JPH07111953B2 - ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 - Google Patents
ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法Info
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- JPH07111953B2 JPH07111953B2 JP63314151A JP31415188A JPH07111953B2 JP H07111953 B2 JPH07111953 B2 JP H07111953B2 JP 63314151 A JP63314151 A JP 63314151A JP 31415188 A JP31415188 A JP 31415188A JP H07111953 B2 JPH07111953 B2 JP H07111953B2
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- resist pattern
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置などを製造する際のホトリソグラフィの露光
における、露光用マスク上の所要パターンが所定の像倍
率で転写されて基板上のレジスト膜に形成される所要レ
ジストパターンの寸法管理の方法に関し、 パターンが超微細幅である場合の上記寸法管理に対し
て、レジストパターンの微細幅の寸法を簡便に素早く且
つ高精度に測定することができるが、超微細幅になると
測定が困難である比較的安価な測定器を使用し得るよう
にして、然も、露光量が適正になるようにすることを目
的とし、 基板上のレジスト膜に幅寸法が使用希望の測定器の測定
範囲を超えて微細な所要レジストパターンと幅寸法が該
測定器の測定範囲内である基準レジストパターンとを同
一露光用マスクによる同時露光で形成し、該測定器によ
り該基準レジストパターンの幅寸法を測定し、該露光用
マスクの該基準レジストパターンに対応する基準パター
ンの幅寸法に露光の縮小率を乗じた値と該基準レジスト
パターンの幅寸法との差で示される露光シフト量を求
め、該露光シフト量が予め定めた範囲に収まるように露
光量を制御する。
における、露光用マスク上の所要パターンが所定の像倍
率で転写されて基板上のレジスト膜に形成される所要レ
ジストパターンの寸法管理の方法に関し、 パターンが超微細幅である場合の上記寸法管理に対し
て、レジストパターンの微細幅の寸法を簡便に素早く且
つ高精度に測定することができるが、超微細幅になると
測定が困難である比較的安価な測定器を使用し得るよう
にして、然も、露光量が適正になるようにすることを目
的とし、 基板上のレジスト膜に幅寸法が使用希望の測定器の測定
範囲を超えて微細な所要レジストパターンと幅寸法が該
測定器の測定範囲内である基準レジストパターンとを同
一露光用マスクによる同時露光で形成し、該測定器によ
り該基準レジストパターンの幅寸法を測定し、該露光用
マスクの該基準レジストパターンに対応する基準パター
ンの幅寸法に露光の縮小率を乗じた値と該基準レジスト
パターンの幅寸法との差で示される露光シフト量を求
め、該露光シフト量が予め定めた範囲に収まるように露
光量を制御する。
本発明は、ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法に
係り、特に、半導体装置などを製造する際のホトリソグ
ラフィの露光における、露光用マスク上の所要パターン
が所定の像倍率で転写されて基板上のレジスト膜に形成
される所要レジストパターンの寸法管理方法に関する。
係り、特に、半導体装置などを製造する際のホトリソグ
ラフィの露光における、露光用マスク上の所要パターン
が所定の像倍率で転写されて基板上のレジスト膜に形成
される所要レジストパターンの寸法管理方法に関する。
上記のホトリソグラフィでは、基板に加工するパターン
の形成に必要であって転写元になる上記所要パターンを
露光用マスク上に設け、露光によりこの所要パターンを
所定の像倍率で基板上のレジスト膜に転写して上記所要
レジストパターンを形成し、この所要レジストパターン
をマスクにしたエッチングにより基板に所要レジストパ
ターンを転写して所望の加工パターンを形成している。
の形成に必要であって転写元になる上記所要パターンを
露光用マスク上に設け、露光によりこの所要パターンを
所定の像倍率で基板上のレジスト膜に転写して上記所要
