JPS5849707B2 - 内燃機関用点火装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、点火コイルの１次電流を半導体スイッチによ
り制御することにより高電圧を得を内燃機関用点火装置
に関するものである。

従来の内燃機関用点火装置においては、通常点火位置を
機関の毎分回転数（以下単に回転数という。

）の上昇とともに遅角させているが、２サイクル内燃機
関では或回転数以上で点火位置を遅らせた方が高出力を
得ることができる。

また４サイクル機関では、過回転を防止するために或回
転数以上で点火位置を遅らせるか或いは失火させること
が必要になる場合がある。

このように設定回転数以上で点火位置を遅らせるように
した点火装置として、第１図に示すものが知られて９）
る。

同図において１は２次コイル１ｂに点火プラグ２が負荷
された点火コイル、３はコンデンサ４を介して点火コイ
ルの１次コイル１ａの両端に並列接続された１次電流制
御用のサイリスクで、コンデンサ４と１次コイル１ａと
の直列回路の両端にはダイオード５を介してエキサイタ
コイル６の出力が印加されている。

エキサイタコイル６は通常機関のクランク軸に取付けら
れた磁石発電機内に配置された発電コイルで、機関の回
転に同期してコンデンサ４を図示の極性に充電する。

この磁石発電機内にはまた点火位置を定めるための信号
を発生する信号発電コイル７が配置され、この信号発電
コイルの出力はダイオード８を介してサイリスタ３のゲ
ートカソード間に印加されている。

サイリスタ３のゲートカソード間にはまた抵抗器９及び
１０の直列回路が並列接続されるとともに抵抗器１１を
介して遅角ｆｆｉｌＪｆｆｌｌ用トランジスタ１２のコ
レクタエミツタ回路が並列接続され、抵抗器１０の両端
電圧がツエナーダイオード１３を介してトランジスタ１
２のベース・エミツタ間に印加されている。

また抵抗器１０の両端及びトランジスタ１２のペースエ
ミツタ間にはそれぞれコンデンサ１４及び抵抗器１５が
並列接続され、サイリスク３のゲート・カソード間には
抵抗器１６及びコンデンサ１７が並列接続されている。

この点火装置において、機関の回転数が設定値以下の場
合は、信号発電コイル７の出力が低く、コンデンサ１４
の両端電圧がツエナーダイオード１３のツェナー電圧に
達しないためトランジスタ１２にはベース電流が流れず
、このトランジスタは遮断状態にある。

したがってこの場合は第２図の曲線ａのように信号発電
コイル７の出力の半波の電圧Ｖ がそのままサイリスタ
３のゲートヵソード間に印加され、電圧Ｖ が角度θ８
でサイリスタ３のゲートトリガレベルｅ１に達して点火
が行なわれる。

次に機関の回転数が設定値以上になると、ツェナーダイ
オード１３が導通するためトランジスタ１２が導通し、
信号発電コイル７の出力電流の一部が抵抗器１１とトラ
ンジスタ１２とを通して流れる。

従ってサイリスタ３のゲートヵソード間に印加される電
圧Ｖ は第２図の曲線ｂに示すようにその波高値が低下
し、サイリスタ３のゲートトリガレベルｅ１に達する位
相が遅れて角度θｂで点火が行なわれるようになる。

上記の説明から明らかなように、従来のこの種の点火装
置では、点火位置を遅らせるためのトランジスタのベー
ス電流を信号発電コイルの出力電圧と同位相の電圧で得
ているため、点火位置の遅角幅αは電気角で最大９０度
が限度であり、この程度の遅角幅では所期の目的を達成
できない場合があった。

本発明の目的は、従来より大きな遅角幅を得ることがで
きるようにした内燃機関用点火装置を提供することにあ
る。

以下図示の実施例により本発明の点火装置を詳細に説明
する。

本発明の点火装置において、点火コイルの１次側回路は
、１次電流制御用の半導体スイッチにより１次電流を急
変させるようにした回路であればよく、第１図に示した
コンデンサ充放電式の回路の外、点火コイルの１次コイ
ル及び電源に対して並列的に接続した半導体スイッチを
導通状態から遮断状態にすることにより１次電流を急変
させる方式の回路、或いは点火コイルの１次コイルに直
列に接続した半導体スイッチを導通状態から遮断状態に
することにより１次電流を遮断する方式の回路を用いる
こともできる。

