JPS5855455Y2 - 定電流回路 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、変動の少ない微小電流を大きな抵抗体を用
いないで得ようとするもので、特に大きな抵抗体を得る
ことが困難な集積回路に用いて有効な定電流回路に関す
るものである。

第１図、第２図は従来用いられている微小電流を得るた
めの定電流回路である。

第１図、第２図において、Ｑｌ、Ｑ２はＮＰＮトランジ
スタ、Ｒ１は抵抗体を示す。

第１図の回路においてＮＰＮ）ランジスタＱ１に加えら
れるバイアス電流をＩＢ、出力電流であるＮＰＮ）ラン
ジスタＱ２のコレクタ電流をＩ。

とすると次式が成立する。

ここで、ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度 ｑ：電子電荷 この回路においては、コレクタ電流Ｉ。

に微少電流を得ようとすると、抵抗体Ｒ１に大きな抵抗
値が必要となる。

例えば■Ｂ−１００μＡとし、コレクタ電流■。

に１μＡを得ようとすると、第（１）式より抵抗体Ｒ１
の抵抗値は１２０にΩが必要になる。

一般に半導体集積回路においては、数にΩ程度の抵抗値
が得やすく、１２０にΩもの抵抗値を得ようとするとチ
ップ面積が増大することとなる。

第２図の回路においては、ＮＰＮ）ランジスタＱ１のコ
レクタに加えられるバイアス電流■８と、出力電流であ
るＮＰＮ）ランジスタＱ２のコレクタ電流Ｉ。

との間には次式が成立する。この回路においては、コレ
クタ電流■。

がバイアス電流■８の変化に対して指数関数的に変化す
る。

したがって、微小電流を得る条件、すなわちの場合には
、バイアス電流ＩＢの変化に対し、コレクタ電流Ｉ。

は大幅に変化することになる。例えばＩＢ＝１００μＡ
の時、コレクタ電流■。

に１μＡを得るタメには、Ｒ１＝ １．２ ＫΩとなる
が、この条件でバイアス電流ＩＢが２０％増加、すなわ
ちＩＢ−■２０μＡとなると、１．＝０．４７μＡとな
り、約５０％減少することになり、安定性に乏しい。

この考案は、上記欠点を除去するためになされたもので
、大きな抵抗体を用いずに安定性のよい微小電流が得ら
れるようにしたものである。

以下この考案について説明する。

第３図はこの考案の一実施例を示す回路図で、１１は第
１のＮＰＮ）ランジスタ、１２は第２のＮＰＮトランジ
スタ、１３は第３のＮＰＮ）ランジスタ、１４は抵抗値
Ｒ１の第１の抵抗体、１５は抵抗値Ｒ２の第２の抵抗体
を示す。

第３図において、第１のＮＰＮ）ランジスタ１１のコレ
クタに加えられる電流をＩ８、第２のＮＰＮトランジス
タ１２のコレクタ電流をＩ２、出力電流である第３のＮ
ＰＮ）ランジスタ１３のコレクタ電流を■。

とすると次式が成立する。第１図、第２図の場合と同様
に、この実施例においても電流Ｉ、＝１００μＡとし、
ｌ０＝１μＡとする。

いま、Ｉ２−１０μＡとすると、第（３）式、第（５）
式よりＲ２＝ ５．７ ＫΩ、Ｒ，＝ １１．７ ＫΩ
となり、大きな抵抗体を用いずに、微小電流を得ること
ができる。

また、この条件で電流■８が２０％増加、すなわち、Ｉ
Ｂ＝ １２０μＡとなると、ｌ０＝０．９３μＡとなり
、１０％以下の減少であり安定性がよ０゜ 以上説明したように、この考案は大きな抵抗体を用いず
に、安定した微小電流を得ることができるため、高イン
ピーダンス回路のバイアス電流回路。

リーク電流防止回路などに広く応用できる利点を有する
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来用いられている定電流回路を示す
図、第３図はこの考案の一実施例を示す回路図である。 図中、１１は第１のＮＰＮ）ランジスタ、１２は第２の
ＮＰＮ）ランジスタ、１３は第３のＮＰＮ）ランジスタ
、１４は第１の抵抗体、１５は第２の抵抗体である。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ベースとコレクタを接続した第１のトランジスタと、ベ
   ースを前記第１のトランジスタのベースに接続し、コレ
   クタと前記第１のトランジスタのベース間に第１の抵抗
   体を接続し、エミッタと前記第１のトランジスタのエミ
   ッタ間に第２の抵抗体を接続した第２のトランジスタと
   、ベースを前記第２のトランジスタのコレクタに接続し
   、エミッタを前記第１のトランジスタのエミッタに接続
   した第３のトランジスタとからなり、前記第３のトラン
   ジスタのコレクタを出力としたことを特徴とする定電流
   回路。