レジストパターンを形成し、この所要レジストパターン
をマスクにしたエッチングにより基板に所要レジストパ
ターンを転写して所望の加工パターンを形成している。
そこでは、二度の転写の間に介在する上記所要レジスト
パターンの寸法が上記加工パターンの寸法を支配するこ
とから、その所要レジストパターンの寸法管理が重要と
なり、そのために従来は、所要レジストパターンのパタ
ーン幅の寸法を測定して、その測定寸法から適否を判断
している。
パターンの寸法が上記加工パターンの寸法を支配するこ
とから、その所要レジストパターンの寸法管理が重要と
なり、そのために従来は、所要レジストパターンのパタ
ーン幅の寸法を測定して、その測定寸法から適否を判断
している。
この測定に使用される測定器は、凡そ次の３種類であ
る。
る。
視野に写ったパターンに目盛りを合わせて測定する
光学的顕微鏡。
光学的顕微鏡。
測定誤差は0.2μｍ程度である。
パターンに照射した光束の反射光を光学系で拡大
し、その中でスリットを移動して該スリットを通過した
光をホトマルチプライヤで検出することにより、パター
ンのエッジを高精度に検出する専用のパターン幅寸法測
定器。
し、その中でスリットを移動して該スリットを通過した
光をホトマルチプライヤで検出することにより、パター
ンのエッジを高精度に検出する専用のパターン幅寸法測
定器。
測定精度は0.05μｍ程度であり、測定可能なパターン幅
はクロムマスクで0.5μｍ程度以上であるがレジストパ
ターンでは１〜1.5μｍ程度以上となる。また、取扱は
簡便で測定に要する時間は一回当たり数十秒程度であ
る。
はクロムマスクで0.5μｍ程度以上であるがレジストパ
ターンでは１〜1.5μｍ程度以上となる。また、取扱は
簡便で測定に要する時間は一回当たり数十秒程度であ
る。
真空中においてパターンを電子ビームで走査する走
査型電子顕微鏡（SEM）。
査型電子顕微鏡（SEM）。
0.01μｍ単位の測定が可能であるが、測定に長時間（一
回当たり数十分程度）を要し然も装置価格が上記より
も極めて高価である。
回当たり数十分程度）を要し然も装置価格が上記より
も極めて高価である。
そして、パターン幅の微細化が進んだ現状においては、
の光学的顕微鏡が実用に耐えなくなって専らのパタ
ーン幅寸法測定器を賞用しており、更に微細化されて
のパターン幅寸法測定器で測定し得なくなった超微細幅
のパターンに対しては、のSEMを使用している。
の光学的顕微鏡が実用に耐えなくなって専らのパタ
ーン幅寸法測定器を賞用しており、更に微細化されて
のパターン幅寸法測定器で測定し得なくなった超微細幅
のパターンに対しては、のSEMを使用している。
しかしながら、SEMを使用した場合には、所要の測定に
長時間を要するため、半導体装置を製造する工程を素早
く進めようとしてもそれが阻害される問題がある。ま
た、使用する測定器はなるべく安価である方が望まし
い。
長時間を要するため、半導体装置を製造する工程を素早
く進めようとしてもそれが阻害される問題がある。ま
た、使用する測定器はなるべく安価である方が望まし
い。
然も、より大きな問題は、測定したパターン幅の寸法か
ら適否を判断する従来の管理方法によって露光量の過不
足が検出されないことである。
ら適否を判断する従来の管理方法によって露光量の過不
足が検出されないことである。
即ち、レジスト膜には適正な露光量があって、露光量の
過不足によりレジストパターンの側面のプロファイルが
変化する。その様相は、第３図（ａ）〜（ｃ）の側断面
図に模式的に示され、（ａ）は露光量不足の場合、
（ｂ）は露光量適正の場合、（ｃ）は露光量過剰の場
合、であり、図中の２がレジストパターンを示す。
過不足によりレジストパターンの側面のプロファイルが
変化する。その様相は、第３図（ａ）〜（ｃ）の側断面
図に模式的に示され、（ａ）は露光量不足の場合、
（ｂ）は露光量適正の場合、（ｃ）は露光量過剰の場
合、であり、図中の２がレジストパターンを示す。
露光量が適正な（ｂ）の場合には、レジストパターン２
の側面がほぼ垂直になり、基板をエッチングして形成し
た加工パターンのパターン幅の寸法がレジストパターン
２の測定寸法にほぼ一致して望ましいものとなるが、露
光量が不足な（ａ）の場合には、レジストパターン２の
側面に裾引きが生じて、加工パターンのパターン幅の寸
法がレジストパターン２の測定寸法より大きくなり所望
から外れる。露光量が過剰な（ｃ）の場合も（ａ）と同
様に所望から外れる。
の側面がほぼ垂直になり、基板をエッチングして形成し
た加工パターンのパターン幅の寸法がレジストパターン
２の測定寸法にほぼ一致して望ましいものとなるが、露
