JPS5855458A - インド−ル系化合物の製法 - Google Patents
インド−ル系化合物の製法Info
- Publication number
- JPS5855458A JPS5855458A JP15339281A JP15339281A JPS5855458A JP S5855458 A JPS5855458 A JP S5855458A JP 15339281 A JP15339281 A JP 15339281A JP 15339281 A JP15339281 A JP 15339281A JP S5855458 A JPS5855458 A JP S5855458A
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- JP
- Japan
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- organic base
- compound
- indoline
- sulfide
- organic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、インドリン系化合物よジインドール系化合物
を製造する方法に関する。
を製造する方法に関する。
従来、インドリン核よりインドール核への酸化には、二
酸化マンガン、塩化第二銅−ピリジン、クロラニル、パ
ラジウム黒などによる方法がある。しかしながら、イン
ドール核は酸化に弱いので、反応条件を十分考慮しなけ
ればならない煩わしさがあるとともに、また核上の官能
基が酸化されるおそれも存在する。しかも、大量生産す
る場合には、使用された無機性酸化剤の廃棄処理も重大
な問題となる。
酸化マンガン、塩化第二銅−ピリジン、クロラニル、パ
ラジウム黒などによる方法がある。しかしながら、イン
ドール核は酸化に弱いので、反応条件を十分考慮しなけ
ればならない煩わしさがあるとともに、また核上の官能
基が酸化されるおそれも存在する。しかも、大量生産す
る場合には、使用された無機性酸化剤の廃棄処理も重大
な問題となる。
本発明者らは、これら従来技術の欠点を解消すべく種々
研究の結果、きわめて穏和な条件でインドリン系化合物
を脱水素することによりインドール系化合物を得ること
に成功し、本発明を完成した。
研究の結果、きわめて穏和な条件でインドリン系化合物
を脱水素することによりインドール系化合物を得ること
に成功し、本発明を完成した。
本発明は、インドリン系化合物とスルフィドとを、有機
塩基の存在下、冷時第3級ブチルヒポクロライドを加え
て反応させた後、更にこれに有機塩基を加えることによ
り、対応するインドール系化合物を製造する方法である
。
塩基の存在下、冷時第3級ブチルヒポクロライドを加え
て反応させた後、更にこれに有機塩基を加えることによ
り、対応するインドール系化合物を製造する方法である
。
本発明において、インドリン系化合物とはインドリ/ま
たは「インドリン核の窒素原子に置換基が存在していな
いインドリン誘導体」を意味する。
たは「インドリン核の窒素原子に置換基が存在していな
いインドリン誘導体」を意味する。
インドリン核の窒素原子とスルフィドとの反応の妨げと
ならない限り、前記インドリン核の1位以外にいかなる
置換基が存在してもよい。
ならない限り、前記インドリン核の1位以外にいかなる
置換基が存在してもよい。
インドール系化合物とは、前記インドリン系化合物にそ
れぞれ対応する化合物を意味する。
れぞれ対応する化合物を意味する。
スルフィドとは、硫黄原子の隣にメチル基またはメチレ
ン基を有するスルフィドを意味し、ジメチルスルフィド
などが好ましい。
ン基を有するスルフィドを意味し、ジメチルスルフィド
などが好ましい。
有機塩基とは、有機アミン、ナトリウムアルコラードな
どの塩基性有機物質を意味する。
どの塩基性有機物質を意味する。
冷時とは、−40〜−80℃に冷却する場合を意味し、
−60℃前後の冷却がよい結果を与える。
−60℃前後の冷却がよい結果を与える。
本発明を実施するには、次のようにして行なう。
すなわち、インドリン系化合物と、それとほぼ等モルの
有機塩基と小過剰モルのスルフィドとを非プロトン性有
機溶媒(たとえば、塩化メチレン。
有機塩基と小過剰モルのスルフィドとを非プロトン性有
機溶媒(たとえば、塩化メチレン。
アセトニトリル、ジメトキシエタンなど)に溶解した溶
液を−40〜−8つ℃に冷却し、これにほぼ等モルの第
3Rブチルヒポヘライドを滴下し、前記温度に保ちなが
ら1〜2時間攪拌をつづけて反応すせ、アザスルホニウ
ム塩を生成する。これに約5倍モルの有機塩基のアルコ
ール溶液を加えた後冷却を停止し、この反応系の温度を
室温にもどす。
液を−40〜−8つ℃に冷却し、これにほぼ等モルの第
3Rブチルヒポヘライドを滴下し、前記温度に保ちなが
ら1〜2時間攪拌をつづけて反応すせ、アザスルホニウ
ム塩を生成する。これに約5倍モルの有機塩基のアルコ
ール溶液を加えた後冷却を停止し、この反応系の温度を
室温にもどす。
この所要時間は2時間前後である。この反応液を常法に
よシ後処理してインドール系化合物を好収率で得ること
ができる。
よシ後処理してインドール系化合物を好収率で得ること
ができる。
本発明の製法は、反応条件がきわめて穏和なため、原料
化合物に他の官能基が存在していてもそれらは影響を受
けることがなく、光学活性化合物であってもその活性が
そこなわれることはない。
化合物に他の官能基が存在していてもそれらは影響を受
けることがなく、光学活性化合物であってもその活性が
