JPS62166520A - 微細パタ−ンのパタ−ニング法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、微細なパターンのパターニング法に関し、特
に半導体素子の形成に用いるパターニング法に関する。

（従来の技術） 半導体集積回路の高密度化のため素子の微細化が進めら
れておシ、半導体製造のなかでリングラフィ技術が大き
なウェイトを占めている。リングラフィ技術は、基板上
にレジストを塗布し、パターンを有するマスクを用いて
レジストを露光する。

リソグラフィ技術としては光が広く用いられているが、
そのパターンの解像度には限界がありエレクトロンビー
ムおよびエックス線も検討されている。

（発明が解決しようとする問題点） 半導体集積回路の高密度化により、サブミクロンの解像
が可能なリングラフィ技術が要求されている。しかしな
がら光を用いた露光装置には使用波長およびレンズ系の
性能による解像度の限界が、また、エックス線を用いた
露光装置には使用波長および散乱による限界が、そして
エレクトロンビームを用いた露光装置にはレンズ系の性
能および二次電子の影響による解像度の限界がそれぞれ
存在し、微細パターンを得ることが困難であった。

本発明の目的は同一の露光装置を用いてその装置の解像
度の最大２倍の微細なパターンまで得られるパターニン
グ法を提供することである。

（問題を解決するための手段） 本発明によれば、レジストの塗布、露光および現像によ
シラインとスペースの繰り返しパターンを得るための第
一のレジスト工程と、それに続くレジストの塗布、露光
および現像により先のラインとスペースの繰シ返しパタ
ーンとは半周期ずれたラインとスペースのパターンを得
るための第二のレジスト工程と、ドライエツチングまた
はウェットエツチング忙よるレジストのエッチバック工
程とからなる微細パターンのパターニング法が得られる
。

（実施例） 以下、本発明の一実施例について、第１図〜第４図を参
照しながら説明する。

シリコン基板もしくは種々の薄膜１０１上に第一レジス
）１０２を塗布し、光、エックス線もしくハエレクトロ
ンピームを用いてラインとスペースの繰シ返しパターン
のパターニングを行った状態ば第１図である。このとき
のパターン幅は、露光装置の性能により決定される解像
度の限界までが得られる。次に、この第一のレジストを
高温によりベークした後に第二のレジストｔｏａｃｏｌ
［を行った後の状態を第２図に示す。さらに、この第二
のレジストについて第一のレジストの露光に使用したパ
ターンと同一周期のパターンで第一のレジストハターン
とは半周期ずれたラインとスペースのパターンの露光を
行う。これによシ、第３図に示す状態が得られる。続い
て第一のレジストおよび第二のレジストのパターンを高
温によりベークした後に、このパターンのエッチパック
をドライエッチまたはウェットエツチングによシ行うこ
とによシ第４図に示すように、無光装置の性能によシ決
定される解像度の限界の最大２倍までのラインとスペー
スのパターン寸法が得られる。

（発明の効果） このように、本方法によれば露光装置の性能により決定
される解像度の最大２倍までの繰り返しパターンが同一
の露光装置によって得られる。従って微細パターンが必
要な最近の半導体装置の製造に非常に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第４図は本発明の一実施例の塗布およびパタ
ーニングされたレジストの工程断面模式図中、１０１・
・曲基板、１０２・・・・・・第１のレジスト、１０３
・・間第２のレジスト、−ｔ’４ル。 ′４５１　回 筋２図 ゛　　？ｆ５３図 筋４　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. レジストの塗布、露光および現像によりラインとスペー
   スの繰り返しパターンを得るための第一のレジスト工程
   と、それに続くレジストの塗布、露光および現像によの
   先のラインとスペースの繰り返しパターンとは半周期ず
   れたラインとスペースのパターンを得るための第二のレ
   ジスト工程と、ドライエッチングまたはウェットエッチ
   ングによるレジストのエッチバック工程とからなること
   を特徴とする微細パターンのパターニング法。