光量が不足な（ａ）の場合には、レジストパターン２の
側面に裾引きが生じて、加工パターンのパターン幅の寸
法がレジストパターン２の測定寸法より大きくなり所望
から外れる。露光量が過剰な（ｃ）の場合も（ａ）と同
様に所望から外れる。
そして、この外れが及ぼす悪影響は、加工パターンの微
細化が進むほど顕著になる。
細化が進むほど顕著になる。
そこで本発明は、半導体装置などを製造する際のホトリ
ソグラフィの露光における、露光用マスク上の所要パタ
ーンが所定の像倍率で転写されて基板上のレジスト膜に
形成される所要レジストパターンの寸法管理方法におい
て、パターンが超微細幅である場合の上記寸法管理に対
して、レジストパターンの微細幅の寸法を簡便に素早く
且つ高精度に測定することができるが、超微細幅になる
と測定が困難である比較的安価な測定器（具体的には前
述したパターン幅寸法測定器）を使用し得るようにし
て、然も、露光量が適正になるようにすることを目的と
する。
ソグラフィの露光における、露光用マスク上の所要パタ
ーンが所定の像倍率で転写されて基板上のレジスト膜に
形成される所要レジストパターンの寸法管理方法におい
て、パターンが超微細幅である場合の上記寸法管理に対
して、レジストパターンの微細幅の寸法を簡便に素早く
且つ高精度に測定することができるが、超微細幅になる
と測定が困難である比較的安価な測定器（具体的には前
述したパターン幅寸法測定器）を使用し得るようにし
て、然も、露光量が適正になるようにすることを目的と
する。
基板上のレジスト膜に幅寸法が使用希望の測定器の測定
範囲を超えて微細な所要レジストパターンと幅寸法が該
測定器の測定範囲内である基準レジストパターンとを同
一露光用マスクによる同時露光で形成し、該測定器によ
り該基準レジストパターンの幅寸法を測定し、該露光用
マスクの該基準レジストパターンに対応する基準パター
ンの幅寸法に露光の縮小率を乗じた値と該基準レジスト
パターンの幅寸法との差で示される露光シフト量を求
め、該露光シフト量が予め定めた範囲に収まるように露
光量を制御する本発明のパターン寸法管理方法によって
解決される。
範囲を超えて微細な所要レジストパターンと幅寸法が該
測定器の測定範囲内である基準レジストパターンとを同
一露光用マスクによる同時露光で形成し、該測定器によ
り該基準レジストパターンの幅寸法を測定し、該露光用
マスクの該基準レジストパターンに対応する基準パター
ンの幅寸法に露光の縮小率を乗じた値と該基準レジスト
パターンの幅寸法との差で示される露光シフト量を求
め、該露光シフト量が予め定めた範囲に収まるように露
光量を制御する本発明のパターン寸法管理方法によって
解決される。
本発明は、露光により露光用マスクパターンがレジスト
膜に投影される際の透光領域の投影幅寸法から、該露光
により形成されるレジストパターンの該透光領域に対応
する領域の幅寸法を減じた寸法である露光シフト量が、
レジストパターンの全域に渡って揃っていること、そし
て、露光量が適正である際にこの露光シフト量が或る寸
法範囲（レジストの種類や膜厚によって異なり、例えば
0.0〜−0.2μｍ）内にあることが経験的に知られている
こと、に着目したものである。
膜に投影される際の透光領域の投影幅寸法から、該露光
により形成されるレジストパターンの該透光領域に対応
する領域の幅寸法を減じた寸法である露光シフト量が、
レジストパターンの全域に渡って揃っていること、そし
て、露光量が適正である際にこの露光シフト量が或る寸
法範囲（レジストの種類や膜厚によって異なり、例えば
0.0〜−0.2μｍ）内にあることが経験的に知られている
こと、に着目したものである。
即ち、上記パターン寸法管理方法において、上記測定の
対象となる幅の寸法が使用希望の測定器によって高精度
に測定し得る範囲（例えば1.5μｍ以上）となるように
上記所定寸法を設定し、且つ、露光量が適正となる露光
シフト量の寸法範囲内に上記適宜な寸法範囲を設定する
ことにより、上記所要レジストパターンの幅が該測定器
の測定可能範囲を越えて微細になっても、該所望レジス
トパターンが所望の加工パターンを形成するのに適した
ものとなるように露光量を適正にさせるパターン寸法管
理を該測定器で行うことが可能になる。
対象となる幅の寸法が使用希望の測定器によって高精度
に測定し得る範囲（例えば1.5μｍ以上）となるように
上記所定寸法を設定し、且つ、露光量が適正となる露光
シフト量の寸法範囲内に上記適宜な寸法範囲を設定する
ことにより、上記所要レジストパターンの幅が該測定器
の測定可能範囲を越えて微細になっても、該所望レジス
