JPS5854156B2 - 新セフアロスポリン誘導体およびその製法 - Google Patents

新セフアロスポリン誘導体およびその製法

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JPS5854156B2
JPS5854156B2 JP51076209A JP7620976A JPS5854156B2 JP S5854156 B2 JPS5854156 B2 JP S5854156B2 JP 51076209 A JP51076209 A JP 51076209A JP 7620976 A JP7620976 A JP 7620976A JP S5854156 B2 JPS5854156 B2 JP S5854156B2
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勝 岩波
敦城 山崎
哲哉 前田
増雄 村上
嘉信 長野
憲昭 長野
正治 藤本
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Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd
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Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D501/00Heterocyclic compounds containing 5-thia-1-azabicyclo [4.2.0] octane ring systems, i.e. compounds containing a ring system of the formula:, e.g. cephalosporins; Such ring systems being further condensed, e.g. 2,3-condensed with an oxygen-, nitrogen- or sulfur-containing hetero ring
    • C07D501/14Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7
    • C07D501/16Compounds having a nitrogen atom directly attached in position 7 with a double bond between positions 2 and 3
    • C07D501/207-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids
    • C07D501/577-Acylaminocephalosporanic or substituted 7-acylaminocephalosporanic acids in which the acyl radicals are derived from carboxylic acids with a further substituent in position 7, e.g. cephamycines
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P31/00Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
    • A61P31/04Antibacterial agents

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般式(I) 〔式中Bはアセトキシ基または式−8−R2(式中R2
は低級アルキル基で置換されていてもよいチアジアゾリ
ル基またはテトラゾリル基を意味する。
)で示されるヘテロサイクルチオ基を意味する。
以下同様〕で示される新セファロスポリン誘導体または
その塩並びにその製法に関する。
上記本発明化合物(I)に於いてBの示す基であるチア
ジアゾリル基またはテトラゾリル基が有してもよい低級
アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基である。
さらに本発明化合物(I)の非毒性塩としてはアルカリ
金属塩、アンモニウム塩およびトリエチ/L/7ミン、
ジシクロヘキシルアミン等の塩基との塩がそれぞれ挙げ
られる。
本発明の新セファロスポリン誘導体としては例えば次の
ものが挙げられる。
(1)7β−(2−ヒドロキシ−4−(ピリジル)チオ
アセトアミド−7α−メトキシ−3−(1メチルテトラ
ゾール−5−イル)チオメチルA3−セフェム−4−カ
ルボン酸 (2)7β−(2−ヒドロキシ−4−ピリジル)チオア
セトアミド−7α−メトキシ−3−(5−メチル−1・
3・4−チアジアゾール−2−イル)チオメチル−A3
−セフェム−4−カルボン酸 本発明によれば新規なセファロスポリン誘導体(I)を
得るには一般式([I) 〔式中Yは)・ロゲン原子を意味し、 じ。
以下同様〕Bは前記に同 * *で示される化合物と一般式(III) されるピリジルチオ基を意味する。
以下同様〕で示される化合物を塩基の存在下反応させる
方法(以下第1方法と略す。
)および本発明化合物(I)が一般式(■)′ (式中R2は前記に同じ) スポリン誘導体の場合は、 式(IV) で示される新セファロ で示されるセファロスポラン酸誘導体と一般式() () 〔式中Mは水素原子またはアルカリ金属を意味し、R2
は前記に同じ。
以下同様〕で示される化合物を反応させる方法(以下第
