JPS5853876A - 半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの製造方法Info
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- JPS5853876A JPS5853876A JP15172181A JP15172181A JPS5853876A JP S5853876 A JPS5853876 A JP S5853876A JP 15172181 A JP15172181 A JP 15172181A JP 15172181 A JP15172181 A JP 15172181A JP S5853876 A JPS5853876 A JP S5853876A
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- semiconductor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発嘴呟電流狭會をほどこした横そ−ド制御装置半導体
レーザの製造方法に関するものである。横モード制御さ
れ先生導体レーザの例としては、あ１図に示す様な構造
が、合弁＃にょって電子通信学会技術報告書（ＪＱ１８
ｔ−１４，１９８１年に提案さ化学エツチングによりＶ
字状溝の先Ｏ１がｌｉｃ櫨１ｎＰ基板ＨＣ達する様に７
字状の溝を形成し、その後館２回目の結晶成長工程によ
り、順次ｎ型ＩｎＰ層３． ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ活注層
４（バンドギャップエネルギー波長的１．３図ｍ）をＶ
字状溝内に凹みが出来る程度にうめこみ、さらにｐ型１
ｎＰＪｊｉ、ｎ！Ｉ！ＩＨＧ ａＡ＠Ｐコンタクト層６
を形成した後、ｐ敲不純物拡散領域７を拡散により形成
したあとｐ電極８．窮電極９を設けたものである。
レーザの製造方法に関するものである。横モード制御さ
れ先生導体レーザの例としては、あ１図に示す様な構造
が、合弁＃にょって電子通信学会技術報告書（ＪＱ１８
ｔ−１４，１９８１年に提案さ化学エツチングによりＶ
字状溝の先Ｏ１がｌｉｃ櫨１ｎＰ基板ＨＣ達する様に７
字状の溝を形成し、その後館２回目の結晶成長工程によ
り、順次ｎ型ＩｎＰ層３． ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ活注層
４（バンドギャップエネルギー波長的１．３図ｍ）をＶ
字状溝内に凹みが出来る程度にうめこみ、さらにｐ型１
ｎＰＪｊｉ、ｎ！Ｉ！ＩＨＧ ａＡ＠Ｐコンタクト層６
を形成した後、ｐ敲不純物拡散領域７を拡散により形成
したあとｐ電極８．窮電極９を設けたものである。
こＯＩＩ造は、ＩｎＧａＡｓＰ活ａｍ＜がｖ字状構内に
おりて途切れ丸形状になっておシ、活性層横方向にはそ
れ自身よシ禁制帯幅の広すかっ屈折率の小さ＆ １．Ｐ
層が配置されるため活性層（そって実効的な屈折率差が
形成され、レーザー党の屈折率導波機構を積極的に取り
入れるとともに、活性層に注入されたキャリアは、 １
．Ｐ層で阻止され横方向への拡散が阻止されるので、効
率良ｂレーダ発振動作が出来る特徴を有するものである
。しかしながら１本構造に於て安定な基本横モード発振
を得るには、活性層横幅（図に示すＷ）を２μｍ程ｆに
狭まくする必要があ）１通常良く用いられる化学エツチ
ング法によれば％２．０〜２ｓμｍ以下に形成すること
は難かしく、従って、溝幅の制御性が愚く、基本機モー
ド尭躯を得る半導体レーザを量ｍ性良く製作できない欠
点がありえ・本発＠Ｏ目的は上記製造方法の欠点を改善
し。
おりて途切れ丸形状になっておシ、活性層横方向にはそ