トパターンが所望の加工パターンを形成するのに適した
ものとなるように露光量を適正にさせるパターン寸法管
理を該測定器で行うことが可能になる。
そして、該測定器を使用することにより、半導体装置の
製造工程を遅滞させないようにすることが可能になる。
製造工程を遅滞させないようにすることが可能になる。
以下本発明の実施例について図を用いて説明する。第１
図（ａ）〜（ｃ）は第１実施例を説明するパターン平面
図、第２図（ａ）〜（ｃ）は第２実施例を説明するパタ
ーン平面図、である。
図（ａ）〜（ｃ）は第１実施例を説明するパターン平面
図、第２図（ａ）〜（ｃ）は第２実施例を説明するパタ
ーン平面図、である。
第１実施例を説明する第１図において、（ａ）は露光用
マスク（レチクル）に設けたパターンを、（ｂ）は露光
により（ａ）のパターンを所定の像倍率（＝1/5）で転
写して基板上のポジ型レジスト膜に形成したレジストパ
ターンを、（ｃ）は（ｂ）のレジストパターンをマスク
にしたエッチングにより基板に形成した加工パターンを
示す。
マスク（レチクル）に設けたパターンを、（ｂ）は露光
により（ａ）のパターンを所定の像倍率（＝1/5）で転
写して基板上のポジ型レジスト膜に形成したレジストパ
ターンを、（ｃ）は（ｂ）のレジストパターンをマスク
にしたエッチングにより基板に形成した加工パターンを
示す。
そして、11は所要パターンの一部でW11がそのパターン
幅寸法、12は一定幅の遮光領域からなる基準パターンで
W12がその幅寸法、21は所要パターンの一部11を転写し
た所要レジストパターンの一部でW21がそのパターン幅
寸法、22は基準パターン12を転写した基準レジストパタ
ーンでW22がその幅寸法、31は所要レジストパターンの
一部21を転写した所要加工パターンの一部でW31がその
パターン幅寸法、32は基準レジストパターン22を転写し
た基準加工パターンでW32がその幅寸法、である。
幅寸法、12は一定幅の遮光領域からなる基準パターンで
W12がその幅寸法、21は所要パターンの一部11を転写し
た所要レジストパターンの一部でW21がそのパターン幅
寸法、22は基準パターン12を転写した基準レジストパタ
ーンでW22がその幅寸法、31は所要レジストパターンの
一部21を転写した所要加工パターンの一部でW31がその
パターン幅寸法、32は基準レジストパターン22を転写し
た基準加工パターンでW32がその幅寸法、である。
ここでは、像倍率が1/5の縮小露光を用いて所要加工パ
ターンのパターン幅寸法W31を1.0μｍにしようとするも
のである。そのためには、パターン幅寸法W21が1.0μｍ
の所要レジストパターンを露光量が適正な状態で形成す
る必要がある。そこで、パターン幅寸法W21が先に述べ
たパターン幅寸法測定器の測定範囲外となるにもかかわ
らずその測定器を用いて所望の寸法管理ができるように
するために、基準パターン21を導入して基準レジストパ
ターン22を形成している。
ターンのパターン幅寸法W31を1.0μｍにしようとするも
のである。そのためには、パターン幅寸法W21が1.0μｍ
の所要レジストパターンを露光量が適正な状態で形成す
る必要がある。そこで、パターン幅寸法W21が先に述べ
たパターン幅寸法測定器の測定範囲外となるにもかかわ
らずその測定器を用いて所望の寸法管理ができるように
するために、基準パターン21を導入して基準レジストパ
ターン22を形成している。
即ち、像倍率が1/5であることにより露光シフト量δは δ＝（W22）−（W12/5） で求められることから、露光シフト量δを適宜な寸法
（ここでは−0.1±0.05μｍ）に設定して露光量が適正
になるようにし、然も、基準レジストパターン22の幅寸
法W22が上記パターン幅寸法測定器の測定範囲（0.15μ
ｍ以上）内となるように、基準パターン12の幅寸法W12
を10.5μｍにしてある。いうまでもなく、所要パターン
のパターン幅寸法W11は、像倍率の露光シフト量δを勘
案して所要レジストパターンのパターン幅寸法W21が1.0
μｍとなるように6.5μｍにしてある。
（ここでは−0.1±0.05μｍ）に設定して露光量が適正
になるようにし、然も、基準レジストパターン22の幅寸
法W22が上記パターン幅寸法測定器の測定範囲（0.15μ
ｍ以上）内となるように、基準パターン12の幅寸法W12
を10.5μｍにしてある。いうまでもなく、所要パターン
のパターン幅寸法W11は、像倍率の露光シフト量δを勘
案して所要レジストパターンのパターン幅寸法W21が1.0
μｍとなるように6.5μｍにしてある。
そして、露光の際には、基準レジストパターン22の幅寸