本発明は、１次電流制御用の半導体スイッチの導通位置
を定める点火位置調整回路に改良を加えたもので、点火
位置調整回路は第１図に符号２ ０’で示した部分に相
当する。

第３図は、本発明で用いる点火位置調整回路２０の一般
的な構或を示したもので、図中２１は機関の回転に同期
して交流信号を出力する信号源であり、この信号源の出
力はダイオード２２を介してこの調整回路の出力端ｔ１
，ｔ２に供給される。

２３は信号源２１の出力電圧を入力として該出力電圧よ
り位相が進んだ交流信号を出力する進相信号発生回路、
２４は進相信号発生回路２３の出力が設定値以上になっ
たときにトリガ信号を出力するトリガ回路である。

また２５は信号源２１に対して並列に電流通路を形或す
るように設けられた遅角制御用半導体スイッチで、この
半導体スイッチはトリガ回路２４からのトリガ信号によ
り導通する。

このように、進相信号発生回路２３により進相された信
号で遅角制御用半導体スイッチヲトリガすると、点火位
置の遅角幅を理論的には電気角で最大１８０度とするこ
とが可能になる。

尚進相信号発生回路２３は、信号源２１の出カを進相さ
せる回路であってもよく、信号源２１に対して進相した
出力を誘起する他の信号源であってもよい。

また、遅角制御用半導体スイッチ２５は第３図に実線で
示したようにダイオード２２を介して信号源２１に並列
接続してもよく、同図に破線で示したように信号源２１
の両端に直接並列接続してもよい。

更に、遅角制御用半導体スイッチ２５と直列に抵抗の如
き電流制限素子を挿入してもよい。

第４図は、本発明の具体的実施例を示したもので、同図
において点火位置調整回路２０以外の部分は第１図と同
様に構成されている。

点火位置調整回路２０の信号源２１は機関の回転に同期
した交流信号を発生する信号発電コイルからなり、この
信号発電コイルは通常エキサイタコイル６と同一の磁石
発電機内に配置される。

信号源２１の出力はダイオード２２と抵抗器２６とを介
して調整回路２０の出力端ｊｌ ｖ １２間（サイリス
タ３のゲートカソード間）に印加されている。

進相信号発生回路２３はコンデンサ２７と可変抵抗器２
８と抵抗器２９との直列回路からなり、この直列回路は
信号源２１の両端に並列接続されている。

トリガ回路２４は、抵抗器２８及び２９の接続点にアノ
ードが接続されたダイオード３０と、ダイオード３０に
直列接続されたツエナーダイオード３１と、ダイオード
３０及びツエナーダイオード３１を介して抵抗器２９の
両端に並列接続された抵抗器３２と、ツエナーダイオー
ド３１と抵抗器３２との接続点にベースが接続されコレ
クタがダイオード２２のカソードに接続されたトランジ
スタ３３とからなっている。

遅角制御用半導体スイッチ２５としては、エミツタを端
子ｔ２に接続したトランジスタ３４が用いられ、このト
ランジスタのコレクタは可変抵抗器３５を介して出力端
子ｔ１に接続されている。

第４図の点火装置において、抵抗器２９の両端に得られ
る信号電圧ｖ２は信号源２１の出力信号電圧Ｖ１に対し
て角度βだけ進和している。

（第５図参照。

）この角度βは抵抗器２８．２９及びコンデンサ２７の
値により９０度以下の範囲で適宜に調整することができ
、可変抵抗器２８により微調整することができる。

第４図において可変抵抗器３５の抵抗値を零にしたとき
の、サイリスタ３のゲートカソード間電圧ｖ３、抵抗器
２９の両端電圧ｖ２及びトランジスタ３４のベース電流
Ｉ ｂの波形を第６図Ａ乃至Ｃに示す。

同図において曲線ａ，ｂ及びＣはそれぞれ機関の毎分回
転数がｎｌ ，ｎ２及びｎ３ （ ｎ１＜ｎ２＜ｎ３
）の場合の波形を示している。

即ち、機関の回転数が低い場合には、第６図Ｂの曲線ａ
に示すように抵抗器２９の両端電圧ｖ２がツエナーダイ
オード３１のツエナー電圧ｅ２に達しないためトランジ
スタ３３は導通しない。