2法と略す。
)がある。上記本発明第1方法を実施するには次の如く
行う。
即ち化合物(n)と化合物(m)を塩基の存在下、通常
冷却下乃至室温下反応に関与しない有機溶媒中或いは水
またはそれらの混合液中で反応させる。
用いられる塩基としては脂肪族、芳香族または複素環式
窒素塩基あるいは炭酸または重炭酸アルカリ金属塩が挙
げられ、具体的にはたとえばトリエチルアミン、N−N
−ジメチルアニリン、N−エチルモルホリン、ピリジン
、コリジン、26−ルチジン、炭酸ナトリウム、炭酸カ
リウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素ナトリウムな
どが用いられる。
化合物(n)のYのハロゲン原子としてはクロル原子、
フロム原子、フッ素原子等が挙げられる。
化合物([[[)の使用量は化合物(n)に対して等モ
ル乃至過剰モルであるが好ましくは1〜2倍モル程度で
ある。
反応に関与しない有機溶媒としては具体的にはメタノー
ル、クロロホルム、塩化メチレン、塩化エチレン、アセ
トン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が
挙げられる。
本発明の第2方法を実施するには次の如(行う即ち、化
合物(IV)と化合物(V)とを反応させる。
本反応は中性付近で行なうのが好ましく、化合物(IV
)に対して等モル乃至過剰モルの化合物(V)を反応さ
せる。
化合物(V)のMのアルカリ金属としてはナトリウム、
カリウム等が挙げられる。
また化合物(V)に於いてMが水素原子である化合物を
使用する場合には、水酸化アルカリ金属、炭酸アルカリ
金属、炭酸水素アルカリ金属およびトリアルキルアミン
、ピリジン、ジメチルアニリン等の塩基の存在下に行う
のが好適である。
反応は通常、アセトン、ジメチルホルムアミド、メタノ
ール、エタノール等の反応に関与しない有機溶媒或いは
水又はこれらの混合液中またはリン酸緩衝液中、室温乃
至加温下に行なわれる。
本発明化合物(I)は式(Vl) (式中R1はカルボキシ基の保護基を意味し、は前記に
同じ。
以下同様。)と式(■) で示される化合物またはそのカルボキシ基の反応性誘導
体の等モル乃至過剰モル好ましくは2倍モルとを、好ま
しくは塩基の存在下反応に関与しない有機溶媒中で反応
させ、生成物が保護基R1を有している場合はそれを除
去することにより得ることもできる。
こうして得られた本発明化合物は薬学上許容される非毒
性の塩に導(ことができる。
塩を形成させるために通常用いられる方法に従えばよく
、例えば2−エチルヘキサン酸アルカリ金属のn−ブタ
ノール溶液を加え、次に溶解性の異なるエーテル、酢酸
エチル等の有機溶媒を加えることにより目的化合物(I
)のアルカリ金属塩を、ジシクロヘキシルアミン、トリ
エチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリメチルアミ
ン等の有機塩基を等量乃至少過剰加え反応させることに
より本発明化合物の有機塩基との塩を、またアンモニア
水を加えることにより本発明化合物のアンモニウム塩を
得ることができる。
また本発明化合物(I)または塩の単離、精製は常法に
従い行なえばよい。
このようにして製造される本発明化合物(I)はダラム
陽性および陰性両画に対して優れた抗菌力を有する抗生
物質であって医薬として有用である。
以下に本発明化合物(I)の抗菌力(最少有効阻止濃度
)を公知の7−(α−(IH−テトラゾール−1−イル
)アセトアミド)−3−(5−メチル−1・3・4−チ
アジアゾール−2−イル)−チオメチルーA3−セフェ
ム−4−カルボン酸(一般名;セファゾリン)と比較し
て示す。
従って、本発明化合物(I)はこれらの菌その細氷発明
化合物が効力を示す菌によってひきおこされる人及び動
物の細菌感染症治療剤として経口または非経口具体的に
は、注射剤、錠剤、液剤、外用剤等様々の投与形態で投
与される。
これらの製剤は常法により製造することができる。
実施例 1 7β−ブロモアセトアミド−7α−メトキシ−3−(1
−メチルテトラゾール−5−イル)チオメチル−A3−
セフェム−4−カルボン酸lOO■、2−ヒドロキシ−
4−メルカプトピリジン30■、炭酸水素ナトリウム4
0■、水5rrLlおよびメタノールio#17!を混
和し、室温で4.5時間かきまぜる。
メタノールを留去し、炭酸水素ナトリウムを加えpH9
に調整した後沢過する。
F液を1.5%塩酸で酸性とし、n−ブタノール−酢酸
エチル(容量比1:1)混液100rfLlで抽出し、
飽和塩化ナトリウム水溶液、水、飽和塩化ナトリウム水
溶液の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒
を減圧留去する。
得られた残留物をカラムクロマトグラフィーに付し、ク
ロロホルム−イソプロパノ−ルーギ酸(容量比90:1
0:3)混液に順次メタノールを加えた溶液を溶離液と
して用いて展開する。
目的化合物を含むフラクションを集め、溶媒を減圧留去
して7β−(2−ヒドロキシ−4−ピリジル)チオアセ
トアミド−7α−メトキシ−3−(l−メチルテトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−、I(3−セフェム−4
−カルボン酸57■を得る。
核磁気共鳴スペクトル(d6−DMSO)δ(p、 p
、m、 ) ; 3.38 (513H)、3.66 (q、 2H)
、3.84 (513H)、3.92 (s、 3H)
、4.30 (q、 2H)、5.06(s、IH)
、6.06(d、IH)、6.20(d、IH)、6.