法W22を測定して、露光シフト量δが−0.1±0.05μｍと
なるように露光量を制御する。
法W22を測定して、露光シフト量δが−0.1±0.05μｍと
なるように露光量を制御する。
そうすれば、第３図で説明した露光量の過剰又は不足が
なくなり、基板に所望の加工パターンを得ることができ
る。
なくなり、基板に所望の加工パターンを得ることができ
る。
その場合の各々の幅寸法は次のようである。
W12＝10.5μｍ W11＝6.5μｍ W22＝ 2.0±0.05μｍ W21＝1.0±0.05μｍ W32＝ 2.0±0.05μｍ W31＝1.0±0.05μｍ 次に第２実施例を説明する第２図において、（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ第１図の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に対応してそれぞれのパターンを示す。
（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ第１図の（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に対応してそれぞれのパターンを示す。
この第２実施例は、先の第１実施例の基準パターン12を
基準パターン13に変えたものであり、基準パターン13
は、（ａ）に示すように、一定幅の遮光領域13a（幅寸
法がw13a）と一定幅の透光領域13b（幅寸法がw13b）と
を有している。
基準パターン13に変えたものであり、基準パターン13
は、（ａ）に示すように、一定幅の遮光領域13a（幅寸
法がw13a）と一定幅の透光領域13b（幅寸法がw13b）と
を有している。
これに伴い、基準パターン13を転写した基準レジストパ
ターン23には、遮光領域13aが転写されたレジスト領域2
3a（幅寸法がw23a）と透光領域13bが転写された窓領域2
3b（幅寸法がw23b）とを有し、基準レジストパターン23
を転写した基準加工パターン33には、レジスト領域23a
が転写された非エッチング領域33a（幅寸法がw33a）と
窓領域23bが転写されたエッチング領域33b（幅寸法がw
33b）とを有する。
ターン23には、遮光領域13aが転写されたレジスト領域2
3a（幅寸法がw23a）と透光領域13bが転写された窓領域2
3b（幅寸法がw23b）とを有し、基準レジストパターン23
を転写した基準加工パターン33には、レジスト領域23a
が転写された非エッチング領域33a（幅寸法がw33a）と
窓領域23bが転写されたエッチング領域33b（幅寸法がw
33b）とを有する。
そして、レジスト領域23aと窓領域23bの両方を合わせて
露光シフト量δを求める際には、 δ＝［（w23a）−（w13a/5） ＋（w13b/5）−（w23b）］/2 ＝［（w23a−w23b）−（w13a−w13b）/5］/2 となる。
露光シフト量δを求める際には、 δ＝［（w23a）−（w13a/5） ＋（w13b/5）−（w23b）］/2 ＝［（w23a−w23b）−（w13a−w13b）/5］/2 となる。
そこで、露光シフト量δを第１実施例と同様に−0.1±
0.05μｍと設定して、レジスト領域23aの幅寸法w23a及
び窓領域23bの幅寸法w23bがパターン幅寸法測定器の測
定範囲（0.15μｍ以上）内となるように、遮光領域13a
の幅寸法w13aを10.5μｍに、また透光領域13bの幅寸法w
13bを9.5μｍにしてある。
0.05μｍと設定して、レジスト領域23aの幅寸法w23a及
び窓領域23bの幅寸法w23bがパターン幅寸法測定器の測
定範囲（0.15μｍ以上）内となるように、遮光領域13a
の幅寸法w13aを10.5μｍに、また透光領域13bの幅寸法w
13bを9.5μｍにしてある。
そして、露光の際には、レジスト領域23aの幅寸法w23a
及び窓領域23bの幅寸法w23bを測定して、露光シフト量
δが−0.1±0.05μｍとなるように露光量を制御する。
及び窓領域23bの幅寸法w23bを測定して、露光シフト量
δが−0.1±0.05μｍとなるように露光量を制御する。
そうすれば、第１実施例の場合と同様に第３図で説明し
た露光量の過剰又は不足がなくなり、基板に所望の加工
パターンを得ることができる。
た露光量の過剰又は不足がなくなり、基板に所望の加工
パターンを得ることができる。
その場合の各々の幅寸法は次のようである。
