JPS58500504A - 自己整合埋込みチャネルを具えた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 自己整合埋込みチャネル製造方法 技術的分野 本発明は、埋込みチャネルを必要とする半導体デバイスおよび集積回路構造の製 造に関するものであシ、更に翼体的に云うと半導体デバイスのエピタキシャル領 域又は酸化物モー）　（ｍｏａｔ）の下にある埋込みチャネルの製造に関する。

発明の背景 半導体デバイス、特に集積回路に用いるための半導体デバイスの開発においては 、反対の導電型領域の上にある同じ導電型の２つの独立した領域が酸化物モー） （ｍｏａｔ）と呼ばれる厚い酸化物充填領域によって分離されている構造を得る ことが望しい場合がしばしばある。例えば、２つのｎ影領域がｐ形基板の上にあ る酸化物モートによって分離されている。この酸化物モートは通常は半導体の選 択的酸化によって作られ、底面が基板と父叉する深さにまで達している。酸化物 中の不純物の溶解度は半導体中の不純物の溶解度と異なるので、酸化工程（プロ セス）中には、成長中の酸化物領域に隣接する半導体中の不純物濃度がディブリ ー）　（ｄｅｐｌｅｔｅ　）　’Ｅたｄ　ｘ　ｙ　ハフ　ｘ　（ｅｎｈａｎｃｅ ）する傾向がある。従って、実際の構造は、酸化物モート周囲のドープした領域 中の不純物濃度の点からみると理想的表構造と扛著しく異なっている。上述した 例では、硼素は酸化物モートの下のｐ形基板から典型的にディブリー）　（ｄｅ ｐｌｅｔｅ　）されるので、はｙ真性の°領域が形成される。典型的な場合には 、酸化物中の８東電荷（かくしてデバイスの適当な動作を妨げる。

先行技術において社、この問題を解決するためにいろいろな技術が用いられてき たが、最も一般的な技術は酸化の前にモート領域にドーピングをすることである 。例えば、ｐドーピングｔ−細いると、酸化物モートの下にあるｐ領域における ディプレーション（ｄｅｐｌｅ−ｔｉｏｎ）効果を抑えることができる。しかし 同一に、この方法はｎ領域にｐスキン（ｓｋｉｎ）をっく９出し、これが酸化物 モートの側壁を形成し、従って新たな一連の問題を生じさせ、これらの問題はも との問題と同様に耐えられないものであることがしばしばある。更に、他の隣接 する埋込み領域と自己整合する任意の導電率および型のドープした埋込み領域（ 例えばエピタキシャル層の下のチャネル）を作るための工程をもっことが一般的 には望ましい。

従って、酸化に伴うエンハンスメン）　（ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ）又はディ、 プリージョン（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ）効果を抑制するため酸化物モート又はエピ タキシャル層の下の半導体領域に局新的にドーピングすることが可能であり、そ の結果他の部位に望１しくない寄生チャネルを形成せず、又は任意の導電率と構 造物中に埋込まれた型とを有し隣接する他のドープ領域と自己整合しているチャ ネルを提供できる製造工程（プロセス）に対する必要性が依然として存在する。

従って、本発明の目的は、第１ドーパント領域に隣接する第２ドーパントの選択 的にドープされた埋込み領域を半導体ウェーハに形成するための改良された製造 方法を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、半導体構造の酸化物モートの下に選択的にドープさ れた埋込み領域を形成するための改良された製造方法を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、半導体構造の他の場所に、ドープされた寄生領 域をつくることなしに選択的にドープされた埋込み領域を形成するた・めの改良 された製造方法を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、自己整合（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎ）　しておシ 追加のｉスキング段階を必要とせずその後の兼合段階をヤシやすくする選択的に ドープされた埋込み領域を形成するための改良された製造方法を提供することで ある。

発明の要約 本発明の好ましい実施例においては、シリコンウェーハは、酸化および第１形の ドーパント不純物に耐性を示す第１マスクパターンによって被覆されている。

第１形のドーパントは、第１マスクパターンの開口部を通って所定の深さにまで 適用されている。第２マスクパターンは、第１マスクパターンの開口部を通して 露出されたシリコンを酸化することによって作られ、この酸化は、第１マスクパ ターンの厚さを大幅に上達る厚さが得られるまで行なわれる。第２マスクパター ンは、第１マスクパターンの開口部に形成されるので、これら２つのマスクパタ ーン紘、自己記録的（ｓｅｌｆ−ｒｅｇｉｓｔｅｒ）であり、追加の整合段階を 必要としない。

