JPS5921593A - 単結晶育成法 - Google Patents
単結晶育成法Info
- Publication number
- JPS5921593A JPS5921593A JP12933282A JP12933282A JPS5921593A JP S5921593 A JPS5921593 A JP S5921593A JP 12933282 A JP12933282 A JP 12933282A JP 12933282 A JP12933282 A JP 12933282A JP S5921593 A JPS5921593 A JP S5921593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- melt
- conductor
- crucible
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/007—Mechanisms for moving either the charge or the heater
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、融点が非常に高く、また融液状態での電気伝
導度が大きい元素あるいは化合物の単結晶を効率よく安
価に育成する単結晶育成法に関するものである。
導度が大きい元素あるいは化合物の単結晶を効率よく安
価に育成する単結晶育成法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、単結晶を育成製造する場合には、ブリッジマン法
と称せられる方法が使用されている。このブリッジマン
法は−ルツボ内で溶融した原料をある適当な温度勾配を
もった電気炉内で相対的に垂直方向に移動させ、徐々に
ルツボ先端部から固化させ単結晶化するものである。そ
してその単結晶育成には、一般に白金または白金−ロジ
ウム合金ルツボが使用されている。従−てできあがった
単結晶は、白金またはロジウノ・が混入するために歩留
りの悪いものとなっている。その結果、単結晶の素材が
高価なものとなってj〜まっている。単結晶素材の価格
を低減するには、これらの白金またはロジウムの混入を
極力抑さえることにより歩留りを向上させる必要がある
。
と称せられる方法が使用されている。このブリッジマン
法は−ルツボ内で溶融した原料をある適当な温度勾配を
もった電気炉内で相対的に垂直方向に移動させ、徐々に
ルツボ先端部から固化させ単結晶化するものである。そ
してその単結晶育成には、一般に白金または白金−ロジ
ウム合金ルツボが使用されている。従−てできあがった
単結晶は、白金またはロジウノ・が混入するために歩留
りの悪いものとなっている。その結果、単結晶の素材が
高価なものとなってj〜まっている。単結晶素材の価格
を低減するには、これらの白金またはロジウムの混入を
極力抑さえることにより歩留りを向上させる必要がある
。
発明の目的
本発明は、上記欠点を解消し一良質の単結晶を効率よく
安価に育成する単結晶育成法を提供するものである。
安価に育成する単結晶育成法を提供するものである。
発明の構成
本発明は単結晶育成中に電気炉外部から強磁場を加える
ものである。本発明の育成法の原理構成図を第1図に示
す。
ものである。本発明の育成法の原理構成図を第1図に示
す。
すなわち電気炉2内にルツボ3を保持し、単結晶を育成
しながら電磁石1により強磁場を加えるものである。4
は磁力線を示す。強磁場を加えることにより融液の対I
Nを極力抑えることができ、その結果ルツボ素材からで
る白金やロジウムが融液に混入するのを防ぐことができ
る。即ち磁力線を横切って動く導体内部には、移動方向
およq磁力線と:、直角な方向に電流が発生するために
、そり電流と1磁力線の相互作用によって、導電体“ば
移一方向と反対向きの力を受けるという原理を利用する
ことにより融液の対流を抑えることが可能となる。融液
の対流が殆んど止まることにより、ルツボ素材から出る
白金またはロジウムなどの不純物が結晶、内部にまで移
動することを防ぐことができるばかりでなく、融液の温
度変動が極めて少なくなシ、また攪拌がなくなることか
らsmall anglebouれdary が殆ん
ど発生しなくなる。
しながら電磁石1により強磁場を加えるものである。4
は磁力線を示す。強磁場を加えることにより融液の対I
Nを極力抑えることができ、その結果ルツボ素材からで
る白金やロジウムが融液に混入するのを防ぐことができ
る。即ち磁力線を横切って動く導体内部には、移動方向
およq磁力線と:、直角な方向に電流が発生するために
、そり電流と1磁力線の相互作用によって、導電体“ば
移一方向と反対向きの力を受けるという原理を利用する
ことにより融液の対流を抑えることが可能となる。融液
の対流が殆んど止まることにより、ルツボ素材から出る
白金またはロジウムなどの不純物が結晶、内部にまで移
動することを防ぐことができるばかりでなく、融液の温
度変動が極めて少なくなシ、また攪拌がなくなることか
らsmall anglebouれdary が殆ん
ど発生しなくなる。
実施例の説明
以下本発明の詳細な説明を行う。第2図は、従来使用さ
れているブリッジマン法による単結晶育成炉に強磁場発
生用電磁石をとりつけた装置の略図である。磁場の大き
さを数百〜数千ガウスにして単結晶育成を行った時に効
果が現われたが1000〜2000ガウス以上の磁場中
で育成した時が、最モ不純物の混入が少く、small
anglebounciaryのない単結晶が得られ
た。この結果、従来の単結晶の歩留りが50〜60%で
あったも?:が胛、0〜90%と飛躍的に改善された。
れているブリッジマン法による単結晶育成炉に強磁場発
生用電磁石をとりつけた装置の略図である。磁場の大き
さを数百〜数千ガウスにして単結晶育成を行った時に効
果が現われたが1000〜2000ガウス以上の磁場中
で育成した時が、最モ不純物の混入が少く、small
anglebounciaryのない単結晶が得られ
た。この結果、従来の単結晶の歩留りが50〜60%で
あったも?:が胛、0〜90%と飛躍的に改善された。
従って最終的な単結晶累月としての単価を従来に比べ約
3割近く下げることが可能となった。
3割近く下げることが可能となった。
発明の効果
以上のように本発明は、ブリッジマン法において外部よ
り強磁場を加えながら単結晶を育成するもので、不純物
の混入の少ない良質の単結晶を、効率良く安価に育成で
きる利点を有する。
り強磁場を加えながら単結晶を育成するもので、不純物
の混入の少ない良質の単結晶を、効率良く安価に育成で
きる利点を有する。
第1図は、本発明に係る磁場を加えたブリッジマン法単
結晶育成の原理図、第2図は本発明の二、実施例である
でリッ、ジマン法単結晶育成炉に強磁場発生用電磁石を
とセつけた装置の概略図である。 1・・・・・・電磁石、2・・・・・・電気炉−3・・
・・・・ルツボ、4・・・・・・磁力線。 。
結晶育成の原理図、第2図は本発明の二、実施例である
でリッ、ジマン法単結晶育成炉に強磁場発生用電磁石を
とセつけた装置の概略図である。 1・・・・・・電磁石、2・・・・・・電気炉−3・・
・・・・ルツボ、4・・・・・・磁力線。 。
Claims (1)
- ブリッジマン法を用い強磁場を印加した状態で単結晶を
育成することを特徴とする単結晶育成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12933282A JPS5921593A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 単結晶育成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12933282A JPS5921593A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 単結晶育成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5921593A true JPS5921593A (ja) | 1984-02-03 |
Family
ID=15006980
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12933282A Pending JPS5921593A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 単結晶育成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5921593A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03141186A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JPH03141187A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶育成方法 |
FR2865740A1 (fr) * | 2004-01-30 | 2005-08-05 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de fabrication de monocristaux |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12933282A patent/JPS5921593A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03141186A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶の製造方法 |
JPH03141187A (ja) * | 1989-10-27 | 1991-06-17 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶育成方法 |
FR2865740A1 (fr) * | 2004-01-30 | 2005-08-05 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de fabrication de monocristaux |
WO2005078166A1 (fr) * | 2004-01-30 | 2005-08-25 | Centre National De La Recherche Scientifique | Procede et dispositif de fabrication de monocristaux |
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