JPS5836064B2 - 銀メツキ方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は良好なる密着性を有する鉄ニッケル合金上への
銀電気メッキ法に係るものである。

一般に鉄ニッケル合金上に銀メッキを施す場合、十分な
密着性を得ることが困難な為に、前もってストライクメ
ッキと称する下地メッキを施した後、本メッキを施す方
法が用いられている。

この方法ではメッキが２工程にわたり設備上もコスト上
も複雑となり、工業的に大量生産を安定して行なう場合
に大きな障害となっている。

１た、この様にした銀メッキ直後のメッキ皮膜と被メッ
キ物との密着性が十分な場合でも、メッキ後実用工程中
で大気中での加熱工程が存在する場合には、銀メッキ皮
膜中を酸素が拡散透過することにより、銀メッキ皮膜と
鉄ニッケル合金界面の鉄ニッケル部が酸化し、銀メッキ
皮膜の密着性が低下することが知られている。

この為に、ストライクメッキの管理範囲が極めて狭くな
るばかりでなく、しばしば銀メッキ皮膜厚さが本来の所
要厚さに比して過大とならざるを得す、高価な貴金属を
余分に付着させることによるコスト高が大きな問題とな
っている。

本発明は、係る問題点を解決する方法として同一メッキ
浴を用いスケジュール内の与えられたメッキ時間内にお
いて時間の経過に伴ない、メッキ電流密度を制御、変化
させることにより鉄ニッケル合金上に密着性良好なる銀
メッキ皮膜を形成する方法を提供せんとするものである
。

銀メッキ皮膜の鉄ニッケル合金への密着性を向上する為
のストライクメッキが、陰極での水素発生による活性化
効果と、高速析出による置換メッキ防止を目的とすると
の観点から、限界電流密度を越えるメッキ条件でメンキ
される為に、その昔筐のメッキ条件でメッキ皮膜厚を厚
くすると焼けが生じる。

この為、これ昔でのメッキ法では上述の条件で０．３〜
０．５μｍ厚さの銀メッキ皮膜を施した後、焼けの生じ
ない限界電流密度以下のメッキ条件で、所要厚さの銀メ
ッキ皮膜を得る方法が用いられている。

しかしながら、この方法ではメッキ工程が２つになり、
管理上も設備上も複雑にならざるを得ない欠点を有して
いる。

一方、上記の方法によりメッキ直後には良好な密着性が
得られても、大気中での加熱に伴なう銀メッキ皮膜と鉄
ニッケル合金界面の酸化による密着性低下は防止できな
い。

本発明者らは、この銀メッキ皮膜を酸素が拡散透過する
ことによる鉄ニッケル合金境界面の酸化現象がメッキ皮
膜の析出組識を緻密にすることにより防止できることを
見い出した。

しかるにこの緻密メッキを施す方法として考えられるい
くつかの方法、即ちメッキ浴中の銀濃度増加、メッキ浴
中ヘの光沢剤の添力田 メツキ浴温の上昇などは、いず
れもメッキ浴の管理を含む、日常管理を複雑にする他、
持出し浴による銀のロスや設備上の問題も含め現実的で
はない。

他の方法としては、電流密度を低くする方法が考えられ
るが、この方法ではメッキ時間が長大となり生産性の点
で問題となる。

ところで、係る電気メッキ方法における結晶成長過程で
は、各段階において下地層の結晶組織の性状の影響を受
け継ぎつつ成長することから下地のメッキ析出状態が緻
密な場合には、より高い電流密度でメッキすることが可
能である。

本発明は、前述の２つの問題点を同時に且つ簡便に解決
する方法として同一メッキ浴を用いて、メッキ時間内に
おいて時間の経過に伴ないメッキ電流密度を連続的にス
トライク効果の為の高電流密度メッキ、緻密メッキ層を
得る為の低電流密度メッキ、そして所要のメツキ膜厚を
得る為の高電流密度メッキを、メッキ用電源の出力を電
気的に匍脚、変化させることにより、鉄ニッケル合金上
に銀メッキ皮膜を流す方法を提案するものである。

普た本発明による方法ではストライクメッキ後本メッキ
間に入気中への暴露がないことから、ストライクメッキ
後の新生面を汚染することなく本メッキをすることがで
きるので、トータルでの品質管理が容易になる利点があ
り、特に、Ｉ Ｃ ！Ｊ −ドフレームをフープ状で連
続高速メッキする場合には、極めて有効な手段と考えら
れる。

尚、メッキの析出状態を制御する方法として最近ではパ
ルス波形によるメッキ法が提案されているが、この効果
を得る為には、通電時間に対する非通電時間の比率が高
くなり、トータルとしてはメッキ時間の長大化は避け得
ない。

実施例 １ ４２重量多のニッケルを含有する厚さ０．２５ｍｍ幅１
０朋長さ５０間の鉄ニッケル合金板を脱脂処理及び塩酸
水溶液で先滌して銀メッキを行なった。

メッキ溶は次の通り、 ＡｇＣＮ ５０ｇ／１ 遊離ＣＮ ８０ｇ／１ 浴温 ７０℃ 先づ最初の２秒間陰極電流密度２０Ａ／ｄｍ２とし次に
２秒から１８秒１での１６秒間を同じく５Ａ／ｄｍ２に
維持し、１８秒から２２秒筐での４秒間に５Ａ／ｄｍ２
から１８Ａ／ｄｍ２に直線的に陰極電流密度を上昇させ
、引続き１８秒間１３．７５Ａ／ｄｍ２に保って鉄ニッ
ケル合金面上に厚さ４μｍの銀メッキ皮膜を得た。

対比例として最初の２秒間２ＯＡ／ｄｍ２の電流密度と
し、次の２秒間は電流を断ち、４秒から４０秒ｌでの３
６秒間は引続きＩＯＡ／ｄｍ２に維持して上記の場合と
陰極電流密度の積分値が等しくなるようにした従来法に
よるメッキを行ない同じく厚さ４μｍの銀メッキ皮膜を
得た。

上記二つの試験片を５００℃で５分間大気中で加熱後１
８０゜に折り曲げて密着性について試した処、本発明に
よるものは何等異常は生じなかったが、従来法による場
合は、銀メッキ皮膜に割れや剥離を生じた。

捷たＸ線マイクロアナライザーにより鉄ニッケル合金と
銀メッキ皮膜との界面を観察した結果では本発明では酸
素を検出しなかったのに対し、従来法による場合は酸素
が検出された。

実施例 ２ ２５關幅Ｘ Ｏ． ２ ５厚さの４２重量多ニッケル含
有鉄ニッケル合金テープ又は打ち抜き加工したリードフ
レームをフープ状で高速部分メッキを行なった。

メッキ浴条件は実施例１と同様にし、電流密度を実施例
１０５倍とし全メッキ時間を１／５に縮小して実施し、
実施例と同様の評価を実施したところ、やはり本発明の
方法による製品では同様に良好な結果が得られた。

１た、この場合にはストライクメッキ工程が省略された
為、部分メッキの位置あわせ作業の軽減を初め、メッキ
浴管理に要する付帯作業量を低減することができ、著し
い作業性の改善が可能となった。

すなわち、本発明の方法で鉄ニッケル合金上に密着性良
好なるＡｇメツキ皮膜を簡便に得ることが可能となる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ メッキ中メッキ電流密度を最初に高電流密度とし引
   続き低電流密度とし更に引続き高電流密度と変化させて
   メッキすることを特徴とする鉄ニッケル合金面への銀メ
   ッキ方法。