JPS5846054B2 - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS5846054B2 JPS5846054B2 JP52011394A JP1139477A JPS5846054B2 JP S5846054 B2 JPS5846054 B2 JP S5846054B2 JP 52011394 A JP52011394 A JP 52011394A JP 1139477 A JP1139477 A JP 1139477A JP S5846054 B2 JPS5846054 B2 JP S5846054B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- measurement
- photomask
- etched
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真蝕刻技術等に使用されるフォトマスクに関
するものである。
するものである。
例えば、半導体装置の製造工程において、写真蝕刻技術
による選択エツチング工程は重要な一要素となっている
。
による選択エツチング工程は重要な一要素となっている
。
そして写真蝕刻には感光樹脂層を選択露光させるための
フォトマスクが使用され、このフォトマスクとは透光性
の板状部材の表面に例えばクロム（Ｃｒ）等の金属を蒸
着し、マスクパターンどおりに選択エツチングしたもの
である。
フォトマスクが使用され、このフォトマスクとは透光性
の板状部材の表面に例えばクロム（Ｃｒ）等の金属を蒸
着し、マスクパターンどおりに選択エツチングしたもの
である。
ところで近年における半導体装置は集積回路（ＩＣ）を
はじめ、より微細化される傾向にあり、これにともない
フォトマスクのパターンの微細加工が要請されてきてい
る。
はじめ、より微細化される傾向にあり、これにともない
フォトマスクのパターンの微細加工が要請されてきてい
る。
しかしながら、フォトマスクの微細パターンは写真蝕刻
技術による選択エツチング方法で形成することから、パ
ターンの寸法精度はマスク（フォトレジスト）の特性や
形状、あるいはエツチング液の濃度に依存し、このため
各フォトマスク間にかなりなばらつきがみられる。
技術による選択エツチング方法で形成することから、パ
ターンの寸法精度はマスク（フォトレジスト）の特性や
形状、あるいはエツチング液の濃度に依存し、このため
各フォトマスク間にかなりなばらつきがみられる。
したがって、従来、フォトマス久製造後は特殊な機器等
を用いて各フォトマスクのパターン寸法測定を行なって
いるものであるが、極めて煩雑な作業をともない、また
測定者による個人誤差がめだっていた。
を用いて各フォトマスクのパターン寸法測定を行なって
いるものであるが、極めて煩雑な作業をともない、また
測定者による個人誤差がめだっていた。
それ故、本発明の目的は簡単な操作で、個人の測定誤差
の少ない寸法測定をなし得るフォトマスクを提供するも
のである。
の少ない寸法測定をなし得るフォトマスクを提供するも
のである。
このような目的を達成するために本発明は、２個の領域
を有し、この各領域が近接あるいは接続しているパター
ンを主パターン形成領域以外の領域に設けたものである
。
を有し、この各領域が近接あるいは接続しているパター
ンを主パターン形成領域以外の領域に設けたものである
。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係るフォトマスクの一実施例を示す外
観構成図である。
観構成図である。
同図において、矩形状の透光性板状部材１があり、この
一表面はほぼ半導体ウェーバの大きさに対応できる程度
の大きさで、例えばクロム蒸着膜の選択エツチング方法
で形成された主パターン２が形成されている。
一表面はほぼ半導体ウェーバの大きさに対応できる程度
の大きさで、例えばクロム蒸着膜の選択エツチング方法
で形成された主パターン２が形成されている。
そして前記主パターン２の形成領域以外の領域には主パ
ターン２と同時に形成される測定用パターン３が形成さ
れており、この測定用パターン３は第２図ａないしＣの
態様のうちいずれか一つのパターンを有している。
ターン２と同時に形成される測定用パターン３が形成さ
れており、この測定用パターン３は第２図ａないしＣの
態様のうちいずれか一つのパターンを有している。
すなわち第２図ａは矩形状からなる２個の領域４および
５からなり、これらは各各−角部で点接触しているもの
、第２図すはやはり矩形状からなる２個の領域４および
５からなるが、この各領域はその大きさが第２図ａの場
合よりも若干小さめでかつ分離されているもの、第２図
Ｃは前記各領域はその大きさが第２図ａの場合よりも若
干大きめでかつ各々−角部において重畳されたような形
状を有するものである。
５からなり、これらは各各−角部で点接触しているもの
、第２図すはやはり矩形状からなる２個の領域４および
５からなるが、この各領域はその大きさが第２図ａの場
合よりも若干小さめでかつ分離されているもの、第２図
Ｃは前記各領域はその大きさが第２図ａの場合よりも若
干大きめでかつ各々−角部において重畳されたような形
状を有するものである。
すなわち、このような構成からなる測定用パターン３を
主パターン２形成と同時に形成しておけば、主パターン
２形成の際に行なわれる選択エツチングの過剰あるいは
不足がそのまま測定用パターン３に著われることになる
。
主パターン２形成と同時に形成しておけば、主パターン
２形成の際に行なわれる選択エツチングの過剰あるいは
