JPS5847124A - 発生ガス温度の制御方法 - Google Patents

発生ガス温度の制御方法

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JPS5847124A
JPS5847124A JP14576881A JP14576881A JPS5847124A JP S5847124 A JPS5847124 A JP S5847124A JP 14576881 A JP14576881 A JP 14576881A JP 14576881 A JP14576881 A JP 14576881A JP S5847124 A JPS5847124 A JP S5847124A
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JP
Japan
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gas
temperature
furnace
heated
generated
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JP14576881A
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JPH0119051B2 (ja
Inventor
Shoji Furuya
古谷 昌二
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IHI Corp
Original Assignee
IHI Corp
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Publication date
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    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02CGAS-TURBINE PLANTS; AIR INTAKES FOR JET-PROPULSION PLANTS; CONTROLLING FUEL SUPPLY IN AIR-BREATHING JET-PROPULSION PLANTS
    • F02C7/00Features, components parts, details or accessories, not provided for in, or of interest apart form groups F02C1/00 - F02C6/00; Air intakes for jet-propulsion plants
    • F02C7/12Cooling of plants
    • F02C7/14Cooling of plants of fluids in the plant, e.g. lubricant or fuel
    • F02C7/141Cooling of plants of fluids in the plant, e.g. lubricant or fuel of working fluid

