JPS6242156B2

JPS6242156B2 -

Info

Publication number: JPS6242156B2
Application number: JP57011781A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Yamada; Shoichi Tanaka
Original assignee: Kokusan Denki Co Ltd
Current assignee: Mahle Electric Drive Systems Co Ltd
Priority date: 1982-01-29
Filing date: 1982-01-29
Publication date: 1987-09-07
Also published as: JPS58131361A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、機関の点火位置で与えられる制御信
号により動作する１次電流制御用スイツチにより
点火コイルの１次電流を制御して点火動作を行な
わせる内燃機関用無接点点火装置に関するもので
ある。

一般に内燃機関においては、低速領域で点火位
置を一定とし、中高速領域で点火位置を進ませる
ことが必要とされるが、機関によつては所期の特
性を得るために高速領域の設定回転数（rpm）以
上で点火位置を遅らせることが要求されることが
あり、機関の過回転を防止するために高速領域に
おいて点火位置を遅らせることがある。設定回転
数以上で点火位置を遅らせるようにした点火装置
として、設定回転数以上で点火位置を定める信号
の一部を１次電流制御用スイツチから側路する遅
角回路を備えたものが知られている。しかしなが
らこの点火装置では機関の回転数が或程度以上に
なると設定回転数以下でも点火位置が遅れる傾向
になり、機関から最大の出力を引出すことができ
なくなることがあつた。またこの従来の点火装置
では、設定回転数以上での回転数に対する点火位
置の変化の特性（遅角特性）を種々に調整するこ
とが困難であつた。

本発明の目的は、遅角を開始させる設定回転数
までは点火位置が遅れないようにし、しかも遅角
特性を種々調整できるようにした内燃機関用無接
点点火装置を提供することにある。

以下図示の実施例により本発明を詳細に説明す
る。

第１図は、本発明の一実施例を示したもので、
同図において１は一端が接地された１次コイル１
ａ及び２次コイル１ｂを有する点火コイル、２は
１次コイル１ａに対して直列に接続されたコンデ
ンサ、３はコンデンサ２と１次コイル１ａの直列
回路に対して並列に接続された１次電流制御用ス
イツチとしてのサイリスタ、４はサイリスタ３の
ゲートカソード間に接続された抵抗、Ｐは２次コ
イル１ｂに負荷された点火プラグであり、これら
によりコンデンサ放電式の点火回路５が構成され
ている。この点火回路に点火エネルギを与えるた
め機関により駆動される磁石発電機内にエキサイ
タコイル６が配置され、このエキサイタコイル６
の一端はコンデンサ５とサイリスタ３のアノード
との接続点にカソードを接続したダイオード７の
アノードに接続され、エキサイタコイル６の他端
はアノードを接地したダイオード８のカソードに
接続されている。エキサイタコイル６及びダイオ
ード８の直列回路の両端にはアノードを接地した
ダイオード９が並列に接続され、ダイオード８の
両端にはカソードを接地したサイリスタ１０が並
列に接続されている。サイリスタ１０のアノード
ゲート間にはツエナーダイオード１１がそのアノ
ードをサイリスタのゲート側にして並列接続さ
れ、ゲートカソード間には抵抗１２が並列接続さ
れている。またサイリスタ１０のアノードにダイ
オード１３のアノードが接続され、ダイオード１
３のカソードと接地間に十分大きな容量を有する
電源用コンデンサ１４が接続されている。エキサ
イタコイル６、ダイオード８、サイリスタ１０、
ツエナーダイオード１１、抵抗１２、ダイオード
１３及びコンデンサ１４により電源回路１５が構
成されている。

