JPS5842236A - 選択ドライエツチング方法 - Google Patents
選択ドライエツチング方法Info
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- JPS5842236A JPS5842236A JP14048181A JP14048181A JPS5842236A JP S5842236 A JPS5842236 A JP S5842236A JP 14048181 A JP14048181 A JP 14048181A JP 14048181 A JP14048181 A JP 14048181A JP S5842236 A JPS5842236 A JP S5842236A
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- etching
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- electron beam
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Links
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Classifications
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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-
- G—PHYSICS
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-
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- H01L21/31127—Etching organic layers
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- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は選択ドライエツチング方法に関する。
従来、塩素系ガスおよび弗素系ガスを使用した反応性イ
オン工、チンダおよびプラズマ工、チンダに対する耐性
のＩｌいレジスト（例えば、ホトレジスト、電子線レジ
スト、Ｘ線レジスト）は、工、チｙダ特性およびエツチ
ング装置の排気系に悪影響を与えるために、エツチング
での！スフとしての使用条件が限定されていた。
オン工、チンダおよびプラズマ工、チンダに対する耐性
のＩｌいレジスト（例えば、ホトレジスト、電子線レジ
スト、Ｘ線レジスト）は、工、チｙダ特性およびエツチ
ング装置の排気系に悪影響を与えるために、エツチング
での！スフとしての使用条件が限定されていた。
本発明はこれらの欠点を取り除き、ホトレジスト、電子
線レジスト、Ｘ＠レジストの反応性イオンエツチングお
よびプラズマエツチングに対する耐性を増すための方法
を提供するものである。
線レジスト、Ｘ＠レジストの反応性イオンエツチングお
よびプラズマエツチングに対する耐性を増すための方法
を提供するものである。
本発明による方法は、ホトレジスト、電子線レジスト、
又はＸ線レジストによってパターンを形成した後、Ａｒ
、Ｈｅ等の不活性ガスイオン又はＣ１５ｔｒＯｙ族イオ
ン管前記レジストにイオン注入する。イオン注入どより
前記レジストの反応性イオンエツチングおよびプラズマ
エツチングに対する耐性は増大する。しかる１ｌｔｃ、
／’ロゲンおよびハロゲン化物管含むガスを使用した
反応性イオンエツチングおよびプラズマエツチングによ
って所望のパターンを形成する。
又はＸ線レジストによってパターンを形成した後、Ａｒ
、Ｈｅ等の不活性ガスイオン又はＣ１５ｔｒＯｙ族イオ
ン管前記レジストにイオン注入する。イオン注入どより
前記レジストの反応性イオンエツチングおよびプラズマ
エツチングに対する耐性は増大する。しかる１ｌｔｃ、
／’ロゲンおよびハロゲン化物管含むガスを使用した
反応性イオンエツチングおよびプラズマエツチングによ
って所望のパターンを形成する。
以下、本発明の実施例について、詳細に説明する。
平行平板プラズマエツチング装置に四塩化炭素（ＣＣ１
４）ｔ’ ２２０ｃｃＡｎｉｎ流し、０ＤＵＲ−１０１
３（東京応化社の商品名）のプラズマエツチングによる
膜減り量を測定し友。ガス圧はα５Ｔｏｒｒ、高周波電
流ｔｉ２．２ム１周波数は４００ｋＨｚである。
４）ｔ’ ２２０ｃｃＡｎｉｎ流し、０ＤＵＲ−１０１
３（東京応化社の商品名）のプラズマエツチングによる
膜減り量を測定し友。ガス圧はα５Ｔｏｒｒ、高周波電
流ｔｉ２．２ム１周波数は４００ｋＨｚである。
測定結果を第１図に示す、横軸は工、チング時間で、縦
軸はプラズマエツチングによる震域９量である。ムｒイ
オンのドーズ量の増加に伴ないプラズマエツチングによ
る罠減９量は減少する。これらのデータに見る如く、レ
ジストにムｒｔイオン注入することにより、四塩化炭素
（ＣＣｌ２）ｔ−用いた平行平板プラズマエツチングに
対する耐性が増している。 ゛ 前記実施例以外にも、レジストとしてその他のホトレジ
スト、電子線レジスト、Ｘ線レジストが使用可能であ−
９、イオン注入のソースイオンとして、ＨＣ等の不活性
ガスイオン、Ｎ等の非酸化性ガスイオン、Ｃ，Ｓｉ等の
■族イオンが有効である・ １
１開昭５８−４２２３Ｆ（２）以上に示す様に、本発明
によればレジストの反応性イオンエツチングおよびプラ
ズマエツチングに対する耐性が増大し、ハロゲン及びハ
ロゲン化物を含むガスを使用した反応性イオンエツチン
グおよびプラズマエツチングによるパターン形成を容易
に確実に行なうことができる有効な方法である。
軸はプラズマエツチングによる震域９量である。ムｒイ
オンのドーズ量の増加に伴ないプラズマエツチングによ
る罠減９量は減少する。これらのデータに見る如く、レ
ジストにムｒｔイオン注入することにより、四塩化炭素
（ＣＣｌ２）ｔ−用いた平行平板プラズマエツチングに
対する耐性が増している。 ゛ 前記実施例以外にも、レジストとしてその他のホトレジ
スト、電子線レジスト、Ｘ線レジストが使用可能であ−
９、イオン注入のソースイオンとして、ＨＣ等の不活性
ガスイオン、Ｎ等の非酸化性ガスイオン、Ｃ，Ｓｉ等の
■族イオンが有効である・ １
１開昭５８−４２２３Ｆ（２）以上に示す様に、本発明
によればレジストの反応性イオンエツチングおよびプラ
ズマエツチングに対する耐性が増大し、ハロゲン及びハ
ロゲン化物を含むガスを使用した反応性イオンエツチン
グおよびプラズマエツチングによるパターン形成を容易
に確実に行なうことができる有効な方法である。
第１図は平行平板プラズマエツチングによるエツチング
時間とエツチングによる膜減り量の関係を示すグラフで
ある。
時間とエツチングによる膜減り量の関係を示すグラフで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被エツチング皮膜上に選択的に設けられたホトレジスト
、電子線レジスト、又はＸ線しジストｔｉスクとしてパ
ターンを形成する際に、あらかじめ前記ホトレジスト、
電子線レジスト、Ｘ＠レジストにアルゴン、ヘリウム等
の不活性ガスイオン又は炭素、シリコン等の■族イオン
管イオン注入し、しかる後にハロゲン及びハロゲン化物
を含むガスによるイオンエツチングもしくはプラズマエ
ツチングを行うことを特徴とする選択ドライエ。 チング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14048181A JPS5842236A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 選択ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14048181A JPS5842236A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 選択ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842236A true JPS5842236A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15269605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14048181A Pending JPS5842236A (ja) | 1981-09-07 | 1981-09-07 | 選択ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0528655A2 (en) * | 1991-08-16 | 1993-02-24 | Hitachi, Ltd. | Dry-etching method and apparatus |
-
1981
- 1981-09-07 JP JP14048181A patent/JPS5842236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0528655A2 (en) * | 1991-08-16 | 1993-02-24 | Hitachi, Ltd. | Dry-etching method and apparatus |
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