JPS5823943B2 - 絶縁体の貫通電極形成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は絶縁体の貫通電極形成方法に関するものである
。

特に、本発明にかかる貫通電極は半導体素子電極と外部
電極端子を電気的に接続する際に、従来の方法によるＡ
ｕ、ＡＩ線を用いないで接続するいわゆるワイヤレスボ
ンディング方式において用いられるものであり、スルー
ホールが形成される基板としては一般的には樹脂フィル
ムが用いられる。

従来、プリント基板などに貫通電極を形成する際には、
メッキ技術によるか、ハトメを用いていた。

通常のプリント基板の孔の直径は約０．６〜１０ｍｖｔ
程度である為、従来の方法により、比較的容易に貫通電
極構造を得る事ができた。

しかし、孔が微細になるとメッキが完全につかずメッキ
によって貫通電極構造を得る事は困難になる。

そこで、本発明は半導体集積回路の電極等との接続に用
いられる絶縁体の貫通電極を確実に容易に形成しようと
するものである。

以下本発明の一実施例にかかる貫通電極形成方法を図面
を用いて説明する。

第１図に於いて、ガラス又は樹脂フィルムの基板２に金
属導体箔１（例えば銅箔）を接着剤を用いて貼り合わせ
る。

ここで基板１はスルーホールの金属導体として用いる為
、２５〜２００μ程度とする。

接着剤は後に基板１と金属導体箔２とは離す必要がある
為、温度又は化学的に分解するもの、例えばワックスの
様なものを用いる。

次に第２図、第３図に於いて、金属導体箔１上に、フォ
トレジスト３を用いて所望する貫通電極の金属導体部１
′を形成する様にパターンを形成する。

次に化学的エツチングにより不要部を除去し、金属導体
部１′を残す。

こうして不要部を除去した後は第３図に示す凹状の孔４
ができる。

ここで金属導体部１′の径又は一辺の長さは、５０〜２
００μ程度のものとした。

この理由は導体部１′の部分は後に貫通電極となるもの
であり、半導体素子電極と接続する必要がある為である
。

半導体素子の電極は、例えば通常のＩＣに於ける電極は
標準で一辺が１００μ程度の正方形であるので、上記５
０〜２００μ程度で接続可能である。

又、エツチング液としては、導体箔１が例えば銅の場合
は塩化第２鉄の溶液を用いればよい。

次にフォトレジスト３を除去し第４図の状態にする。

そして第５図に示すように第４図の状態に於いて金属導
体箔１表面に絶縁樹脂５を充填した状態を表わす。

ここで絶縁樹脂５の材料として例えばポリイミドのよう
な耐熱性のものが好ましい。

続いて第６図に示す様に化学的エツチングによって絶縁
樹脂５を所望する厚みだけ除去しスルーホールの導体部
１′の一部を表面に出す。

ここでエツチング溶液としては、絶縁樹脂５を解かし導
体部１′は反応しないもの例えば絶縁樹脂５がポリイミ
ド、導体部１′が銅の場合は苛性ソーダが使用される。

次に基板２を導体部１′より取り除いた様子を第７図に
示す。

接着剤にワックスを用いた場合は、。温度を上げる事に
よって基板２と導体部１を離す事ができる。

続いて第８図、第９図に於いて金属導体箔１の裏面に導
体部１′に対応する所定部分１″を残す様なエツチング
パターンを有するフォトレジスト６を形成する。

次に所定部分１“を残し不要部を化学的エツチングによ
って除去した後、フォトレジスト６を除去する。

上記方法によって形成した貫通電極構造を第１０図に示
す。

このようにして金属導体部１′を絶縁樹脂５内に埋込み
、貫通電極を作成することができる。

以上のように本発明の方法によれば、従来のメッキによ
る貫通電極形成法に比べて、容易に微細構造の孔の貫通
電極構造を得る事ができる。

またメッキによる場合、孔の側面のみ導体が形成される
が本発明の方法によれば孔の内部が全て導体で充たされ
た構造になる為、信頼性が高い貫通電極構造を得ること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１〜１０図は本発明の一実施例にかかる絶縁体の貫通
電極形成方法の工程断面図である。 第１図は基板に金属導体箔を貼り合わせた断面図、第２
図は第１図の金属導体箔にフォトレジストでエツチング
のパターンを形成した図、第３図は第２図の状態からエ
ツチングにより不要部を除去した断面図、第４図は第３
図の状態からフォトレジストを除去した時の断面図、第
５図は第４図の状態に絶縁樹脂を充填した状態の断面図
、第６図は第５図の絶縁樹脂の一部を除去した状態の断
面図、第７図は第６図の状態から基板を取り除いた断面
図、第８図は第７図の状態にエツチングパターンを形成
した状態の断面図、第９図は第８図の状態からエツチン
グを行なった後の断面図、第１０図は第９図の状態から
フォトレジストを除去し、貫通電極構造の完成断面図で
ある。 １・・・・・・金属導体箔、１′・・・・・・金属導体
部、２・・・・・・基板、３・・・・・・フォトレジス
ト、４・・・・・・凹状の孔、５・・・・・・絶縁樹脂
、６・・・・・・フォトレジスト。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 金属導体箔の一方の主面に補強用基板を接着し他方
   の主面よりこの金属導体箔の一部を凹状に選択的に除去
   して金属突起物を形成する工程と、上記他方の主面より
   上記金属導体箔の除去された部分に絶縁体を充填し、こ
   の充填絶縁体の表面をエツチングして上記金属突起物の
   表面が上記充填絶縁体の表面と同一かもしくは突出せる
   構造となす工程と、上記補強用基板を除去して上記金属
   導体箔の一方の主面を露出させ、上記他方の主面に形成
   されている金属突起物に対応する上記一方の主面側の金
   属導体箔の所定部を残して他の部分を除去する工程とを
   備えれことを特徴とする絶縁体の貫通電極形成方法。