JPH04153213A - 樹脂組成物 - Google Patents
樹脂組成物Info
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- JPH04153213A JPH04153213A JP27543090A JP27543090A JPH04153213A JP H04153213 A JPH04153213 A JP H04153213A JP 27543090 A JP27543090 A JP 27543090A JP 27543090 A JP27543090 A JP 27543090A JP H04153213 A JPH04153213 A JP H04153213A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高集積度IC封止用樹脂組成物に適する半田
耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである
。
耐熱性に優れたエポキシ樹脂組成物に関するものである
。
従来、ダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部
品を熱硬化性樹脂で封止しているか、特に集積回路では
耐熱性、耐湿性に優れたO−クレゾールノボランクエボ
キノ樹脂をノボラック型フェノール樹脂で硬化させたエ
ポキン樹脂か用いられている。
品を熱硬化性樹脂で封止しているか、特に集積回路では
耐熱性、耐湿性に優れたO−クレゾールノボランクエボ
キノ樹脂をノボラック型フェノール樹脂で硬化させたエ
ポキン樹脂か用いられている。
ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチップかたん
たん大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイプか
ら表面実装化された小型、薄型のフラソトパノケーノ、
SOP、SOJ、PLCCに変わってきている。
たん大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイプか
ら表面実装化された小型、薄型のフラソトパノケーノ、
SOP、SOJ、PLCCに変わってきている。
即ち大型チップを小型て薄いパッケージに封入すること
になり、応力によりクラック発生、これらのクランクに
よる耐湿性の低下等の問題か太き(クローズアップされ
てきている。
になり、応力によりクラック発生、これらのクランクに
よる耐湿性の低下等の問題か太き(クローズアップされ
てきている。
特に半田づけの工程において急激に200°C以上の高
温にさらされることによりパッケージの割れや樹脂とチ
ップの剥離により耐湿性か劣化してしまうといった問題
点がててきている。
温にさらされることによりパッケージの割れや樹脂とチ
ップの剥離により耐湿性か劣化してしまうといった問題
点がててきている。
これらの大型チップを封止するのに適した、信頼性の高
い封圧用樹脂組成物の問題が望まれてきている。
い封圧用樹脂組成物の問題が望まれてきている。
これらの問題を解決するために半田付は時の熱衝撃を緩
和する目的て、熱可塑性オリゴマーの添加(特開昭62
−] 115849号公報や各種シリコーン化合物の添
加(特開昭62−11585号公報、62−11665
4号公報62−128162号公報)、更にはシリコー
ン変性(特開昭62−136860号公報)なとの手法
で対処しているかいずれも半田付は時にパッケージにク
ラックか生してしまい信頼性の優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得るまでには至らなかった。
和する目的て、熱可塑性オリゴマーの添加(特開昭62
−] 115849号公報や各種シリコーン化合物の添
加(特開昭62−11585号公報、62−11665
4号公報62−128162号公報)、更にはシリコー
ン変性(特開昭62−136860号公報)なとの手法
で対処しているかいずれも半田付は時にパッケージにク
ラックか生してしまい信頼性の優れた半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物を得るまでには至らなかった。
本発明の目的とするところは、半田耐熱性に優れた半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
本発明者らはこれらの問題を解決するために鋭意研究を
進め、次の組成を有する樹脂組成物を見い出した。
進め、次の組成を有する樹脂組成物を見い出した。
下記構造を有するエボキノ樹脂を総エポキノ量の30〜
+00Q6配合し、 (R,は水素又はメチル基)そして下記式で示されるフ
ェノールノボラック系硬化剤を総研化剤中の30〜10
0重量%配合し、 さらに硬化促進剤と無機充填材を配合し、上記問題点を
改良しうる半導体封止用樹脂組成物が得られることを見
い出し、本発明を完成するに至ったものである。
+00Q6配合し、 (R,は水素又はメチル基)そして下記式で示されるフ
ェノールノボラック系硬化剤を総研化剤中の30〜10
0重量%配合し、 さらに硬化促進剤と無機充填材を配合し、上記問題点を
改良しうる半導体封止用樹脂組成物が得られることを見
い出し、本発明を完成するに至ったものである。
本発明で用いられる(A)成分としてのビフェニル型エ
ポキン化合物は半田耐熱性に有効な3つの効果、強靭性
、低弾性、低粘度を有する。これらの効果は式CI)に
示した化学構造に起因する。
ポキン化合物は半田耐熱性に有効な3つの効果、強靭性
、低弾性、低粘度を有する。これらの効果は式CI)に
示した化学構造に起因する。
すなわち、平面構造ゆえに分子同志のバッキングか向上