したがってトランジスタ３４は導通せず、信号源２１の
出力はダイオード２２と抵抗器２６とを通してサイリス
タ３のゲートカソード間に印加される。

第６図Ａに示すようにサイリスタ３のゲートカソード間
電圧ｖ３が角度θ３でゲートトリガレベルｅ１に達する
と、エキサイタコイル６の出力で図示の極性に充電され
たコンデソサ４の端子電圧でアノードカソード間に順方
向電圧が印加されたサイリスタ３が導通し、コンデンサ
４の電荷がサイリスタ３と点火コイルの１次コイル１ａ
とを通して放電する。

これにより点火コイル１の２次コイル１ｂに高電圧が発
生し、点火プラグ２に火花が発生する。

機関の回転数がｎ２に上昇すると、第６図の曲線ｂに示
すように、抵抗器２９の両端電圧■２がツエナー電圧ｅ
２を超える？うになるためトランジスタ３３が導通し、
遅角制御用のトランジスタ３４が導通する。

しかしこの場合はサイリスタ３のゲートカソード間電圧
ｖ３が角度θｂでトリガレベルｅ１に達した後にトラン
ジスタ３４が導通するため点火位置には影響がなく、点
火は角度θｂで行なわれる。

次に機関の回転数がｎ３に上昇すると、第６図Ｂの曲線
Ｃで示したように、抵抗器２９の両端電圧ｖ３が位相が
進んだ位置でツエナー電圧ｅ，，に達するようになるた
め、同図Ａの曲線Ｃのように、電圧ｖ３がトリガレベル
ｅ１に達する前に零になる。

角度θ０において電圧■２がツエナー電圧ｅ２以下にな
ってトランジスタ３４が遮断すると電圧■３がトリガレ
ベルｅ０に達し、この角度θ。

で点火が行なわれる。

従って回転数ｎ３で急激に点火位置が遅れる特性が得ら
れ、しかも電気角で９０度以上の遅角量を得ることがで
きる。

上記の説明では、可変抵抗器３５の抵抗値を零としたが
、この可変抵抗器の抵抗値を調整することにより、遅角
量を適宜に設定することができる。

第７図の曲線ｒ１乃至ｒ４はそれぞれ可変抵抗器３５の
抵抗値をｒｌ ｔ ｒ２１ ｒ３及びｒ４ （ ｒｌ
＜ ｒ２＜ ｒ３＜ ｒ４ ）とした場合の電圧■３の
波形を示したもので、最も進んだ点火位置をθとし、抵
抗値がｒ１〜ｒ４の場合の点火位置をθ。

１〜θ。４とするとそれぞれの場合の遅角量はα１〜α
４となる。

したがって機関の回転数Ｎに対する進角度δ（ピストン
の上死点から点火位置までの角度）の特性は、第８図Ａ
に示すようになる。

また進相信号発生回路９の可変抵抗器２８の抵抗値を変
えることにより点火位置が遅れ始める回転数を適宜に設
定することができる。

例えばこの可変抵抗器２８の抵抗値をｒ１〜ｒ４ （
ｒ１＜ ｒ２＜ ｒ３＜ ｒ４ ）とした場合の進角度
δの回転数Ｎに対する特性は第８図Ｂの曲線ｒ１〜ｒ４
に示すようになる。

第１図に示した従来の点火装置のように、信号発電コイ
ル７の出力電圧と同位相の電圧が設定値以上になったと
きに導通するトランジスタ１２により信号コイルの出力
の一部を側路することにより、サイリスタ３のゲートカ
ソード間電圧■２がトリガレベルｅ１に達する角度を遅
らせるようにした場合でも、抵抗１１の抵抗値を小さく
していくと点火位置の遅角幅が大きくなっていくが、こ
の場合抵抗１１の抵抗値の下限は、電圧ｖ２のピーク値
がトリガレベルｅ１に等しくなるまでであり、それ以上
抵抗１１の抵抗値を小さくすると機関は失火することに
なる。