上記電源回路のエキサイタコイル６が図示の実
線矢印方向の出力を発生すると、ダイオード７を
通してコンデンサ２が図示の極性に充電される。
次いでサイリスタ３のゲートに制御信号が与えら
れるとこのサイリスタ３が導通し、コンデンサ２
の電荷がサイリスタ３及び１次コイル１ａを通し
て放電する。この放電は極めて短時間に行なわれ
るため点火コイル１の１次コイルに急激に電流が
流れ込んで点火コイルの鉄心中に大きな磁束変化
が生じ、これにより２次コイル１ｂに高電圧が誘
起して点火プラグＰに火花が生じる。したがつて
上記点火回路２においてはサイリスタ３に制御信
号を与える位置を制御することにより点火位置を
制御することができる。尚本発明で用いる点火回
路５は１次電流制御用スイツチの動作により点火
コイル１の１次電流を急変させて点火動作を行な
わせるものであればよく、電流遮断形の点火回路
等他の形式の点火回路を用いてもよい。

上記電流回路１５においてエキサイタコイル６
に図示の破線矢印方向の電圧が誘起する半サイク
ルにおいては、ダイオード１３を通して電源用コ
ンデンサ１４が図示の極性に充電される。エキサ
イタコイル６の破線矢印方向の出力が或一定値に
達するとツエナーダイオード１１が導通してサイ
リスタ１０が導通し、エキサイタコイル６の出力
をコンデンサ１４から側路する。したがつてコン
デンサ１４は常に一定の電圧まで充電され、この
コンデンサが後記する制御回路の電源として用い
られる。

点火位置を機関の回転数（rpm）に応じて制御
するため、点火位置制御回路２０が設けられてい
る。この制御回路は機関と同期回転する信号発電
機内に設けられた信号コイル２３を備え、この信
号コイル２３は機関が１回転する間に少なくとも
１サイクルの信号ｅ_s（第２図Ｃ参照）を出力す
る。本実施例では信号コイル２３が先ず図示の破
線矢印方向（以下この半サイクルを負の半サイク
ルとする。）の信号ｅ_s1を発生し、次いで図示の
実線矢印方向（以下この半サイクルを正の半サイ
クルとする。）の信号ｅ_s2を発生する。この信号
コイルの一端は接地され、他端はダイオード２４
を通して前記サイリスタ３のゲートに接続されて
いる。ここでダイオード２４はそのカソードがサ
イリスタ３のカソード側に位置する向きに設けら
れ、信号コイル２３の後から発生する正の半サイ
クルの信号ｅ_s2がダイオード２４を通してサイリ
スタ３のゲートに制御信号として与えられるよう
になつている。

一方前記電源用コンデンサ１４の非接地側の端
子に抵抗２５の一端が接続され、抵抗２５の他端
２５ａがダイオード２４と同方向のダイオード２
６を通してサイリスタ３のゲートに接続されてい
る。抵抗２５及びダイオード２６は信号コイル２
３とは別個にサイリスタ３に制御信号を与える信
号供給回路を構成するもので、後記する所定の条
件が満されたときに電源回路１５側から抵抗２５
及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制御
信号が与えられるようになつている。

上記抵抗２５の他端２５ａにはエミツタを接地
した信号供給制御用半導体スイツチとしてのトラ
ンジスタ２７のコレクタが接続され、トランジス
タ２７のベースは抵抗２８を通して電源用コンデ
ンサ１４の非接地側端子に接続されている。トラ
ンジスタ２７のベースはアノードを接地したダイ
オード２９のカソードに接続されるとともにダイ
オード３０のアノードに接続され、ダイオード３
０のカソードは信号コイル２３の非接地側端子に
接続されている。トランジスタ２７は信号コイル
２３に負の半サイクルの信号が発生している期間
以外の期間抵抗２８を通して電源回路１５から与
えられるベース電流により導通し、抵抗２５を通
して電源回路１５から与えられる制御信号を接地
側に流してサイリスタ３から側路する。信号コイ
ル２３が負の半サイクルの信号を出力する期間は
トランジスタ２７のベースエミツタ間が逆バイア
スされるためこのトランジスタ２７が遮断状態に
なり、抵抗２５を通して供給される制御信号がサ
イリスタ３に与えられるのを許容する。

