JPS582485B2 - カヘンドウチヨウソウチ - Google Patents
カヘンドウチヨウソウチInfo
- Publication number
- JPS582485B2 JPS582485B2 JP10330674A JP10330674A JPS582485B2 JP S582485 B2 JPS582485 B2 JP S582485B2 JP 10330674 A JP10330674 A JP 10330674A JP 10330674 A JP10330674 A JP 10330674A JP S582485 B2 JPS582485 B2 JP S582485B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- variable
- tuning
- resistance
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Attenuators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、いわゆる電気化学的可変抵抗素子を利用した
可変同調装置に関する。
可変同調装置に関する。
本発明に応用する電気化学的可変抵抗素子は、第1、第
2図に示すように、固体電解質1の両面に相対向して銀
よりなる活性極2と、銀の蒸着薄膜よりなる抵抗極3と
を有し、該抵抗極の両端および活性極2より夫々3つの
端子A,B,Cを取出した構成をなし、全体として樹脂
シール4されている。
2図に示すように、固体電解質1の両面に相対向して銀
よりなる活性極2と、銀の蒸着薄膜よりなる抵抗極3と
を有し、該抵抗極の両端および活性極2より夫々3つの
端子A,B,Cを取出した構成をなし、全体として樹脂
シール4されている。
この素子において活性極2を陽極、抵抗極3を陰極とす
る方向に通電すると、第3図に図示せる如く活性極2の
銀は固体電解質1中をイオンとなって抵抗極3上に移行
折出し、この抵抗極の抵抗値は銀層の厚みの増大により
減少まる。
る方向に通電すると、第3図に図示せる如く活性極2の
銀は固体電解質1中をイオンとなって抵抗極3上に移行
折出し、この抵抗極の抵抗値は銀層の厚みの増大により
減少まる。
また電流の方向を逆にすると、抵抗極3の銀が活性極2
上に移行折出して抵抗値が増大する。
上に移行折出して抵抗値が増大する。
そして任意の点で通電を停止すると抵抗値は固定される
。
。
従って通電電気量に応じて端子AB間の抵抗値を制御す
ることがで来る。
ることがで来る。
特に、抵抗極として従来の銀蒸着薄膜の代りに、イオン
・電子両伝導性の混合導電体であるAg1,7Te−A
g2S−Ag4P2O5系又はAg1,7Te−Ag2
S−Ag3PO4系固溶体を用いることにより、特性良
好な可変抵抗素子を得ることができる。
・電子両伝導性の混合導電体であるAg1,7Te−A
g2S−Ag4P2O5系又はAg1,7Te−Ag2
S−Ag3PO4系固溶体を用いることにより、特性良
好な可変抵抗素子を得ることができる。
固体電解質1は、Ag1とAg2WO4との混合物を加
熱処理して得た合成物(Ag6I4WO4)の粉末成型
体が用いられる。
熱処理して得た合成物(Ag6I4WO4)の粉末成型
体が用いられる。
前記可変抵抗素子の作成に際し、先づ前記イオン電子両
導電性固溶体を厚さ約0.2mmに圧延し、第2図図示
の如く、この抵抗極3′と活性極2との間に固体電解質
1を介挿して加圧成型し、然る後樹脂シール4して組立
てる。
導電性固溶体を厚さ約0.2mmに圧延し、第2図図示
の如く、この抵抗極3′と活性極2との間に固体電解質
1を介挿して加圧成型し、然る後樹脂シール4して組立
てる。
活性極2として銀粉末に固体電解質粉末を混入してペレ
ットに成型したものを用い端子A,B,Cの素材として
は、いづれも白金線が用いられる。
ットに成型したものを用い端子A,B,Cの素材として
は、いづれも白金線が用いられる。
第4、第5図は、斯る電気化学的可変抵抗素子を可変減
衰素子として用いた本発明の町変同調装置の異る実施例
を表わすものである。
衰素子として用いた本発明の町変同調装置の異る実施例
を表わすものである。
以下本発明の詳細を各実施例について説明する。
第4図の実施例において、電気化学的町変抵抗素子10
(以下単に素子という)は、固体抵抗11と相俟って簡
単な4端子可変減衰回路網9を形成しており、例えば1
KHzで発振する通常の発振回、路8の出力を減衰制御
する。
(以下単に素子という)は、固体抵抗11と相俟って簡
単な4端子可変減衰回路網9を形成しており、例えば1
KHzで発振する通常の発振回、路8の出力を減衰制御
する。
前記4端子可変減衰回路網9の減衰発振出力は、整流平
滑回路7にて安定した直流電圧に変換された後、同調回
路6を構成するバラクタ(等の可変リアクタンス)5に
印加される。
滑回路7にて安定した直流電圧に変換された後、同調回
