JPS58225120A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

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JPS58225120A
JPS58225120A JP10924882A JP10924882A JPS58225120A JP S58225120 A JPS58225120 A JP S58225120A JP 10924882 A JP10924882 A JP 10924882A JP 10924882 A JP10924882 A JP 10924882A JP S58225120 A JPS58225120 A JP S58225120A
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JP
Japan
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epoxy resin
type epoxy
composition
novolak
molecular weight
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JP10924882A
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Takaaki Fukai
深井 孝彰
Hiromitsu Takanohashi
弘光 高野橋
Takeshi Hattori
毅 服部
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Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
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  • Epoxy Resins (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体列IL用エポキシ樹脂組成物に関するも
のであり、詳しくはエポキシ樹脂としてノボラック型エ
ポキシ樹脂、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂、
おLび充填剤として組成物中50〜90屯#チのシリカ
粉末を必須成分としてなるエポキシ樹脂組成物(こ、ビ
スフェノール型エポキシ樹脂をo、t−to重歇チ。
ポリエステルエラストマーを0.05〜10重t%混合
してなる半導体封止用エポキシ49+脂組成゛物であり
、耐熱性、耐水性を保持し、かつ耐クラツク性の優れた
ものである。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物はその電気特性、耐熱
性、耐水性等の而から、多官能エポキシ化合物、硬化剤
としてのフェノール類、充填剤としてのシリカ粉末、及
び硬化触媒を必須成分とすることは広く知られている。
近年、半導体素子は大型化、高集積化の傾向を強め、従
来のエポキシ樹脂組成物て半導体素子を封止した嚇合、
ヒートザイクルテストを行なうと、封止樹脂にクラック
が起きたり、チップにクラックが生ずるなと半導体部品
の信頼性を低下させるという問題が生じている。これは
耐熱性、耐水性という観点から開発されてき1こ現状の
多官能エポキシ樹脂、フェノール類、シリカという半導
体封止用のエポキシ樹脂組成物の硬化物は非常にかたく
可撓性が欠けることIこ起因するものである。
本発明者らはかかる問題点に関して研究を進め、特願昭
57−66085号「半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Jを完成させるに至ったが、さらに研究を進めた結果、
先願の組成物に別の一成分としてビスフェノール型エポ
キシ樹脂を添加すると、耐熱性を保持しながらさらにレ
ベルの高い耐クラツク性を持つ組成物となることを見出
し本発明を完成させたものである。
以下本発明の構成について説明する。
本発明で使用されるノボラック型エポキシ樹脂は通常知
られているもので、フェノーレノボラ・ンク型エポキシ
榴月旨、クレソ゛−)レノボラック型エポキシ樹脂があ
げられるが、高信頼性を要1     求される半導体
封止用樹脂としては耐水性に優れ、エポキシ当敞で18
0〜250のタレゾールノボランク型エポキシ樹脂が特
に好ましい。
本発明で使用されるフェノールノボラック樹脂はエポキ
シ樹脂の硬化剤として知られているものであるが、流m
J W性及び耐熱性の点から分子1400〜2.000
のものが好ましく、又フリーフェノールの含有液が8%
以下であることが好ましい。
本発明においでノボラック型エポキシ樹脂とフェノール
ノボラック樹脂の配合比はエボキノ基に対する水酸基の
割合で0.5〜1.5が好ましい。
本発明で使用されるシリカ粉末はtd融クシリカ天然の
結晶シリカがあげられ、その含有]dは組成物中50〜
90重廠チで好ましくCま65〜80i:lit%であ
る0又シリカ粉末の粒径は成型の容易さから最大粒径が
200μ以「のもので好ましくは150μ以下である。
また−゛r均粒径では成型性の点から1〜50μで特に
5〜25μが好ましい0また封止材料の信頼性を損なわ
ない程度に目的により他の充填剤例えば炭素繊維、ガラ
ス繊維、電化ホウ素、アルミナ粉、マグネシア粉等を併
用しても良い。
本発明で使用゛されるビスフェノール型エポキシ樹脂は
多くの文献(例えば「エポキシ樹脂」日刊工業新聞社、
1978年)で知られているものでビスフェノールとエ
ピクロルヒドリンとの脱塩酸反応φこよって得られるも
のである。高信頼性を要求される半導体封止用樹脂とし
ては平均分子端が800〜4,000のもので好ましく
は850〜8,000のものである。また組成物中の含
有量は0.1〜lO重量%で好ましくは0.2〜5重練
チである。組成物中のビスフェノール型エポキシ樹脂の
着が0.1%未満だと半導体封止拐料としての耐クラツ
ク性改良が充分でなく、10チ以上だと耐熱性が低下す
るので好ましくない。
本発明で使用するポリエステルエラストマーはプラスチ
ックスV o I 80 (3) P 11〜19同P
83〜41(1979)及び日本ゴム協会誌Vo151
01F779〜796(1978)で定義されるように
分子鎖内にある長さをもった硬い部分(ハードセグメン
ト)とある長さをもった柔らかい部分(ソフトセグメン
ト)の異、質のブロンクが2次元的に繰返しつながって
いる熱可塑性エラストマーの一種であり、常温では加硫
ゴムのような弾性的性質を示し、高温では口f塑化され
成形できる高分子材料であり、一般的にはジオール、芳
香族ジカルボン酸、ポリアルキレンエーテルグリコール
のM#11合反応によって作られ、その分子構造内にポ
リエステル部のハードセグメントとポリエーテル部のソ
フトセグメントを持つものである。
本発明で使用されるポリエステルエラストマーの一つの
例を示せば下式(1)のようなものてあり、この例では
ポリエステル部のハードセグメント(分子量約220 
X n )とポリエーテル部のソフトセグメント(Qは
平均で14;分子量約t156Xm)とからなっている
本発明におけるポリエステルエラスト7−の分子量は5
,000〜50,000.好ましくは10,000〜4
0,000のものであり。
また分子中のソフトセグメントの量がハードセグメント
の剛°より多い方が好ましい。
ポリエステルエラストマーの組成物中の含有祉は0.0
5〜10重jlチであり特に好ましくは0.1〜5.0
IIjl!it:%である。組成物中のポリエステルエ
ラストマー量が0 、05%未満だと半導体封止材料と
しての耐クラツク性が十分に改善されず10%以上だと
耐水性が低下するので好ましくない。
以上のような本発明の半導体制止用エポキシ樹脂組成物
には必要に応じて、シランカップリング剤、離型剤、顔
料難燃剤を添加することも可能である。
以下実施例、比較例で具体的に説明する。尚実施例、比
較例中、部及びチとあるのは重量部及び重i%をさす。
実施例1〜6 クレゾールノボラツク屋エポキシ樹脂(商品名;Fsc
N220L、住友化学工業掬製)。
フェノールノボラック樹脂、ビスフェノール型エポキシ
樹脂(商品名;エピコート1004゜油化シェルエポキ
シ株制)、ポリエステルエラス)?  (商品名;ペル
ブレンP−4011.東洋紡績抹製)、溶融シリカ粉末
及びその他の原料を第1表に示した組成割合で混合した
後、加熱混練し冷却して封止材料を調製した。
これらの封止材料を用いて、テストピースを成形し、さ
らに175℃、5時間のポストキュアーをしたものにつ
いてカラス転位温度の測定、及び121℃、2気圧の水
蒸気圧力釜中で100時間の処理(PCT処理と記す)
を行い、体積抵抗率を測定した。又、40PinICを
成形し。
ポストキュアーした後*t5o℃のシリコンオイル中6
0秒、液体窒素中60秒浸槓をくり返すヒートサイクル
テスト(耐クラツク性)を行    11ない、ICの
封止樹脂表向にクラックが発生ずるまでのサイクル数を
測定した。
これらの結果を第1表中に示した。
以上の結果、並びに、第1表中lこ示した比較例との比
較から本発明の半導体封止材料が、耐クラツク性(ヒー
トサイクル数)においては。
ビスフェノール型エポキシ樹脂、ポリエステルエラスト
マーの両者が入っていないもの(比較例1)や一方のみ
のもの(比較例2,8.4)に比べきわめてずぐれてい
ることがわかり、かつガラス転位温度、及び体積抵抗率
から耐熱性。
耐水性などにおいても劣化がないことがわかる。
比較例1〜5 実施例において、ビスフェノ ル型エポキシ樹脂及びポ
リエステルエラストマーの両者を用いない場合(比較例
1)、一方のみ用いる場合(比較例2,8.4)、及び
ビスフェノール型エポキシ樹脂を多畦に用いた場合(比
較例5)について第1表に示す組成割合で混合した以外
は実施例と同様とした。
結果を第1表に示した。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. エポキシ桐月口としてノボラック型エポキシ樹脂、硬化
    剤きしてフェノールノボランク樹脂、および充填剤とし
    て組成′物中50〜90屯#チのシリカ粉末を必須成分
    としてなるエポキシ4t(II口組成物に、ビスフェノ
    ール型エポキシ4v1)箔を0.1〜10車清チ、ポリ
    エステルエラストマー80 、05〜10東晴チ混合し
    てなる半導体@1ト川エポキシ樹脂組成物
JP10924882A 1982-06-25 1982-06-25 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Granted JPS58225120A (ja)

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