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Blast Furnaces (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高炉の炉頂から排出される発生ガスを乾式ガ
ス清浄装置を通した後、ガスの保有する温度/圧力エネ
ルギーを膨張式ガスタービンで回収する設備において、
高炉はその炉況に応じて短期的に発生ガス温度が異常に
高温となるときがあるが、この際のガスタービンに入る
前のガス温度を制御して安定化させる方法に関するもの
である。
高炉の発生ガス温度は通常100〜20−0℃程度であ
るが、短期的に800℃を越えることがある。
これに対し従来は、水を用いた湿式ガス清浄装置により
発生ガスの冷却と清浄化を行うようにしており、ガス清
浄化後のガス温度は常に約50℃の飽和状態になってお
り、このためガス顕熱は回収の対象とされていなかった
近年、従来の湿式ガス清浄装置に代って乾式のものを採
用してガスの温度低下を防止し、ガスの保有する温度/
圧力エネルギーを膨張ガスタービンで電力として回収す
ることが検討されている。しかるに、発生ガスの異−常
な温度変動に対するしかるべき対策を講じなければ機器
の損傷などをまねき安定したエネルギー回収を行うこと
ができない。
このため、発生ガスの異常高温に対しては、エネルギー
回収を行う前の炉頂ガス温度を検出して事後の対応策と
して炉頂部に水を噴射させ、水の気化熱によりガス温度
を下けて各機器の保護を行うようにしている。しかしこ
のようにした場合、水分を含んだガスが下流側において
低温配管に接触することにより冷却されてドレンを生じ
、ダストが管内に固着するという問題があり、更に乾式
ガス清浄装置の形式、種類によっては飽和に近いガスを
処理するのに適さないものがある。即ち、ガス清浄装置
ガスが露点に達して集塵エレメントを濡らし、捕集ダス
トの除去ができなくなりその結果集塵機能を著しく低下
させてしまう。
本発明はこのような点に鑑みなしたもので、高炉の炉頂
から排出される発生ガスからガスタービンによってエネ
ルギーを回収する方法において、前記炉頂からの発生ガ
スを熱容量大なる物質に接触させた後、該接触前の発生
ガス温度に応じて該発生ガスに水を噴射せしめ前記ガス
タービンに導くガスの温度を制御することを特徴とする
発生ガス温度の制御方法、に係るものである。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図に示す如く、高炉本体(1)で発生したガスを、
炉頂ガス管(2)を経由して例えはグラベル(砂状物質
)ベッド式のような乾式のガス清浄蓄熱装置(3)に導
き、ここで発生ガス中に含まれているダストを除去した
後、更に清浄ガス管(4)によりセプタム弁(5)と並
列配置されたガスタービン(6)を介してガスホルダー
(7)に導き、図示しない利用先に配送して燃料ガス等
として利用するようにしている。
更に、前記発生ガスの短期的な異常温度上昇に対処する
ために、炉頂ガス管(2)に炉頂温度検出端(8)を設
けてガスの異常温度上昇を検出し、その信号をコントロ
ーラ(9)を経由して電動弁(ト)に送り、ガスタービ
ン(6)の上流側の清浄ガス管(4)に設けた散水ノズ
ルαυより冷却水を噴射させて清浄ガスの異常な温度上
昇を防止するようにしている。
通常、高炉本体(1)から排出される発生ガスの温度は
、100〜200℃の間の略一定の温度に維持されてい
るが、高炉内部でガスの吹抜けがあったような場合は短
期的に800℃を越えた高温ガスが流れることがある。
このような場合、ガス清浄蓄熱装置(3)の内部に充填
されたフィルターとしての熱容量が大なるグラベル(砂
状物質)が、前記高温ガスにより加熱されて−Hガスの
熱エネルギーを吸収、蓄熱する。この過程でガスは冷却
される。次いで発生ガス温度が通常レベルに復帰すると
、加熱されたグラベルの方が温度が高いので温度がバラ
ンスするまでガスを加熱することになる。
このため、ガス清浄蓄熱装置(3)の出口においては、
入口部の温度変化が第2図の実線(イ)で示す如くであ
るのに対し、破線−)で示す如く通常温度(ハ)に近い
温度で平準化され、しかも温度変化が少し遅れて現われ
る。即ち、炉頂ガス温度の変化開始に対し時間遅れに)
をおいて清浄ガス温度の変化が現われる。清浄ガス温度
の平準化の程度と変化時間の遅れ度合は、ガス清浄蓄熱
装置(3)内のグラベルの蓄熱容量の太ささと伝熱特性
によって決まるので、ガス清浄蓄熱装置(3)の入口ガ
ス温度の変化状態をもとに出口ガス温度の変化を理論計
算により成る程度予測することができる。
従って、炉頂温度検出端(8)にて炉頂ガス温度を検出
し、コントローラ(9)で演算、制御を行うことにより
、散水ノズルαηから吹込む水量を清浄ガスの温度変化
に応じて自動的に調節しガスタービン(6)に入るガス
温度を実質的に一定に保つことができ、よってガスター
ビンの安全運転を確保することができる。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるものではなく
、ガス清浄装置と別個に蓄熱器を設けるようにしても同
様に作用することができること、炉頂温度検出端により
炉頂部の温度を直接検出するようにしても良いこと、グ
ラベルとしては種々のものを採用し得、ること、その他
本発明の要旨を逸脱しない範囲内において棟々変更を加
え得るこ七、等は勿論である。
上述した本発明の発生ガス温度の制御方法によれば下記
の如き優れた効果を奏し得る。
(1)  高炉から排出される発生ガスの保有する熱エ
ネルギーを安定して回収することができる。
(II)  温度変化に時間遅れがあるので、その間の
時間を利用して対応させるので、対応遅れがなく、冷し
過ぎも防止できる。
(Mリ  ガス清浄蓄熱装置よりも下流側において冷却
水を噴射させるので、ガス清浄蓄熱装置の集塵効率に影
響を与える心配がなく、ドレンによるダストの管内固着
も防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を実施する装置の一例を示す説明
図、第2図は発生ガスの温度変化を示す線図である。 (1)は高炉本体、(2)は炉頂ガス管、(3)はガス
清浄蓄熱装置%(4)は清浄ガス管、(6)はガスター
ビン、(8)は炉頂温度検出端、(9)はコントローラ
、aυは散水ノズルを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)高炉の炉頂から排出される発生ガスからガスタービ
    ンによってエネルギーを回収する方法において、前記炉
    頂からの発生ガスを熱容量大なる物質に接触させた後、
    該接触前の発、 生ガス温度に応じて該発生ガスに水を
    噴射せしめ前記ガスタービンに導くガスの温度を制御す
    ることを特徴とする発生ガス温度の制御方法。
JP14576881A 1981-09-16 1981-09-16 発生ガス温度の制御方法 Granted JPS5847124A (ja)

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JPS5847124A true JPS5847124A (ja) 1983-03-18
JPH0119051B2 JPH0119051B2 (ja) 1989-04-10

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