上記のようにトランジスタ２７が遮断状態にな
る期間（信号コイル２３が負の半サイクルの信号
を発生する期間）は抵抗２５及びダイオード２６
を通してサイリスタ３に制御信号を与え得る状態
になるが、この制御信号の供給に更に条件を与え
て進角特性及び遅角特性をもたせるため、第１の
コンデンサ（進角制御用コンデンサ）３１及び第
２のコンデンサ（遅角制御用コンデンサ）３２の
充放電を利用して制御信号の供給位置を制御する
回路が設けられる。即ち、第１のコンデンサ３１
の一端は接地され、第１のコンデンサ３１の他端
はダイオード３３のカソードに接続されている。
ダイオード３３のアノードは可変抵抗器３４を通
して電界効果トランジスタ（以下FETという。）
３５のソースに接続され、FET３５のドレイン
は電源用コンデンサ１４の非接地側端子に接続さ
れている。FET３５のゲートはダイオード３３
のアノードに接続され、FET３５及び可変抵抗
器３４により定電流回路２０_Aが構成されてい
る。ダイオード３３のカソードにはまたFET３
６のドレインが接続され、FET３６のソースは
可変抵抗器３７を通してトランジスタ３８のコレ
クタに接続されている。FET３６のゲートは可
変抵抗器３７とトランジスタ３８のコレクタとの
接続点に接続され、これらFET３６及び可変抵
抗器３７により定電流回路２０_Bが構成されてい
る。トランジスタ３８のコレクタはまたダイオー
ド３３のアノードに接続され、エミツタは接地さ
れている。前記トランジスタ２７のコレクタエミ
ツタ間に抵抗３９及び４０の直列回路が並列接続
され、抵抗３９及び４０の接続点にトランジスタ
３８のベースが接続されている。トランジスタ３
８はトランジスタ２７が遮断状態になつたときに
抵抗２５及び３９を通してベース電流が与えられ
て導通状態になり、トランジスタ２７が導通した
ときに遮断状態になる。第１のコンデンサ３１は
電源回路１５によりFET３５、可変抵抗器３４
及びダイオード３３を通して図示の極性に定電流
充電される。またトランジスタ２７が遮断してト
ランジスタ３８が導通すると第１のコンデンサ３
１がFET３６、可変抵抗器３７及びトランジス
タ３８を通して定電流で放電する。この放電の際
に電源回路１５からFET３５及び可変抵抗器３
４を通して供給される電流はトランジスタ３８を
通して第１のコンデンサ３１から側路されるた
め、第１のコンデンサ３１の放電には影響を与え
ない。FET３６、可変抵抗器３７及びトランジ
スタ３８により第１のコンデンサ３１の放電回路
が構成されている。

また電源用コンデンサ１４の両端に抵抗４１と
ツエナーダイオード４２との直列回路からなる基
準電圧発生回路２０_Eが並列接続され、ツエナー
ダイオード４２の両端に第１の基準電圧Vr₁が得
られるようになつている。この第１の基準電圧は
第１のコンデンサ３１の端子電圧Vc₁とともに第
１の比較回路４３に入力されて両電圧が比較さ
れ、第１の比較回路４３の出力端子４３ａは、第
１のコンデンサ３１の端子電圧Vc₁が第１の基準
電圧Vr₁より大きいときに接地電位になり、第１
のコンデンサ３１の端子電圧Vc₁が第１の基準電
圧Vr₁以下になつたとき高電位になる。この第１
の比較回路４３の出力端子４３ａはダイオード２
６のアノードに接続されていて、この比較回路の
出力端子４３ａが接地電位にあるときにサイリス
タ３への制御信号の供給が阻止され、出力端子４
３ａが高電位なつたときにサイリスタ３への制御
信号の供給が許容されるようになつている。

