JPS5849045B2 - デンアツセイギヨガタマルチバイブレ−タ - Google Patents
デンアツセイギヨガタマルチバイブレ−タInfo
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- JPS5849045B2 JPS5849045B2 JP50089881A JP8988175A JPS5849045B2 JP S5849045 B2 JPS5849045 B2 JP S5849045B2 JP 50089881 A JP50089881 A JP 50089881A JP 8988175 A JP8988175 A JP 8988175A JP S5849045 B2 JPS5849045 B2 JP S5849045B2
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- Japan
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- transistor
- voltage
- current
- current source
- circuit
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマルチバイブレーク、特に出力周波数が制御電
圧の線型関数であるマルチバイブレークに関するもので
ある。
圧の線型関数であるマルチバイブレークに関するもので
ある。
第１図に示す従来の電圧制御型マルチバイブレークにお
いてはマルチバイブレータの基本的スイッチングトラン
ジスタ対は１及び２の各トランジスタであるが、このス
イッチングトランジスタ１が導通している場合１のエミ
ツタ電流は制御電圧に応じて変化する電流源１１及び１
３の合計の２■なる値である。
いてはマルチバイブレータの基本的スイッチングトラン
ジスタ対は１及び２の各トランジスタであるが、このス
イッチングトランジスタ１が導通している場合１のエミ
ツタ電流は制御電圧に応じて変化する電流源１１及び１
３の合計の２■なる値である。
そして第１図の電圧制御型マルチバイブレークにおいて
出力周波数は第１近似として、 で示されている。
出力周波数は第１近似として、 で示されている。
ここで、Ｃはコンデンサ７の容量、Ｒは負荷抵抗の値、
■Ｔはマルチバイブレークにより流れる全電流、■は電
流源ＩＬ１３の電流である。
■Ｔはマルチバイブレークにより流れる全電流、■は電
流源ＩＬ１３の電流である。
尚、第１図の回路のマルチバイブレークについては特開
昭４７−１０２６６号公報「電圧制御マルチバイブレー
ク」に記載されているので一般的動作原理については省
略する。
昭４７−１０２６６号公報「電圧制御マルチバイブレー
ク」に記載されているので一般的動作原理については省
略する。
しかしながら出力周波数のより正確な値は次の如く与え
られる。
られる。
即ち第１図においてトランジスタ１のペースエミツタ電
圧■ＢＥ１はトランジスタ１が導通して２■なるエミツ
タ電流を流している時（以下これ％ＶＢＥｔ （ ２
Ｉ ）と記す）と、遮断状態から極くわずかの電流が流
れて導通しはじめる時（以下これをＶＢＥＩ（ Ｉ；０
）と記す）とでは大きさが異る。
圧■ＢＥ１はトランジスタ１が導通して２■なるエミツ
タ電流を流している時（以下これ％ＶＢＥｔ （ ２
Ｉ ）と記す）と、遮断状態から極くわずかの電流が流
れて導通しはじめる時（以下これをＶＢＥＩ（ Ｉ；０
）と記す）とでは大きさが異る。
このことはトランジスタ２についてモ同様テアッテ、各
々ｖＢ０２（２■）及びＶＢＢ２（Ｉ’０）と記す。
々ｖＢ０２（２■）及びＶＢＢ２（Ｉ’０）と記す。
モして■ＢＥ１（２■）二■ＢＥ２ （ ２ Ｉ ）・
ＶＢＢＩ （ Ｉ ”： ０） 一ＶＢＥ ２（Ｉ”；
０）と仮定すると出力周波数は、で与えられる。
ＶＢＢＩ （ Ｉ ”： ０） 一ＶＢＥ ２（Ｉ”；
０）と仮定すると出力周波数は、で与えられる。
（２）式において、■ＢＥ１（２Ｉ）の温度特性とＶＢ
Ｅ１（ Ｉ”０）の温度特性は一般に一致せず、結果と
して（２）式は一般にベースエミツ夕間電圧の持つ温度
特性の影響を受けて温度特性を持つ。
Ｅ１（ Ｉ”０）の温度特性は一般に一致せず、結果と
して（２）式は一般にベースエミツ夕間電圧の持つ温度
特性の影響を受けて温度特性を持つ。
なお、（２）式は、トランジスタ３と４に流れる電流が
一般的には温度特性をもつことによる影響を無視してあ
らわされている。
一般的には温度特性をもつことによる影響を無視してあ
らわされている。