不足がそのまま測定用パターン３に著われることになる
。
第２図ａに示すパターンが正常にエツチングなされた状
態とすると、第２図すに示すパターンは過剰エツチング
がなされた状態、第２図Ｃに示すパターンはエツチング
不足の状態となる。
態とすると、第２図すに示すパターンは過剰エツチング
がなされた状態、第２図Ｃに示すパターンはエツチング
不足の状態となる。
しかも、この各パターンは顕微鏡等で観察すれば明瞭に
判別でき、かつ観察者の個人差による判別誤差を生ずる
ことはまったくなくなる。
判別でき、かつ観察者の個人差による判別誤差を生ずる
ことはまったくなくなる。
本実施例では、主パターン２形成領域以外の領域に一組
の測定用パターン３を設けたものであるが、二組の測定
用パターンを設け、これにより許容誤差範囲内で主パタ
ーン２が形成されているかを明瞭に判別することもでき
る。
の測定用パターン３を設けたものであるが、二組の測定
用パターンを設け、これにより許容誤差範囲内で主パタ
ーン２が形成されているかを明瞭に判別することもでき
る。
すなわち、第３図で示すように、例えば、一辺が５μｍ
の矩形からなる領域６および７を各々−角部で０．２μ
ｍ角に重畳させるようにした形状の測定用パターン８と
、やはり一辺が５μｍの矩形からなる領域９および１０
を各々−角部で０．２μｍ離間させた測定用パターン１
１とを、主パターン２と同時に形成するようにする。
の矩形からなる領域６および７を各々−角部で０．２μ
ｍ角に重畳させるようにした形状の測定用パターン８と
、やはり一辺が５μｍの矩形からなる領域９および１０
を各々−角部で０．２μｍ離間させた測定用パターン１
１とを、主パターン２と同時に形成するようにする。
このようにすれば、測定用パターン８の各領域６，７が
分離しないように選択エツチングできる寸法の限界は４
．８μｍ角であり、測定用パターン１１の各領域９，１
０が重畳するような形成にならないように選択エツチン
グできる寸法の限界は５．２μｍ角である。
分離しないように選択エツチングできる寸法の限界は４
．８μｍ角であり、測定用パターン１１の各領域９，１
０が重畳するような形成にならないように選択エツチン
グできる寸法の限界は５．２μｍ角である。
したがって第３図で示す２組の測定用パターン８および
１１を顕微鏡等で観察し、測定用パターン８が重畳され
ているような形状、そして測定用パターン１１が分離さ
れているような形状となっていることを認識できれば、
５±０．２μｍの寸法精度を満足していることが直読で
きる。
１１を顕微鏡等で観察し、測定用パターン８が重畳され
ているような形状、そして測定用パターン１１が分離さ
れているような形状となっていることを認識できれば、
５±０．２μｍの寸法精度を満足していることが直読で
きる。
また、例えば半導体基板上面に形成された絶縁膜にコン
タクト孔等の窓開けをする場合、選択エツチングの際の
種々のパラメータでコンタクト孔面積によりエツチング
速度が異なっていることが判っている。
タクト孔等の窓開けをする場合、選択エツチングの際の
種々のパラメータでコンタクト孔面積によりエツチング
速度が異なっていることが判っている。
この場合において、各々面積の異なるコンタクト孔のう
ち、いずれがエツチング過剰あるいは不足かを認識した
いときがある。
ち、いずれがエツチング過剰あるいは不足かを認識した
いときがある。
このようなとき第４図で示す如く、主パターン中の各コ
ンタクト孔の面積に対応させた領域から形成される測定
用パターンを種々設け、実施例で示したように判断すれ
ば、どのコンタクト孔がエツチング過剰あるいは不足し
たかを容易に識別できることができる。
ンタクト孔の面積に対応させた領域から形成される測定
用パターンを種々設け、実施例で示したように判断すれ
ば、どのコンタクト孔がエツチング過剰あるいは不足し
たかを容易に識別できることができる。
また、このような目的を達成しようとする場合において
、１コンタクト孔に対応させた各測定用パターンを第３
図で示したように２組で構成するようにすれば、各コン
タクト孔が許容誤差範囲内にあるか否かも容易に識別で
きることとなる。
、１コンタクト孔に対応させた各測定用パターンを第３
図で示したように２組で構成するようにすれば、各コン
タクト孔が許容誤差範囲内にあるか否かも容易に識別で
きることとなる。
また、上述した各実施例では、すべて測定用パターンの
各領域は例えば透光性板状部材面上に形成したクロム蒸
着膜で形成したものであるが、必ずしもこれに限定され
ることはなく、クロム蒸着膜をパックに白抜きした部分
を測定用パターンの各領域としてもよい。
各領域は例えば透光性板状部材面上に形成したクロム蒸
着膜で形成したものであるが、必ずしもこれに限定され
ることはなく、クロム蒸着膜をパックに白抜きした部分
を測定用パターンの各領域としてもよい。
例えば本実施例で述べた各態様のパターンは、第５図ａ
ないしＣで示す如く、クロム蒸着膜１２に各々−角部で
接触、接続あるいは分離されているような矩形状からな
る２個の領域４および５を白抜きで形成するが如きであ
る。
ないしＣで示す如く、クロム蒸着膜１２に各々−角部で
接触、接続あるいは分離されているような矩形状からな
る２個の領域４および５を白抜きで形成するが如きであ
る。
さらに上述した各実施例ではいずれも測定用パターンを
構成する２つの領域は矩形状にしたものであるが、丸形
状等信の形状であっても同様な効果が得られることはい
うまでもない。
構成する２つの領域は矩形状にしたものであるが、丸形
状等信の形状であっても同様な効果が得られることはい
うまでもない。
す、なわち、丸形状にした場合第６図で示す如く、第６
