JPS5921593A - 単結晶育成法 - Google Patents

単結晶育成法

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Publication number
JPS5921593A
JPS5921593A JP12933282A JP12933282A JPS5921593A JP S5921593 A JPS5921593 A JP S5921593A JP 12933282 A JP12933282 A JP 12933282A JP 12933282 A JP12933282 A JP 12933282A JP S5921593 A JPS5921593 A JP S5921593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
melt
conductor
crucible
lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12933282A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Okita
和彦 沖田
Junichi Horikawa
順一 堀川
Toshiharu Hoshi
星 敏春
Haruo Saji
佐治 晴夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP12933282A priority Critical patent/JPS5921593A/ja
Publication of JPS5921593A publication Critical patent/JPS5921593A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/007Mechanisms for moving either the charge or the heater

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、融点が非常に高く、また融液状態での電気伝
導度が大きい元素あるいは化合物の単結晶を効率よく安
価に育成する単結晶育成法に関するものである。
従来例の構成とその問題点 従来、単結晶を育成製造する場合には、ブリッジマン法
と称せられる方法が使用されている。このブリッジマン
法は−ルツボ内で溶融した原料をある適当な温度勾配を
もった電気炉内で相対的に垂直方向に移動させ、徐々に
ルツボ先端部から固化させ単結晶化するものである。そ
してその単結晶育成には、一般に白金または白金−ロジ
ウム合金ルツボが使用されている。従−てできあがった
単結晶は、白金またはロジウノ・が混入するために歩留
りの悪いものとなっている。その結果、単結晶の素材が
高価なものとなってj〜まっている。単結晶素材の価格
を低減するには、これらの白金またはロジウムの混入を
極力抑さえることにより歩留りを向上させる必要がある
発明の目的 本発明は、上記欠点を解消し一良質の単結晶を効率よく
安価に育成する単結晶育成法を提供するものである。
発明の構成 本発明は単結晶育成中に電気炉外部から強磁場を加える
ものである。本発明の育成法の原理構成図を第1図に示
す。
すなわち電気炉2内にルツボ3を保持し、単結晶を育成
しながら電磁石1により強磁場を加えるものである。4
は磁力線を示す。強磁場を加えることにより融液の対I
Nを極力抑えることができ、その結果ルツボ素材からで
る白金やロジウムが融液に混入するのを防ぐことができ
る。即ち磁力線を横切って動く導体内部には、移動方向
およq磁力線と:、直角な方向に電流が発生するために
、そり電流と1磁力線の相互作用によって、導電体“ば
移一方向と反対向きの力を受けるという原理を利用する
ことにより融液の対流を抑えることが可能となる。融液
の対流が殆んど止まることにより、ルツボ素材から出る
白金またはロジウムなどの不純物が結晶、内部にまで移
動することを防ぐことができるばかりでなく、融液の温
度変動が極めて少なくなシ、また攪拌がなくなることか
らsmall anglebouれdary  が殆ん
ど発生しなくなる。
実施例の説明 以下本発明の詳細な説明を行う。第2図は、従来使用さ
れているブリッジマン法による単結晶育成炉に強磁場発
生用電磁石をとりつけた装置の略図である。磁場の大き
さを数百〜数千ガウスにして単結晶育成を行った時に効
果が現われたが1000〜2000ガウス以上の磁場中
で育成した時が、最モ不純物の混入が少く、small
 anglebounciaryのない単結晶が得られ
た。この結果、従来の単結晶の歩留りが50〜60%で
あったも?:が胛、0〜90%と飛躍的に改善された。
従って最終的な単結晶累月としての単価を従来に比べ約
3割近く下げることが可能となった。
発明の効果 以上のように本発明は、ブリッジマン法において外部よ
り強磁場を加えながら単結晶を育成するもので、不純物
の混入の少ない良質の単結晶を、効率良く安価に育成で
きる利点を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る磁場を加えたブリッジマン法単
結晶育成の原理図、第2図は本発明の二、実施例である
でリッ、ジマン法単結晶育成炉に強磁場発生用電磁石を
とセつけた装置の概略図である。 1・・・・・・電磁石、2・・・・・・電気炉−3・・
・・・・ルツボ、4・・・・・・磁力線。  。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ブリッジマン法を用い強磁場を印加した状態で単結晶を
    育成することを特徴とする単結晶育成法。
JP12933282A 1982-07-23 1982-07-23 単結晶育成法 Pending JPS5921593A (ja)

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JP12933282A JPS5921593A (ja) 1982-07-23 1982-07-23 単結晶育成法

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JPS5921593A true JPS5921593A (ja) 1984-02-03

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03141186A (ja) * 1989-10-27 1991-06-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶の製造方法
JPH03141187A (ja) * 1989-10-27 1991-06-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶育成方法
FR2865740A1 (fr) * 2004-01-30 2005-08-05 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de fabrication de monocristaux

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03141186A (ja) * 1989-10-27 1991-06-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶の製造方法
JPH03141187A (ja) * 1989-10-27 1991-06-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 単結晶育成方法
FR2865740A1 (fr) * 2004-01-30 2005-08-05 Centre Nat Rech Scient Procede et dispositif de fabrication de monocristaux
WO2005078166A1 (fr) * 2004-01-30 2005-08-25 Centre National De La Recherche Scientifique Procede et dispositif de fabrication de monocristaux

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