また第２のコンデンサ３２もFET４４及び可
変抵抗器４５からなる定電流回路２０_Cとダイオ
ード４６とを通して電源用コンデンサ１４の非接
地側端子に接続され、電源回路１５の出力により
定電流充電されるようになつている。電源用コン
デンサ１４の両端に抵抗４７とツエナーダイオー
ド４８との直列回路からなる基準電圧発生回路２
０_Fが並列接続され、ツエナーダイオード４８の
両端に得られる第２の基準電圧Vr₂が第２のコン
デンサ３２の端子電圧Vc₂とともに第２の比較回
路４９に入力されている。第２の比較回路４９の
出力端子４９ａは第２のコンデンサ３２の端子電
圧Vc₂が第２の基準電圧Vr₂より小さいときに接
地電位になり、第２のコンデンサの端子電圧Vc₂
が第２の基準電圧Vr₂以上になつたときに高電位
になる。この比較回路４９の出力端子４９ａはダ
イオード２６のアノードに接続され、出力端子４
９ａが高電位になつたときにサイリスタ３への制
御信号の供給が許容されるようになつている。

上記実施例においてサイリスタ３に制御信号が
与えられるのは次のいずれかの場合である。

(イ) 信号コイル２３に正の半サイクルの信号が誘
起したとき。

(ロ) トランジスタ２７が遮断状態にあり、しかも
第１の比較回路４３の出力端子４３ａ及び第２
の比較回路４９の出力端子４９ａが高電位にあ
るとき。

第１及び第２のコンデンサ３１及び３２の電荷
を瞬時に放電させて両コンデンサをリセツトする
ため、エミツタを接地したトランジスタ５０が設
けられ、このトランジスタ５０のコレクタはダイ
オード５１及び５２を通して第１及び第２のコン
デンサ３１及び３２の非接地側端子に接続されて
いる。またトランジスタ５０のベースは信号コイ
ル２３の両端に並列接続された抵抗５３，５４か
らなる分圧回路の分圧点に接続され、トランジス
タ５０、ダイオード５１，５２及び抵抗５３，５
４によりリセツト回路２０_Dが構成されている。

遅角特性の調整を可能にするため、電流制限素
子としての可変抵抗器６０がトランジスタ２７の
コレクタエミツタ回路に対して直列に接続されて
いる。そしてトランジスタ２７と可変抵抗器６０
との直列回路が第２のコンデンサ３２に対して並
列に接続されトランジスタ２７が普通状態にある
とき、遅角制御用の第２のコンデンサ３２への充
電電流の一部が可変抵抗器６０及びトランジスタ
２７を通してコンデンサ３２から側路されるよう
になつている。本実施例においては、トランジス
タ２７（コンデンサ充電調整用半導体スイツチ）
及び可変抵抗器６０によりコンデンサ３２の充電
を調整するコンデンサ充電調整回路が構成されて
いる。尚本実施例では、トランジスタ２７がコン
デンサ充電調整用半導体スイツチと前記信号供給
制御用半導体スイツチとを兼ねているが、これら
の半導体スイツチを別々に設けることもできる。

