JPS58502169A - フォト−及び電子線レジスト - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は写真技術に関する。さらに詳しく述べると、本発明は、フォト−及び電 子線レノストに係るフォトリソグラフィー技術に関する。

背景技術 この技術分野では、２種類の、すなわち、ポジ型及びネガ型の重合体フォト−及 び電子線レゾストが公知である。

市販のボッ型フォトレノストは、（ａ）フェノールとホルムアルデヒドの縮合に よって製造された生成物である、Ｌ２−　（２，１−）−ナフトジアゾキノンの スルホエーテル、（ｂ）ノボラック及びレゾール−ノボラック樹脂、そして（ｃ ）例えばジオキサン及びツメチルポルムアミドのような有機溶剤を含有し、そし てそれぞれの重量比が約８：１２：８０である組成物である（　Ｆ、Ｐ、　Ｐｒ ｅｓｓ　、　Ｐｈｏｔ、ｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｆｏｒ　Ｍａｎｕｆａｃ− ｔｕｒｅ　ｏｆ　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　、　Ｅｎｅｒ ｇｉａ　Ｐｕｂｌ、。

Ｍｏｓｃｏｗ　、　１９６８　ｒ　Ｐ−４０を参照されたい）。このポジ型フォ トレジストは、紫外線、電子線、そしてＸ線を含めた活性光線に対して感度を有 する。これらのレノストの基本的な性質は、上記したような輻射線の作用の下に おいてそれらの物理化学的な性質が変化し、そして、その結果として、露光後の フィルムのアルカリ溶液可溶性がより増大するということにある。

公知のネガ型フォトレノストは、通常、次のような構造を有する基（ｆＣよって 表わされるニーＣ−（ＣＨ＝ＣＨ）　−Ｒ １ 上式において、ＲはＣ６Ｈ５であり、そしてｎは］〜５の整数である。一部の特 定の組成物は、例えば、ケイ皮酸、フェニルブタジェン−及びフェニルヘキサト リエンカルホ゛ン酸、その他の不飽和酸のポリエステルの誘導体、ならびにビニ ルオキシシンナメ−１・、β−ビニルオキシエチルシンナメート及ヒ酢酸ヒニル 、そしてスチレンの共重合体を含有する。このようなレノストを活性光線に暴露 すると、架橋構造が出来、特定の有機溶剤中における溶解性が低下する（前掲書 、Ｐ、３５を参照されたい）。ネガ型のフォトレジストは、感光剤に加えて、例 えばミヒラーケトン、アントラキノンの誘導体及びニトロ化合物のような増感剤 、そして重機＞ｆ−刺、例えばトルエン、クロロベンゼン及びジオキサンを含有 する。上記したような成分は、３〜５：０３〜０５：９４．５〜９６．５の重量 比で用いられる。

公知のフォトレジストの有する解像力は、その膜厚が０．３〜０．４　Ａｍ　” ”Ｃある場合、約３ｏｏ〜５ｏ。

本／　ｍｍである。

ところで、上記したようなフォトレジストは、それらに光を照射する間に２次的 々螢光及び燐光作用を生ずるという欠点を有する。このようにして形成された光 はあらゆる方向に伝わる傾向を有しかつ約３ｅＶのエネルギーを保有するので、 マスクの暗領域でカバーされた場所でも光化学反応が発生し、また、ポジ型フォ トレジストの場合、要素の線寸法がそれぞれの側について０．１５〜０２μｍま で増加する。

ネガ型のフォトレノストもまた同じような挙動を呈示する。が、これらのフォト レジストの場合、現像中に洗い流されるレノストフィルムの未露光域の減少に基 いて露光域の寸法の増大が発生する。