次に、酸化物モート領域の下または埋込みチャネル中に得ることが望ましい第２ ドーパントはウエーハニ適用され１、それは第２マスクパターンによって被われ ていない領域中に所定の深さまで浸透する。次に、これら２つのマスクパターン 層祉取９除かれ、所定の導電率および形のエピタキシャルシリコン層がウェーハ 上で所定の厚さにまで成長される。タブ又はモートは、エピタキシャル層表面に エツチングされ酸化されることができるので、所望するドープされた領域又はチ ャネル上の所望する場所に酸化物充填モート（酸化物モ図面の簡単な説明 第１Ａ図は、いくつかのｎ形およびｐ影領域が酸化物モートによって分離されて いる半導体デバイスの１領域の概略的上面図である。

第１Ｂ図は、第１Ａ図のデバイスの線ＩＢ−ＩＢに沿うた断面図である。

第２Ａ図は、第１Ａ図と同様な上面図であるが、酸化前にモート領域をドーピン グする先行技術の方法によってできる酸化物に沿うた寄生側壁チャネルの位置を 示している。

第２Ｂ図は、第２Ａ図のデバイスの線２Ｂ−２Ｂに沿うた断面図であシ、先行技 術の方法によって得られる所望の寄生チャネルを示す。

第３Ａ図乃至第３Ｆ図は、本発明の工程順序を示す断面図である。

第４図は、第３Ａ図乃至第３Ｄ図に示した工程順序の別の実施例の断面図である 。

好筐しい実施例の詳細説明 下記の説明において、先行技術および本発明は、酸化物モートによって分離され たｎ影領域とｎ形領域内のｐ影領域とを含むｐ形基板の例について主として説明 されている。本発明の範囲内で多くの組合せが可能であるので、こ＼に示した特 定の実例は代表的な例として示したもので、制限することを意図したものではな い。

第１Ａ図および第１Ｂ図は、酸化物分離モートを具えた半導体デバイス２構造の 所望する結果の概略図であり、第１Ａ図は上面図であり、第１Ｂ図は第１Ａ図の 線ＩＢ−１８における断面図である。第１Ａ図、第１Ｂ図のデバイスは、ｎ＋領 領域基板１０円に拡散され、その後ｎ−エピタキシャル層１３が成長しそのなか に酸化層１５が形成される技術上周知の方法によって製作してもよい。追加（付 加）のデバイス構造は、浅いｐ形拡散１４によって例示されている表面安定化（ ｐａｓｓｉｖａｔｉｎｇ）酸化物１８によって被われているｎ形表面１７におい て作ることができる。酸化物モートｔは、代表的な場合には技術上周知の方法を 用いてシリコンウェーハにおけるエツチングしたタブ又はモート領域の熱駿化に より形成される。この酸化工程中に、基板ｌｏ中に存在するｐ形、ドーパントは 、酸化物中のｐ形ドーパント硼素の溶解度が半導体のそれよりも高いので、酸化 物モートの下の酸化物−半導体インタフェース近くの領域１１においてディプ！ ｊ　−ト（ｄｅｐｌｅｔｅ）される。従って、領域１１ははｙ真性となシ、酸化 物電荷又は印加され九電荷゛又Ｌｎ＋領域１２ａと１２ｂとの間の僅かな電位差 が存在すると、寄生チャネルが存在し、表面１７上にその後作られ」るデバイス の特性に悪影響を与える。