路6を構成するバラクタ(等の可変リアクタンス)5に
印加される。
又、前記素子10の活性極12と抵抗極13の間には、
直流電圧(電源14)が、極性切換(欅)接続を施した
2回路4接点スイッチ15を介して順、逆両極性に選択
的に印加されるように接続される。
直流電圧(電源14)が、極性切換(欅)接続を施した
2回路4接点スイッチ15を介して順、逆両極性に選択
的に印加されるように接続される。
而して、前記スイッチ15の可動接片をA側に切換える
と、素子10の抵抗極a−b間の抵抗値は減少して行き
、それに伴って前記4端子可変減衰回路網の入力端子1
6.17間に印加される前記発振回路8の出力は徐々に
減衰される。
と、素子10の抵抗極a−b間の抵抗値は減少して行き
、それに伴って前記4端子可変減衰回路網の入力端子1
6.17間に印加される前記発振回路8の出力は徐々に
減衰される。
従って上記整流平滑回路7の出力は、上記バラクタ5に
漸次降下電圧を与え、上記同調回路6の同調周波数を低
周波数側に掃引して行く。
漸次降下電圧を与え、上記同調回路6の同調周波数を低
周波数側に掃引して行く。
逆に、前記スイッチ15の可動接片をB側に切換えると
、素子10の抵抗極間の抵抗値は増加して行き、それに
伴い上記4端子可変減衰回路網の減衰量は減少して行く
ため、前記出力端子に生ずる発振出力レベルは相対的に
増加し、整流平滑回路7の出力である掃引電圧は上昇し
て行き、上記同調回路6の同調周波数を高城周波数側に
掃引して行く。
、素子10の抵抗極間の抵抗値は増加して行き、それに
伴い上記4端子可変減衰回路網の減衰量は減少して行く
ため、前記出力端子に生ずる発振出力レベルは相対的に
増加し、整流平滑回路7の出力である掃引電圧は上昇し
て行き、上記同調回路6の同調周波数を高城周波数側に
掃引して行く。
従って、上記スイッチ15の操作摘子(図示せず)の部
分を、常に中立点へ復帰するように発条付勢されるシー
ソ型スイッチ形式のものとし、倒置2位置(スイッチの
切換2位置に対応)に対応して高周波数、低周波数掃引
力向の矢印等を機器の操作部に表示しておくことによっ
て、手動同調操作を可能とし、希望同調点でスイッチ1
5を中立点に戻すことにより、前述の如く素子の抵抗値
は固定されるので継続的に同調電圧が維持される。
分を、常に中立点へ復帰するように発条付勢されるシー
ソ型スイッチ形式のものとし、倒置2位置(スイッチの
切換2位置に対応)に対応して高周波数、低周波数掃引
力向の矢印等を機器の操作部に表示しておくことによっ
て、手動同調操作を可能とし、希望同調点でスイッチ1
5を中立点に戻すことにより、前述の如く素子の抵抗値
は固定されるので継続的に同調電圧が維持される。
従って実用的な可変同調装置を構成することが出来る。
第5図は、掃引電圧の制御範囲の拡大及び素子の温度特
性の補償に留意した他の実施例を表わしている。
性の補償に留意した他の実施例を表わしている。
同実施例においては、上記4端子可変減衰回路網9を一
対の素子20.21を相隣る2辺とするブリッジ回路で
ある。
対の素子20.21を相隣る2辺とするブリッジ回路で
ある。
前記素子の活性極間22.23には、各々独立した常開
性のスイッチ24 .25によって極性を異にする直流
電源26.27の出力が選択的に印加されるよう構成さ
れる。
性のスイッチ24 .25によって極性を異にする直流
電源26.27の出力が選択的に印加されるよう構成さ
れる。
前記ブリッジ回路の他の2辺を構成する抵抗28 .2
9の値於び接続点c,d間を橋絡する抵抗30の値を夫
々図示の如く設定し、R≫R1,R2,r1,r2とす
ると、インピーダンス整合回路(図示せず)を介して端
子32.33に印加される上記発振回路8の出力(電圧
V)は、出力端子34,35から略Vに減衰されて取出
される。
9の値於び接続点c,d間を橋絡する抵抗30の値を夫
々図示の如く設定し、R≫R1,R2,r1,r2とす
ると、インピーダンス整合回路(図示せず)を介して端
子32.33に印加される上記発振回路8の出力(電圧
V)は、出力端子34,35から略Vに減衰されて取出
される。
ところで、いまスイッチ24を閉路すると、素子21は
順方向、素子20は逆方向に直流電源付勢され、前者の
抵抗r2は減少し、後者のそれは増加して行く。
順方向、素子20は逆方向に直流電源付勢され、前者の
抵抗r2は減少し、後者のそれは増加して行く。
又スイッチ24を開路し、スイッチ25を閉路すると、
素子20は順方向、素子21は逆方向に直流電源付勢さ
れるので、前記の場合とは逆に素子20の抵抗r1は減
少して行き、素子21の抵抗r2は増加して行く。
素子20は順方向、素子21は逆方向に直流電源付勢さ
れるので、前記の場合とは逆に素子20の抵抗r1は減
少して行き、素子21の抵抗r2は増加して行く。
従って上記ブリッジ回路の出力電圧Vは、R1=R2に
設定した場合には、r1=r2のとき0となり、r1が
最大のとき最大となる。
設定した場合には、r1=r2のとき0となり、r1が