次に第２図Ａ乃至Ｈの信号波形図によつて第１
図の実施例の動作を説明する。今エキサイタコイ
ル６が配置されている磁石発電機が４極に構成さ
れていて機関の出力軸に直結されているとする
と、エキサイタコイル６には第２図Ａに示すよう
に１回転当り２サイクルの交流電圧Veが誘起す
る。この電圧の負の半サイクルは、本来は図に破
線で示した波形であるが、上記実施例では負の半
サイクルの電圧がツエナーダイオード１１を導通
させるレベルに達したときにサイリスタ１０が導
通して該電圧を短絡するので、図に実線で示した
ように或一定の電圧に制限された波形になる。機
関の上死点TDCよりも角度θ_０だけ前の位置で
エキサイタコイル６の正の半サイクルの電圧が立
上るとダイオード７を通してコンデンサ２が図示
の極性に充電され、その端子電圧Vcは第２図Ｂ
に示すように変化する。信号コイル２３は、エキ
サイタコイル６の２回目の正方向出力の立下り付
近に設定された上死点前角度θ_１の位置で負方向
信号ｅ_s1を発生し、次いで上死点前角度θ_２の位
置で正方向信号ｅ_s2を発生する。機関の回転数Ｎ
（rpm）がアイドリンング回転数N₁から設定値N₂
（＞N₁）までの間にある低速領域では、信号コイ
ル２３から出力される負方向信号ｅ_s1がトランジ
スタ２７を遮断できるレベルに達しないため、ト
ランジスタ２７は導通状態にある。したがつて機
関の低速領域では、電源回路１５側から抵抗２５
及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制御
信号を与えられることはなく、電源回路から抵抗
２５を通して与えられる電流はすべてトランジス
タ２７を通してサイリスタ３から側路される。次
に角度θ_２で発生する信号コイル２３の正方向信
号ｅ_s2が上死点前角度θ_３の位置でピークに達
し、このピーク値がサイリスタ３のゲートトリガ
レベルに達していると、サイリスタ３が導通す
る。このときコンデンサ２の電荷がサイリスタ３
及び１次コイル１ａを通して放電し、点火動作が
行なわれる。信号コイル２３の正方向信号ｅ_s2は
機関の回転数がN₁からN₂へと上昇していくに従
つて増大していくため、正方向信号ｅ_s2がサイリ
スタ３のトリガレベルに達する位相は第３図に示
すように回転数の上昇に伴つて僅かずつ進んでい
く。信号コイル２３の正方向信号ｅ_s2の信号幅を
狭くしておけば、この低速領域における点火位置
の変動幅は僅かである。

機関の回転数Ｎが設定値N₂に達すると、信号
コイル２３の負方向信号ｅ_s1がトランジスタ２７
を遮断するレベルに達するためトランジスタ２７
が遮断する。このときトランジスタ２７のコレク
タエミツタ間電圧は第２図Ｄのように変化する。

一方第１のコンデンサ３１は、電源回路１５に
よりFET３５を通して定電流で充電され、正方
向信号ｅ_s2の立上りでトランジスタ５０の導通に
より瞬時に略零まで放電する動作を繰り返してい
る。上記のように回転数が設定値N₂に達してト
ランジスタ２７が遮断すると、トランジスタ３８
が導通するため、第１のコンデンサ３１がFET
３６を通して定電流で放電する。したがつて回転
数N₂以上の領域での第１のコンデンサ３１の端
子電圧Vc₁の波形は第２図Ｅに示すように、角度
θ_２の位置から一定の傾斜で上昇した後角度θ_１
からθ_２までの間一定の傾斜で下降し、充電開始
位置θ_２から丁度360゜回転した位置に相当する
次の角度θ_２で零に戻る波形の繰り返しになる。
一方第２のコンデンサ３２は電源回路１５から
FET４４、可変抵抗器４５及びダイオード４６
を通し供給される定電流で充電される。トランジ
スタ２７が導通状態にある期間は、コンデンサ３
２の充電電流の一部が可変抵抗器６０及びトラン
ジスタ２７を通して流れるため、コンデンサ３２
の充電特性は、該コンデンサの静電容量と可変抵
抗器６０の抵抗値により決まる時定数により略定
められる。一方信号コイル２３に負の半サイクル
の信号が誘起してトランジスタ２７が遮断する期
間（θ_１〜θ_２の期間）は、コンデンサ３２の充
電電流が側路されないため、定電流回路２０_Cを
通して与えられる定電流がすべてコンデンサ３２
に供給され、コンデンサ３２は急峻な定勾配で充
電されるようになる。したがつて第２のコンデン
サ３２の端子電圧Vc₂の波形は、第２図Ｇに示す
ように、角度θ_２の位置から湾曲したカーブに沿
つて上昇し、角度θ_１で急峻な定勾配での上昇に
切換わり、角度θ_２でリセツトされて零に戻る波
形となる。