そこなわれることはない。
また、その反応操作も、冷時ただ混合するだけであるか
らきわめて簡単である。
らきわめて簡単である。
次に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。
実施例1
インドリン(3mmoz ) 、ジメチルスルフィド(
4,5mmoz )およびトリエチルアミン(3mmo
t)を塩化メチレン(107りに溶解し、−65℃で第
3級ブチルヒポクライト(3,9mmot)の塩化△ メチレン溶液(10mz)をこれに滴下した。この反応
液をそのまま2時間保ち、次いでメタノール(smz)
および金属ナトリウム(15mmol) から調製し
たナトリウムエチラートを10分かけて加えた後冷却を
停止し、そのまま攪拌をつづけて室温にもどした。この
間2時間を要した。反応液に水(20+++l)を加え
、水層を塩化メチレン(2me )で30回抽出し、こ
の抽出液を合せて飽和食塩水(20m)で洗浄し、芒硝
で乾燥した。この乾燥抽出液を減圧下留去し、得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒
ベンゼン−ヘキサン1:1)によシ精製し、水から再結
晶してインドールを収率82%で得た。
4,5mmoz )およびトリエチルアミン(3mmo
t)を塩化メチレン(107りに溶解し、−65℃で第
3級ブチルヒポクライト(3,9mmot)の塩化△ メチレン溶液(10mz)をこれに滴下した。この反応
液をそのまま2時間保ち、次いでメタノール(smz)
および金属ナトリウム(15mmol) から調製し
たナトリウムエチラートを10分かけて加えた後冷却を
停止し、そのまま攪拌をつづけて室温にもどした。この
間2時間を要した。反応液に水(20+++l)を加え
、水層を塩化メチレン(2me )で30回抽出し、こ
の抽出液を合せて飽和食塩水(20m)で洗浄し、芒硝
で乾燥した。この乾燥抽出液を減圧下留去し、得られた
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶媒
ベンゼン−ヘキサン1:1)によシ精製し、水から再結
晶してインドールを収率82%で得た。
m、p、52〜53℃
実施例2
それぞれ対応する原料化合物を、実施例1と同様に処理
することにょシ、次表に示す化合物を得ることができた
。
することにょシ、次表に示す化合物を得ることができた
。
Claims (1)
- 1)インドリン系化合物とスルフィドとを、有機塩基の
存在下、冷時第3級ブチルヒポクロライ上゛を加えて反
応させた後、さらにこれに有機塩基を加えることを特徴
とするインドール系化合物の製法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15339281A JPS5855458A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | インド−ル系化合物の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15339281A JPS5855458A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | インド−ル系化合物の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5855458A true JPS5855458A (ja) | 1983-04-01 |
JPH027310B2 JPH027310B2 (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=15561481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15339281A Granted JPS5855458A (ja) | 1981-09-28 | 1981-09-28 | インド−ル系化合物の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5855458A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213408A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 零相計測装置 |
JPH01206269A (ja) * | 1988-02-13 | 1989-08-18 | Energy Support Corp | 零相電流検出装置及び零相電流電圧検出装置 |
-
1981
- 1981-09-28 JP JP15339281A patent/JPS5855458A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63213408A (ja) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 零相計測装置 |
JPH01206269A (ja) * | 1988-02-13 | 1989-08-18 | Energy Support Corp | 零相電流検出装置及び零相電流電圧検出装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH027310B2 (ja) | 1990-02-16 |
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