したがって第１図の装置では、理論的に遅角幅を電気角
で９００以上にすることはできず、実際に得られる遅角
幅は９０°以下になる。

これに対し、本発明により得られる最犬遅角幅は、第６
図から明らかなように、最犬進角位置（理論的には電圧
ｖ３のほぼ立上り位置）から信号電圧ｖ２が設定値（ツ
エナー電圧）ｅ２以下になる位置θ。

までの角度である。ここで信号電圧ｖ２が設定値ｅ２以
下になる角度θ。

は、設定値ｅ２を適当に設定しておくことにより、第６
図に示すように１次電流制御用半導体スイッチ（上記の
例ではサイリスタ３）の制御端子間電圧■３がピーク値
に達する位置よりも更に位相が遅れた位置に設定するこ
とができるので、最犬遅角幅は電気角で９００以上（理
論的には１８００）に設定することができ、第１図の装
置に比べて大きな遅角幅を得ることができる。

尚本発明の遅角動作を行なわせるためには、最犬進角位
置よりも位相が進んだ位置で遅角制御用半導体スイッチ
を導通させて最犬進角位置での点火動作を阻止する必要
があり、そのためには、遅角制御用半導体スイッチの導
通位置を定める信号電圧■２を１次電流制御用半導体ス
イッチの制御端子間電圧ｖ３よりも進ませておくことが
必要である。

したがって本発明においては、信号源の出力の位相を進
ませる進相信号発生回路を設けてその出力信号により遅
角制御用半導体スイッチの導通位置を定めることが重要
である。

上記の実施例では、電圧ｖ２のｖ１に対する位相差βが
９０度以下であるが、進相信号発生回路２３を例えば第
９図のように構戊するとβを９０度より大きくすること
もできる。

第９図の進相信号発生回路２３は、信号源２１の両端に
並列接続されたコンデンサ３６及び抵抗器３７の直列回
路と、抵抗器３７の両端に並列接続されたコンデンサ３
８、可変抵抗器３９及び抵抗器４０の直列回路とからな
っている。

このように構或すると、信号源２１の出力電圧ｖ１に対
して角度βだけ進相した電圧■２を抵抗器４０の両端に
得ることができ、β〉９０度とすることができる。

第１０図Ａ乃至Ｃは、第４図の装置に第９図の進相信号
発生回路２３を用いてβ≧９０度とじた場合の電圧Ｖ３
ｙ Ｖ２及びトランジスタ３４のベース電流■ｂを示
したもので、曲線ａ，ｂ及びＣはそれぞれ回転数がｎ１
ｍｎ２及びｎ３（ｎ１＜ｎ２＜ｎ３）の場合を示してい
る。

尚この場合も可変抵抗器３５の抵抗値は零としてある。

回転数ｎ１ までは電圧ｖ２がツエナー電圧ｅ２に達し
ないため、点火位置は電圧ｖ３の波高値の増大に伴って
進み、回転数ｎ１では角度θ３で点火が行なわれる。

次に回転数がｎ２になると、第１０図の曲線ｂに示すよ
うに、電圧ｖ３が正の半サイクルに立上る前に電圧■２
がツエナー電圧ｅ２を超え、トランジスタ３３及び３４
が導通するため、電圧■３の正の半サイクルの期間が始
っても電圧ｖ３は最初零のままである。

次いで角度θｂにおいて電圧■２がツエナー電圧ｅ２以
下になるとトランジスタ３３及び３４が遮断するため電
圧■３がトリガレルｅ１に達し、サイリスタ３が導通し
て角度θｂ（〉θａ）で点火が行なわれる。

また回転数がｎ３になった場合には、トランジスタ３３
．３４が遮断する位相が遅れるため、角度θｂより更に
遅れた角度θ０で点火が行なわれるようになる。

β≧９０度とした場合も、可変抵抗器３５の抵抗値を変
えることにより遅角量を変えることができ、第９図の可
変抵抗器３９を変えることにより点火位置が遅れ始める
回転数を変えることができる。

第１１図Ａの曲線ｒ１〜ｒ３は、β≧９０度として可変
抵抗器３５の抵抗値をｒ１〜ｒ３（ｒ１＜ｒ２＜ｒ３）
とした場合の進角度δの特性を示し、また同図Ｂの曲線
ｒ１〜ｒ３はβ≧９０度として可変抵抗器３９の値全ｒ
１〜ｒ３ （ ｒ１＜ ｒ２＜ｒ３ ）とした場合の進
角度δの特性を示している。

