光活性層を含む例
えばアモルフアスシリコンを主体とする半導体膜（３）
及び金属材料の第２電極膜（４）をこの順序で積層した
第１〜第３光電変換素子（SC1）、（SC2）、（SC3）が
並置されている。そして、特開昭62−33477号公報に示
されたように斯る光電変換素子（SC1）、（SC2）、（SC
3）は互いに隣接せる隣接間隔部において、第１電極膜
（２）の隣接間隔辺に沿って予めスクリーン印刷により
設けられた導電ストリツプ（５）が後工程で設けられる
半導体膜（３）を実質的に貫通したり、或いは人為的な
レーザビーム等エネルギビームの照射により隣接の光電
変換素子（SC2）、（SC1）の第２電極膜（４）と結合す
ることによって電気的に結合されると共に、上記導電ス
トリツプ（５）と近接して同じく第１電極膜（２）上に
スクリーン印刷により設けられた絶縁ストリツプ（６）
上において、第２電極膜（４）がエネルギビームの照射
を受けることにより除去され各素子（SC1）、（SC2）、
（SC3）毎に分割されている。
従って、並置された第１〜第３光電変換素子（S
C1）、（SC2）、（SC3）は電気的に直列接続された形態
となり、基板（１）の４隅の内、右下隅に設けられた第
１光電変換素子（SC1）の第１電極膜（２）と導電スト
リツプ（５）を介して結合した第２電極膜（４）の分離
片からなる第１出力端子（71）と、左下隅に設けられた
第３光電変換素子（SC3）の第２電極膜（４）の延長部
からなる第２出力端子（72）から直列光電変換出力が導
出される。
C1）、（SC2）、（SC3）は電気的に直列接続された形態
となり、基板（１）の４隅の内、右下隅に設けられた第
１光電変換素子（SC1）の第１電極膜（２）と導電スト
リツプ（５）を介して結合した第２電極膜（４）の分離
片からなる第１出力端子（71）と、左下隅に設けられた
第３光電変換素子（SC3）の第２電極膜（４）の延長部
からなる第２出力端子（72）から直列光電変換出力が導
出される。
斯る構造の光起電力装置はガラス基板（１）の表面に
全域に受光面電極を司どるべく透光性導電酸化物が被着
されたものを用意し、第２図に示す如く、各光電変換素
子（SC1）、（SC2）、（SC3）毎に第１電極膜（２）を
分割すべく分割部位に波長1.06μｍのCW発振パルス出力
型（Ｑスイツチ付き）YAGレーザの出力ビームを照射す
る。斯るレーザビームの照射はガラス基板（１）の周縁
全周と、光電変換素子（SC1）、（SC2）、（SC3）の隣
接間隔部、左下隅の第２出力端子（72）と第３光電変換
素子（SC3）とを区画する区画部及び本発明の特徴であ
る右下隅における第１出力素子（71）と第１光電変換素
子（SC1）とを区画する区画部に対して施される。レー
ザビームの照射を受けた部位の第１電極膜（２）は除去
され基板（１）の絶縁表面が露出する。当該第１電極膜
（２）のパターニングで注目すべきは、上述の如く第１
出力端子（71）と第１光電変換素子（SC1）とを区画す
る区画部にレーザビームが照射されて、照射部位の第１
電極膜（２）が除去され屈曲した絶縁領域（８）を形成
したところにある。
全域に受光面電極を司どるべく透光性導電酸化物が被着
されたものを用意し、第２図に示す如く、各光電変換素
子（SC1）、（SC2）、（SC3）毎に第１電極膜（２）を
分割すべく分割部位に波長1.06μｍのCW発振パルス出力
型（Ｑスイツチ付き）YAGレーザの出力ビームを照射す
る。斯るレーザビームの照射はガラス基板（１）の周縁
全周と、光電変換素子（SC1）、（SC2）、（SC3）の隣
接間隔部、左下隅の第２出力端子（72）と第３光電変換
素子（SC3）とを区画する区画部及び本発明の特徴であ
る右下隅における第１出力素子（71）と第１光電変換素
子（SC1）とを区画する区画部に対して施される。レー
ザビームの照射を受けた部位の第１電極膜（２）は除去
され基板（１）の絶縁表面が露出する。当該第１電極膜
（２）のパターニングで注目すべきは、上述の如く第１
出力端子（71）と第１光電変換素子（SC1）とを区画す
る区画部にレーザビームが照射されて、照射部位の第１
電極膜（２）が除去され屈曲した絶縁領域（８）を形成
したところにある。
第３図の工程ではAgペースト、Cuペースト、或いはNi
ペーストからなる導電ストリツプ（５）が各第１電極膜
（２）の右側周辺に沿ってスクリーン印刷により塗布さ
れ、乾燥後、導電ストリツプ（５）に近接して、第２電
極膜（４）をエネルギビームの照射により分割する際下
層へのレーザビームの直撃を阻止すべくSiO2ペーストか
らなる絶縁ストリツプ（６）がスクリーン印刷され焼成
される。第３図（ｂ）は同図（ａ）において破線で囲ま
れた要部を拡大したものであり、また第３図（ｃ）は同