寄生チャネルＵが形成される問題を解決するための先行技術の試みとして、酸化 前にエピタキシャル層にエツチングしたタブ又はモートにドーピングするという 方法が用いられるようになり、第２Ａ図、第２Ｂ図に示した結果かえられている 。例えば、酸化中のディプリーション効果（ｄｅｐｌｅｔｉｏｎ　ｅｆｆｅｃｔ ）　ｔ−補償するように、追加のｐ形不純物が用いられる。このｐドーパントは 、酸化前にシリコン内に押しこまれる。モート酸化中にシリコンは消費されるが 、一部のｐ形ドーパントが酸化インタフェース１５　ａ　−ｂの前方のシリコン 中に残るので、酸化が完了するとエンハンスされたｐ形ドーピングの薄い層２０ ａ−ｂがモー）　１５の周囲に存在する。これは、領域１１に以前に発生したデ ィプリーション効果を十分に補償する。しかし、側壁領域１５ｂ４１またｐ形不 純物によってドーピングされ、これはｐ領域１４と結合している側壁１５ｂおよ び望ましくない寄生チャネル２０ｂに沿って薄いｐ形スキンを形成する可能性が ある。寄生チャネル２０ｂの精度（５ｅｖｅｒｉｔｙ　）は、ｎ形エピタキシャ ル層１３中の最初のドーピングレベルおよび酸化前に加えられたドーパントの量 によってきする。デバイス絋この方法によって立派に製作できるが、制御がむつ かしく、デバイスおよび回路の歩留りに悪い影響をおよぼす。

先行技術の方法の欠点は、第３図に示した工程順序に従う本発明によシ回避でき る。ｐ形シリコン基板又はウェーハ加は、酸化に影響されない、又は酸化に耐性 を示す第１マスクパターン３１および第１ドーパント種（５ｐｅｃｉｅｓ）、こ の例ではｎ形不純物である第１マスクパターンによシ被われている。層３１は、 シリコン基板Ｉ上に形成され窒化シリコン層おにより取囲まれる二酸化シリコン ８蔗で構成するのが便利であり、この組合せは技術上周知の方法を用いてパター ンが形成され、ｎ形ドーパント源あが沈積（ｄｅｐｏｓｉｔｅ　）される開口部 ３４を作り出す。酸化物８諺の厚さは、数十オングストロームから数千オングス トローム（１０−’　ａｍ　）でよい。その後の段階において、層！を通してイ オン注入が任意に行われ、若しそうする場合には、大きな厚みは避けるべきであ る。１０００オングストローム（１０”−’ｃｍ）が適当な値である。窒化シリ コン層おけ、数百オングストロームから数千オンゲストローＡ　（１０−’ａｍ 　）　テよく、適当な値は１０００オングストローム（１０”−’　ｃｍ　）で ある。いづれにせよ、下にあるシリコンの酸化を阻止するのに十分な厚さを用い なければならない。

第１マスクパターン層３１には、他の材料の組合せを用いてもよい。例えば、層 ！は酸化に耐性を示すが、又は酸化による影響をうけず、ウェーハ加に反対にド ーピングを行わない材料とすることができる。層３３は」 開口部調のエツチングを可能とし、ドーパント源３５ヲ形成するためイオン注入 中にマスクとして働くのに十分な厚さの７オトレジス）　（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉ ｓｔ）の層とすることができる。このレジスト層はその後の工程を行う前に除去 するのが便利である。

第３Ａ図に示されている構造は、第３Ｂ図において、ｎ形ドーパント源あから所 定の深さの第１のドーピング領域３７ヲ作るため熱拡散又は“ドライブ段階を行 うのが便利である。酸化工程は、第１マスクパターン層３１の開口部に厚い酸化 物領域を成長させるのに用いると便利である。両方の工程段階は、技術上周知の 方法で行われる。厚い酸化物領域路は、追加の整合段階なしに第１マスクパター ン３１の開口部諷と自動的に整合し合致する第２のマスクを形成する。第２マス ク層は第１マスク層の開口部に形成されるので、これら２つの層（又はそれらの 開口部）は互に補足し合い、一方は他方の反転層（１ｎｖｅｒｓｅ　）である。

窒化シリコン層３３は、厚い酸化物領域３８（第２マスクパターン）によって保 護されていない基板（９）のこれら領域内に第２のドーピング領域３９（ｐ形） のイオン注入を助長するために除去するのが便利である（第３Ｃ図）６酸化物領 域３８（第２マスクパターン）の厚さは、イオンボンバードメント（ｉｏｎ　ｂ ｏｍｌ）ａｒｄｍｅｎｔ）中に下に小る領域訂のドーピングを防止するのに十分 な厚さでなければならず、選択したイオンボンバードメントエネルギーと酸化物 層！の相対的厚さによって決する。適当な厚さは、使用されるイオン注入装置お よび条件に対し技術上それ自体周知の方法によって容易に決定することができる 。厚さ１０００オングストローム（１０−５ａｍ　）の酸化物領域！とともに用 いる場合には、５ｏｏ。