ところで、トランジスタ３および４はトランジスタ２お
よび１のしゃ断に追随してしゃ断する必要はなく、これ
らのエミツタに定電流源を付加することにより、これら
を常時導通状態とすることができる。
よび１のしゃ断に追随してしゃ断する必要はなく、これ
らのエミツタに定電流源を付加することにより、これら
を常時導通状態とすることができる。
この場合にはトランジスタ３と４のペースエミツタ間電
圧を等しく設定することができ、回路の温度特性はトラ
ンジスタ１と２のＶＢＨの温度特性が支配的となる。
圧を等しく設定することができ、回路の温度特性はトラ
ンジスタ１と２のＶＢＨの温度特性が支配的となる。
（２）式はこのような仮定をふまえてあらわしたもので
ある。
ある。
すなわち、第１図のマルチバイブレークでは、その構戒
主体であるトランジスタ１には必ずしゃ断の状態が生じ
、ＶＢＥＩ （ ２ Ｉ ）の温度特性とＶＢＥＩ（
Ｉ；０）の温度特性が一致しないことに基く基本的な影
響が存在する。
主体であるトランジスタ１には必ずしゃ断の状態が生じ
、ＶＢＥＩ （ ２ Ｉ ）の温度特性とＶＢＥＩ（
Ｉ；０）の温度特性が一致しないことに基く基本的な影
響が存在する。
又（２）式は絶対値として｛ＶＢＢＩ （ ２ Ｉ ）
一ＶＢＢＩ（ ■＝Ｏ）｝がＲＩＴに比して一般に無
視できない値であり、設計上も若干の不都合を持つ。
一ＶＢＢＩ（ ■＝Ｏ）｝がＲＩＴに比して一般に無
視できない値であり、設計上も若干の不都合を持つ。
本発明ハ（２）式における〔ｖＢＥ１（２■）−■ＢＥ
１（Ｉ’０））の電圧に等しい電圧をマルチバイブレー
クのコレクタ回路、若しくはベース帰還回路中において
等価的に発生せしめることにより、出力周波数が（１）
式で与えられるようにし、制御電圧に対して線型性のす
ぐれた、また温度特性の改良された電圧制御型マルチバ
イブレークを提供することを目的とする。
１（Ｉ’０））の電圧に等しい電圧をマルチバイブレー
クのコレクタ回路、若しくはベース帰還回路中において
等価的に発生せしめることにより、出力周波数が（１）
式で与えられるようにし、制御電圧に対して線型性のす
ぐれた、また温度特性の改良された電圧制御型マルチバ
イブレークを提供することを目的とする。
以下図面とともに本発明を説明する。
第２図において、トランジスタ２１及びトランジスタ２
２はマルチバイブレークの基本となるスイッチング素子
である。
２はマルチバイブレークの基本となるスイッチング素子
である。
トランジスタ３１．３２は電流ステアリングトランジス
タで抵抗２５及び２６に導通時にＩＴの電流を流して一
定に保つ作用をする。
タで抵抗２５及び２６に導通時にＩＴの電流を流して一
定に保つ作用をする。
本発明は第２図の回路においてベース電圧補償素子２７
．２８又は２９及び３０を持っている点にその特徴があ
る。
．２８又は２９及び３０を持っている点にその特徴があ
る。
実際には２７．２８の組合せを使用するか、あるいは２
９．３０の組合せを使用するかして実現できる。
９．３０の組合せを使用するかして実現できる。
以下ベース電圧補償素子２７．２８，２９．３０につい
てその動作をさらに詳しく説明する。
てその動作をさらに詳しく説明する。
ベー？電圧補償素子２７及び２８は、例えばダイオード
を用いて構成することが出来る。
を用いて構成することが出来る。
一方、ベース電圧補償素子２９．３０は電流切換回路を
含む電流源もしくは電流切換回路を含む電流源と抵抗又
はトランジスタ又はダイオード等の素子で以って構成す
ることが出来る。
含む電流源もしくは電流切換回路を含む電流源と抵抗又
はトランジスタ又はダイオード等の素子で以って構成す
ることが出来る。
はじめにベース電圧補償素子２７．２８のみを用いた場
合、特にベース電圧補償素子２７．２８として、ダイオ
ードＤ２７ １ Ｄ２８を用いる場合について説明を行
う。
合、特にベース電圧補償素子２７．２８として、ダイオ
ードＤ２７ １ Ｄ２８を用いる場合について説明を行
う。
説明を簡単にするためトランジスタ２３及び２４のエミ
ツタ電流はトランジスタ２１及び２２を交互に駆動する
にもかかわらず十分大きな定電流源に接続されている等
の方法により、常に一定と見なし得るとする。
ツタ電流はトランジスタ２１及び２２を交互に駆動する
にもかかわらず十分大きな定電流源に接続されている等
の方法により、常に一定と見なし得るとする。
そしてベース電圧補償素子２９．３０の両端はそれぞれ
短絡されているものとする。
短絡されているものとする。
今トランジスタ２１が導通であってトランジスタ２２の
