JPS5842746A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、りνクム（’＃）を含有する新規を電解コン
テンを用アルンニクム金金箔及びアルずニウム箇の表層
部分に！ｊを偏在させ九新しい構成の電解ゴンデンナ用
特殊アルζニウ五箔に関する・尚、本明細書において１
嗟Ｉ及び’Ｐ％　’とあ墨のは、特に規定しない＠シ重
量基準で示すものとする。

電解コンデンサに使用されるアル電工つ本箱としては、
エツチング特性に優れ、エツチング後の表藺積拡大率が
大きく且り化成後のもれ電流が無視し得る程度に小さい
ζ表が必要である。従来ζ） の様な性質を有するアルミ５ウム箔を得る為に、高純度
アルンエウム中に適当な合金成分を加えることが提案さ
れているが、いずれも種々の点で充分満足すべ龜もので
あるとはいい離い。本発明者は、公知のアル電工りム金
金箔の問題点に留意しクワ種々研究を重ね九結果ｓ　’
ｌを特定量含有する純度ＳＳＳ＊以上のアルミニクム軟
質箔が、エツチング特性、静電容量、化成特性等の点で
優れ良性質を示すことを見出した。更に本発明者の研究
によれば、特許請求の１ＩｌｔＮ第１項に記載の如きテ
Ｉ會有アルζニクム舎金箔を鋳鈍処瑠する場合には、合
金成分える！ｌがアル建エク五箔の表層部分に選択的に
移行して、表層部分に！ｊを高濃度に含有する極めて特
異な構成の軟質アル１＝ウムＩＩ−ＩＩＸ得られ、これ
が電解コンデンサ用としてよ）一層優れ皮性質を発揮す
ることが見出されえ。即ち１本発明線、■Ｔｊ會有量０
９が４）、　ｔ　ｐｐｍ　＜　ｘ≦Ｏ０γｐｐｍ　の範
囲内にあるアル々ニウム純度９９．９−以上の電解；ン
デンサ用アルｔニウム合金ｍ＜以下これを本願第二発明
という）及び■Ｔｊ含有量（神が０．ｌｐｐｍ　（ｘ≦
ｏ、　ｙ　ｐｐｍの範囲内にあるアルぐニウム純度１１
９．９参以上の電解；ンデン！用軟質アルミニつ五１１
（以下これを本願第二発明という）を提供する亀のであ
る。

零発＠ＫＴｈいては、アル５工クム純度を９９．９−以
上とするとともに、エツチング特性、静電容量、化成特
性等を締金的に勘案して！Ｉ含有量（ト）を東１　りＩ
）ＩＩ　（Ｘ≦ｏ、　ｙ　ｐｐｍの範囲内、よ〕好１１
．＜は＆！−０，４１）ＰＩとす６ｏＴＩ會有量が０．
１ＰＦ以下ｅ場金には、均一なエツチングが得られにく
い欠点があ）、一方ｅ、ｆＰ％を上回ると静電容量、ビ
ット密度及び化成特性が低下する傾向がある０本願第一
発明のアルζエクム合企箔は、純度９９Ｊ−以上のアル
１＝ウム鋳造時に！！含有量（勾がｏ、　ｔ　ｐｐｉｍ
　＜　ｘ≦０．７Ｐｐ１ｍとなる様に添加し、以後常法
の一箔工程によシ得られる。

本願第二発明の軟質アル１＝ウム箔は、本願−発明のア
ル々！☆ム舎金箔を更に常法に従って、例えば４！ｉ０
℃以上の非酸化性雰囲気又は真空下に焼鈍することによ
）得られる。得られた軟質アルｆ’＝ウ五箔においては
ｓ　”Ｉが表層部分に高濃度に偏在しているので、その
表面酸化皮膜祉非常に欠陥の多いものとなっているもの
と思われる。従って、エツチング時、Ｃｆイオンの浸入
は容易であり且りエツチング初期の段階に多数のビット
が形成される。エツチングの進行に伴ってＴＩを含有す
る表層部分は溶出するが、一旦ピットが形成されると、
その後紘孔蝕性が持続されるため、ビットは高純度アル
々ニクムからなる内層部分は伸長し続け、表藺積拡大率
が大龜くなる。表層部分の溶出後は、通常の高純度アル
之二り五箔のエツチングと同様であるから、腐蝕減量唸
増大しない。

