JPS5841795A - 単結晶製造方法 - Google Patents
単結晶製造方法Info
- Publication number
- JPS5841795A JPS5841795A JP13793881A JP13793881A JPS5841795A JP S5841795 A JPS5841795 A JP S5841795A JP 13793881 A JP13793881 A JP 13793881A JP 13793881 A JP13793881 A JP 13793881A JP S5841795 A JPS5841795 A JP S5841795A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crucible
- metal
- magnetic field
- impurities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化物あるいけセラミックスの単結晶育成方法
に関するものである、 従来、酸化物あるいはセラミックスの単結晶を育成する
には、これらの物質の融点が高いために、化学反応をお
こしに<〈、かつこれらの@n質の融点よりもさらyr
紬点の高い金属ルツボを用い、核ルツボ中で溶融させ
育成する方法がとられてきた。しかし、実際IFld、
金属ルツボの材質の一部が溶融物の中に混入し、それが
単結晶の中にも不純物として混入してしまい育成した準
結晶の質を著しく低下させている場合が多い。
に関するものである、 従来、酸化物あるいはセラミックスの単結晶を育成する
には、これらの物質の融点が高いために、化学反応をお
こしに<〈、かつこれらの@n質の融点よりもさらyr
紬点の高い金属ルツボを用い、核ルツボ中で溶融させ
育成する方法がとられてきた。しかし、実際IFld、
金属ルツボの材質の一部が溶融物の中に混入し、それが
単結晶の中にも不純物として混入してしまい育成した準
結晶の質を著しく低下させている場合が多い。
すなわち、不純物が混入したり、結晶欠陥を発生させた
りする欠点があった。。
りする欠点があった。。
本発明は上記欠点を改良し、ルツボ材質の不純物の結晶
中への混入を少なくし、また結晶欠陥の少ない極めて質
の良−単結晶を提供することを目的とする。
中への混入を少なくし、また結晶欠陥の少ない極めて質
の良−単結晶を提供することを目的とする。
°一般に金欄の電気伝導率は溶融している酸化物あるい
け、セラミックスと異る。そのため溶融物質中に不純物
として混入した金属に磁場を加えることにより渦電流な
どの影響などで加わる力はセラミックスと異なり一方向
に集めることができろう 本発明はこの原理を用いたものであり、溶融体中に混入
したルツボ材質を一方向にあつめ。
け、セラミックスと異る。そのため溶融物質中に不純物
として混入した金属に磁場を加えることにより渦電流な
どの影響などで加わる力はセラミックスと異なり一方向
に集めることができろう 本発明はこの原理を用いたものであり、溶融体中に混入
したルツボ材質を一方向にあつめ。
不純物の、1とんどな1単結晶を得ることができるもの
であろう 以下、本発明を実施例により詳述する。
であろう 以下、本発明を実施例により詳述する。
実施例l
Mn−Inフェライトの粉末を白金ルツボに充たし、′
4E気炉に入゛れ温度を上け、1700℃ で溶融した
。一つのルツボはいわゆるブリッジマン法でルツボ先端
から除々に冷却し単結晶をえた。
4E気炉に入゛れ温度を上け、1700℃ で溶融した
。一つのルツボはいわゆるブリッジマン法でルツボ先端
から除々に冷却し単結晶をえた。
芒らに同様な方法でルツボ中でM*−2mフェライトを
溶融したのち、ルツボに直角に磁場を1000 ′O
a加えながら同様にブリッジマン法で単結晶を育成した
。二つの試料を切断し、単結晶中の白金の混入量を測定
した。その結果を第1表に示す。
溶融したのち、ルツボに直角に磁場を1000 ′O
a加えながら同様にブリッジマン法で単結晶を育成した
。二つの試料を切断し、単結晶中の白金の混入量を測定
した。その結果を第1表に示す。
第1表
磁動を加えることにより、 pt混入量はきわめて少な
くなっていることがわかる。
くなっていることがわかる。
実施例2
04m0m%Q+1の焼成体をIrルツボに入れ180
0°0で溶融したのもいわゆるチ箇コラルスキー法で単
結晶を育成した。
0°0で溶融したのもいわゆるチ箇コラルスキー法で単
結晶を育成した。
一方、Irルツボ中に溶融した状態で外部から約5oo
o−の磁動を加えながら上記と同様にチ■コラルスキー
法で単結晶の育成をした。このようにしそ得られた単結
晶を切断し結晶欠陥数を測定した。その結果を第2表に
示す。
o−の磁動を加えながら上記と同様にチ■コラルスキー
法で単結晶の育成をした。このようにしそ得られた単結
晶を切断し結晶欠陥数を測定した。その結果を第2表に
示す。
第2表
上記実M例から・男らかな如く単結晶を育成するさいに
、ルツボ中の溶融物に外部から磁場を加えることにより
、不純物混入量の極めて少いまた不fA物によって発生
する欠陥の少ない良質手続補正書゛(自発) +171411517’ t、、i 411’Li1.