図（ｂ）のｃ−ｃ′線断面を表わしている。隣接間隔部
における導電ストリツプ（５）は第１電極膜（２）を超
えることなく設けられており、また絶縁ストリツプ
（６）の先端は第１電極膜（２）を超えて基板（１）の
周縁にまで達している。一方、右下隅における絶縁スト
リツプ（６）は第１電極膜（２）が除去され屈曲した絶
縁領域（８）中にまで延在している。斯る導電ストリツ
プ（５）乃至絶縁ストリツプ（６）は嵩高く、後工程で
堆積せしめられる半導体膜（３）の膜厚より十分に大き
い厚み（高さ）を備えている。例えば半導体膜（３）と
してアモルフアスシリコンを主体としたとき、光電変換
に必要とする膜厚は約3000Å〜１μｍであり、そのとき
の導電ストリツプ（５）乃至絶縁ストリツプ（６）は約
５μｍ〜数10μｍの厚みを備えている。
ペーストからなる導電ストリツプ（５）が各第１電極膜
（２）の右側周辺に沿ってスクリーン印刷により塗布さ
れ、乾燥後、導電ストリツプ（５）に近接して、第２電
極膜（４）をエネルギビームの照射により分割する際下
層へのレーザビームの直撃を阻止すべくSiO2ペーストか
らなる絶縁ストリツプ（６）がスクリーン印刷され焼成
される。第３図（ｂ）は同図（ａ）において破線で囲ま
れた要部を拡大したものであり、また第３図（ｃ）は同
図（ｂ）のｃ−ｃ′線断面を表わしている。隣接間隔部
における導電ストリツプ（５）は第１電極膜（２）を超
えることなく設けられており、また絶縁ストリツプ
（６）の先端は第１電極膜（２）を超えて基板（１）の
周縁にまで達している。一方、右下隅における絶縁スト
リツプ（６）は第１電極膜（２）が除去され屈曲した絶
縁領域（８）中にまで延在している。斯る導電ストリツ
プ（５）乃至絶縁ストリツプ（６）は嵩高く、後工程で
堆積せしめられる半導体膜（３）の膜厚より十分に大き
い厚み（高さ）を備えている。例えば半導体膜（３）と
してアモルフアスシリコンを主体としたとき、光電変換
に必要とする膜厚は約3000Å〜１μｍであり、そのとき
の導電ストリツプ（５）乃至絶縁ストリツプ（６）は約
５μｍ〜数10μｍの厚みを備えている。
斯る工程終了後、第１電極膜（２）、導電ストリツプ
（５）、絶縁ストリツプ（６）等を含んで基板（１）の
表面全域に膜厚約１μｍ以下のpin結合、pn接合等の半
導体接合を備えたアモルフアスシリコンを主体とする半
導体膜（３）が周知のシリコン化合物ガス例えばSiH4、
Si2H6、SiF4等を主原料とするプラズマCVD法或いは光CV
D法により堆積され、次いで膜厚数1000Å〜数μｍのア
ルミニウム、銀、クロム、チタン、チタン銀、等の金属
が蒸着、スパツタ等のPVD法により形成される。
（５）、絶縁ストリツプ（６）等を含んで基板（１）の
表面全域に膜厚約１μｍ以下のpin結合、pn接合等の半
導体接合を備えたアモルフアスシリコンを主体とする半
導体膜（３）が周知のシリコン化合物ガス例えばSiH4、
Si2H6、SiF4等を主原料とするプラズマCVD法或いは光CV
D法により堆積され、次いで膜厚数1000Å〜数μｍのア
ルミニウム、銀、クロム、チタン、チタン銀、等の金属
が蒸着、スパツタ等のPVD法により形成される。
そして、最終工程として、第１図（ａ）においてハツ
チングで示す第２電極膜（４）の分割部位に対し、エネ
ルギビームであるレーザビームが照射される。使用され
るレーザは波長1.06μmCW発振パルス出力型（Ｑスイツ
チ付き）のYAGレーザであり、第２電極膜（４）が例え
ば膜厚2000Åのアルミニウムからなるとき、Ｑスイツチ
パルス周波数6KHz、平均出力1.5W、ビームスポツト径80
μｍ、走査速度100mm/secの条件にて当該レーザビーム
の照射を受けたアルミニウムの第２電極膜（４）は絶縁
ストリツプ（６）を貫通することなく、斯る絶縁ストリ
ツプ（６）上にて各光電変換素子（SC1）、（SC2）、
（SC3）毎に分断され、物理的且つ電気的に分割され
る。しかし乍ら、基板（１）の右端に設けられた第１出
力端子（71）及びその集電ストリツプ（４）′と第１光
電変換素子（SC1）の第２電極膜（４）を分割する際、
上記加工条件に基づきレーザビームを照射すると、右下
隅に第１出力端子（71）を区画するための屈曲部（９）
が存在するために、上記レーザビームの走査は斯る屈曲
部（９）において走査速度が一旦ゼロとなる。本発明者
らの実験によると、走査速度が上記100mm/secから屈曲
部（９）の手前で約50mm/secと低下すると、照射部位の
第２電極膜部分の下層に膜厚約20μｍの絶縁ストリツプ
（６）が存在するにも拘らず、レーザビームは斯る絶縁
ストリツプ（６）を分断し、貫通することが確認されて
いる。