機関の回転数Ｎが設定値N₂を超えると、第１
のコンデンサ３１の端子電圧Vc₁が角度θ_２より
も位相が進んだ位置θ_yで第１の基準電圧Vr₁以下
になるようになり、第２図Ｆに示すようにこのθ
_yの位置で第１の比較回路４３の出力端子４３ａ
が高電位になる。このθ_yの位置は機関の回転数
の上昇に伴つて進んでいく。本実施例において
は、回転数Ｎが設定値N₃（＞N₂）に達したとき
に、このθ_yの位置が角度θ_１の位置に一致する
ように設定されている。

一方第２のコンデンサ３２の端子電圧Vc₂は、
上死点前角度θ_xの位置で第２の基準電圧Vr₂以上
になり、第２図Ｈに示すようにこのθ_xの位置で
第２の比較回路４９の出力端子４９ａが高電位に
なる。機関の回転数の上昇に伴つて１回転に要す
る時間が短くなり、コンデンサ３２の充電電圧が
低下していくため、このθ_xの位置は機関の回転
数の上昇に伴つて上死点TDC側へと遅れてい
く。本実施例では、回転数Ｎが設定値N₄（＞
N₃）に達したときにθ_xの位置が角度θ_１の位置に
一致し、回転数Ｎが設定値N₅（＞N₄）に達したと
きにθ_xの位置が角度θ_２の位置に一致するよう
になつている。

上記のように設定されているため、機関の回転
数ＮがN₂≦Ｎ≦N₃の範囲にある中高速領域で
は、角度θ_yの位置で電源回路１５側から抵抗２
５及びダイオード２６を通してサイリスタ３に制
御信号が与えられる条件が成立し、この角度θ_y
の位置で点火動作が行なわれる。このθ_yの位置
は回転数の上昇に伴つて進んでいき、設定回転数
N₃に達すると上死点前角度θ_１の位置に達す
る。回転数が更に上昇するとθ_yの位置は更に進
んでいくが、角度θ_１の位置よりも進んだ位置で
はトランジスタ２７が導通しているため、サイリ
スタ３には制御信号が与えられない。したがつて
点火位置は角度θ_１の位置までしか進まず、設定
回転数N₃からN₄までの間はこの角度θ_１の位置
で点火が行なわれる。機関の回転数が設定値N₄
に達すると、第２の比較回路４９の出力端子４９
ａが高電位に立上る位置θ_xがθ_１に一致し、更
に回転数が上昇するとθ_xの位置が上死点側へと
更に遅れていくため、電源回路１５側からサイリ
スタ３に制御信号が与えられる条件が成立する位
置はこのθ_xの位置となり、この位置で点火動作
が行なわれるようになる。したがつて設定回転数
N₄からN₅までの領域では点火位置が回転数の上
昇に伴つて遅れていく。回転数が設定回転数N₅
以上になつてθ_xの位置が上死点前角度θ_２の位
置より更に上死点側に寄つた位置になると、θ_x
の位置で電源回路１５側から制御信号が与えられ
るよりも前に角度θ_２の位置で信号コイル２３の
正方向信号ｅ_s2によりサイリスタ３に制御信号が
与えられるようになる。したがつて設定回転数
N₅以上の領域での点火位置はθ_２の位置に固定
される。以上の動作により、第３図に示すような
進角・遅角特性が得られる。

上記の実施例において、最大進角位置θ_１は、
信号コイル２３の負方向信号ｅ_s1の立上り位置で
定まるため、信号発電機の極磁構造及びその取付
位置を適宜に設定することにより、最大進角位置
θ_１を容易に所望の位置に設定することができ
る。そして信号発電機の構造さえ一定にしておけ
ば、この最大進角位置θ_１は不変であり、従来の
ように発電機の特性によつて最大進角位置がばら
つくといつた不都合を生じることがない。しかも
機関の高速領域においては点火位置を遅らせるこ
となく最大進角位置に保持することができる。更
に、遅角が終了した時点での点火位置（最大遅角
位置）θ_１も、信号コイルの正方向信号の立上り
位置で定まるため、最大遅角位置も一定に保つこ
とができ、点火位置が遅れ過ぎるのを防ぐことが
できる。また低速領域での点火位置の変動幅も小
さく抑えることができるので機関の始動性を良好
にすることができる。更に第１及び第２のコンデ
ンサの充電時定数及び第１及び第２の基準電圧の
レベルを適宜に設定することにより各設定回転数
を容易に調整することができる。