光による露光により導ひかれる解像力が活性光の波長に依存しかつそれが通常０ ３〜０４μｍに達することは公知である。この数値は理論的に予想し得る露光の 限度を示し、したがって、現在の密着法を使用してもこれを達成することは不可 能である。他方において、電子線（電子ビーム）を用いた場合、よシ小さな寸法 をもった要素を得ることができる。しかしながら、この場合に、達成される結果 は、実際に、理論的予想にもとづくものに較べてかなり悪く、そして現像後の要 素の最小寸法は集束電子線の直径のオーダー分だけ犬である。寸法が最小である 可動電子線を用いて露光中に得られる線の幅は、螢光効果、レノストに入射する 電子の散孔、そして電子の基板からの反射に原因して、ビーム径よりも犬となる であろう。ここで、線の幅はレジスト層の膜厚に大きく依存するということを特 記することができる。

電子線レジストの場合に、要素の寸法に歪が生じること、特にレジスト層の膜厚 が０４μｍから１０μｍに及ぶことの主たる原因は螢光である。さらに加えて、 フォト−及び電子線レノストの安定性は、溶液及びそれらを主成分とするフィル ムにおいて発生する副反応によってかなりの影響を被る。かかる副反応があると 、結果的に、分子量及び粘度の変化、架橋及び減成構造の形成、そしてさらにレ ノスト成分やその部分減成生成物と溶剤、僅少混合物及び大気酸素との相互反応 が発生する。そのために、通常３〜６ケ月であるレジストの保存寿命を延長させ 、それを最低１年間とすることが強く望まれている。この期間中、下記のような レジストの性質が不変でなければならない：解像力、画像端部の再現性、光感度 及び安定性。

発明の開示 本発明の目的は、露光工程中における螢光及び燐光効果を排除することができ、 したがって、サブミクロン及びミクロ寸法の構造をもつ要素について形成される 画像の高い端部鮮鋭度や大きな経時安定性とともに大きな解像力をレジストに力 え得るような成分をもったフォト−及び電子線レジストを提供することにある。

本発明によれば、感光性化合物、フィルム形成性化合物及び有機溶剤を含むフォ ト−及び電子線レノストが提供される。このレジストは、本発明によれば、螢光 効果に抗しかつレジストの安定性を高める供与体−受容体錯体を上記化合物及び その反応生成物とともに形成し得る添加剤をさらに有する。

上記フォト−及び電子線レジストは、好ましくは、前記添加剤として用いられる 下記のような成分を任意に有することができる：沃素、テトラシアノエチレン、 トリニトロフェノール、テトラシアノキノジメタン、パラクロロアニル及ヒノや ラブロモアニル。

本発明によれば、形成された画像の構造を有する長手（３＋＋＋ｍまで）の要素 、を密着法又は投映法により露光を施したレジストで得ることができる。得られ る要素は、ミクロン（１，０μｍ）及びサブミクロン（０，５μｍまで）のサイ ズ及び同様なギャップを有し、そして要素端部の不規則性は、レジストの膜厚が ０．５〜１．０μｍの時、０１μｍよシも犬ではない。これらの結果は、寿命が １年間であシかつ可使面積力；２４６０〜８０ｍｍであるレノストの場合に有効 である。

ポジ型のレジストは、有利には、〇−及びｐ−ベンゾ−及びナフトジアゾキノン 又はイミノジアゾキノン及びそれらの誘導体の成分を５〜ＩＯ重量％、フェノー ル−（α−ナフトール）アルデヒド樹脂及びその誘導体を１０〜１５重量％、添 加剤を０１〜３０重量％、そして有機溶剤を７８〜８４．９重量％、有するべき である。

ネガ型のレジストは、好ましくは、次の構造式によシ表わされる基： （式中のＲは１〜１１個の炭素原子を有するアルキル基である）を含有するオリ ゴマー重合体又は共重合体の化合物又はその誘導体を５〜１０重量％、増感剤を ０５〜１．０重量％、添加剤を０．１〜３．０重量％、そして有機溶剤を８６〜 ９４．４重量％、有する本発明によるネガ型及びポジ型のフォト−及び電子線レ ジストは、感光性化合物、フィルム形成性化合物、増感剤、有機溶剤、そして螢 光効果をなくしかつレジスト安定性を高めるために用いられる供与４　体−受容 体錯体を前記成分及びそれらの反応生成物と形成し得る添加剤を含む。