′1庁長官殿 ・IG f’lのノ(示 昭 和56年11・許願第 137938 シJ・驚
明の名称単46晶L411!遣方法 袖11ユをす・る各 1・、 +1 硼)1し″f、金属株式会社代
ノZ 古 イ1iJ 野 典
大成 理 人 1、・:111 東京部下−代Il1区丸の内2
1−目1番2S;補正の内容 夏 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。
、ルツボ中の溶融物に外部から磁場を加えることにより
、不純物混入量の極めて少いまた不fA物によって発生
する欠陥の少ない良質手続補正書゛(自発) +171411517’ t、、i 411’Li1.
′1庁長官殿 ・IG f’lのノ(示 昭 和56年11・許願第 137938 シJ・驚
明の名称単46晶L411!遣方法 袖11ユをす・る各 1・、 +1 硼)1し″f、金属株式会社代
ノZ 古 イ1iJ 野 典
大成 理 人 1、・:111 東京部下−代Il1区丸の内2
1−目1番2S;補正の内容 夏 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。
記
L 明細書第3頁第2行の「除々」を「徐々」に訂正す
る。
る。
2 同畜向頁第1表の「p tの数」を「ptの数」に
訂正する。
訂正する。
3、 回書同頁第14行の「磁動」を「磁場」に訂正す
るO 春 同畜同頁陶行の「pt混入量」を「pt混入量」に
訂正する。
るO 春 同畜同頁陶行の「pt混入量」を「pt混入量」に
訂正する。
5、 同警同負M17行のrGd5Galo 1m 、
Jをl”GdaGaaOxsJに訂正する。
Jをl”GdaGaaOxsJに訂正する。
6.1掲%m4頁第1行の「−物」を「磁場」に訂正す
る。
る。
7、同沓同頁第3打の「このようにしそ」を「このよう
にして」に訂正する。
にして」に訂正する。
以上
Claims (1)
- 酸化物あるいけセラミックスの単結晶育成を金属ルツボ
を用いて行う方法において、溶融物の入つ′たルタポに
磁場を加えながら単結晶を育成することを特徴とする準
結晶製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13793881A JPS5841795A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 単結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13793881A JPS5841795A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 単結晶製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5841795A true JPS5841795A (ja) | 1983-03-11 |
Family
ID=15210206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13793881A Pending JPS5841795A (ja) | 1981-09-02 | 1981-09-02 | 単結晶製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5841795A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0167291A2 (en) * | 1984-06-05 | 1986-01-08 | Westinghouse Electric Corporation | Method for production of combustion turbine blade having a hybrid structure |
EP0284354A2 (en) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing superconducting ceramics |
JPH03141187A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶育成方法 |
JPH03141186A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JPH06279174A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-10-04 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 酸化物単結晶の製造方法 |
JPH07247200A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 酸化チタン単結晶の製造方法 |
-
1981
- 1981-09-02 JP JP13793881A patent/JPS5841795A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0167291A2 (en) * | 1984-06-05 | 1986-01-08 | Westinghouse Electric Corporation | Method for production of combustion turbine blade having a hybrid structure |
EP0284354A2 (en) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing superconducting ceramics |
US6291403B1 (en) | 1987-03-23 | 2001-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing superconducting ceramics under a magnetic field |
JPH03141187A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶育成方法 |
JPH03141186A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JPH06279174A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-10-04 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 酸化物単結晶の製造方法 |
JPH07247200A (ja) * | 1994-03-09 | 1995-09-26 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 酸化チタン単結晶の製造方法 |
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