更に上記実施例のように、定電流回路２０_Cか
ら、遅角制御用コンデンサ３２に供給される電流
の一部を側路してコンデンサの充電を調整する充
電調整回路を設けると、遅角特性に自由度をもた
せることができ、種々の遅角特性を得ることがで
きる。これを説明するため、第４図に示すよう
に、遅角制御用コンデンサ３２の充放電回路を取
出し、定電流回路２０_Cにより供給される電流を
I₁、コンデンサ３２に流れ込む電流をi₂とし、コ
ンデンサ３２の静電容量をＣとする。トランジス
タ２７が導電状態にあるときi₂＜I₁であり、遮断
状態にあるときi₂＝I₁となる。充電調整回路が上
記実施例のように抵抗回路で構成されている場
合、i₂は指数関数的に変化し、コンデンサ３２の
端子電圧Vc₂の上昇に伴つてi₂の増加率は減少し
ていく。また充電調整回路が定電流回路からなる
場合には、i₂＝I₂（一定）となる。今説明を簡単
にするため、充電調整回路が定電流回路からなつ
ていてi₂＝I₂（一定）であるとし、θ_１−θ_２＝
α（一定）、θ_x−θ_２＝θ_i（回転数Ｎの関数）、
遅角開始回転数をN₄とすると、次のような関係
式が成立する。

θ_i＝α−（360゜−α）（I₂／I₁）｛（Ｎ／N₄）−１｝ ……(1) (1)式は遅角特性を表わしており、Ｎ＝N₄のと
きにθ_i＝αとなつて点火位置は遅角開始時の点
火位置θ_１となり、Ｎ＞N₄となるとθ_i＜αとな
つて回転数の上昇に伴つて点火位置が遅れてい
く。ここで遅角開始回転数N₄を所定の一定値に
設定すると、回転数Ｎに対する点火位置θ_iの特
性（遅角直線）の傾きはI₂／I₁の値によつて変化
する。したがつてI₂／I₁の値を調節することによ
り、遅角特性を種々変化させることができる。遅
角終了時（θ_i＝０）の回転数N₅は、 N₅＝N₄〔１＋｛α／（360゜−α）｝（I₁／I₂）〕 ……(2) で与えられる。この式から明らかなように、N₅
はI₂／I₁が小さくなるに従つて大きくなり、遅角
特性直線の傾斜はゆるやかになる。

上記の実施例では進角特性と遅角特性との双方
を得るようにしているが、本発明は遅角特性を
種々調整し得るようにすることを主な目的とする
ものであるので、進角特性を得る回路を設けない
場合も本発明の範囲に包含される。例えば第２図
に示した実施例において進角特性を得る回路を省
略すると、第６図に示すようになり、この場合の
点火位置θ_iの回転数Ｎに対する特性は第７図に
示すようになる。

上記の各実施例はあくまでも本発明の各部の一
構成例を示したもので、定電流回路、コンデンサ
充電調整回路、リセツト回路等の各部は同等の機
能を有する他の回路構成のもので置き換えること
ができる。また信号コイルに１回転当り複数サイ
クルの信号を誘起させて多気筒用点火装置を構成
することもできる。

上記の実施例においては、サイリスタ（１次電
流制御用スイツチ）に制御信号を与える電源と第
１及び第２のコンデンサを充電する電源としてエ
キサイタコイルの負方向出力を利用した電源回路
１５を用いたが、これらの電源としてバツテリを
用いることもできる。

第２図の実施例では、第２の基準電圧を第１の
基準電圧より低く設定しているが、第１のコンデ
ンサの端子電圧よりも第２のコンデンサの端子電
圧を高く設定した場合には、第２の基準電圧を第
１の基準電圧に等しくするかまたは第１の基準電
圧より高くすることができる。

