JPS5841795A - 単結晶製造方法 - Google Patents

単結晶製造方法

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Publication number
JPS5841795A
JPS5841795A JP13793881A JP13793881A JPS5841795A JP S5841795 A JPS5841795 A JP S5841795A JP 13793881 A JP13793881 A JP 13793881A JP 13793881 A JP13793881 A JP 13793881A JP S5841795 A JPS5841795 A JP S5841795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
crucible
metal
magnetic field
impurities
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13793881A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Shinohara
篠原 肇
Tsutomu Iimura
飯村 勉
Nobuyuki Yamada
信行 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Metals Ltd filed Critical Hitachi Metals Ltd
Priority to JP13793881A priority Critical patent/JPS5841795A/ja
Publication of JPS5841795A publication Critical patent/JPS5841795A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は酸化物あるいけセラミックスの単結晶育成方法
に関するものである、 従来、酸化物あるいはセラミックスの単結晶を育成する
には、これらの物質の融点が高いために、化学反応をお
こしに<〈、かつこれらの@n質の融点よりもさらyr
 紬点の高い金属ルツボを用い、核ルツボ中で溶融させ
育成する方法がとられてきた。しかし、実際IFld、
金属ルツボの材質の一部が溶融物の中に混入し、それが
単結晶の中にも不純物として混入してしまい育成した準
結晶の質を著しく低下させている場合が多い。
すなわち、不純物が混入したり、結晶欠陥を発生させた
りする欠点があった。。
本発明は上記欠点を改良し、ルツボ材質の不純物の結晶
中への混入を少なくし、また結晶欠陥の少ない極めて質
の良−単結晶を提供することを目的とする。
°一般に金欄の電気伝導率は溶融している酸化物あるい
け、セラミックスと異る。そのため溶融物質中に不純物
として混入した金属に磁場を加えることにより渦電流な
どの影響などで加わる力はセラミックスと異なり一方向
に集めることができろう 本発明はこの原理を用いたものであり、溶融体中に混入
したルツボ材質を一方向にあつめ。
不純物の、1とんどな1単結晶を得ることができるもの
であろう 以下、本発明を実施例により詳述する。
実施例l Mn−Inフェライトの粉末を白金ルツボに充たし、′
4E気炉に入゛れ温度を上け、1700℃ で溶融した
。一つのルツボはいわゆるブリッジマン法でルツボ先端
から除々に冷却し単結晶をえた。
芒らに同様な方法でルツボ中でM*−2mフェライトを
溶融したのち、ルツボに直角に磁場を1000  ′O
a加えながら同様にブリッジマン法で単結晶を育成した
。二つの試料を切断し、単結晶中の白金の混入量を測定
した。その結果を第1表に示す。
第1表 磁動を加えることにより、 pt混入量はきわめて少な
くなっていることがわかる。
実施例2 04m0m%Q+1の焼成体をIrルツボに入れ180
0°0で溶融したのもいわゆるチ箇コラルスキー法で単
結晶を育成した。
一方、Irルツボ中に溶融した状態で外部から約5oo
o−の磁動を加えながら上記と同様にチ■コラルスキー
法で単結晶の育成をした。このようにしそ得られた単結
晶を切断し結晶欠陥数を測定した。その結果を第2表に
示す。
第2表 上記実M例から・男らかな如く単結晶を育成するさいに
、ルツボ中の溶融物に外部から磁場を加えることにより
、不純物混入量の極めて少いまた不fA物によって発生
する欠陥の少ない良質手続補正書゛(自発) +171411517’ t、、i 411’Li1.
′1庁長官殿 ・IG f’lのノ(示 昭 和56年11・許願第 137938  シJ・驚
明の名称単46晶L411!遣方法 袖11ユをす・る各 1・、 +1   硼)1し″f、金属株式会社代  
 ノZ  古   イ1iJ    野      典
   大成   理   人 1、・:111    東京部下−代Il1区丸の内2
1−目1番2S;補正の内容 夏 明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を下記の
通り訂正する。
記 L 明細書第3頁第2行の「除々」を「徐々」に訂正す
る。
2 同畜向頁第1表の「p tの数」を「ptの数」に
訂正する。
3、 回書同頁第14行の「磁動」を「磁場」に訂正す
るO 春 同畜同頁陶行の「pt混入量」を「pt混入量」に
訂正する。
5、 同警同負M17行のrGd5Galo 1m 、
 Jをl”GdaGaaOxsJに訂正する。
6.1掲%m4頁第1行の「−物」を「磁場」に訂正す
る。
7、同沓同頁第3打の「このようにしそ」を「このよう
にして」に訂正する。
以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 酸化物あるいけセラミックスの単結晶育成を金属ルツボ
    を用いて行う方法において、溶融物の入つ′たルタポに
    磁場を加えながら単結晶を育成することを特徴とする準
    結晶製造方法。
JP13793881A 1981-09-02 1981-09-02 単結晶製造方法 Pending JPS5841795A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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