w13a＝10.5μｍ w13b＝ 9.5μｍ W11＝6.5μｍ w23a＝ 2.0±0.05μｍ w23b＝ 2.0±0.05μｍ W21＝1.0±0.05μｍ w33a＝ 2.0±0.05μｍ w33b＝ 2.0±0.05μｍ W31＝1.0±0.05μｍ この第２実施例は、基準パターン13に遮光領域13aと透
光領域13bを設けて両者を含めたチェックにしてあるこ
とから第１実施例よりも寸法管理精度が高くなる利点が
あり、最適状態でw23a＝w23bとなるようにして適否の判
断を容易にさせることにより測定数増加の不利点をカバ
ーしている。
光領域13bを設けて両者を含めたチェックにしてあるこ
とから第１実施例よりも寸法管理精度が高くなる利点が
あり、最適状態でw23a＝w23bとなるようにして適否の判
断を容易にさせることにより測定数増加の不利点をカバ
ーしている。
なお上記実施例において、基準パターン12又は13の幅寸
法W12又はw13a、w13b及び露光シフト量δは、上述の寸
法に限定されるものではなく事情に応じて適宜な寸法に
設定して良い。また、第１実施例は第２実施例の遮光領
域13aのみで基準パターンを構成したものと見ることが
できることから、基準パターンは第２実施例の透光領域
13bのみで構成するようにしても良い。そして、実施例
は像倍率が1/5の場合であるが、本方法は等倍を含む任
意の像倍率に適用可能である。
法W12又はw13a、w13b及び露光シフト量δは、上述の寸
法に限定されるものではなく事情に応じて適宜な寸法に
設定して良い。また、第１実施例は第２実施例の遮光領
域13aのみで基準パターンを構成したものと見ることが
できることから、基準パターンは第２実施例の透光領域
13bのみで構成するようにしても良い。そして、実施例
は像倍率が1/5の場合であるが、本方法は等倍を含む任
意の像倍率に適用可能である。
以上説明したように本発明の構成によれば、半導体装置
などを製造する際のホトリソグラフィの露光における、
露光用マスク上の所要パターンが所定の像倍率で転写さ
れて基板上のレジスト膜に形成される所要レジストパタ
ーンの寸法管理の方法において、 パターンが超微細幅である場合の上記寸法管理に対し
て、レジストパターンの微細幅の寸法を簡便に素早く且
つ高精度に測定することができるが、超微細幅になると
測定が困難である比較的安価な測定器（具体的には前述
したパターン幅寸法測定器）を使用し得るようにして、
然も、露光量が適正になるようにすることができて、 上記所要レジストパターンの幅がその測定器の測定可能
範囲を越えて微細になっても、その所要レジストパター
ンが所望の加工パターンを形成するのに適したものとな
るように露光量を適正にさせるパターン寸法管理をその
測定器で行うことが可能になると共に、半導体装置の製
造工程を遅滞させないようにすることが可能になる効果
がある。
などを製造する際のホトリソグラフィの露光における、
露光用マスク上の所要パターンが所定の像倍率で転写さ
れて基板上のレジスト膜に形成される所要レジストパタ
ーンの寸法管理の方法において、 パターンが超微細幅である場合の上記寸法管理に対し
て、レジストパターンの微細幅の寸法を簡便に素早く且
つ高精度に測定することができるが、超微細幅になると
測定が困難である比較的安価な測定器（具体的には前述
したパターン幅寸法測定器）を使用し得るようにして、
然も、露光量が適正になるようにすることができて、 上記所要レジストパターンの幅がその測定器の測定可能
範囲を越えて微細になっても、その所要レジストパター
ンが所望の加工パターンを形成するのに適したものとな
るように露光量を適正にさせるパターン寸法管理をその
測定器で行うことが可能になると共に、半導体装置の製
造工程を遅滞させないようにすることが可能になる効果
がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は第１実施例を説明するパターン
平面図、 第２図（ａ）〜（ｃ）は第２実施例を説明するパターン
平面図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は露光量を説明するレジストパタ
ーンの模式側断面図、 である。 図において、 ２はレジストパターン、 11は所要パターンの一部、 12、13は基準パターン、 13aは遮光領域 13bは透光領域 21は所要レジストパターンの一部、 22、23は基準レジストパターン、 23aはレジスト領域、 23bは窓領域、 31は所要加工パターンの一部、 32、33は基準加工パターン、 33aは非エッチング領域、 33bはエッチング領域、 である。
平面図、 第２図（ａ）〜（ｃ）は第２実施例を説明するパターン
