JPS5826379A - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

磁気バブルメモリ装置

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Publication number
JPS5826379A
JPS5826379A JP56123000A JP12300081A JPS5826379A JP S5826379 A JPS5826379 A JP S5826379A JP 56123000 A JP56123000 A JP 56123000A JP 12300081 A JP12300081 A JP 12300081A JP S5826379 A JPS5826379 A JP S5826379A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory device
magnetic field
bubble memory
rotating magnetic
vain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56123000A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadaaki Eto
江藤 忠昭
Ryuji Yano
矢野 隆二
Kazuhiro Ishida
一博 石田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56123000A priority Critical patent/JPS5826379A/ja
Publication of JPS5826379A publication Critical patent/JPS5826379A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875Organisation of a plurality of magnetic shift registers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明(j、データの授受命令から最初のデータを授受
するまでの時間めわゆるアクセスタイムを小さくできる
磁気バブルメモリ装置に関する。。
一般に、磁気バブルメモリ装置においては、所望のアド
レスへのデータを授受する場合、所定のアクセスタイム
を必要とするが、このアクセスタイムはできるだけ短か
いことが望ましい、1通常の磁気バブルメモリ装置にお
いては、アドレスをCPUと前もって同期させている場
合でも、最初のページの情報を読み出す際には、読み出
し命令を出したときメジ子ループ上にある情報を全て読
み取り部まで空送り転送し、そのデータは無視して同期
された所望のアドレスベージからメジャループに転出さ
れたデータを読み取るようにしである。しかし、従来の
装置では、アドレスを1ステツプ進めるに要する時間は
、読み出し部等の機能部内においてバブルを通過さぜる
に必要な最小時間に設定されているが、前記のような無
視されるデータを有するバブルを単に空送り転送する場
合でもこれと同じ時間をかけて転送するようになってい
る。このため、アクセスタイムは、メモリ容量が増えて
メジ子ループ上を空送り転送する部分が多くなると、こ
れにともなって増大し高速データ転送ができなく々ると
いう問題があった。。
本発明ζjこのような従来の問題を解決するためになさ
れたもので、その目的とするところは、アクセスタイム
を大111Mに短縮できるような磁気バブルメモリ装置
を提供することにある。、以下、本発明を図面を参照に
して詳細に説明する。
図は本発明に係ろ磁気バブルメモリ装置の一実施例の概
略構成図である。図において、1a、2a。
3a、・Φ・@n(280)aは情報を蓄えるマイナル
ープ、10はこれらマイナループに情報を書き込むべく
転送したり、マイナルーブに蓄えられた情報を読み取り
部へ転送したりするメジャループ、11 LJメジャラ
イン、12はスワップ転送ゲート、13は伝送路、14
は発生器、15は検出器、16はリプリケータ、17は
タイミングコントロール部、18は回転磁界駆動部、2
0はユーザシステム、21はRAMである。マイナルー
プ1a”n a。
メジャループ10.スワップ転送ゲート12.伝送路1
39発生器14.検出器15.リプリケータ16等はバ
ブルメモリチップに形成されており、このチップにはバ
イヤス磁界が加えられている、。
なお、Pol PII ”l+”・・・はページ0.ペ
ージ1、ページ2.・・・・を示している。
ここで、最初のページを読み出すために空送りして所定
のページを読み出す場合の1ペ一ジ分のデータを空送り
するのに要するピット数等はあらかじめバブルメモリ装
置内のROM(図示せず)に記憶されている。そして、
タイミングコントロール部17の切換作用により、前記
ビットを空送り転送する場合のみバブルメモリチップに
転送のために供給する回転磁界の回転速度を、機能部を
通過する際バブルを転送させる回転磁界の回転速度より
速くするように々っている。
この場合、読み出しや、書き込みには関係のない空送り
の転送をする部分のみで回転磁界の回転速度を速くする
ようにしであるので、スイッチの切換えノイズ等の影響
も特性上は関係な〈実施できる。
このような装置の有効な使用例としては、電源再投入時
のスピードアップ化の場合等がある。例えば、電源断時
にバブルか゛マイナループ上のどの位置に停止するかは
全て命令の最終アドレスにかかつており、次に電源再投
入する際にCPUとのアドレスの同期をとるためにはマ
ーカービットの位置をさがし出す必要がある。このとき
、アドレスの同期をとった後は、命令を実行するために
所定のアドレスのデータを読み取るか、または所定のア
ドレスにデータを書き込むために、このアドレスまで空
送り転送を行なう必要がある。この場合、この空送り転
送の時間を大幅に短くすることが可能になる。
このように、本発明によると、高速データ転送が可能と
なりデータ授受時間を大幅に短縮できるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に係る磁気バブルメモリ装置の一実施例の概
略構成図である。 1 a、 2a、 3a、・・・・マイナループ、 1
0會・・Oメジャル−ゾ、11会・e・メジャライン、
12・・・・スワップ転送ゲート、13@Φ11−転送
路、14・・・・発生器、15・・嗜・検出器、1T・
・・・タイミングコントロール部、18・・・・回転磁
界駆動部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 情報を蓄えるマイナループとこのマイナループに蓄えら
    れた情報を読み出し部へ転送するメジャループとを備え
    、回転磁界を与えてバブルを転送する磁気バブルメモリ
    装置において、バブルが空送り転送されるときの回転磁
    界の回転速度を、バブルが読み出し部等の機能部分を通
    過する際転送されるときの回転磁界の回転速度より速く
    したことを特徴とする磁気バブルメモリ装置1゜
JP56123000A 1981-08-07 1981-08-07 磁気バブルメモリ装置 Pending JPS5826379A (ja)

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JP56123000A JPS5826379A (ja) 1981-08-07 1981-08-07 磁気バブルメモリ装置

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JP56123000A JPS5826379A (ja) 1981-08-07 1981-08-07 磁気バブルメモリ装置

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JPS5826379A true JPS5826379A (ja) 1983-02-16

Family

ID=14849781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56123000A Pending JPS5826379A (ja) 1981-08-07 1981-08-07 磁気バブルメモリ装置

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JP (1) JPS5826379A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60191497U (ja) * 1984-05-31 1985-12-19 東洋インキ製造株式会社 壁紙用マスキングテ−プ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51126733A (en) * 1975-04-25 1976-11-05 Fujitsu Ltd Bubble memory characteristic measuring method.
JPS5629884A (en) * 1979-08-13 1981-03-25 Nec Corp Magnetic bubble drive system
JPS5634182A (en) * 1979-08-24 1981-04-06 Hitachi Ltd Magnetic bubble unit
JPS5647987A (en) * 1979-09-26 1981-04-30 Hitachi Ltd Sorting-selecting test for magnetic bubble memory chip

Patent Citations (4)

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