オームストロング（５Ｘｌ０−’ａｍ）の厚さの酸化物領域路が便利な値である ことが見出された。領域３９のイオン注入ドーピングは、また窒化シリコン層３ ３を除去することなく行うことができ、その場合には第２マスクパターン（領域 ３８）の厚さは第１マスクパターン（領域３１　）の厚さの少くとも２倍にする ことが望ましい。しかし、層３３ｆ：、除去すると、ドーピングした領域とドー ピングしない領域との差をより大きくすることができる。

その代わりに、酸化領域３２ヲブリーフデイツプエツチ（ｂｒｉｅｆ　ｄｉｐ　 ｅｔｃｈ）により除去し、第２のドーピングした領域３９ヲ従来の熱拡散法によ って得てもよく、これらの方法はいづれも技術上周知である。次に、厚い酸化物 領域あは、領域３７のドーピングを防止するためブリーフティップエッチ後に十 分な酸化物を保持する厚さでなければならない。ａｏｏｏ−１ｏｏｏｏオームス トロング（３−１０ＸＩＯ−’ｃｍ　）の厚さが適当である。

第１および第２マスクパターン層（３１および３８）ｔ−除去しく第３Ｄ図）、 所定の導電形（この例ではｎ″″）と厚さのエピタキシャルシリコン膜収を露出 したシリコン面４０の上に成長させて、はソ一様なエピタキシャル膜でウェーハ ３０ｔ−覆う。このことを達成する方法は技術上周知である。

次に、酸化物モート構造４７を第３Ｅ図〜第３Ｆ図に示すように準備するが、そ こでは代表的な場合には下にある酸化物層４３と表面の窒化物８朝とからなる第 ３マスクバノーン層４５ｔ−、シリコンエピタキシャル層ｃ中のタブ又はモート ラ適当な深さにエツチングを可能にするように形成され、従って酸化を行うと酸 化物によって占められる追加の量は酸化物モート４７上には寸平坦な表面４９ｔ 一つくるのに十分な量となる。次に、エピタキシャル領域４２０半導体表面化は 、例えば＄１図のｐ形のドーピングした領域１４を含めるなど更に追加のデバイ ス構造を作るのに利用できる。シリコンタブ柘および結果的に生じる酸化物モー ト４７ヲ準備するための方法は技術上周知である。他の先行技術と同様に、整合 （ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）段階が必要である。

第３図に示しである本発明の方法は、ｎ又はｐ形出発材料およびｎ又はｐ形ドー パント、およびいくつかのマスキング層に対する種々の相異なる幾伺学的構成の 種々の組合せを用いて実施することができることは画業技術者には明らかであろ う。特に、領域３９は寄生チャネルの形成を妨げるために基板（資）と同じ導電 形にドーピングしてもよく、又は特定のデバイス機能を達成するためわざと埋込 みチャネルを作るために反対の導電形にドーピングしてもよい。同様に、領域３ ７および４２は、所望するデバイス機能に応じて同−又は異なる導電形にしても よい。

本発明の方法は、モート酸化前に側壁ドーピング段階を行う必要がないので、先 行技術の方法の欠点を克服するものであシ、酸化物モート４７の側壁に沿って寄 生チャネルが形成されないことも明らかである。先行技術の方法の場合と同じく 、第３マスクパターン層６がエピタキシャル層４２の成長前に形成された埋込み ｎ＋層の間に酸化物モート４７を設けるためにマスク整合（軸合せ）段階が必要 である。しかし本発明の方法の場合には、第１マスクパターン３１に関連した第 ３マスクパターン６の整合（アラインメント）は、厚い酸化物領域あの形成中に 表面から消費されるシリコンの結果かにするエピタキシャル層４２０表面不規則 性４１（第３Ｄ図参照）により大いに促進される。マスク整合の許容誤差をより 小さくできるので、このことは本発明を用いることによって達成される実装密度 の上昇に寄与する。タブ弱のエツチング以前にエピタキシャル層４２上にある表 面不規則性は、技術上周知の方法を用いることにより、はソ平らな表面を与える ためエツチングしたタブ栃の深さおよび酸化物モート４７の再充填成長を制御す ることによって補償し得る。残っている窒化物８躬はもし所望するならばその後 の処理を行う前に除去してもよい。