平面図、 第３図（ａ）〜（ｃ）は露光量を説明するレジストパタ
ーンの模式側断面図、 である。 図において、 ２はレジストパターン、 11は所要パターンの一部、 12、13は基準パターン、 13aは遮光領域 13bは透光領域 21は所要レジストパターンの一部、 22、23は基準レジストパターン、 23aはレジスト領域、 23bは窓領域、 31は所要加工パターンの一部、 32、33は基準加工パターン、 33aは非エッチング領域、 33bはエッチング領域、 である。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上のレジスト膜に幅寸法が使用希望の
測定器の測定範囲を超えて微細な所要レジストパターン
とともに幅寸法が該測定器の測定範囲内である基準レジ
ストパターンを同一の露光用マスクによる同時露光で形
成し、 該測定器により該基準レジストパターンの幅寸法を測定
し、 該露光用マスクの該基準レジストパターンに対応する基
準パターンの幅寸法に露光の縮小率を乗じた値と該基準
レジストパターンの幅寸法との差で示される露光シフト
量を求め、 該露光シフト量が予め定めた範囲に収まるように露光量
を制御することを特徴とするホトリソグラフィのパター
ン寸法管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314151A JPH07111953B2 (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63314151A JPH07111953B2 (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159011A JPH02159011A (ja) | 1990-06-19 |
| JPH07111953B2 true JPH07111953B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=18049844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63314151A Expired - Lifetime JPH07111953B2 (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 | ホトリソグラフィのパターン寸法管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111953B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04282820A (ja) * | 1991-03-11 | 1992-10-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成方法 |
| AU1262799A (en) * | 1997-12-05 | 1999-06-28 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure device |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375768A (en) * | 1976-12-17 | 1978-07-05 | Fujitsu Ltd | Size check pattern |
| JPS5846054B2 (ja) * | 1977-02-03 | 1983-10-14 | 三菱電機株式会社 | フオトマスク |
| JPS5640242A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mask for semiconductor device |
| JPS58101425A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Seiko Epson Corp | レジストパターンの評価方法 |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP63314151A patent/JPH07111953B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02159011A (ja) | 1990-06-19 |
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