供与体−受容体錯体の形成は、紫外領域の特別な吸収帯域により表わされる特定 のスペクトル線が２８８〜３０８　ｎｍ及び３６４〜３７０　ｎｍに存在するこ とによって認められる。この帯域はソース化合物のスペクトル線には不存在であ り、そして吸収ピークの位置及び強さは露光時間に依存する。錯体形成性の添加 剤を溶液中に導入すると、その導入の後に螢光が消失する。この結果として、ポ ジ型レジスト及びネガ型レジストの両者において要素の寸法は不変である（外形 線が拡大しない）。添加剤は、レジストの乾燥成分の合計重量の１５５重量％上 廻るべきではない（好ましくは０．１５〜５重量係）世襲記の物質を添加剤とし て使用することができる：沃素、テトラシアノエチレン、トリニトロフェノール 、テトラシアノキノジメタン、パラクロロアニル又は／、ｏラプロモアニル。こ れらの物質及びその組成物はどれも皆螢光を完全に解消することができる。結果 として、解像力が増大し、そしてサブミクロン及びミクロンサイズの要素を高忠 実度をもって複製することができる。

ボッ型レジストの場合には、〇−及びｐ−ベンゾ−及びナフトジアゾキノン又は イミノジアゾキノン及びそれらの誘導体（単量体もしくは重合体であってもよい ）を感光剤成分として使用する。かかる化合物には、ペテロ有機化合物、例えば ０−ベンジノアゾキノン、０−ナフトジアゾキノン、スルホクロリド１．ｎ−イ ミノジアゾキノン、０−ナフトジアゾキノンのスルホエーテル、４，４−ジオキ シジフェニルメタン、ハ０ダン（Ｆ　、　Ｃ１、Ｂｒ　、　Ｉ　）化Ｏ−ナフト ノアゾキノン及びフェノールのスルホエーテル、０−ナフトジアゾキノン及びト リオキシベンゾフェノンのスルホエーテル、０−ナフトジアゾキノン及び２，２ ′−チオビス（４−クロロフェノール）のスルホエーテル、０−ナンドジアゾキ ノン及びピロガロールのスルホエーテル、０−ナフトジアゾキノン及びモノ−及 びジアシル化テトラ沃素フェニルプロパンのスルホエーテルがある。ネガ型レジ ストでは、次の構造式によシ表わされる基ニ ーＣ−（ＣＨ＝ＣＨ）　−Ｒ １ （式中のＲはＣ６Ｈ５であシ、そしてｎは１〜４５の整数である）を含みかつエ ステル及びエーテル基を合したオリゴマー、重合体及び共重合体の化合物、前記 化合物の誘導体、ビニルオキシシンナメート及びβ−ビニルオキシエチルシンナ メート及びそれらの誘導体の共重合体、そしてケイ皮酸、フェニルブタノエン及 びフェニルヘキサトリエンカルボン酸及ヒ９ それらの誘導体の共重合体ならびに酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、 スチレン、アクリルエステル及びそれらの誘導体の成分、アギタール、環化ゴム 、その他を使用する。

本発明によるレノストのフィルム形成剤ハ、ンエール及び２−ナフトールと不飽 和基−（Ｃ＝Ｃ）−及び共役不飽和基−（Ｃ＝Ｃ）−（式中のｎは１〜５の整数 である）を含有するアルデヒドとの縮合生成物、塩化ビニルと塩化ビニリデン、 ポリスチレン、不飽和基−（Ｃ＝Ｃ）　−（式中のｎは１〜５の整数である）を 有する低分子重合体化合物又はその誘導体との共重合体であってレゾール−アル デヒド（レゾール−少ボラック）樹脂と組み合わさったものである。