れ自身よシ禁制帯幅の広すかっ屈折率の小さ＆ １．Ｐ
層が配置されるため活性層（そって実効的な屈折率差が
形成され、レーザー党の屈折率導波機構を積極的に取り
入れるとともに、活性層に注入されたキャリアは、 １
．Ｐ層で阻止され横方向への拡散が阻止されるので、効
率良ｂレーダ発振動作が出来る特徴を有するものである
。しかしながら１本構造に於て安定な基本横モード発振
を得るには、活性層横幅（図に示すＷ）を２μｍ程ｆに
狭まくする必要があ）１通常良く用いられる化学エツチ
ング法によれば％２．０〜２ｓμｍ以下に形成すること
は難かしく、従って、溝幅の制御性が愚く、基本機モー
ド尭躯を得る半導体レーザを量ｍ性良く製作できない欠
点がありえ・本発＠Ｏ目的は上記製造方法の欠点を改善
し。
躯の狭ｉ濤を精度よく制御して上記構造の中導体し−ず
を作製する方法を提供することにある。
を作製する方法を提供することにある。
本発明の骨子は、半導体基板に、該半導体基板と透導装
置の第１半導体層を形成し、さらにこの１ｍｌ牛導導体
上に前記半導体基板と同じか又は逆の導電ＪｌＯ第２の
半導体層を形成する。
置の第１半導体層を形成し、さらにこの１ｍｌ牛導導体
上に前記半導体基板と同じか又は逆の導電ＪｌＯ第２の
半導体層を形成する。
次に結晶の面方位依存性のある化学エツチング液にて半
導体基板に至るまでＶ字状溝を形成し、その後、結晶表
面に残存する第２半導体層を選択性のある化学エツチン
グ液にて全て除去する。しかる後第２段階の液相エピタ
キシャル成長工程によ）、前述した工程によ）形成し九
Ｖ字状溝を具備した結晶層上に光ガイド層としての第３
半導体層、及び活性層としての第４半導体層、及びクラ
ッド層としてのｌ！５半導体層を順次成長する・即ち第
２半導体層上から化学エツチングにより７字状溝を形成
した後篇２半導体層を除去することによＪＰｖ字状溝の
横幅を化学エツチング時のマスク幅よル狭まくすること
が可能でＦハ横幅は第２半導体層の厚を変える仁とで制
御できる・この結果導波路横幅が小さくなり、レーザ光
の放射角度を一直方向、水平方向とも同根ｆＫするだけ
でなく、活性層の下ａｌｌ（基板側）にｐ−ｎ逆接合領
域を配置しであるため、電流の横ひろが）を防止した半
導体レーザが得られる。
導体基板に至るまでＶ字状溝を形成し、その後、結晶表
面に残存する第２半導体層を選択性のある化学エツチン
グ液にて全て除去する。しかる後第２段階の液相エピタ
キシャル成長工程によ）、前述した工程によ）形成し九
Ｖ字状溝を具備した結晶層上に光ガイド層としての第３
半導体層、及び活性層としての第４半導体層、及びクラ
ッド層としてのｌ！５半導体層を順次成長する・即ち第
２半導体層上から化学エツチングにより７字状溝を形成
した後篇２半導体層を除去することによＪＰｖ字状溝の
横幅を化学エツチング時のマスク幅よル狭まくすること
が可能でＦハ横幅は第２半導体層の厚を変える仁とで制
御できる・この結果導波路横幅が小さくなり、レーザ光
の放射角度を一直方向、水平方向とも同根ｆＫするだけ
でなく、活性層の下ａｌｌ（基板側）にｐ−ｎ逆接合領
域を配置しであるため、電流の横ひろが）を防止した半
導体レーザが得られる。
以下１本発明の実施例につめて図面を参照して説明する
・ 菖２Ｅは本発明に係る半導体レーザの製造過程を示す概
略的工Ｉ！図である。
・ 菖２Ｅは本発明に係る半導体レーザの製造過程を示す概
略的工Ｉ！図である。
まず菖２図Ａに示す様にｎ １１ Ｉ麿Ｐでなる半導体
基板ｌｌ上に飢ｌの半導体層としてｐ型ＩｎＰ層１２を
約０．６μｍｈＫ２０半導体層としてｎ型ＩｎＧａＡａ
Ｐ Ｎ １３ （パンドギ４ｆ９プエネルギー波長約
１．１μｍ）を約１ｊｎｍ、落１段階の液相エピタキシ
