JPS5830744B2 - 発光ダイオ−ド装置 - Google Patents

発光ダイオ−ド装置

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Publication number
JPS5830744B2
JPS5830744B2 JP51019212A JP1921276A JPS5830744B2 JP S5830744 B2 JPS5830744 B2 JP S5830744B2 JP 51019212 A JP51019212 A JP 51019212A JP 1921276 A JP1921276 A JP 1921276A JP S5830744 B2 JPS5830744 B2 JP S5830744B2
Authority
JP
Japan
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light emitting
emitting diode
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solder
diode device
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Expired
Application number
JP51019212A
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English (en)
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JPS52101987A (en
Inventor
圀彦 高浜
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H01L2224/141—Disposition
    • H01L2224/1418—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/14181—On opposite sides of the body

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は発光ダイオード装置に関する。
従来、第１図に示す如く、ＰＮ接合面１に平行な面状電
極２，３を有する発光ダイオード４を、そのＰＮ接合面
１が基板５の面に対して垂直になる配置にて基板５上に
配し、発光ダイオード４の電極２，３と基板５側の電極
６，７とを半田８゜９にて結合してなる装置が知られて
いる。
斯る装置によれば、ＰＮ接合面１からの光を有効に基板
５上方に取り出すことができ、且煩雑なワイヤボンディ
ング技術に依ることなく、簡単な半田付着作業にて発光
ダイオードと基板電極間の結線を行うことができる。
然るに、上記装置にあっては、半田８，９０表面が金属
光沢による光反射性を有するため、外部光が斯る半田表
面で反射されて、その反射光がＰＮ接合面１からの光を
見掛上弱め、あるいは上記の様な発光ダイオード４を複
数個密接して基板５上に配列して文字表示などをなす場
合、各発光ダイオード間の相互光反射が生じ、表示文字
がぼやけてしまう危惧がある。
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、半田の表面を
化学的に黒化処理して該表面での反射を防止した装置を
提供するものである。
以下本発明実施例を第２図にて説明する。
本実施例にあっては、まず第１図と同様に発光ダイオー
ド４、基板６及び半田８，９よりなる構造が組立てられ
る。
この時半田８，９は、融点、信頼性などの点から、９５
％５ｎ−５％ｓｂ合金が使用される。
尚、発光ダイオードの電極２，３及び基板側の電極６，
７は共に金である。
次いで、上記の組立体、特に半田８，９部分に付着して
いる半田フラックスをトリクレン等の有機溶剤により除
去した後、組立体を室温（２０〜３０℃）の希硝酸（Ｈ
ＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１ ： ３〜３０体積比）中に短時間
浸す。
例えばＨＩＮＯ３：Ｈ２Ｏ−１ニア（体積比）の場合に
は、その浸漬時間は約７秒が適当である。
これにより半田８゜９中のＳｎが溶解してその表面がｓ
ｂで覆われ、このｓｂが酸化する結果、半田８，９０表
面が酸化アンチモンの黒い膜１０で覆われる。
即ち半田８．９０表面から金属光沢が消え、該表面は黒
化する。
尚希硝酸に浸す時間が短いと黒化が十分なされず、長す
ぎると酸化アンチモンの膜厚が大きくなって護膜が剥離
し易くなり、特に組立体を樹脂モールドする際に例ｊ離
すると半田８，９上の樹脂を浮かしてしまい好ましくな
い。
最後に組立体を充分水洗し乾燥して装置が完成される。
尚、特に基板５にセラミックスを用いた場合、その表面
が多孔質であるため、上記水洗処理だけでは上記基板表
面に黒化処理のための酸が浸み込んだまＳ残る傾向にあ
るが、斯る酸として上記実施例の如く硝酸を使用すると
、硝酸は他の酸と違い乾燥により容易に蒸発するので有
利である。
以上の説明により明らかな如く、本発明によればＰＮ接
合面に平行な面状電極を有する発光ダイオードを上記Ｐ
Ｎ接合面が基板面に対して垂直になる配置にて上記基板
上に配し、上記発光ダイオードの電極と上記基板の電極
とを半田にて結合してなる発光ダイオード装置に於て、
上記半田表面は黒化処理されているから、上記半田表面
にて外部光が反射することなく−あるいは隣り合う発光
ダイオード間の相互光反射がなくなる等、発光状態がよ
り鮮明になり、更に上記黒化処理は化学的になされたも
のであるから、半田表面の黒化層が簡単には剥げないと
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例を示す要部断面図、第２図は本発明実施
例を示す要部断面図である。 ４・・・・・・発光ダイオード、５・・・・・・基板、
８，９・・・・・・半田、１０・・・・・・黒化処理さ
れた膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Ｉ ＰＮ接合面に平行な面状電極を有する発光ダイオ
    ードを、上記ＰＮ接合面が基板面に対して垂直になる配
    置にて上記基板上に配し、上記発光ダイオードの電極と
    上記基板の電極とを半田にて結合すると共に、上記半田
    表面を化学的に黒化処理してなる発光ダイオード装置。
JP51019212A 1976-02-20 1976-02-20 発光ダイオ−ド装置 Expired JPS5830744B2 (ja)

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JPS52101987A JPS52101987A (en) 1977-08-26
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