本発明によるネガ型のフォト−及び電子線レノストは、例えば、次のような増感 剤を有する：ミヒラーケトン、ペテロ有機化合物を含めたモノ−及びジ有機エス テルの誘導体、単量体アントラキノン、ニトロ化合物及びチオアゾリンの誘導体 。増感剤の量は、乾燥感光剤の重量の３〜１０重量％である。特定の増感剤及び その量は、例えば、そのエネルギー特性、そして感光剤及び有機溶剤との化学的 相互反応に係る反応可能性に依存して選らばれる。スリー１．０　特表昭５８− ５０２１６９　（４）レベルモデルの場合には、増感剤エネルギー（７）−３項 レベルは感光剤の三重項エネルギーレベルよりも若干大でなければならない。増 感剤の一重頂レベルが感光剤の三重項レベルに近づけば近づくほど増感剤エネル ギーの感光剤への移動が犬となシ、そしてレジストの感度が犬となる。

本発明によるレノストの有機溶剤は、例えば、ジトンである。これらの溶剤は、 独立して使用してもよく、さもなければいろいろに組み合わせて使用してもよい 。特定の有機溶剤の選択は、非常に多様な感光剤、フィルム形成性化合物、そし て増感剤の溶解度、そしてさらにその溶剤の前記物質及びその反応生成物との反 応可能性に依存する。

本発明による組成物の成分の含有量（＠は、基板上に弾性フィルムを形成するだ めの最も最適な方法が達成されるよう彦条件暮よって決定することができ、また 、その際に使用する基板は、例えば、半導体材料、誘電材料又は金属を包含する 。このことは、かかる方法の場合に個々の成分は晶出し得ないということを意味 する。さら′に加えて、前記含有量（＠は、現像後のレジストの凝集性媒体によ る湿潤にも影響を有する。さらに、上記したような含有量＠ンの場合には、それ に原因して、最小の膜厚を有する弾性レジストフィルムが凝集性媒体の長期間の 作用（例えばエツチング工程中におこり得る）や高温度の作用に対する抵抗を保 有する。したがって、形成される画像の線の寸法は、成分の固有の含有量（＠に 犬きく依存する。

本発明によれば、感光性及びフィルム形成性成分を１０二０．５〜４．０重量％ 、好ましくは１．０：１．５重量％の割合で使用する。フィルム形成性成分の重 世襲が増加すればするほどポジ型レジストのより良好なフィルム形成能が得られ るということを特記することができる。

本発明によるフォト−及び電子線レノストは、５〜１０重量％の感光性成分、１ ０〜１５重量％のフィルム形成性成分、０．５〜１．０重量％の増感剤（ネガ型 レノストの場合）、０１〜３０重量％の添加剤、そしてネガ型レノスト及びポジ 型レジストについてそれぞれ８６〜９４．４重量％及び７８〜８４９重量％の有 機溶剤を有するべきである。

形成された供与体−受容体錯体はネガ型及びポジ型のフォト−及び電子線レジス トの溶液やそれらの溶液をベースとするフィルムの安定性を促進し、また、結果 として、提案される組成物の保存寿命は著しく増加するということが判明した。

本発明のレジストによれば、１年間にわたる安定な使用が約束される。

供与体−受容体錯体が形成されると、供与体分子（感光性及びフィルム形成性成 分及びレノスト反応の生成物によシ表わされる）と受容体分子（添加剤つとの間 でエネルギーの交換が行なわれる。

結果として、かなシの量のエネルギーが供与体分子から除かれ、そしてこのエネ ルギーが供与体及び受容体分子の衝突中に消費される。かかるエネルギーは、螢 光効果の生成に用いられるよりはひしろ供与体−受容体系の全体における振動及 び回転エネルギーレベルの変化に用いられる。提案されるレノストの乾燥成分の 合計重量を基準にしているいろな重世襲の添加剤を存在させるので、チジ型レジ ストの場合には０−ジアゾキノンのエーテルの誘導体、フェノール−アルデヒド 樹脂の誘導体及び反応生成物に由来する螢光を、そしてさらにネガ型レノストの 場合には励起状態にあって二重結合及び共役二重結合を有するポリエステルに由 来する螢光を、完全に消去することが可能である。