エミツタ電位がコンデンサ３５と電流源３８の放電作用
によって下降し、丁度トランジスタ２２が導通をしはじ
める瞬間をスタートポイントとする。
エミツタ電位がコンデンサ３５と電流源３８の放電作用
によって下降し、丁度トランジスタ２２が導通をしはじ
める瞬間をスタートポイントとする。
この時を１＝０と置く。
するとトランジスタ２１のエミツタｔ位■２１Ｅ及びト
ランジスタ２２のエミッタ電位■２えは、 ？お、（４）式において、Ｒ１は抵抗２５の抵抗値であ
り、Ｄ２８（■；Ｏ）およびＤ２（２■）はｔｏの時の
ダイオード２７．２８での電圧降下である。
ランジスタ２２のエミッタ電位■２えは、 ？お、（４）式において、Ｒ１は抵抗２５の抵抗値であ
り、Ｄ２８（■；Ｏ）およびＤ２（２■）はｔｏの時の
ダイオード２７．２８での電圧降下である。
従ってコンデンサ３５の容量をＣとし、その電圧はトラ
ンジスタ２１のエミツタからトランジスタ２２のエミツ
タを見て、 となる。
ンジスタ２１のエミツタからトランジスタ２２のエミツ
タを見て、 となる。
さてｔ＝Ｑからｔ ＝Ｔ１迄の時間が経過して今度はト
ランジスタ２２が導通状態であってトラン？スタ２１の
エミツタ電位がコンデンサ３５と電流源３８の充電作用
によって下降し、丁度トランジスタ２１が導通をはじめ
たとするときのトランジスタ２１．２２のエミツタ電位
■２１Ｅ（ｔ二Ｔ１），■２Ｅ（ｔ−Ｔ１）は、 となって（１）式と一致し、温度特性が改善されたこと
になると同時に設計上便利な簡単な式が得られる０ 以上はベース電圧補償素子２７．２８のみを用いた場合
について説明したが、ベース電圧補償素子として２９
，３０のみを用いる場合についても全く同様の手段で実
現できることは明らかである。
ランジスタ２２が導通状態であってトラン？スタ２１の
エミツタ電位がコンデンサ３５と電流源３８の充電作用
によって下降し、丁度トランジスタ２１が導通をはじめ
たとするときのトランジスタ２１．２２のエミツタ電位
■２１Ｅ（ｔ二Ｔ１），■２Ｅ（ｔ−Ｔ１）は、 となって（１）式と一致し、温度特性が改善されたこと
になると同時に設計上便利な簡単な式が得られる０ 以上はベース電圧補償素子２７．２８のみを用いた場合
について説明したが、ベース電圧補償素子として２９
，３０のみを用いる場合についても全く同様の手段で実
現できることは明らかである。
但し、ｖ２，及びＶ３０をそれぞれベース電圧補償素子
２９、及び３０の端子間電圧とすると、トランジスタ２
１が遮断時の■２９とトランジスタ２１が導通時の■２
９をそれぞれＶ２９ （２１ ０ＦＦ） ｌ ■２９（
２１ ０Ｎ）とし、Ｖ３０も同様に■３ｏ （２２
０ＦＦ）ｙ■３０（２２ ０Ｎ）とするとき、 となるようにＶ２９ １ Ｖ３０の端子電圧を切換れば
良い。
２９、及び３０の端子間電圧とすると、トランジスタ２
１が遮断時の■２９とトランジスタ２１が導通時の■２
９をそれぞれＶ２９ （２１ ０ＦＦ） ｌ ■２９（
２１ ０Ｎ）とし、Ｖ３０も同様に■３ｏ （２２
０ＦＦ）ｙ■３０（２２ ０Ｎ）とするとき、 となるようにＶ２９ １ Ｖ３０の端子電圧を切換れば
良い。
このようにするとき出力周波数が（１２）式で決定され
る。
る。
なお、（１３）式を満足せしめる手段は例えば第３図に
示すように電流源４２、切換スイッチ回路３９、電圧降
下素子４０及び４１，定電流源４３、及び４４を回路中
へ接続配置するとともに、トランジスタ２１が導通のと
きはスイッチ３９が電圧降下素子４０に接続され、トラ
ンジスタ２２が導通しているときはスイッチ３９、電圧
降下素子４１に接続されるようにすることによって構成
することができる。
示すように電流源４２、切換スイッチ回路３９、電圧降
下素子４０及び４１，定電流源４３、及び４４を回路中
へ接続配置するとともに、トランジスタ２１が導通のと
きはスイッチ３９が電圧降下素子４０に接続され、トラ
ンジスタ２２が導通しているときはスイッチ３９、電圧
降下素子４１に接続されるようにすることによって構成
することができる。
ところで、電圧降下素子４０および４１として抵抗を用
いた場合には、切換スイッチ回路３９を、トランジスタ
２１が導通時に電流源４２を抵抗４０の側へ接続し、一
方トランジスタ２２が導通時に電流源４２を抵抗４１の
側へ接続するように設計するならば、 と設定する。
いた場合には、切換スイッチ回路３９を、トランジスタ
２１が導通時に電流源４２を抵抗４０の側へ接続し、一
方トランジスタ２２が導通時に電流源４２を抵抗４１の
側へ接続するように設計するならば、 と設定する。
一方、電圧降下素子４０．４１としてダイオードを用い