ャルエｆｉＫよ）順次成長し、さらＫｎ−型ＩｎＧｄ、
Ｐ層１３上に８ｉヘマスタ１４を形成する・ここで８ｉ
０．マスク１４の開孔幅は約３μｍとし、通常よく用い
るホトレジスト工程によυ容易に形成できる寸法とした
ー 次Ｋ ｓ ｊＩＩ ２ ＩＩ （Ｂ） Ｋ 示す様に、
８ｉ０ＨＷ ス／ １４の開孔を通して半導体基板１
１に達する渫さまでｍＭＩａＧａＡｓＰＩ）１ ａ、ｐ
ｌｉｌｎＰ＠１２を化学エツチングによ〕除去してＶ字
状溝を形成する−ここで、化学エツチング液としては、
ｇＫＢｙ含有量のメタノールを用い丸、このエツチング
液では（１０Ｇ）ａｉＩｍＰ基板１１上Ｅｌｌ長された
ｐ Ｊｄｌ １ｍＰ層１２ 、 ｍ ｌＩ ＩｎＧａＡ
ｓＰ層１３上Ｋ（０１１）方向く形成し丸ストライプ状
８ｉ０．マスク１４を通し九エツチングに於ては、室温
状態、約２０秒で図（２示す様なＶ字状の溝が再現よく
形成される。さらに、Ｖ字状溝が一旦形成されるとその
後数１０秒間エツチング液に浸しておいてもエツチング
けほとんど進まず、さらに８ｉ０．マスク直下のサイド
エツチング量は約０．３μｍ以下以下りｈ ７字状溝の
形成条件は容易でかつ非常に再現性の良、ｉ“ものであ
る・ 次にｓ Ｂｉａｓマスク１４を除去した後、硝酸エツチ
ングにより ｍ １ｊｉｉ ＩｎＧａＡｓＰｌ１ｌ ３
ｔｋ去し、第！ ＩＩ （Ｃ） Ｋ示す構造を得る・
ごこで用＾た硝酸はＩｎＧａＡｓＰ ＠ １３をエツチ
ングするが、ｐ 型ＩｎＰ層１２．ｎＭｌｎＰ基板１１
はほとんどエツチングしなりので上記エツチング工程に
よ）形成したＶ字状溝の形状ははとんど変形がなく ｓ
ＩｎＧａＡｓ）’層１３のみを選択的に除去すること
ができるものである。さらに、 ＩｎＧａＡｇＰ層１３
を除去した後のＶ字状溝の＠輔（−に示すＷ）は約１．
５μｍとな）上記し九エッチングエ薯に用−え８１ヘマ
スクの開孔＠３μｍよ）充分にせまい溝幅が形成される
・ こむまでに用＾たｎ Ｎ １ｎＧａＡｓＰ ＠ １３は
上記エツチング工程によ）横幅のせま＾Ｖ字状溝を形成
するために必要なものであ）以後の工程には関係のなり
ものであ勺、導電性につｂてはｐｍ導ＷＬＭのものでも
良ｉ、また、ｎ ＠ ＩｎＧａＡｓＰ ｊｌｌｌ ３の
層厚ｔ−２μａ１根度に厚くするだけで、７字−状の溝
幅を１μｍ ｌｉ ＠： Ｋ小さくすることも容易に出
来る特徴がある・ このようＫ ｎ Ｗ ＩｎＧａＡｓＰ ＄ １３０厚さ
を変えることにより溝幅を変えることができるため、精
度良く壽−を制御できる。
基板ｌｌ上に飢ｌの半導体層としてｐ型ＩｎＰ層１２を
約０．６μｍｈＫ２０半導体層としてｎ型ＩｎＧａＡａ
Ｐ Ｎ １３ （パンドギ４ｆ９プエネルギー波長約
１．１μｍ）を約１ｊｎｍ、落１段階の液相エピタキシ
ャルエｆｉＫよ）順次成長し、さらＫｎ−型ＩｎＧｄ、
Ｐ層１３上に８ｉヘマスタ１４を形成する・ここで８ｉ
０．マスク１４の開孔幅は約３μｍとし、通常よく用い
るホトレジスト工程によυ容易に形成できる寸法とした
ー 次Ｋ ｓ ｊＩＩ ２ ＩＩ （Ｂ） Ｋ 示す様に、
８ｉ０ＨＷ ス／ １４の開孔を通して半導体基板１
１に達する渫さまでｍＭＩａＧａＡｓＰＩ）１ ａ、ｐ
ｌｉｌｎＰ＠１２を化学エツチングによ〕除去してＶ字
状溝を形成する−ここで、化学エツチング液としては、
ｇＫＢｙ含有量のメタノールを用い丸、このエツチング
液では（１０Ｇ）ａｉＩｍＰ基板１１上Ｅｌｌ長された
ｐ Ｊｄｌ １ｍＰ層１２ 、 ｍ ｌＩ ＩｎＧａＡ
ｓＰ層１３上Ｋ（０１１）方向く形成し丸ストライプ状
８ｉ０．マスク１４を通し九エツチングに於ては、室温
状態、約２０秒で図（２示す様なＶ字状の溝が再現よく
形成される。さらに、Ｖ字状溝が一旦形成されるとその