以下に記載する例は本発明の理解をさらに深めさせるだめのものである。

例　１ ２、］−ナントソアゾキノン及びトリオキシベンゾフェノンのスルホエーテル７ ．５ｇ、ノボラック樹脂１２．５．！９、沃素０．５ｇ及びジオキサン７９．５ ｇを使用して溶液を調製した。調製した溶液を、３ｏｏ。

ｒ、ｐ、ｓ、で回転する回転塗布機を用いて、ガリウムヒ化物の基板上に３〜５ 秒間のうちに塗布した。このようにして製造されたポジ型レジストの層をもった 基板を５０〜６０℃で１０分間にわたってプリベークした。プリベーク後、要素 サイズが０．５μｍ及び外形線間のギャップが１．０μｍであるマスクを通して ポジ型レジストに紫外線光を照射した。露光時間は１２秒、そして輻射照度は約 １×】０３Ｗ／ＣｆｒＬ２であった。露光後のレジストを０．５％苛性カリ溶液 中で現像し、水洗し、そして次に１３０℃で１０分間にわたってポストベークし た。得られたパターンの線の幅は０．５５μｍ１パターンの線の間のギャップは ０．９５μｍ１そして線の長さは約２００μｍであった。錯体形成性添加剤を、 供与体−受容体錯体のそれぞれの吸収帯域特性を示す分光法”や、螢光効果の不 存在によって認めることができだ。

例　２ ０−ジアゾキノン及びフェノールとホルムアルデヒドの縮合生成物のスルホエー テル７．５ｇ、ノボラックｍ　脂１２．５　ｇ、テトラシアノエチレン１．０ｇ 及びジオキサン７９ｇを使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光及び現像の各工程は前記例１に同じであった。但し、ポ ストベークには１４０℃の温度を適用した。

得られだｉＰターンの線の幅は０．５０μｍ１そしてパターンの線の間のギャッ プは１．０μｍであった。

例　３ ０−す７トジアゾキノン及び２，２′−チオビス（４−クロロフェノール）のス ルホエーテル７、５　ｇ　％　レゾール−ノボラック樹脂１２．５ｇ、テトラシ アノジメタン１ｇ及び同一量のジオキサン及びジメチルホルムアミドを含有する 混合物７９．０．９を使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程を前記例１に記載のよ うにして実施した。

但し、このようにして製造したポジ型レジストの露光は１５秒間であった。

得られたパターンの線の幅は０５μｍ１そしてパターンの線の間のギャッｔは１ ．０μｍであった。

例　４ ｐ−イミノジアゾキノン７．５ｇ、レゾール−ボルムアルデヒド樹脂１２．５ｇ 、トリニトロフェノール１．０．９及び同　ｔのジオキサン及びツメチルボルム アミドを含有する混合物７９．０．！９を使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１に同じであ った。但し、露光時間は１７秒であった。

得られた・母ターンの縁の幅は０．５５μｍ１そしてパターンの線の間のギャッ プは０．９５μｍであった。

例　５ ０−ナフトジアゾキノン４，４′−ジオキシジフェニルメタンのスルホエーテル ７．５，９．　レゾール−ポルムアルデヒド樹ｍ　１２．５　ｊｉ　、ｐ−ブロ モアニル１ｇ及び同一量のジオキサン及びシクロヘキサノンを含有する混合物７ ９．０．９を使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光及び現像の各工程は前記例１に同じであった。但し、ポ ストベーク工程では１４０℃の温度が必要であった。

得られたパターンの線の幅は０．５５μｍ１そシテパターンの線の間のギャップ は０．９５μｍであった。

例　６ ０−ナフトジアゾキノン及びトリオキンベンゾフェノンのスルホエーテル７、５ 　ｇ、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂１２．５ｇ、テトラシアノエチレン１ 、　Ｏｊｉ　（乾燥生成物の重量の５重量％）及びジオキサン７９．０ｇを使用 して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、現像及びポストベークの各工程は前記例１に同じであった。