20 (s、 I H)、7.22(dl 1H)実
施例 2 7β−70モアセトアミド−7α−メトキシ3−(5−
メチル−1・3・4−チアジアゾール2−イル)チオメ
チル−A3−セフェム−4−カルボン酸200■、2−
ヒドロキシ−4−メルカプトピリジン65WI9、水8
IrLl及びメタノール16rfLlを混和し、水浴上
でかきまぜ、更に炭酸水素ナトリウム80WI9を加え
た後、室温で2時間かきまぜる。
メタノールを減圧下留去し、濾過後、希塩酸にて酸性と
したのち、n−ブタノール−酢酸エチル(容量比1:1
)混液50rILlにて抽出する。
抽出液を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後溶媒を留去して7β−(2−ヒド
ロキシ−4−ピリジル)チオアセトアミド−7α−メト
キシ−3−(5−メチル−1・3・4−チアジアゾール
−2−イル)チオメチル−A3−セフェム−4−カルボ
ン酸210■を得る。
核磁気共鳴スペクトル(d6−DMSO)δ(p、p、
m); 2.70 (s、 3 H)、3.42 (513H)
、3.72 (q、 2H)、3.84(s、2H)、
4.36 (q12H)、5.12(s、IH)、6.
10(dl 1H)、6.24 (s、 IH)、7
.26(dl 1H) 実施例 3 7β−ブロモアセトアミド−7α−メトキシ−3−(1
−メチルテトラゾール−5−イル)チオメチル−A3−
セフェム−4−カルボン酸360■を3−ヒドロキシ−
4−メルカプトピリジン120■、炭酸水素ナトリウム
140■、メタノール15d、水7.5IILlの混液
に氷冷下かきまぜながら加え、室温に戻した後さらに2
時間攪拌する。
メタノールを留去後、濾過しl規定塩酸2麻で酸性とし
て析出物をF取、水洗、乾燥する。
粗製の生成物7β−(3−ヒドロキシ−4−ピリジル:
チオアセトアミド−7α−メトキシ−3−(1−メチル
テトラゾール−5−イル)チオメチル−A3−セフェム
−4−カルボン酸200■を得る。
一方上記水層をさらにノルマルブタノール−メタノール
混液(混合比1:1)50dで抽出し、有機層を飽和塩
化す) IJウム水で2回洗い、無水硫酸マグネシウム
で乾燥後溶媒を留去すると、粗製の上記生成物280即
を得る。
水層から得られた粗製物をクロロホルム−イソプロパノ
−ルー蟻酸−メタノール混液 9 (混合比30:3:1:8)を展開溶液とするシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーに付し、純品1001n9
を得7)。
核磁気共鳴スペクトル(d6−DMSO)δ(p、p、
m): 3.40 (s、 3H7−OMe )、3.94
(s、3HN−Me )、 4.06 (8,2H−8−昶辻0)、 4.30 (ql 2H)、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式 〔式中Bはアセトキシ基または式 −R2 (式 中R2は低級アルキル基で置換されていてもよいチアジ
    アゾリル基またはテトラゾリル基を意味する。 )で示されるヘテロサイクルチオ基を意味する〕 で示されるセファロスポI) 7誘導体またはその塩。 2 Bが1−メチルテトラゾール−5−イル基である特
    許請求の範囲第1項記載の化合物。 3 Bが5−低級アルキルート3・4−チアジアゾール
    −2−イル基である特許請求の範囲第1項記載の化合物
    。 4 Bが5−メチル−1・3・4−チアジアゾール−2
    −イル基である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 5 一般式([I) 〔式中Yはハロゲン原子を、Bはアセトキシ基または式
    −8−R”(式中R2は低級アルキル基で置換されてい
    てもよいチアゾアゾリル基またはテトラゾリル基を意味
    する)で示されるヘテロサイクルチオ基を意味する。 以下同様〕で示される化合物と一般式 〔式中A′は水素原子または式 で示されるピリジルチオ基を意味 する。 以下同様〕で示される化合物を塩基の存在下反応させる
    ことを特徴とする一般式(I) *〔式中Bは前記と同じ。 〕で示される新セファロスポリン誘導体またはその塩の
    製法。 6 Yがブロム原子である特許請求の範囲第5項記載の
    製法。 7 一般式(IV) で示されるセファロスポラ、ン酸誘導体と式(V)S
    −R2 (V) 〔式中R2は低級アルギル基で置換されていてもよいチ
    アジアゾリル基またはテトラゾリル基を、Mは水素原子
    またはアルカリ金属を意味する。 以下同様〕 で示される化合物を反応させ 一般式(I)′ 〔式中R2は前記に同じ〕 で示される新セファロスポリン誘導体またはその塩の製
    法。
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