後数１０秒間エツチング液に浸しておいてもエツチング
けほとんど進まず、さらに８ｉ０．マスク直下のサイド
エツチング量は約０．３μｍ以下以下りｈ ７字状溝の
形成条件は容易でかつ非常に再現性の良、ｉ“ものであ
る・ 次にｓ Ｂｉａｓマスク１４を除去した後、硝酸エツチ
ングにより ｍ １ｊｉｉ ＩｎＧａＡｓＰｌ１ｌ ３
ｔｋ去し、第！ ＩＩ （Ｃ） Ｋ示す構造を得る・
ごこで用＾た硝酸はＩｎＧａＡｓＰ ＠ １３をエツチ
ングするが、ｐ 型ＩｎＰ層１２．ｎＭｌｎＰ基板１１
はほとんどエツチングしなりので上記エツチング工程に
よ）形成したＶ字状溝の形状ははとんど変形がなく ｓ
ＩｎＧａＡｓ）’層１３のみを選択的に除去すること
ができるものである。さらに、 ＩｎＧａＡｇＰ層１３
を除去した後のＶ字状溝の＠輔（−に示すＷ）は約１．
５μｍとな）上記し九エッチングエ薯に用−え８１ヘマ
スクの開孔＠３μｍよ）充分にせまい溝幅が形成される
・ こむまでに用＾たｎ Ｎ １ｎＧａＡｓＰ ＠ １３は
上記エツチング工程によ）横幅のせま＾Ｖ字状溝を形成
するために必要なものであ）以後の工程には関係のなり
ものであ勺、導電性につｂてはｐｍ導ＷＬＭのものでも
良ｉ、また、ｎ ＠ ＩｎＧａＡｓＰ ｊｌｌｌ ３の
層厚ｔ−２μａ１根度に厚くするだけで、７字−状の溝
幅を１μｍ ｌｉ ＠： Ｋ小さくすることも容易に出
来る特徴がある・ このようＫ ｎ Ｗ ＩｎＧａＡｓＰ ＄ １３０厚さ
を変えることにより溝幅を変えることができるため、精
度良く壽−を制御できる。
次に、第２図（Ｌｌ）に示す檄に第２段階の液相エピタ
キシャル成長工程により 、 ｎ ａｍ １ｎＧａＡｓ
Ｐ Ｍ２Ｓ（バンドギャップエネルギー波長的１．１１
４ｍ）ｔ−ｖ字状纒内に凹みが出来るＳ度にうめζみ、
さらＫ ａ 置ＩｎＧａＡｓＰ活性層ム・（バンドギャ
ップエネルギー波長的１．３μｍ）をＶ字状溝内での厚
さ約０．２ａｍになる様に形成し、以下順次ｐ Ｑ ｌ
ｎＰ層１層上７１．Ｌｓｍ 、 ｎ Ｗ ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１８（バンドギャップエネルギー波長的１．１μｍ
）を約１．５μｍ形成した後ｐｍ不純物拡散領域１９を
Ｃｄ拡散によル彫成し、ｐ側の電流注入口を設ける。
キシャル成長工程により 、 ｎ ａｍ １ｎＧａＡｓ
Ｐ Ｍ２Ｓ（バンドギャップエネルギー波長的１．１１
４ｍ）ｔ−ｖ字状纒内に凹みが出来るＳ度にうめζみ、
さらＫ ａ 置ＩｎＧａＡｓＰ活性層ム・（バンドギャ
ップエネルギー波長的１．３μｍ）をＶ字状溝内での厚
さ約０．２ａｍになる様に形成し、以下順次ｐ Ｑ ｌ
ｎＰ層１層上７１．Ｌｓｍ 、 ｎ Ｗ ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１８（バンドギャップエネルギー波長的１．１μｍ
）を約１．５μｍ形成した後ｐｍ不純物拡散領域１９を
Ｃｄ拡散によル彫成し、ｐ側の電流注入口を設ける。
最毅に、第２図（Ｅ） ［示す様Ｋｐｇ不純物拡散領域
１９に対しオーミック特性を有するｐ電極２０、ｍ証１
ｎＰ基板１１に対しオーミック特性を有する鳳電極２１
をそれぞれ形成して本発明に係る半導体レーザが製作さ
れる・ 本発明の実施例によれば、＃１．２図の製造工程に詳述
し先様にエツチングマスクとしたＳｉｎ、ストライプの
開孔部よりも充分にせまい横幅を有するＶ字状Ｏ＃ｌが
通常の化学エツチング法により再現性ヨく形成でき、さ
らＶｃｎ 型１ｏＧａＡ＠Ｐ層１３の層厚を厚くするだ
けでＶ字状溝幅を１μｒｎ ａ Ｋまでせまくすること
も容易であ〕、横幅を厚み方向と同程度にまでせまくし
九九導波路が製作でき。
１９に対しオーミック特性を有するｐ電極２０、ｍ証１