又、得られるエツチドＳａ、　　ビット密度が高いので
、よ）高容量の電解コンデンナを与え、化成特性に４吏
に優れえものとなる◇更に、エツチド箭のＬ値が高いこ
とから明らかな如く、本願第二発明のアル々二りム軟質
箔は、エツチング性（エツチング効率）が良好である０
更に又ｓ　Ｔｌの働きによ）結晶粒の粗大化も有効に防
止される〇実施例１ 鋳造時に１９Ｊ１１１ムｌｌＩｃＴｌをｏ〜ｏ、ｙｐｐ
ｍ添加し、常法に従って冷間圧ｊ！によ〉０．１閣の合
金箔としえ後、真空下ｓｓＯ℃で３時間焼鈍する。

（イ）　次いで、　Ｉ［ＯＪ　１１６マＯｊ哄を含むエ
ツチング浴に得られ九軟質箔を浸漬し、浴温８０’Ｃｓ
直流電流蜜、度３０ム／鹸の条件下に所定時間エツチン
グを行なう。Ｔ）添加量とエツチング性との関係を各エ
ツチング時間につき調べた結果を＊１図として示す。第
１〜３図において曲線ム紘、エツチング時間３０秒、曲
線１は９０秒、曲線ｃａｉｓｏ秒の場合の結果を夫々示
す。

尚、第１図において、Ｌ値（０’−４５”）　トハ４　
Ｉ＠拡散方式（０’−４５’方式）で測定されるエツチ
ド箪表面の明度（白色度）を意味し、これは、ｇＩ賀試
験機ｆｌ＃製の直読測色色差コンビ１−ター（型式０Ｄ
Ｅ−８（Ｈ−４ム）によ〉測定されえものである０該り
値が低い場合には、未エツチング部分が多いととを示し
、−１高すぎる場合には、表面溶解が激し過ぎてビット
が形成され難い。第１　ＩＩＫＪ−いては、Ｔｌ添加量
がＯ，Ｓ〜０、４　ｐｐｍｍの範囲で最良の結果が得ら
れた。

（ロ）上記（イ）で得られ九番エツチド箔のＴｌｌ添加
量とビット数との関係を各エツチング時間）ｔＣＶ＠調
べた結果をｇｇ図として示す。Ｔｌ添加量が少な過ぎる
場合には皮膜欠陥が少なぐ、ピッテインダ開始点が少な
いのに対しｓ　Ｔｌ添加量が多過ぎると皮膜欠陥が多過
ぎて表面が溶解され、箔の厚さ方向にビットが伸び難く
なる。第２図ＫＪｐいては、０．１〜０．４ＰＰ鳳の範
囲で最良の結果が得られ九。

？→　上記ピ）で得られた９０秒エツチド箔を１０マ化
成した場合のＴｊｊｉ加量と静電容量との関係を第３図
として示す。尚１３９秒エツチド箔及び１８０秒エツチ
ド箔の場合にも、９６秒エツチド箔と同様の傾向を示す
ので、仁れ等の結果は図示しない。

１４添加量６．１！〜０．４ｐ９！ｍの範囲で最良の結
果が得られている。

【図面の簡単な説明】

第１〜３図紘１本発明によるアルオニウム箔の物性を示
すグ９７である０ （以上） 第１図 Ｔｆｌ　　′ｉＦｔｔｏｉｋ（ｐｐｍ）第２図 Ｕ恣７７＋］憂（ｐｐｍ） 第３図 Ｔ１味、加量（１）ｐｍ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　タリ☆ム含有量（３９が０．１　ｐｐｍ　＜　Ｘ≦
   ｏ、　ｙ　ｐｐｍ　）１１！囲内にあるアルオニウム純
   度９９．９−以上の電解コンテンを用アルｔニウ五金金
   箔。 ■　タリクム含有量（至）が０．　Ｉ　ＰＰ鳳〈Ｘ≦ｏ
   、ｒｐｐａｒの範囲内にあるアルｌａりム純度９９．９
   −以上の電解コンテンず用軟質アルン二り五箔。