上記の実施例では、遅角制御用半導体スイッチ２５とし
てトランジスタを用いたが、第１２図又は第１５図に示
したように、トランジスタに代えてサイリスタ４１を用
いることもできる。

第１２図に示した点火位置調整回路２０は、信号源２１
の正負の半波のうち、第４図のサイリスタ３の点弧信号
として用いられない負の半波の出力の一部を側路してこ
の側路電流による電機子反作用により次の正の半波の出
力電圧の立上りが遅れることを利用したもので、信号源
２１のダイオード２２側の一端にサイリスタ４１のカソ
ードが接続され、サイリスタ４１のアノードは可変抵抗
器３５を介して信号源２１の他端に接続されている。

進相信号発生回路２３は第４図の実施例とは逆の順序で
信号源２１の両端間に直列に接続されたコンデンサ２７
と可変抵抗器２８と抵抗器２９とからなり、抵抗器２９
の両端電圧がトリガ回路を構或するダイオード３０とツ
エナーダイオード３１とを介してサイリスタ４１のゲー
トカソード間に印加されている。

またサイリスタ４１のゲートカソード間に抵抗器４２が
並列接続されている。

第１２図の点火位置調整回路において、電圧ｖ１及びｖ
３と電圧ｖ２とが同相であるとすると、■２及び■３の
波形は第１３図Ａに示すようになる。

電圧ｖ２がツエナーダイオード３１のツエナー電圧ｅ２
に達する前に、同図に破線で示したように電圧■３が角
度θ３でトリガレベルｅｔに達し、この角度θ３で第４
図のサイリスタ３が導通して点火が行なわれる。

機関の回転数が上昇して信号源２１の負の半サイクルで
電圧ｖ２がツエナー電圧ｅ２に達するとサイリスタ４１
が導通するため信号源２１から可変抵抗器３５及びサイ
リスタ４１を通して電流が流れ、第１３図Ａの実線で示
したようにこの電流による電機子反作用により電圧■３
の次の正の半サイクルの立上りが遅れ、電圧ｖ３は角度
θ３より遅れた角度θｂにおいてトリガレベルｅ１に達
する。

この場合、サイリスタ４１の最初の導通角は、電気角で
最大π／４にすぎないため、遅角量θｂ−θ３は余り大
きくすることができない。

これに対し、電圧ｖ１及びｖ３に対して電圧Ｖ２を角度
βだけ進相させた場合には、第１３図Ｂに示すように、
信号源２１の負の半サイクルの全期間に亘ってサイリス
タ４１を導通させることができるため、信号源２１の正
の半サイクルの立上りを大幅に遅らせることができ、電
圧ｖ３がトリガレベルｅ１に達する角度θｂを大幅に遅
らせることができる。

第１２図の点火位置調整回路２０を用いた場合の進角度
δの特性は例えば第１４図に示すようになる。

この場合も、可変抵抗器３５の抵抗値により遅角量を調
整することができ、可変抵抗器２８の抵抗値により遅角
が始まる回転数を調整することができる。

次に第１５図に示した点火位置調整回路２０は、第４図
に示した実施例と同様に信号源２１の正の半サイクルの
出力の一部を側路するようにしたもので、サイリスタ４
１が第１２図と反対の向きに接続され、進相信号発生回
路２３は第４図と同様に接続されている。

第１５図の点火位置調整回路２０において電圧ｖ１とｖ
２が同相の場合には、電圧ｖ２及びｖ３の波形が第１６
図Ａに示すようになり、電圧ｖ２が角度θ，においてツ
エナー電圧ｅ２に達してサイリスタ４１が導通する。

しかしこのサイリスタ４１が導通するのは、角度θ８に
おいて電圧■３がトリガレベルｅ１に達して既に点火が
行なわれた後であるので点火位置は変化せず、遅角量は
零である。

これに対し、第１６図Ｂに示したように電圧ｖ１に対し
てｖ２を角度βだけ進相させた場合には、サイリスタ４
１の導通により電圧ｖ３の立上り付近から信号源２１の
出力の一部を短絡できるので電圧ｖ３がトリガレベルｅ
１に達する角度θｂをθ３に対して遅らせることができ
る。