本発明の工程は酸化物モートの下のドーピングした埋込み領域又はチャネルを提 供するのに特に有用であるが、この方法はまた前から存在するドーピングした領 域に隣接しそれと自己整合する任意の導電率および形の埋込みチャネルを提供す るのに応用することもできる。これは第４図に導電形の１つの選択として示して あり、そこではｐ形基板又はウェーハ（資）は、ｐ形エピタキシャル層５１が上 に載っているｎ形ドーピングの第１のドーピング領域ｒおよびこれもまたｎ形ド ーピングの第２のドーピング領域５０を受け入れ、隣接する領域３７の間に埋込 みチャネル５ｔＪｉ形成するようにしている。領域５０は、領域ｒおよび５１の 間の接合面５２が領域間に交わるのに十分な深さにドーピングすることが望まし い。これは容易に達成される。第４図の構造は、ドーパント形の別の選択によシ 第３Ａ図〜第３Ｄ図に示した工程により達成されることは画業技術者には明らか であろう。

従って、構造物のほかの場所にドーピングした寄生領域を作らずに半導体構造の 酸化物モート又はエピタキシャル層の下に選択的にドーピングした埋込み層を形 成するための改良された方法が本発明にょｐ提供されていることは明らかである 。更に、本発明の工程ｉ自己整合的であシ、追加のマスキング段階を必要とせず 、更に酸化物モートの準備のために必要なマスク整合（アラインメント）段階を やシ易くする。

本発明を特定の材料、構造、およびｎおよびｐ影領域の図示の組合せによって説 明したが、本発明の方法は詳細の点では異なるが主要な関係を保持しているその 他の組合せおよび多くの種類のデバイスの幾何学的形状および構造に用いて有用 なことは画業技術者にとっては明らかであろう。従って、本発明の範囲内にある そのようなすべての変形を包含することが意図されている。

一先行技術一 一先行技術一 ２３３ 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条７の第１項）昭和５７年ｌ上月３　日 り特許出願の表示 国際出願番号　ＰＣＴ／ＵＳ８２１００３５５λ発明の名称 自己整合埋込みチャネル製造方法 λ特許出願人 住　所　アメリカ合衆国イリノイ州６０１９６．シャンバーブ。

イースト°アルゴンクイン°ロード、１３０３番名　称　モトローラ・インコー ホレーテッド代表者　ラウナー、ビンセント　ジエづ国　籍　アメリカ合衆国 未代理人 住　所　東京都豊島区肖長崎２丁目５番２号請求の範囲 Ｌ（補正） 少くとも第１の開口部を有し、半導体ウェーッ・上の二酸化シリコン層と前記二 酸化シリコン層上の窒化シリコン層とのサンドイッチから成る第１マスクパター ンを前記ウェーハ上に形成する段階、 前記第１開口部を通して第１ドーパントを適用する段階、 前記第１マスクパターンにおける前記第１開口部を通して前記ウェーハを酸化す ることによって、前記第１開口部と一致し前記第１開口部と互に補足し合う第２ 開口部を有する第２マスクパターンを形成する段階、前記第２開口部を通して第 ２ドーパントを適用する段階、 前記第１および第２マスクパターンを除去する段階、前記半導体ウェーハ上に所 定の導電形と厚さのエピタキシャル層を形成する段階、金具えることｆｔ特徴と する 第１ドーパント領域に隣接した第２ドーパントの埋込み領域を半導体ウェーハに 製造する自己整合方法。

２　（削除） λ　（補正）前記ドーピングした埋込み領域の少くとも一部分の上にある酸化物 モート領域を前記エピタキシャル層に形成する段階を更に含む請求の範囲第１項 の方法。

表　（補正）第１適用段階は、前記第１ドーパント全イオン注入することを含み 、 第２適用段階は、前記第２ドーパントをイオン注入することを含み、 酸化によって形成された前記第２マスクパターンの厚さは前記第１マスクパター ンの厚さの少くとも２倍である 請求の範囲第３項の方法。

！ＩＬ（削除） ６、（削除） ７、（補正）前記第２ドーパントは、前記半導体ウェーハと同−導電形であり、 前記第１ドーパントの反対の導電形である請求の範囲第４項の方法。