例　７ ０−ナフトジアゾキノン及びピロガロールのスルホエーテル７、５　ｉ　、フェ ノール−ホルムアルデヒド樹脂１”２．５，９．沃素０５ｇ、テトラシアノエチ レン０．５ｇ及びジオキサン７９．Ｏ９を使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１に同じであ った。但し、本例の場合の露光時間は２０秒に等しかった。

得られた・ぐターンの線の幅は０．４５μｍ１そしてパターンの線の間のギャッ プは１．０５μｍであった。

１」 ０−ナフトジアゾキノンスルホクロリド７．５，９゜レゾール−ノボラック樹脂 １２．５，９．テトラシアノキノジメタン１．０ｇ及びジオキサン７９．Ｏ９を 使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１に同じであ った。但し、製造されたポジ型レジストについての露光時間は１７秒に等しかっ た。

得られたパターンの線の幅は０５μｍ１そしてパターンの線の間のギヤソゲは１ ．０μｍであった。

０−ナフトベンゾキノン及びフェノールとボルムアルデヒドの縮合生成物のスル ホエーテル７．５ｇ、α−ナフトールとプロピオンアルデヒドの縮合生成物１２ ５ｇ、テトラシアノエチレン１．０ｇ及び同一量でとったジオキサン及びジメチ ルホルムアミドの混合物７９０ｇを使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１に同じであ った。但し、製造されたポジ型レジストの露光時間は２０秒であシ、そしてポス トベークは１４５℃で実施した。

得られた・マターンの線の幅は０．５５μｍ、そしてａＲパターン線の間のギャ ップは０，９５μｍであった。

例１０ ０−ナフトノアゾキノン及びトリオキシベンゾフェノンのスルホエーテル７、５ 　ｇ、フェノールとケイ皮酸アルデヒドの縮合生成物１２５ｇ、沃化物０．５ｇ 及びジオキサン７９５ｇを使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１に同じであ った。但し、製造されたポジ型レジストの露光時間は１８秒であった。

得られたツクターンの線の幅は０．５μｍ１そしてｉＲパターン線の間のギャッ プは１．０μｍであった。

例１１ ポリビニルアルコール及びケイ皮酸のエステル５ｇ１　ミヒラーケトン０５ｇ１ テトラシアツキツノメタン０．５．９及び３：１の比率でとったトルエン及びク ロロベンゼンの混合物９４０ｇを使用して溶液を調製した。

調製した溶液を、３０００　ｒ、ｐ、ｓ　で回転する回転塗布機を用いて、ガリ ウムヒ化物の基板上に３〜５秒間のうちに塗布した。０４５μｍの膜厚のネガ型 レジストの層をもった基板を５０〜６０℃で１０分間にわたってプリベークした 。プリベーク後、要素の線のサイズが０．５μｍ及び外形線間のギャップが１０ μｍであるマスクを通してネガ型レジストに紫外線光を照射した。露光時間は２ ０秒、そして輻射照度は１×１０３Ｗ／Ｃ７ｒＬ２であった。露光後のレジスト を０．５係苛性カリ溶液中で現像し、水中ですすぎ、そして次に１３０′Ｃで１ ０分間にわたってポストベークした。

得られたパターンの線の幅は１０５μｍ１そしてパビニルオキシシンナメートと 酢酸ビニルの共重合体５Ｌ　ミヒラーケトン０．５ｇ、テトラシアノエチレン０ ５ｇ及び３：１の比率でとったトルエン及びクロロベンゼンの混合物９４．０． ！１７を使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１１に同じで あった。但し、製造されたネガ型レジストの膜厚は０４μｍであり、そして露光 時間は１７秒であった。