チングで示す第２電極膜（４）の分割部位に対し、エネ
ルギビームであるレーザビームが照射される。使用され
るレーザは波長1.06μmCW発振パルス出力型（Ｑスイツ
チ付き）のYAGレーザであり、第２電極膜（４）が例え
ば膜厚2000Åのアルミニウムからなるとき、Ｑスイツチ
パルス周波数6KHz、平均出力1.5W、ビームスポツト径80
μｍ、走査速度100mm/secの条件にて当該レーザビーム
の照射を受けたアルミニウムの第２電極膜（４）は絶縁
ストリツプ（６）を貫通することなく、斯る絶縁ストリ
ツプ（６）上にて各光電変換素子（SC1）、（SC2）、
（SC3）毎に分断され、物理的且つ電気的に分割され
る。しかし乍ら、基板（１）の右端に設けられた第１出
力端子（71）及びその集電ストリツプ（４）′と第１光
電変換素子（SC1）の第２電極膜（４）を分割する際、
上記加工条件に基づきレーザビームを照射すると、右下
隅に第１出力端子（71）を区画するための屈曲部（９）
が存在するために、上記レーザビームの走査は斯る屈曲
部（９）において走査速度が一旦ゼロとなる。本発明者
らの実験によると、走査速度が上記100mm/secから屈曲
部（９）の手前で約50mm/secと低下すると、照射部位の
第２電極膜部分の下層に膜厚約20μｍの絶縁ストリツプ
（６）が存在するにも拘らず、レーザビームは斯る絶縁
ストリツプ（６）を分断し、貫通することが確認されて
いる。
そこで、本発明製造方法にあっては、上述の如く第２
電極膜（４）に対するエネルギビームの走査パターンに
屈曲部（９）が存在すると、当該屈曲部（９）及びその
近傍で走査速度の低下に起因してレーザビームが集中
し、下層の第１電極膜（２）迄も露出させると、第２電
極膜（４）の溶融垂れ等によって短絡事故を招くので、
予めレーザビームの集中する屈曲部（９）には第２図に
示した如く第１電極膜（２）のパターニングの際同時に
除去した絶縁領域（８）が設けられている。従って、屈
曲部（９）においてレーザビームの走査速度が低下し絶
縁ストリツプ（６）を貫通したとしても、露出するのは
絶縁領域（８）であるために、過大照射による第２電極
膜（４）の溶融垂れに起因する第１電極膜（２）と第２
電極膜（４）の短絡事故は発生しない。
電極膜（４）に対するエネルギビームの走査パターンに
屈曲部（９）が存在すると、当該屈曲部（９）及びその
近傍で走査速度の低下に起因してレーザビームが集中
し、下層の第１電極膜（２）迄も露出させると、第２電
極膜（４）の溶融垂れ等によって短絡事故を招くので、
予めレーザビームの集中する屈曲部（９）には第２図に
示した如く第１電極膜（２）のパターニングの際同時に
除去した絶縁領域（８）が設けられている。従って、屈
曲部（９）においてレーザビームの走査速度が低下し絶
縁ストリツプ（６）を貫通したとしても、露出するのは
絶縁領域（８）であるために、過大照射による第２電極
膜（４）の溶融垂れに起因する第１電極膜（２）と第２
電極膜（４）の短絡事故は発生しない。
このようにして製造された光起電力装置に基板（１）
を通過して光照射が施されると、各光電変換素子（S
C1）、（SC2）、（SC3）は光電変換動作し、各隣接間隔
部における導電ストリツプ（５）を介してそれらの光電
変換出力は互いに相加され第１出力端子（71）及び第２
出力端子（72）から外部に導出される。上記導電ストリ
ツプ（５）は半導体膜（３）に対し嵩高であることから
当該半導体膜（３）を貫通することにより第２電極膜
（４）と電気的に結合するが、斯る結合が不十分な場
合、第２電極膜（４）の露出面側から下層に導電ストリ
ツプ（５）が存在する部位にレーザビームを照射し第２
電極膜（４）及び半導体膜（３）を溶融させることによ
って確実な結合を得ても良い。
を通過して光照射が施されると、各光電変換素子（S
C1）、（SC2）、（SC3）は光電変換動作し、各隣接間隔
部における導電ストリツプ（５）を介してそれらの光電
変換出力は互いに相加され第１出力端子（71）及び第２
出力端子（72）から外部に導出される。上記導電ストリ
ツプ（５）は半導体膜（３）に対し嵩高であることから
当該半導体膜（３）を貫通することにより第２電極膜
（４）と電気的に結合するが、斯る結合が不十分な場
合、第２電極膜（４）の露出面側から下層に導電ストリ
ツプ（５）が存在する部位にレーザビームを照射し第２
電極膜（４）及び半導体膜（３）を溶融させることによ
って確実な結合を得ても良い。
尚、上記実施例にあっては第２電極膜（４）へのレー
ザビームの照射の際、第１電極膜（２）に対するレーザ
ビームの直撃を防止するために、絶縁ストリツプ（６）
を予め照射部位に設けていたが使用する材料やレーザビ
ームの照射条件によっては絶縁ストリツプ（６）は省略