図ａは正常にエツチングがなされた状態、第６図すは過
剰エツチングがなされた状態、第６図Ｃはエツチング不
足を示すようになる。
図ａは正常にエツチングがなされた状態、第６図すは過
剰エツチングがなされた状態、第６図Ｃはエツチング不
足を示すようになる。
以上述べたように本発明に係るフォトマスクによれば、
選択エツチングで形成されるマスクパターンが、正常に
形成されているかを簡単な操作で、しかも個人の測定誤
差なく判別できるようになる。
選択エツチングで形成されるマスクパターンが、正常に
形成されているかを簡単な操作で、しかも個人の測定誤
差なく判別できるようになる。
第１図は本発明に係るフォトマスクの一実施例を示す外
観構成図、第２図は本発明の要部である測定用パターン
を示す平面図、第３図ないし第６図は本発明に係るフォ
トマスクの他の実施例を示す説明図である。 １・・・・・・透光性板状部材、２・・・・・・主パタ
ーン、３゜８．１１・・・・・・測定用パターン、４，
５，６，７゜９．１０・・・・・・領域、１２・・・・
・・クロム蒸着膜。
観構成図、第２図は本発明の要部である測定用パターン
を示す平面図、第３図ないし第６図は本発明に係るフォ
トマスクの他の実施例を示す説明図である。 １・・・・・・透光性板状部材、２・・・・・・主パタ
ーン、３゜８．１１・・・・・・測定用パターン、４，
５，６，７゜９．１０・・・・・・領域、１２・・・・
・・クロム蒸着膜。
Claims (1)
- １２個の領域を有し、この各領域が近接あるいは接続し
ているパターンを主パターンと同時に主パターン形成領
域以外の領域に設けたことを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52011394A JPS5846054B2 (ja) | 1977-02-03 | 1977-02-03 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52011394A JPS5846054B2 (ja) | 1977-02-03 | 1977-02-03 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5396674A JPS5396674A (en) | 1978-08-24 |
| JPS5846054B2 true JPS5846054B2 (ja) | 1983-10-14 |
Family
ID=11776784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52011394A Expired JPS5846054B2 (ja) | 1977-02-03 | 1977-02-03 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846054B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825034Y2 (ja) * | 1979-08-24 | 1983-05-28 | 信 伊藤 | 水洗トイレ用接続管 |
| JPS5741637A (en) * | 1980-08-26 | 1982-03-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Microstep tablet |
| JPS582845A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Toshiba Corp | フォトマスク及びパタ−ン評価方法 |
| JPS5821141U (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-09 | 沖電気工業株式会社 | マスクパタ−ン |
| JPS5960439A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Fujitsu Ltd | フオト・マスク |
| JPS5989352U (ja) * | 1982-12-07 | 1984-06-16 | 富士通株式会社 | 縮小投影露光用フォトマスク |
| JPS59105647A (ja) * | 1982-12-09 | 1984-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
| JPS63281439A (ja) * | 1987-05-13 | 1988-11-17 | Fujitsu Ltd | 焼き付けずれチェック方法 |
| JPH07111953B2 (ja) * | 1988-12-13 | 1995-11-29 | 富士通株式会社 | ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 |
| JP6189242B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2017-08-30 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
-
1977
- 1977-02-03 JP JP52011394A patent/JPS5846054B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5396674A (en) | 1978-08-24 |
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