JPS5844766A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS5844766A JPS5844766A JP56142913A JP14291381A JPS5844766A JP S5844766 A JPS5844766 A JP S5844766A JP 56142913 A JP56142913 A JP 56142913A JP 14291381 A JP14291381 A JP 14291381A JP S5844766 A JPS5844766 A JP S5844766A
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- Japan
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- electrode
- polyacetylene
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の配線に係）、脅にポリアセチレン
配−の良好なオーンツクコ／メクト’ｔＯＴ絽とする半
導体！Ｉｔの構造に関するものである。
配−の良好なオーンツクコ／メクト’ｔＯＴ絽とする半
導体！Ｉｔの構造に関するものである。
従来の半導体装置の配＃においては、不輔ｃｗをａｍ屓
に添加したポリシリコンまたはアルミニウム等が主に欧
州、さｎ″′Ｃいた。ポリシリコンはシリコン率結晶で
形成される半導体装ばにおいては、同−元本であるため
に製造プロセス等において共通性を持ち、また、アルミ
ニウム等の金属配線では抵抗率がはいという時機を持っ
ている。しかしながら、こ１しらの配ＩＩＭを更に低い
温度で形成し友い場合、または更に広い面積に亘って同
時に膜形成を行ない、配−形成の量産性を＾め几ｉ・場
合、ま几は既設パメーンの凹凸または庇部を持った基板
表面に配＃を形、成したい礪會、′を友は配線による半
導体表圓への歪を更に＠威させ危いＪ−合等に困廟な問
題が生じて米る。
に添加したポリシリコンまたはアルミニウム等が主に欧
州、さｎ″′Ｃいた。ポリシリコンはシリコン率結晶で
形成される半導体装ばにおいては、同−元本であるため
に製造プロセス等において共通性を持ち、また、アルミ
ニウム等の金属配線では抵抗率がはいという時機を持っ
ている。しかしながら、こ１しらの配ＩＩＭを更に低い
温度で形成し友い場合、または更に広い面積に亘って同
時に膜形成を行ない、配−形成の量産性を＾め几ｉ・場
合、ま几は既設パメーンの凹凸または庇部を持った基板
表面に配＃を形、成したい礪會、′を友は配線による半
導体表圓への歪を更に＠威させ危いＪ−合等に困廟な問
題が生じて米る。
本発明の弔１の目的は前記のようにポリシリコンま友は
アルミニウムによって通常形成される配−エリ更に低い
温［−Ｃ，または量産１！１を持って１ま友は凹凸、庇
部があっても段切れを起さず、または半導体への歪みが
少ない配ｌ７ＩＡを形成しようとするものであり、この
ために＃ｌ：、＃材料として不純物ヲ添刀ａし几ポリア
セチレンを使用するものである。
アルミニウムによって通常形成される配−エリ更に低い
温［−Ｃ，または量産１！１を持って１ま友は凹凸、庇
部があっても段切れを起さず、または半導体への歪みが
少ない配ｌ７ＩＡを形成しようとするものであり、この
ために＃ｌ：、＃材料として不純物ヲ添刀ａし几ポリア
セチレンを使用するものである。
ポリアセチレンは有慎智でＴｏ９な力１ら、これに不純
物としてＬＩｅＮｍまたはＫｔ−２１１１１えるとｎ履
牛導体となり、Ｏｔｓ＋ Ｂｒｓ ｊ Ｉ ＠ ＋Ａ＠
に’＠ ＊・ｌｏｔ。
物としてＬＩｅＮｍまたはＫｔ−２１１１１えるとｎ履
牛導体となり、Ｏｔｓ＋ Ｂｒｓ ｊ Ｉ ＠ ＋Ａ＠
に’＠ ＊・ｌｏｔ。
Ｈ，Ｓ０４＃またはＨＮＯ，を加えるとＰ＠牛導°体と
なる◎ｉ友、抵抗軍はＰ減において１Ｏ−８ΩｇＫ達し
、１型では更に低抵抗となる。したがってポリシリコン
に１０ ” ａｔｏｍｓ ／ａ ’程度の不純智を添加
し友ものと同程度の低抵抗となり、配−として充分使用
可能なものである。しかしながらｎ型ポリアセチレンは
空気中の酸素により酸化され易く、化学的安定性に欠け
るために配−材料としてはＰｍが好ましい。ｐｍ／ｌｉ
添加不軸瞼かち自明のように酸化された状崖にあり、ｎ
型に比べ格段に安定である。一方、配−は半導体のｆｉ
型領領域もＰｆＪｔｎｕｃもオーミックコンタクトを待
って形成さｎる必要があるが、Ｍｏ８ＬｓＩにおいては
＾速性からｎチャンネルＭＯ１ｌｉ ＦＥＴが多く−
わｎておｎ、ｍａｉｍ域へのオーミックコンタクトの必
要性が多い。仁の場合にはＰ型ポジアセチレン配麿とｎ
警手導体領域の興でｐｎ−会が形成さｆ′Ｌ１艮好なコ
ンタクトが取れない。そこで本発明の第２の目的はｌ１
ｉＩ紀のＬうなポリアセチレン配−の置載を維持し友ｔ
ま、Ｐ型ポリアセテレジ配線をｎ型千尋体領域に艮好な