可能である。
ザビームの照射の際、第１電極膜（２）に対するレーザ
ビームの直撃を防止するために、絶縁ストリツプ（６）
を予め照射部位に設けていたが使用する材料やレーザビ
ームの照射条件によっては絶縁ストリツプ（６）は省略
可能である。
（ト） 発明の効果 本発明製造方法は以上の説明から明らかな如く、第２
電極膜のパターニングの際屈曲部及びその近傍において
分割部位に過大なエネルギビームの照射を受けても当該
エネルギビームは第１電極膜を露出するに至らないの
で、同一の光電変換素子の第１電極膜と第２電極膜同士
が局部的に短絡することはなく、製造歩留りの向上が図
れる。
電極膜のパターニングの際屈曲部及びその近傍において
分割部位に過大なエネルギビームの照射を受けても当該
エネルギビームは第１電極膜を露出するに至らないの
で、同一の光電変換素子の第１電極膜と第２電極膜同士
が局部的に短絡することはなく、製造歩留りの向上が図
れる。
第１図は本発明製造方法によって製造された光起電力装
置の一実施例を示し、同図（ａ）は背面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）におけるｂ−ｂ′線断面図、第２図及び第
３図は本発明製造方法の製造途中の状態を示し、第２図
及び第３図（ａ）は背面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）
において破線で囲まれた部分の拡大図、第３図（ｃ）は
同図（ｂ）におけるｃ−ｃ′線断面図である。 （１）……基板、（２）……第１電極膜、（３）……半
導体膜、（４）……第２電極膜、（５）……導電ストリ
ツプ、（６）……絶縁ストリツプ、（71）、（72）……
第１、第２出力端子、（８）……絶縁領域、（９）……
屈曲部、（SC1）、（SC2）、（SC3）……第１〜第３光
電変換素子。
置の一実施例を示し、同図（ａ）は背面図、同図（ｂ）
は同図（ａ）におけるｂ−ｂ′線断面図、第２図及び第
３図は本発明製造方法の製造途中の状態を示し、第２図
及び第３図（ａ）は背面図、第３図（ｂ）は同図（ａ）
において破線で囲まれた部分の拡大図、第３図（ｃ）は
同図（ｂ）におけるｃ−ｃ′線断面図である。 （１）……基板、（２）……第１電極膜、（３）……半
導体膜、（４）……第２電極膜、（５）……導電ストリ
ツプ、（６）……絶縁ストリツプ、（71）、（72）……
第１、第２出力端子、（８）……絶縁領域、（９）……
屈曲部、（SC1）、（SC2）、（SC3）……第１〜第３光
電変換素子。
Claims (1)
- 【請求項１】基板の絶縁表面に少なくとも第１電極膜、
光活性層を含む半導体膜及び第２電極膜をこの順序で積
層せしめた光電変換素子を備え、上記第２電極膜を複数
の領域に分割する際当該分割部位にエネルギビームを照
射する光起電力装置の製造方法であって、分割すること
なく被着された第２電極膜に対してエネルギビームを連
続的に走査するに先立ち、当該エネルギビームの走査パ
ターンにおける屈曲部の下層に第１電極膜が不存在な絶
縁領域を設けることを特徴とした光起電力装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035654A JP2589122B2 (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63035654A JP2589122B2 (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01209769A JPH01209769A (ja) | 1989-08-23 |
| JP2589122B2 true JP2589122B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=12447865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63035654A Expired - Fee Related JP2589122B2 (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589122B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP63035654A patent/JP2589122B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01209769A (ja) | 1989-08-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |