JPS5823610B2 - 液晶セル - Google Patents

液晶セル

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Publication number
JPS5823610B2
JPS5823610B2 JP51098639A JP9863976A JPS5823610B2 JP S5823610 B2 JPS5823610 B2 JP S5823610B2 JP 51098639 A JP51098639 A JP 51098639A JP 9863976 A JP9863976 A JP 9863976A JP S5823610 B2 JPS5823610 B2 JP S5823610B2
Authority
JP
Japan
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liquid crystal
conductive film
substrate
polyimide
polymer
Prior art date
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Expired
Application number
JP51098639A
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English (en)
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JPS5324850A (en
Inventor
横倉久男
宮寺康夫
中野文雄
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表示装置などに用いられる液晶セルに係わり
、特に、寿命向上に有効な電極保護膜を有する液晶セル
に係わる。
液晶セル、特に電界の作用により動作する電気光学効果
を利用したネマティック液晶セルでは、電極及び液晶の
劣化を防止するため、電極と液晶が直接接触しないよう
に、一般に電極面と液晶との間に、絶縁性の膜を設けて
いる。
その目的のために、通常用いられるのは、SiOの蒸着
膜あるいはSiO□のCVD膜、スピンナー塗布膜など
無機材料が主であった。
それは、これら無機膜は、液晶と接しても液晶に溶解す
るなど悪影響を与える要因をもたず、またカラスフリッ
トシールの際の加熱に耐えられるなどの利点があるため
である。
これに対して、有機高分子材料による絶縁膜は、耐熱性
がなく、シかも、液晶に溶は込んで液晶の特性を著しく
阻害すると言った欠点があるため、絶縁膜形成の簡便さ
の点で無機絶縁膜より有利でありながら、従来はとんど
利用されていなかった。
発明者らは、上記のような状況に鑑み各種高分子材料に
ついて、液晶の性能に悪影響を及ぼすか否か(相性)を
評価した。
そして材料中の可塑剤、硬化剤、触媒あるいは低重合物
など液晶lこ溶ける成分の存在が、相性を悪くすること
を認め、さらに有機へテロ環重合体が相性良くガラスフ
リットシール工程の条件にも耐え得ることを見出して、
本発明に達した。
すなわち本発明の目的は、その従来からの製作工程を特
別に改変することなく、有機へテロ環重合体を用いるこ
とによって絶縁膜形成を簡便化し、性能上は無機質絶縁
膜の場合と同様に良好な液晶セルを提供することである
その特徴は、平行に挾持されその少くとも一方は透明な
2枚の基板と、該基板の間に挿入されたネマチック液晶
層と、該液晶層に電圧を印加するために該基板上に設け
られた導電膜とを具備する液晶セルにおいて、該基板お
よび導電膜のうち少くとも導電膜が、耐熱性有機へテロ
環重合体であるポリイミド−イソインドロキナゾリンジ
オン重合体膜を介して該液晶と接する構造を有すること
である。
本発明においては、基板と導電膜のうち少くとも導電膜
を被覆し液晶との接触を介する絶縁膜材料として、ガラ
ヌフリットシール時の加熱に耐え流動や熱分解しない程
度の耐熱性を有するポリイミド−イソインドロキナゾリ
ンジオン重合体が使用される。
この重合体は動的熱重量分析において空気巾約400℃
まで実質上減量を示さない。
ポリイミド−インイントロキナゾリンジオンは、その前
駆重合体であるところの例えばポリアミド酸カルボンア
ミド溶液の状態でワニスにして導電膜の被覆に用いる。
この場合は、該ワニスを塗布し溶媒を揮散したのち加熱
して分子内結合閉環を行うことにより、所期のポリイミ
ド−イソインドロキナゾリンジオン層を形成させる。
ポリイミド−イソインドロキナゾリン重合体の前駆重合
体は、一般に溶媒の存在で合成され、生成した溶液を必
要にしたがって、濃度調整してワニスとして使用できる
が、有害な副生物をともなうときは重合体を一旦分離精
製した上でワニスにする。
その際用いられる溶剤としては例えばN−メチル−2−
ピロリドン、N、N−ジメチルホルムアミド、N−N−
ジメチルアセトアミド、ジメチルヌルホキサイド、ヘキ
サメチルホスホルアミド、クレゾール、キシレノールな
どがある。
本発明において、有機へテロ環重合体は、基板と導電膜
のうち少くとも導電膜面を被覆し、導電膜と液晶との直
接的接触を絶つことを要する。
し力1し該重合体の被覆は該導電膜上のみに必らずしも
限定されず基板上導電膜以外の部分をも被覆することは
伺ら支障ない。
むしろ基板上液晶の接する全面を被覆することは、ガラ
スなどの基板材料の影響によって起り得るべき液晶の劣
化を予防する点で好ましい。
従って該ヘテロ環重合体もしくはそれらの前駆重合体の
ワニスを導電膜面に適用するに当っては、特別の顧慮を
要せず、はけ塗り、浸漬その他慣用の手段を採ることが
できる。
本発明の液晶セルは、長時間の使用に安定な機能を示し
、液晶の劣化も観られなかった。
次に具体的実施例に基ずいて本発明の詳細な説明する。
実施例 1 4.4−シアミノジフェニルエーテル−3−カルボンア
ミドを1.829.4 、4’−ジアミノジフェニルエ