尚同図において破線はサイリスタ４１が導通する直前の
回転数における電圧ｖ３の波形を示している。

第１５図の点火位置調整回路２０においても可変抵抗器
３５の抵抗値により遅角量を調整することができ、可変
抵抗器２８の抵抗値により遅角が開始される回転数を設
定することができる。

この第１５図の点火位置調整回路を用いた場合の進角度
δの特性は第８図及び第１１図に示した特性と同様であ
る。

尚第１５図において可変抵抗器３５の抵抗値を零にする
と、第１６図Ｃに示すように、電圧■３の正の半サイク
ルの波高値はサイリスタ４１の順方向電圧降下分に相当
する低い値になるため、トリガレベルｅ１に達せず、１
次電流制御用のサイリスタ３は導通しない。

したがってこの場合は設定回転数以上で失火する特性と
なり、点火位置調整回路２０は過回転防止装置として作
用する。

第１７図は、本発明で用いる点火位置調整回路の更に他
の構戒例を示したもので、この場合は信号源２１に対し
て位相が進んだ出力を発生する別個の信号源４３が進相
信号発生回路２３として用いられている。

信号源４３としては、信号源２１を構戊する信号発電コ
イルに対して位相が進んだ位置に配置された信号発電コ
イルを用いることができる。

第１８図は第４図の実施例に変形を加えた本発明の更に
他の実施例を示したもので、この実施例では、エキサイ
タコイル６が巻数の比較的少ない高速用エキサイタコイ
ル６ａと巻数の多い低速用エキサイタコイル６ｂとから
なり、これらのエキサイタコイルが直列に接続されると
ともに低速用エキサイタコイル６ｂと並列にダイオード
４４が接続されている。

またサイリスタ３の両端にはこのサイリスクと逆方向の
ダイオード４５が並列接続されている。

エキサイタコイル６を上記のように構成すると、機関の
低速回転時においても十分大きな出力を得てコンデンサ
４に十分大きなエネルギーを蓄えることができる。

また低速用エキサイタコイル６ｂの両端に接続したダイ
オード４４にヨリこの低速用エキサイタコイル６ｂの負
の半波（コンデンサ４の充電に用いられない半波）の出
力を短絡するので、サイリスタ３の両端に印加される逆
方向電圧を低くしてこのサイリスタを保護することがで
きる。

またダイオード４４により低速用エキサイタコイル６ｂ
の負の半波の出力を短絡すると、電機子反作用により次
の正の半波の出力を低減できるので、機関の高速回転時
においてエキサイタコイル６の出力が過大になるのを防
ぐことができる。

更に、ダイオード４５を上記のように接続すると、サイ
リスタ３を逆方向電圧から保護することができるだけで
なく、コンデンサ４の放電時に、コンデンサ４と点火コ
イル１の１次コイル１ａとによる振動電流を接続させる
ことができるので、点火コイルの２次コイルに得られる
高電圧の持続時間を長くすることができる。

第１８図の実施例における進相信号発生回路２３は、コ
ンデンサ２７／と遅角開始回転数設定用可変抵抗器２
８’との直列回路からなり、可変抵抗器２８’の両端電
圧がトリガ回路２４のダイオード３０、ツエナーダイオ
ード３１及び遅角幅調整用可変抵抗器３５／を介してト
ランジスタ３４のペースエミッタ間に印加されている。

またトランジスタ３４のペースエミッタ間の抵抗器３２
／とじてはサーミスタが用いられ、このトランジスタの
コレクタは端子ｔ１に直結されている。

その他の点は第４図と同様である。

第１８図の実施例の動作は第４図の場合と同様であり、
可変抵抗器２８／及び３５′によりそれぞれ遅角開始回
転数及び遅角幅を調整することができる。

上記の各実施例では、点火コイルの１次電流を制御する
半導体スイッチとしてサイリスクを用いたが、この半導
体スイッチはオンオフ制御が可能なものであれば如何な
るものでもよく、複数のスインチ素子を組合せたもので
もよい。