オーミックコンタクトを待って形成させることにあり、
この几めＫＩｉｉｌｉ智質関に金属シリサイドノーを介
在させることｔ−特徴としている。
なる◎ｉ友、抵抗軍はＰ減において１Ｏ−８ΩｇＫ達し
、１型では更に低抵抗となる。したがってポリシリコン
に１０ ” ａｔｏｍｓ ／ａ ’程度の不純智を添加
し友ものと同程度の低抵抗となり、配−として充分使用
可能なものである。しかしながらｎ型ポリアセチレンは
空気中の酸素により酸化され易く、化学的安定性に欠け
るために配−材料としてはＰｍが好ましい。ｐｍ／ｌｉ
添加不軸瞼かち自明のように酸化された状崖にあり、ｎ
型に比べ格段に安定である。一方、配−は半導体のｆｉ
型領領域もＰｆＪｔｎｕｃもオーミックコンタクトを待
って形成さｎる必要があるが、Ｍｏ８ＬｓＩにおいては
＾速性からｎチャンネルＭＯ１ｌｉ ＦＥＴが多く−
わｎておｎ、ｍａｉｍ域へのオーミックコンタクトの必
要性が多い。仁の場合にはＰ型ポジアセチレン配麿とｎ
警手導体領域の興でｐｎ−会が形成さｆ′Ｌ１艮好なコ
ンタクトが取れない。そこで本発明の第２の目的はｌ１
ｉＩ紀のＬうなポリアセチレン配−の置載を維持し友ｔ
ま、Ｐ型ポリアセテレジ配線をｎ型千尋体領域に艮好な
オーミックコンタクトを待って形成させることにあり、
この几めＫＩｉｉｌｉ智質関に金属シリサイドノーを介
在させることｔ−特徴としている。
つぎに、−來り例を＃！１図〜第５図に基づいて説明す
る。ここでα明する一実施例ｔｆｎチャンネルのＭＯＳ
ＰＥＴの４６曾であ９１４１図のようＫＰ型シリコ
ン基１＆ｌ土にフィールド酸化膜（厚さ〜６０００人）
２、ｎ＋ソース、ドレイン（厚さ〜４０００Ａ）ｌ１ｍ
ノー）ｍ ｔｔ１４ （ｌｉす〜ｓ ００ Ａ） ４
、およびｎ＋ポリシリコンゲート電極（厚さ〜番０００
Ａ）５が公知技術により形成される。つぎに、第Ｓ図の
ように白金（厚さ〜慟００Ａ）６１（真空蒸着し、約５
５０℃でＬ５分程薇熱処理を施すことによりソース、ド
グイン−域およびポリシリコンゲート電−よに白雀ンリ
テイド７が形成さｎ、フィールドば１ヒ膜よでは１戴は
未反応のまま残る。ここてｎ十ソース−ドレインｖＡ域
からの白金シリサイドの突き恢けｇ４電は、ａ＋拡散お
Ｌび白金の曾金化反応のマスクを同じゲート電極により
て自己整合的に行なっているために拡散および合金化皮
！！！山に塗布し、約−７０℃で、１気圧のアセチレン
ガス雰囲気中に基板を璽くと第８図のようにノンドープ
のポリアセチレン層８が形部さｎるＯつぎに、公知のフ
ォトプロセスにより４４図のようにレジストのパターン
９を形成し、こ７′Ｌｔ″マスクとしてＡｓＦ６を約８
モルパーセントになるまでイオン注入し、レジストを剥
−すると爾５図のようにＰ厘ポリアセチレン配Ｉ＃ＡＩ
Ｏとゲート電極周囲のノンドープのポリアセチレンノー
に分けらｎる。
る。ここでα明する一実施例ｔｆｎチャンネルのＭＯＳ
ＰＥＴの４６曾であ９１４１図のようＫＰ型シリコ
ン基１＆ｌ土にフィールド酸化膜（厚さ〜６０００人）
２、ｎ＋ソース、ドレイン（厚さ〜４０００Ａ）ｌ１ｍ
ノー）ｍ ｔｔ１４ （ｌｉす〜ｓ ００ Ａ） ４
、およびｎ＋ポリシリコンゲート電極（厚さ〜番０００
Ａ）５が公知技術により形成される。つぎに、第Ｓ図の
ように白金（厚さ〜慟００Ａ）６１（真空蒸着し、約５
５０℃でＬ５分程薇熱処理を施すことによりソース、ド
グイン−域およびポリシリコンゲート電−よに白雀ンリ
テイド７が形成さｎ、フィールドば１ヒ膜よでは１戴は
未反応のまま残る。ここてｎ十ソース−ドレインｖＡ域
からの白金シリサイドの突き恢けｇ４電は、ａ＋拡散お
Ｌび白金の曾金化反応のマスクを同じゲート電極により
て自己整合的に行なっているために拡散および合金化皮
！！！山に塗布し、約−７０℃で、１気圧のアセチレン
ガス雰囲気中に基板を璽くと第８図のようにノンドープ
のポリアセチレン層８が形部さｎるＯつぎに、公知のフ
ォトプロセスにより４４図のようにレジストのパターン
９を形成し、こ７′Ｌｔ″マスクとしてＡｓＦ６を約８
モルパーセントになるまでイオン注入し、レジストを剥
−すると爾５図のようにＰ厘ポリアセチレン配Ｉ＃ＡＩ
Ｏとゲート電極周囲のノンドープのポリアセチレンノー
に分けらｎる。
ノンドープのポリアセチレンは約１０６Ωｍ程厩の薦い
抵抗率を持ち、絶−物として光分な特性を持っている。
抵抗率を持ち、絶−物として光分な特性を持っている。
以上のようなプロセスによりドープされたポリシリコン
に劣らない導電％味を付りた配縁が形成される・ なお、１ｉ０１ｉ１例は−チャンネルＭＬ）８ ＦＥ
Ｔについて述べたが、その他の０型領域への配線にも同
様に適用可能であり、また白金シリサイドの代りにモリ
ブデンシリサイドま友はタングステンシリサイド等の雀
属シリサイドが同様に使用可能である。
に劣らない導電％味を付りた配縁が形成される・ なお、１ｉ０１ｉ１例は−チャンネルＭＬ）８ ＦＥ
Ｔについて述べたが、その他の０型領域への配線にも同