得られた／、ｏターンの線の幅は１．０μｍ１そしてパターンの線の間のギャッ プは１．０μｍであった。

例１３ β−ビニルオキシシンナメートと酢酸ヒニルノ共重合体５ｇ、ミヒラーケトン０ ．５ｇ、トリニトロフェノール０５ｇ及び３：１の容量比でとったトルエン及び クロロベンゼンの混合物９４．（１９を使用して溶液を調製した。

塗布、プリベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１１に同じで あった。

例１４ ポリスチレンシンナメート５！！、ミヒラーケトンＯ，Ｓ　、！９、テトラシア ノキノジメタン０．５ｇ及び３：１の容量比でとったトルエン及びクロロベンゼ ンの混合物９４゜Ｏｇを使用して溶液を調製した。

塗布、４リベーク、露光、現像及びポストベークの各工程は前記例１１に同じで あった。但し、露光時間は１５秒であった。

例１５ フェニルブタジェンカルボン酸とメチルメタクリレートの共重合体５ｇ、ミヒラ ーケトン０５ｇ、テトラシアノエチレン０．５ｇ及びジオキサン９４０ｇを使用 して溶液を調製した。

塗布、）０リベーク、露光、現像及び２ストベークの各工程は前記例１１に同じ であった。但し、露光時間は２５秒であった。

産業上の利用可能性 本発明は、マイクロエレクトロニクス、光学、印刷工業、半導体装置及びソリッ ドステート回路の構造体の加工をレジストで補助する精密工学、音響エレクトロ ニクス部品、フォトマスク、回折格子、そして高解像力をもった精密プリント板 で使用するのに適当である。マイクロウェーブ用のマイクロエレクトロニクスデ バイスを開発する場合、ミクロン及びサブミクロンのサイズの位置合わせされた 要素が要求されるので、非常に高解像力のレノストが必要である。

国際調査報告 第１頁の続き ０発　明　者　エゴロチキン・アレクセイ・ニコラエピッチ ソビエト連邦６０３００ゴルキイ・ウリツア・ベケトバ・ディ−２０クワルチー ラ３２＠発　明　者　ビルユコバ・タマラ・グリゴエブナソビエト連邦６０３０ ２２ゴルキイ・プロスペクト・ガガリナ・ディー２１１５クワルチーラ４２ ０発　明　者　ラズバエフ・グリゴリイ・アレクセ−ピッチ ソビエト連邦６０３０００ゴルキイ・プロスペクト・ガガリナ・ディー２１１５ クワルチーラ７

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．感光性化合物、フィルム形成性化合物及び有機溶剤を含むフォト−及び電子 線レジストであって、前記化合物及びその反応生成物とともに供与体−受容体錯 体を形成して螢光効果を消去しかつレジスト安定性を高め得る添加剤を追加的に 含むことを特徴とするフォト−及び電子線レジスト・ ２　下記の物質のいずれかを前記添加剤として使用することができることを特徴 とする請求の範囲第１項に記載のフォト−及び電子線レジスト：沃素、テトラシ アノエチレン、トリニトロフェノン、テトラシアノキノジメタン、バラブロモア ニル及びパラクロロアニル。 ３、　ポジ型レジストの場合に、〇−及びｎ−ベンゾ−及びナフトジアゾキノン 又はイミノジアゾキノン及びそれらの誘導体の成分を５〜１０重量％、フェノー ル−（α−ナフトール）アルデヒド樹脂及びその誘導体を１０〜１５重量％、添 加剤を１．０〜３０重量％、そして有機溶剤を７８〜８４．９〜重量％、含むこ とを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載のフォト−及び電子線レジス ト。 ４、　ネガ型レジストの場合に、次の構造式によシ表わされる基： （式中のＲは１〜１１個の炭素原子を有するアルキル基である）を含有するオリ ゴマー、重合体又は共重合体の化合物又はその誘導体を５〜１０重量％、増感剤 を０．５〜１．０重量％、添加剤を０１〜３０重量％、そして有機溶剤を８６〜 ９４４重量％、含むことを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載のフォ ト−及び電子線レジスト。