最大のとき最大となる。
而して、前記スイッチ24を掃引周波数の増加、スイッ
チ25を同減少操作モードに対応せしめておけば、温度
的に安定した制御範囲ゑ広い実用的可変同調装置が実現
出来る。
チ25を同減少操作モードに対応せしめておけば、温度
的に安定した制御範囲ゑ広い実用的可変同調装置が実現
出来る。
上記2つのスイッチ24.25に代え、第1図図示の如
き2回路4接点スイッチ15を使用することも出来る。
き2回路4接点スイッチ15を使用することも出来る。
上記スイッチ24 .25を例えば自己保持型リレーを
含む常開性スイッチで構成するを可とし、同調完了を検
知する回路の出力、例えば一定レベル以上のAGC信号
によって前記リレーの自己保持を解除する構成或は、自
己保持リレーと均等の自己保持回路、(SCRを使用す
るもの、双安定マルチバイブレークを使用するもの)を
解除する構成とすることによって、自動同調(掃引)形
式とすることが出来る。
含む常開性スイッチで構成するを可とし、同調完了を検
知する回路の出力、例えば一定レベル以上のAGC信号
によって前記リレーの自己保持を解除する構成或は、自
己保持リレーと均等の自己保持回路、(SCRを使用す
るもの、双安定マルチバイブレークを使用するもの)を
解除する構成とすることによって、自動同調(掃引)形
式とすることが出来る。
第1図、第2図は、本発明の可変同調回路に応用する電
気化学的抵抗素子の構成略図、第3図は同特性図、第4
第5図は本発明装置の異る実施回路例である。 主な図番の説明、8……発振回路、9……4端子可変減
衰回路網、10……電気化学的抵抗素子、7……整流平
滑回路、6……同調回路、5……バラクタ。
気化学的抵抗素子の構成略図、第3図は同特性図、第4
第5図は本発明装置の異る実施回路例である。 主な図番の説明、8……発振回路、9……4端子可変減
衰回路網、10……電気化学的抵抗素子、7……整流平
滑回路、6……同調回路、5……バラクタ。
Claims (1)
- 1 金属イオン電導性の固体電解質を介して相対向する
活性極と抵抗極を備える電気化学的可変抵抗素子で可変
減衰回路網を形成し、該回路網で制御された発振回路出
力を整流平滑し、該出力電圧によって同調回路を構成す
る可変リアクタンス素子を制御すべく接続した可変同調
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10330674A JPS582485B2 (ja) | 1974-09-06 | 1974-09-06 | カヘンドウチヨウソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10330674A JPS582485B2 (ja) | 1974-09-06 | 1974-09-06 | カヘンドウチヨウソウチ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5129802A JPS5129802A (ja) | 1976-03-13 |
JPS582485B2 true JPS582485B2 (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14350530
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10330674A Expired JPS582485B2 (ja) | 1974-09-06 | 1974-09-06 | カヘンドウチヨウソウチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS582485B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS607066A (ja) * | 1983-06-02 | 1985-01-14 | エンゲルハード・コーポレーション | 熱伝達アセンブリ |
JPH0185593U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 |
-
1974
- 1974-09-06 JP JP10330674A patent/JPS582485B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS607066A (ja) * | 1983-06-02 | 1985-01-14 | エンゲルハード・コーポレーション | 熱伝達アセンブリ |
JPH0185593U (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-07 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5129802A (ja) | 1976-03-13 |
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