ーテル13.55’、3 、3’ 、 4 、4’−ベ
ンゾフェノンテトラカールボン酸二無水物12.08g
1無水ピロメリット酸8.18&及びN−メチル−2ピ
ロリドン10i1N、N−ジメチルアセトアミド100
gを300meの四ロフラヌコ反応容器に入れ、15℃
で6時間攪拌し、次に80℃で13時間攪拌し25℃の
粘度1000 cPのポリアミド酸カルボンアミド溶液
を得た。
このワニスにあらかじめきれいに洗浄したI n 20
s透明電導膜の付いたガラス基板を浸漬し、引き上げ
てドライヤーで溶媒を揮散させ透明な皮膜を形成した。
その後電気炉により、100℃で1時間、250℃で1
時間加熱処理し、透明なポリイミド−イソインドロキナ
ゾリンジオン膜を得た。
このようにして得られた2枚の基板の周辺部分から、ヒ
ドラジンによって、ポリイミド−イソインドロキナゾリ
ンジオン膜を除去し、ガラスフリットを印刷し、2枚の
基板を組み合せて、450℃30分間焼成し、セル化し
た。
その後あらかじめ、作っておいた注入孔から液晶p−メ
トキシベンジリデン−p−ブチルアニリン(MBBA)
を注入し、しかる後に注入口をエポキシ樹脂で封止して
、液晶セルとした。
この液晶セルに、外部から、透明導電膜を介して30V
の直流電圧を印加したが、電極膜の着色、気泡の発生な
どと言った通常起る劣化が全くなく、1000時間以上
の通電に耐えた。
また、上述と同様の工程で得られた重合体膜付きのガラ
ス基板を細片とし、ガラスアンプル中に、細片とMBB
Aを等重量比でとり、真空脱気してアンプルを封止した
このようにして作ったアンプルを80℃の電気炉中に放
置したが、2400時間放置後も、液晶あるいは、ポリ
イミドイソインドロキナゾリン膜に変色は認められず、
相性が良いことがわかった。
前記実施例において塗膜のガラス基板に対する密着性は
、基板が良く洗浄されていれば特に問題はないが、一層
強固な密着性を得るためには、あらかしめ基板面をアミ
ノシラン系、エポキシシラン系などのカンプリング剤で
処理しておくことが有効である。
本発明は、ガラヌフリットシールを用いた液晶セルばか
りですく、有機シールに対しても有効である。
実施例 2 実施例1に使用したポリアミド酸カルボンアミド溶液を
ガラス板上に塗布し、実施例1と同様の条件で加熱閉環
してポリイミド−インインドロキナゾリンジオンを得た
赤外分光分析の結果、前駆重合体に観られた波数340
0cm−” (NH)、3000〜2500crrL−
”(COOH)、1675cIrL−1(CONH2)
が消失し、代りに波数1775゜725cIfL−1(
イミド) 、 i 62 ocm−1(C=N )の吸
収が現れていた。
また熱重量分析(空気中、昇温速度5℃/分)における
減量開始温度は、ポリイミド−イソインドロキナゾリン
ジオン500℃であり、400℃までには流動しなかっ
た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 平行に挾持されその少くとも一方は透明な2枚の基
    板と、該基板の間に挿入されたネマチック液晶層と、該
    液晶層に電圧を印加するために該基板上に設けられた導
    電膜とを具備する液晶セルにおいて、該基板および導電
    膜のうち少くとも一方の導電膜がポリイミド−イソイン
    ドロキナゾリンジオンの重合体層を介して、該液晶と接
    する構造を有することを特徴とする液晶セル。 2 @記ポリイミドーイソインドロキナゾリンジオン重
    合体は4,4′−ジアミノジフェニルエーテル−3−カ
    ルボンアミド、4,4−ジアミノジフェニルニーアル、
    3 、3’ 、 4 、4’−ベンゾフェノンテトラカ
    ルボン酸二無水物、並びに無水ピロメIJット酸を原料
    とするポリアミド酸カルホンアミド溶液を前記導電膜上
    で加熱して得た反応物であることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の液晶セル。
JP51098639A 1976-08-20 1976-08-20 液晶セル Expired JPS5823610B2 (ja)

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JP51098639A JPS5823610B2 (ja) 1976-08-20 1976-08-20 液晶セル

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JPS5324850A JPS5324850A (en) 1978-03-08
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JPS5517137A (en) * 1978-07-24 1980-02-06 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Camera capable of automatically setting film sensitivity
JPS59191012A (ja) * 1983-04-13 1984-10-30 Sharp Corp 液晶表示素子
DE69841627D1 (de) 1998-12-15 2010-06-02 Max Planck Inst Fuer Polymerfo Funktionelles Material enthaltende Polyimid-Schicht, Vorrichtung die sie verwendet und Verfahren zur Herstellung dieser Vorrichtung

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5063954A (ja) * 1973-10-08 1975-05-30

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