様に適用可能であり、また白金シリサイドの代りにモリ
ブデンシリサイドま友はタングステンシリサイド等の雀
属シリサイドが同様に使用可能である。
以上のように本発明（従えば一般的な有慎物が待ってい
る特機と同様に、低温で膜形成が可能であり１１産性に
曖れ、また膜形成される基板に歪みを与えることが少な
い。更に、ポリアセチレンｔ−成長させるときのアセチ
レンガス圧力が約１気圧テ、比４１！的尚いために既設
パターンの凸凸まりは庇部に対しても段切れ塊破を起さ
ない配−が形成可能でろる。
る特機と同様に、低温で膜形成が可能であり１１産性に
曖れ、また膜形成される基板に歪みを与えることが少な
い。更に、ポリアセチレンｔ−成長させるときのアセチ
レンガス圧力が約１気圧テ、比４１！的尚いために既設
パターンの凸凸まりは庇部に対しても段切れ塊破を起さ
ない配−が形成可能でろる。
−図面の聞手な帆用
第１図′第５凶ｔよｎチャネルＭＯ８ｐｇ’ｒに不発＠
を通用し’ｆｃ４甘の絖明凶でありｓ ｈはＰ朦シリコ
ン基板、２＋はフィ−ルド酸化膜、８は１１＋ソースお
よびドレイン、会はゲート酸化膜、５は、十ボリシリー
ンゲート・′亀憾、６は白雀薄編、７は白飯シリサイド
層、８はノンドーグのボリアセテレン膜、９はレジスト
膜、１０はＰ型、ポリアセチレン配縁である。
を通用し’ｆｃ４甘の絖明凶でありｓ ｈはＰ朦シリコ
ン基板、２＋はフィ−ルド酸化膜、８は１１＋ソースお
よびドレイン、会はゲート酸化膜、５は、十ボリシリー
ンゲート・′亀憾、６は白雀薄編、７は白飯シリサイド
層、８はノンドーグのボリアセテレン膜、９はレジスト
膜、１０はＰ型、ポリアセチレン配縁である。
＄ （［？］
Claims (1)
- （１） 不純物を添加したポリアセチレンから成る配
線を有する半導体ｉ！値であって、Ｐ型ポリアセチレン
配−のａｇ牛導体領域へのオーミックｍ絖部において、
該Ｐ型ポリアセチレンと該ｎ形千４体との閾に金属シリ
サイド層を介在させたことを特徴とする半導体装置・ １２） 金属シリサイドが白金シリサイドであること
を特徴とする特許ｄ求の４８第ｌ墳記−の半導体装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142913A JPS5844766A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56142913A JPS5844766A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5844766A true JPS5844766A (ja) | 1983-03-15 |
| JPS6317339B2 JPS6317339B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=15326528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56142913A Granted JPS5844766A (ja) | 1981-09-10 | 1981-09-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5844766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752815A (en) * | 1984-06-15 | 1988-06-21 | Gould Inc. | Method of fabricating a Schottky barrier field effect transistor |
| US10763559B2 (en) | 2016-01-26 | 2020-09-01 | Fujikura Rubber Ltd. | Metal-air battery |
-
1981
- 1981-09-10 JP JP56142913A patent/JPS5844766A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4752815A (en) * | 1984-06-15 | 1988-06-21 | Gould Inc. | Method of fabricating a Schottky barrier field effect transistor |
| US10763559B2 (en) | 2016-01-26 | 2020-09-01 | Fujikura Rubber Ltd. | Metal-air battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6317339B2 (ja) | 1988-04-13 |
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