＆　（補正）前記第２ドーパントは、前記半導体ウェーハの反対の導電形であシ 、前記第１ドーパントと同−導電形である請求の範囲第４項の方法。

９、（補正）前記醸化物モートの前記所定の深さはＭ記エピタキシャル層の前記 所定の厚さとはソ同じである請求の範囲第４項の方法。

１Ｏ０（削除） １１、（新規）第１開口部を有する酸化シリコンと窒化シリコンの［１マスクパ ターンを前記ウェーハ上ニ自己整合しそれに隣接する第２ドーパントの埋込み領 域を含み、 前記第１開口部を通して第１ドーパントを適用し、前記第１開口部と一致し、前 記第１開口部と互に補足し合いそれと自己整合している第２開口部を有する第２ マスクパターンを酸化によって形成し、前記第２開口部を通して第２ドーパント を適用し、前記第１および第２マスクパターンを除去し、前記半導体ウェーハ上 に所定の導電形と厚さのエピタキシャル層を形成する、 半導体ウェーハよシ誘導される半導体製品。

■、（新規）酸化および第１ドーパントの影響を殆んど受けず第１開口部を有す る第１マスクパターンを前記ウェーハ上に形成することによって準備された第１ ドーパント領域と自己整合しそれに隣接する第２ドーパントの埋込み領域を含み 、 前記第１開口部を通して前記第１ドーパントを適用し、 先づ前記第１開口部における前記半導体ウェーハを酸化し、第２に前記第１マス クパターンをエツチングして前記第１開口部と自己整合しそれと互に補足し合う 第２開口部を形成することによって第２マスクパターンを形成し、 前記第２開口部を通して第２ドーパントを適用し、前記第１および第２マスクパ ターンを除去し、前記半導体ウェーハ上に所定の電導形と厚さのエピタキシャル 層を形成する、 半導体ウェーハより誘導される半導体製品。

国際調査報告

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．少くとも第１の開口Ｓを有する第１マスクパターンを半導体ウェーハ上に形 成する段階、前記第１開口部を通して第１ドーパントを適用する段階、 前記第１開口部と互Ｋｍ足し合う少くとも第２の屍口部を有する前記第１開口部 と一致する第２マスクパターンを形成する段階、 前記第２開口部を通して第２ドーパントを適用する段階、 前記第１および第２マスクパターンを餘去する段階、前記半導体ウェーハ上に所 定の導電形と厚さのエピタキシャル層を形成する段階、を具えることを特徴とす る 第１ドーパントの領域に隣接して第２ドーパントの埋込み領域を半導体ウェーハ に製造する方法。 ２　前記第１マスクパターンは、酸化および前記第１ドーパントに耐性を示す請 求の範囲第１項の方法。 λ　前記ドーピングした埋込み領域の少くとも一部分の上にある所定の深さの酸 化物モート領域を前記エピタキシャル層に形成する段階を更に含む請求の範囲第 ２項の方法。 表　第１適用段階は、前記第１ドーパント【イオン注入することを含み、第２適 用段階は、前記＠Ｚドーパントをイオン注入することを含む請求の範囲第３項の 工程。 Ｋｍ記第１形成段階は、前記ウェーハ上の二酸化シップノ、層之前記二酸化シリ コン上の窒化シリコンのサンドイツチを形成することを更に含み、前記第２形、 成段″ＩＩ＃鉱、前記第１マスクパターン層における前記第ｉｓ口ｓｔｍｉ、て 前記ウェーハを酸化することによって前記第２マスクパターンを形成することを 更に含む請求のＳ８纂４項の方法。 ａ　酸化によって形成された前記第２マスクパターンの厚さは、前記第１マスク パターンの厚さの少くと％２、特許請求の範囲第５項の方法。 ７、　前記第２ドーパント社、前記半導体ウェーハと同−導電形であシ、前記第 １ドーパントの反対の導電形である請求の範囲第２項の方法。 ＆　前記Ｈｚドーパントは、前記半導体ウェーハの反対の導電形であル、前記第 １ドーパントと同−導電形である請求の範囲第２項の方法。 亀　前記酸化物モートの前記所定の深さは、前記エピタキシャル層の前記所定の 厚さとはソ同じである請求の範囲館６項の方法。 １０、請求の範囲第１項又は第２項の方法を使用してつくられ良製品。