以上のように、本発明によれば、遅角制御用の
コンデンサに供給される電流の一部を側路するコ
ンデンサ充電調整回路を設けて、コンデンサの充
電を調整し得るようにしたので、遅角特性を調整
できる利点があり、機関の要求に応じて種々の遅
角特性を得ることができる。また設定回転数未満
の領域で点火位置が遅れるのを防止することがで
き、機関の最大出力が低下するのを防ぐことがで
きる。更に遅角領域における最大遅角量を一定に
保つことができるので、点火位置が遅れ過ぎて機
関の動作が不安定になるのを防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す接続図、第２図
Ａ乃至Ｈは第１図の各部の信号波形図、第３図は
第１図の実施例により得られる進角遅角特性の一
例を示す線図、である。第４図は本発明で用いる
遅角回路の要部を示す接続図、第５図は同遅角回
路により得られる種々の遅角特性を示す線図、第
６図は本発明の他の実施例を示す接続図、第７図
は第６図の実施例により得られる点火特性の一例
を示す線図である。１……点火コイル、３……サイリスタ、５……
点火回路、６……エキサイタコイル、１５……電
源回路、２３……信号コイル、２７……トランジ
スタ、３１……第１のコンデンサ（進角制御用コ
ンデンサ）、３２……第２のコンデンサ（遅角制
御用コンデンサ）、３５，３６，４４……FET、
３８……トランジスタ、４２，４８……ツエナー
ダイオード、４３……第１の比較回路、４９……
第２の比較回路、６０……可変抵抗器。

Claims

【特許請求の範囲】１機関の点火位置で与えられる制御信号により
動作する１次電流制御用スイツチにより点火コイ
ルの１次電流を制御して点火動作を行なわせる内
燃機関用無接点点火装置において、前記内燃機関
の１回転当り少なくとも１サイクルの信号を発生
し後から発生する半サイクルの信号を前記１次電
流制御用スイツチに前記制御信号として与えるよ
うに設けられた信号コイルと、前記信号コイルに
より与えられる制御信号とは別個に前記１次電流
制御用スイツチに制御信号を与える信号供給回路
と、導通した際に前記信号供給回路から与えられ
る前記制御信号を前記１次電流制御用スイツチか
ら側路するように設けられ前記信号コイルの先に
発生する半サイクルの信号により遮断状態に保持
されるように該信号コイルに結合された信号供給
制御用半導体スイツチと、定電流回路を通して一
方の極性に充電される遅角制御用コンデンサと、
前記信号コイルの後から発生する半サイクルの信
号の立上りで前記コンデンサを放電させるリセツ
ト回路と、前記コンデンサの端子電圧を基準電圧
と比較して該コンデンサの端子電圧が該基準電圧
より低いときに前記信号供給回路から前記制御信
号が与えられるのを阻止し該コンデンサの端子電
圧が該基準電圧以上になつたときに前記信号供給
回路から前記制御信号が与えられるのを許容する
比較回路とを具備し、前記信号コイルの先に発生
する半サイクルの期間を除いた期間前記コンデン
サに供給される電流の一部を該コンデンサから側
路して該コンデンサの充電を調整するコンデンサ
充電調整回路が前記コンデンサに接続されている
ことを特徴とする内燃機関用無接点点火装置。２前記コンデンサ充電調整回路は前記信号コイ
ルの先に発生する半サイクルの信号により遮断状
態に保持され該先に発生する半サイクルの信号が
与えられないときに導通状態に保持されるコンデ
ンサ充電調整用半導体スイツチと該充電調整用半
導体スイツチに対して直列に接続された電流制限
素子とからなり、前記充電調整用半導体スイツチ
と電流制限素子との直列回路が前記コンデンサに
対して並列に接続されている特許請求の範囲第１
項に記載の内燃機関用無接点点火装置。３前記信号供給制御用半導体スイツチが前記コ
ンデンサ充電調整用半導体スイツチを兼ねている
特許請求の範囲第２項に記載の内燃機関用無接点
点火装置。