た場合にも、電流源４２のダイオード４０および４２へ
の接続関係が上記の抵抗使用の場合と同じとなるように
切換スイッチ回路を設計すると、 ？なる。
た場合にも、電流源４２のダイオード４０および４２へ
の接続関係が上記の抵抗使用の場合と同じとなるように
切換スイッチ回路を設計すると、 ？なる。
ここでｖｄ４ｏ，■ｄ４１はダイオード４０，４１の電
圧降下である。
圧降下である。
したがって、■４を２■に等しく設定する。
電流源４２の電流Ｉ４２を上記のように設定することに
より（１３）式を満足することができる。
より（１３）式を満足することができる。
すなわち、第１図のマルチバイブレークでは、その構或
主体であるトランジスタ１には必ずしゃ断の状態が生じ
、ＶＢＥＩ （ ２ Ｉ ）の温度特性とＶＢＥＩ（Ｉ
’０）の温度特性が一致しないことに基く基本的な影響
が存在する。
主体であるトランジスタ１には必ずしゃ断の状態が生じ
、ＶＢＥＩ （ ２ Ｉ ）の温度特性とＶＢＥＩ（Ｉ
’０）の温度特性が一致しないことに基く基本的な影響
が存在する。
第４図は本発明の他の実施例を示すもので、電流源４３
がスイッチング回路４５の作用によってトランジスタ２
１が導通の場合はトランジスタ２１はトランジスタ２１
のエミツタに接続されている該電流源の出力端子４６の
出力電流がＩＴ−Ｉであり、トランジスタ２２のエミツ
タに接続されている出力端子４７の出力電流が■である
ような型式のマルチバイブレークに対する本発明の実施
例を示すものである。
がスイッチング回路４５の作用によってトランジスタ２
１が導通の場合はトランジスタ２１はトランジスタ２１
のエミツタに接続されている該電流源の出力端子４６の
出力電流がＩＴ−Ｉであり、トランジスタ２２のエミツ
タに接続されている出力端子４７の出力電流が■である
ような型式のマルチバイブレークに対する本発明の実施
例を示すものである。
この場合においては（２）式に対応する式は、
となり、■Ｔが一定であるので本発明の応用はより容易
に行い得るのである。
に行い得るのである。
例えば第３図の電流源４２の電流値と温度特性を決定す
る場合ＩＴに着目して行えばよいからである。
る場合ＩＴに着目して行えばよいからである。
以上説明したように、負荷抵抗と直列に電圧補償素子が
接続されるが、もしくは前記２個のスイッチング素子の
ベース帰還回路中に電流切換回路を接続し、前記電流切
換回路により発生する電圧降下を帰還させることを特徴
とする本発明の電圧制御型マルチバイブレークは、温度
特性が非常に改善され、さらには制御電圧に対して出力
周波数の線型性が優れた、非常に実用的価値の高いもの
である。
接続されるが、もしくは前記２個のスイッチング素子の
ベース帰還回路中に電流切換回路を接続し、前記電流切
換回路により発生する電圧降下を帰還させることを特徴
とする本発明の電圧制御型マルチバイブレークは、温度
特性が非常に改善され、さらには制御電圧に対して出力
周波数の線型性が優れた、非常に実用的価値の高いもの
である。
第１図は従来の電圧制御型マルチバイブレークを示す図
、第２図は本発明のマルチバイブレークの説明図、第３
図は本発明の電圧制御型マルチバイブレークの一実施例
を示す図、第４図は本発明の電圧制御型マルチバイブレ
ークの他の実施例を示す図である。 ２１ ，２２，２３，２４ ，３１ ，３２・・・
・・・トランジスタ、２５．２６・・・・・・負荷抵抗
、２７．２８・・・・・・電圧補償素子、２９ ． ３
０・・・・・・電流切換回路、３３．３４・・・・・・
抵抗、３５・・・・・・コンデンサ、３６，３７．３８
・・・・・・電流源、３９・・・・・・スイッチ、４０
，４１・・・・・・電流降下素子、４２，４３，４４・
・・・・・電流源、４５・・・・・・スイッチング回路
、４８・・・・・・電流源。
、第２図は本発明のマルチバイブレークの説明図、第３
図は本発明の電圧制御型マルチバイブレークの一実施例
を示す図、第４図は本発明の電圧制御型マルチバイブレ
ークの他の実施例を示す図である。 ２１ ，２２，２３，２４ ，３１ ，３２・・・
・・・トランジスタ、２５．２６・・・・・・負荷抵抗
、２７．２８・・・・・・電圧補償素子、２９ ． ３
０・・・・・・電流切換回路、３３．３４・・・・・・
抵抗、３５・・・・・・コンデンサ、３６，３７．３８
・・・・・・電流源、３９・・・・・・スイッチ、４０
，４１・・・・・・電流降下素子、４２，４３，４４・
・・・・・電流源、４５・・・・・・スイッチング回路
、４８・・・・・・電流源。
Claims (1)
- １ 少くとも１個の抵抗を含む負荷が出力端子に接続さ