同様に、遅角制御用半導体スイッチ２５としてトランジ
スタまたサイリスタ以外の素子を用いることができ、例
えばゲートターンオフサイリスタ等を用いることもでき
る。

また上記の例では、点火位置調整回路２０の出力を１次
電流制御用半導体スイッチ（サイリスタ３）の制御極に
直接与えているが、点火位置調整回路２０の出力電圧ｖ
３の波高値が一定レベル（トリガレベル）に達したとき
にパルスを発生する波形整形回路を点火位置調整回路２
０と１次電流制御用半導体スイッチとの間に挿入しても
よい。

以上のように、本発明によれば、遅角制御用半導体スイ
ッチの導通位置を定める信号を１次電流制御用半導体ス
イッチの導通位置を定める信号に対して進和させたので
、従来よりも遅角量を大きくすることができ、また両信
号の位相差にょり遅角が開始される回転数の設定を容易
に行なうことができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来例を示す回路図、第２図は第１図の動作を
説明する線図、第３図は本発明で用いる点火位置調整回
路の一般的構戒を概略的に示す接続図、第４図は本発明
の具体的実施例を示す回路図、第５図は第４図の電圧■
１及びｖ２の波形を示す線図、第６図Ａ乃至Ｃは第４図
の動作を説明するための線図、第７図は第４図の電圧■
３の波形図、第８図Ａ及びＢはそれぞれ第４図の実施例
による進角特性を異なるパラメータに対して示す線図、
第９図は進相信号発生回路の変形例を示す回路図、第１
０図Ａ乃至Ｃは第４図の回路に第９図の進相信号発生回
路を用いた場合の動作説明図、第１１図Ａ及びＢはそれ
ぞれ第４図の回路に第９図の進相信号発生回路を用いた
場合の進角特性を異なるパラメータに対して示す線図、
第１２図は点火位置調整回路の変形例を示す回路図、第
１３図Ａ及びＢは第１２図の動作説明図、第１４図は第
１２図の回路を用いた場合の進角特性を示す線図、第１
５図は点火位置調整回路の他の変形例を示す回路図、第
１６図Ａ乃至Ｃは第１５図の動作説明図、第１７図は点
火位置調整回路の更に他の変形例を示す回路図、第１８
図は本発明の更に他の実施例を示す回路図である。 １・・・・・・点火コイル、２・・・・・・点火プラグ
、３・・曲サイリスク（１次電流制御用半導体スイッチ
）、４・・・・・・コンデンサ、５・・・・・・ダイオ
ード、６・・・・・・エキサイタコイル、２０・・・・
・・点火位置調整回路、２１・・・・・・信号源、２２
・・・・・・ダイオード、２３・・開進相信号発生回路
、２４・・・・・・トリガ回路、２５・・・・・・遅角
制御用半導体スイッチ、２７・・・・・・コンデンサ、
２８・・・・・・可変抵抗器、２９・・・・・・抵抗器
、３０・・・・・・ダイオード、３１・・・・・・ツエ
ナーダイオード、３３，３４・・・・・・トランジスタ
、３６・・・・・・コンデンサ、３７・・・・・・抵抗
器、３８・・・・・・コンデンサ、３９・・・・・・可
変抵抗器、４０・・・・・・抵抗器、４１・・・・・・
サイリスク。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 点火コイルと、前記点火コイルの１次電流を制御す
   る半導体スイッチと、内燃機関の回転に同期して交流信
   号を出力する信号源とを備え、前記信号源の出力で前記
   半導体スイッチに制御信号を与えるようにした内燃機関
   用点火装置において、前記信号源に対して並列に電流通
   路を形或するように設けられた制御端子付きの遅角制御
   用半導体スイッチと、前記信号源の出力を入力として該
   信号源の出力よりも位相が進んだ交流信号を出力する進
   相信号発生回路と、前記進相信号発生回路の出力が設定
   値以上になったときに前記遅角制御用半導体スイッチの
   制御端子に信号を与えるトリガ回路とを具備し、前記ト
   リガ回路からの信号により前記遅角制御用半導体スイッ
   チを導通させて前記信号源の出力電流の少なくとも一部
   を該遅角制御用半導体スイッチを通して側路することに
   より点火位置を遅らせることを特徴とする内燃機関用点
   火装置。