ｎＰ基板１１に対しオーミック特性を有する鳳電極２１
をそれぞれ形成して本発明に係る半導体レーザが製作さ
れる・ 本発明の実施例によれば、＃１．２図の製造工程に詳述
し先様にエツチングマスクとしたＳｉｎ、ストライプの
開孔部よりも充分にせまい横幅を有するＶ字状Ｏ＃ｌが
通常の化学エツチング法により再現性ヨく形成でき、さ
らＶｃｎ 型１ｏＧａＡ＠Ｐ層１３の層厚を厚くするだ
けでＶ字状溝幅を１μｒｎ ａ Ｋまでせまくすること
も容易であ〕、横幅を厚み方向と同程度にまでせまくし
九九導波路が製作でき。
レーＶｆｒ４Ｏ放射角匿は活性層和平行方向に約３０１
直方向に約４０の比較的対称性の良い放射角度を有する
半導体レーずが得られた。
直方向に約４０の比較的対称性の良い放射角度を有する
半導体レーずが得られた。
更に、零発＠Ｏ製造方法によれば発振領域外の活性層の
下＠（基板１１）にｐ−ｎ逆接合が配置されている丸め
、注入１ｇ！流は活性層の発振領琥部のみに限定され、
横方向への拡散が防止できるのでレーｖｔｔｈ作状虐の
雰囲気温度を７０℃に上昇しても１３０ｍムの注入電流
て６ｍＷ以上の光出力を得ることが可１１＃ｃなりた。
下＠（基板１１）にｐ−ｎ逆接合が配置されている丸め
、注入１ｇ！流は活性層の発振領琥部のみに限定され、
横方向への拡散が防止できるのでレーｖｔｔｈ作状虐の
雰囲気温度を７０℃に上昇しても１３０ｍムの注入電流
て６ｍＷ以上の光出力を得ることが可１１＃ｃなりた。
この様に１本発明による製造方法によれば、従来の半導
体レーずの欠点をＷｋｓ、通常の化学エツチング法によ
りても横幅のせまい導波路構造が再現よく形成でき、従
って放射角ｋＯ比較的対称的なレーず党を得ることが可
能にな）、さらに、高温−作秋態に於てもレーザ発振に
寄与しない無効電流の増加を防止しえ優れ先手導体レー
ザを提供することができる。
体レーずの欠点をＷｋｓ、通常の化学エツチング法によ
りても横幅のせまい導波路構造が再現よく形成でき、従
って放射角ｋＯ比較的対称的なレーず党を得ることが可
能にな）、さらに、高温−作秋態に於てもレーザ発振に
寄与しない無効電流の増加を防止しえ優れ先手導体レー
ザを提供することができる。
ｌ＃、以上の真施ガではＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系牛導
体を用いたが他の化合物半導体１列えばＧａＡｓＡｌｕ
ａｈ易系半導体を用−ても良いことは言うまでもない・ また、上記実施９１に於ては電流狭搾のための菖１半導
体層を結晶成長で形成したが、その他の方法１例えば拡
散等により直接、中導体基板中に形成しても実施例と同
様の効果が得られる・
体を用いたが他の化合物半導体１列えばＧａＡｓＡｌｕ
ａｈ易系半導体を用−ても良いことは言うまでもない・ また、上記実施９１に於ては電流狭搾のための菖１半導
体層を結晶成長で形成したが、その他の方法１例えば拡
散等により直接、中導体基板中に形成しても実施例と同
様の効果が得られる・
第１図は従来の横モード制＃盛半導体レーザの断面図、
第２図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る一笑施ガの製造工
程を示す構造断面図、をそれぞれ示す・各図に於て、 １ 、１１・・・ｎ ｍ ＩｎＰ基板、 ３−ＪＩＩｎ
Ｐ。 ６ 、１３ 、１５ 、１８・−ｎ ！１ ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（ハントキャップエネルギー波長的１．１ ａｍ
） ４．１６・・・Ｈ型ＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ
エネルギー波長的１．３μｍ） ２．５，１２．１７−ｐＷＩｎＰ／ｉｌ。 ７．１９−・・ａｌｌ不純物拡欽領域。 ８．２０−ｐ ＠４． ９．２１・ｎ ＠８４、第
１記 ム９ 垢Ｚ１ ４ ＩＤ） ノ′ （Ｃン
第２図（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る一笑施ガの製造工
程を示す構造断面図、をそれぞれ示す・各図に於て、 １ 、１１・・・ｎ ｍ ＩｎＰ基板、 ３−ＪＩＩｎ
Ｐ。 ６ 、１３ 、１５ 、１８・−ｎ ！１ ＩｎＧａＡ
ｓＰ層（ハントキャップエネルギー波長的１．１ ａｍ
） ４．１６・・・Ｈ型ＩｎＧａＡｓＰ層（バンドギャップ
エネルギー波長的１．３μｍ） ２．５，１２．１７−ｐＷＩｎＰ／ｉｌ。 ７．１９−・・ａｌｌ不純物拡欽領域。 ８．２０−ｐ ＠４． ９．２１・ｎ ＠８４、第
１記 ム９ 垢Ｚ１ ４ ＩＤ） ノ′ （Ｃン
Claims (1)
- 半導体基板に１鋏半導体基板と透導ｍｍのＭｌ半導体層
を形成し、さも忙１Ｍ記第１半導体層上に、前記半導体
基板と同じか又は逆の導電温の臨２半導体層を少なくと
も順次形成する第１の結晶成長工程と、Ｖ字状溝を前記
第２半導体層側から前記半導体基板に達するまで形成し
た後、前記第２半導体層を除去するエツチング工程と、
Ｖ字状溝及び前記第１半導体層上に第２半導体層よシ屈
折率の大きな＃ｇ３半導体層及びｆａ３半導体層上に鍵
記菖３半導体層よシ屈折率の大きな第４半導体層５ｌＥ
４亭導体Ｍ上に前記＃ｇ４牛導体層よシ屈折率の小さ１
第５半導体層を少なくとも形成する萬２の結晶成長工程
とを有することを特徴とする半導体レーずの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15172181A JPS5853876A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15172181A JPS5853876A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5853876A true JPS5853876A (ja) | 1983-03-30 |
Family
ID=15524826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15172181A Pending JPS5853876A (ja) | 1981-09-25 | 1981-09-25 | 半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5853876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841534A (en) * | 1985-08-21 | 1989-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried type semiconductor laser device |
-
1981
- 1981-09-25 JP JP15172181A patent/JPS5853876A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841534A (en) * | 1985-08-21 | 1989-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Buried type semiconductor laser device |
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