SU586858A3 - Схема смещени перехода база-эмиттер транзистора - Google Patents

Description

(54) СХЕМА СМЕЩЕНИЯ ПЕРЕХОДА БАЗА-ЭМИТТЕР

Claims (1)

1. ТРАНЗИСТОРА за которого через р д М-пр мосмещениых переходов, например транзисторов 2 в диодном включении, а эмиттер через р д N пр мосмещенных полупроводниковы: переходов , например транзисторов 3 в диодном включении, подключены к положительному полюсу источника 4 тока. База транзистора 1 через р д дополнительных N -пр мосме- шейных полупроводниковых переходов, напри мер транзисторов 5 в диодном включении, а эмиттер - через р д дополнительных М-пр мосмешенных полупроводниковых nepe ходов, например транзисторов 6 в диодном включении, подключены к отрицательному полюсу, источника 4 тока, эффективна  плошадь каждого полупроводникового перехода М -р да в rt раз больше, чем эффективна  площадь каждого полупроводникового перехода М-р да, где It - положительное число; Схема смещени  перехода база - эм иттер транзистораработает следующим образом . Падение напр жени  V. на транзисторе 1, включенном как диод, будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером. При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы эмиттера значитель но меньше сопротивлени  пограничного сло действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - ц пер хода. Падение напр жени  св зано с плотностью тока в нем соотношением КТ. Зе... где Л -ппотностьэмиттерного тока триода в режиме диода; К - посто нна  Больцмана; Т - абсолютна  температура; зар$щ электрона; плотность тока насыщени , котора  смещает температурную зависимость , но  вл етс  существе но одинаковой дл  полупроводниковых приборов, имеющих одинаковый профиль переходовJ поэтому из ураЁнени  (I) следует падание напр жени  на перехо де транзисторов 5; плотность тока через переход транзисторов 5; падение напр жени  на переходе транзисторов 6; плотность тока через переход транзисторов 6. Напр жение AV, равно разности межгт , е. BE BE. Подставл   в это уравнение значени  величин из уравнений (2) и (3), получим / Прибавл   величину А Vji с напр жению, приложенному от источника4 тока к пер&источника 4 ходу база - эмиттер транзистора 1, можно увеличить коллекторный ток транзистора в П, раз, отнима  величину от напр жени  источника 4 питани , коллекторный ток можно уменьшить в гт раз. Если число пр мосмешенных полупроводниковых переходов транзисторов 2 вз 1Ь равным М, а число пр мосмещенных полупроводниковых переходов транзисторов 5 - равным 11{К-И1 1),то коллекторный ток 0 будет составл ть Здуи где U -ток нагрузки , и - положительное число. Предложенна  схема смещени  база-эмит тер транзистора позвол ет сделать коллекторный ток транзистора значительно м§ньше его входного тока, без использовани  резисторов с большой величиной сопротивлени . Формула изобретени  Схема смещени  перехода база - эмиттер транзистора, например К - р - М типа, база которого через р д М-пр мосмещенны; переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер через р д N - пр мосмещенных полупроводниковых переходов , например транзисторов в диодном вклк чении подключены к положительному полюсу источника тока, отличающа с  тем, что, с целью расширени  динамического диапазона разделени  тока, база транзистора через р д дополнительных N -пр мосм&щенньтх полупроводниковых переходов, например транзисторов в диодном включении, а эмиттер - через р д дополнительных М-ьр мосмещенных полупроводниковых переходов , например транзисторов в диодном включении,. подключены к отрицательному полюсу источника тока, причем эффективна  площадь каждого полупроводникового перехода N -р па в г - раз 0рльще, чем фективиа  площадь каждого Попупроводв кового перехода М-р да, где И -положительное число.

   Источники  кформап и, прин тые во BBrtмание при экспертизе:

   1, Патент США N 3301311, кп. 317-235, опубп. 1968.