れ、エミツタ間が充放電素子を介して結合された一対の
スイッチングトランジスタを備え、前記抵抗と直列にダ
イオードを接続するか、もしくは前記スイッチングトラ
ンジスタの各ベース帰還回路に、同回路中に接続された
電圧降下発生素子と、切換スイッチ手段と、前記切換ス
イッチ手段で前記電圧降下素子へ交互に電流を流す電流
源とからなる回路を接続したことを特徴とする電圧制御
型マルチバイブレーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50089881A JPS5849045B2 (ja) | 1975-07-22 | 1975-07-22 | デンアツセイギヨガタマルチバイブレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50089881A JPS5849045B2 (ja) | 1975-07-22 | 1975-07-22 | デンアツセイギヨガタマルチバイブレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5214340A JPS5214340A (en) | 1977-02-03 |
| JPS5849045B2 true JPS5849045B2 (ja) | 1983-11-01 |
Family
ID=13983100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50089881A Expired JPS5849045B2 (ja) | 1975-07-22 | 1975-07-22 | デンアツセイギヨガタマルチバイブレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849045B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60104822A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Showa Mfg Co Ltd | 減衰力調整式緩衝器 |
| JPS60143238A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-29 | Aisin Seiki Co Ltd | 減衰力調整シヨツクアブソ−バ |
| JPS60159434A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-20 | Showa Mfg Co Ltd | 減衰力調整式緩衝器 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5914642A (en) * | 1996-05-01 | 1999-06-22 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Temperature independent current controlled multivibrator |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5062450U (ja) * | 1973-10-12 | 1975-06-07 |
-
1975
- 1975-07-22 JP JP50089881A patent/JPS5849045B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60104822A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Showa Mfg Co Ltd | 減衰力調整式緩衝器 |
| JPS60143238A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-29 | Aisin Seiki Co Ltd | 減衰力調整シヨツクアブソ−バ |
| JPS60159434A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-20 | Showa Mfg Co Ltd | 減衰力調整式緩衝器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5214340A (en) | 1977-02-03 |
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