し分子間引力の効果か大きくなるために強靭性が発現し
熱応力や水蒸気圧に強い耐久性を有し、半田耐熱性が向
上する。又、1分子中にエポキシ基が2ケしかない低分
子であるため、架橋密度の低い樹脂構造となり、弾性率
、特にTg以上の領域の弾性率が顕著に低下する。弾性
率が低下することによる熱応力の低減はむろん半田耐熱
性の向上につなかっている。さらに低分子の結晶性化合
物であるために、溶融粘度か175℃近傍で数センチポ
イズときわめて低く、通常の樹脂系に比較して非常に多
くのフィラーを添加しつる配合系となる。フィラーが多
くなることにより低吸水化、高強度化、低応力化が生じ
、半田耐熱性はやはり向上する。
し分子間引力の効果か大きくなるために強靭性が発現し
熱応力や水蒸気圧に強い耐久性を有し、半田耐熱性が向
上する。又、1分子中にエポキシ基が2ケしかない低分
子であるため、架橋密度の低い樹脂構造となり、弾性率
、特にTg以上の領域の弾性率が顕著に低下する。弾性
率が低下することによる熱応力の低減はむろん半田耐熱
性の向上につなかっている。さらに低分子の結晶性化合
物であるために、溶融粘度か175℃近傍で数センチポ
イズときわめて低く、通常の樹脂系に比較して非常に多
くのフィラーを添加しつる配合系となる。フィラーが多
くなることにより低吸水化、高強度化、低応力化が生じ
、半田耐熱性はやはり向上する。
式(I)で示されるビフェニル型エポキシ化合物は、総
エボキソ樹脂中の30〜100重量%を占める必要かあ
る。30重量%未満だと上記の効果か十分発現せず、半
田耐熱性が低下する。なお、併用するエポキシ樹脂は、
エポキシ基を有するもの全般をいう。たとえばビスフェ
ノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等の
ことをいう。
エボキソ樹脂中の30〜100重量%を占める必要かあ
る。30重量%未満だと上記の効果か十分発現せず、半
田耐熱性が低下する。なお、併用するエポキシ樹脂は、
エポキシ基を有するもの全般をいう。たとえばビスフェ
ノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等の
ことをいう。
本発明で用いられる(1)(A)成分としてのイミド環
含有フェノールノボラック硬化剤は、半田耐熱性に有効
な効果、すなわち、強靭化、低弾性化、金属に対する接
着性向上に加え、Tgが高いという特徴を有する。すな
わち、(A)成分のビフェニル型エポキシ化合物と同様
に、分子内に平面構造を有しているために、強靭化と低
弾性化が生じる。さらに、イミド環はN、0原子を含む
極性構造でもあるため、金属との接着性が向上し、半田
耐熱性および半田処理後の耐湿性の向上に効果がある。
含有フェノールノボラック硬化剤は、半田耐熱性に有効
な効果、すなわち、強靭化、低弾性化、金属に対する接
着性向上に加え、Tgが高いという特徴を有する。すな
わち、(A)成分のビフェニル型エポキシ化合物と同様
に、分子内に平面構造を有しているために、強靭化と低
弾性化が生じる。さらに、イミド環はN、0原子を含む
極性構造でもあるため、金属との接着性が向上し、半田
耐熱性および半田処理後の耐湿性の向上に効果がある。
極性のため、吸水率の向上が懸念されたが、実際には通
常のフェノールノボラック樹脂を用いた場合と比較して
、はとんと吸水率は変わらなかった。
常のフェノールノボラック樹脂を用いた場合と比較して
、はとんと吸水率は変わらなかった。
なお、通常側鎖に反応性を有しない基を導入すると、た
しかに強靭化、低弾性率化はおこるが、Tgは低下する
。にもかかわらず、イミド環を導入した時はTgの向上
か生し、成形性、耐湿性が向上し、ハンドリングか非常
に容易になる。イミド環の平面性に加え、巨大な分子に
よる主鎖の分子運動の抑制か原因と考えられる。
しかに強靭化、低弾性率化はおこるが、Tgは低下する
。にもかかわらず、イミド環を導入した時はTgの向上
か生し、成形性、耐湿性が向上し、ハンドリングか非常
に容易になる。イミド環の平面性に加え、巨大な分子に
よる主鎖の分子運動の抑制か原因と考えられる。
式〔■〕で示されるイミド環含有フェノール性以上0.
8以下か望ましい。0.05未満の時はイミド環の効果
が十分でなく、半田耐熱性が不十分である。又0.8よ
り大きい時は、フェノール性OHの量が非常に少ないた
め、硬化性、成形性、Tg等か低下する。
8以下か望ましい。0.05未満の時はイミド環の効果
が十分でなく、半田耐熱性が不十分である。又0.8よ
り大きい時は、フェノール性OHの量が非常に少ないた
め、硬化性、成形性、Tg等か低下する。
式(II)で示されるイミド環含有フェノールノボラッ
クは、総硬化剤量中の30〜100重量%を占める必要
がある。30%未満だと上記の効果が十分発現せず半田
耐熱性が低下する。なお併用する硬化剤としては分子に
フェノール性OH基を有するものならいずれてもよいか
、例えばフェノールノボラック硬化剤などがあげられる
。
クは、総硬化剤量中の30〜100重量%を占める必要
がある。30%未満だと上記の効果が十分発現せず半田
耐熱性が低下する。なお併用する硬化剤としては分子に
フェノール性OH基を有するものならいずれてもよいか
、例えばフェノールノボラック硬化剤などがあげられる
。
(八)成分と(1)(A)成分は本発明の最も重要な材
料であり、この両者を併用することにより相乗効果によ
り半田耐熱性は大きく向上する。
料であり、この両者を併用することにより相乗効果によ
り半田耐熱性は大きく向上する。
両者の併用により十分な相乗効果が得られる理由は、い
ずれもが分子中に平面構造を有することが物性向上のポ
イントであるがゆえに、おたがいの長所を打ち消すこと
なく性能が上がったものと考えられる。
ずれもが分子中に平面構造を有することが物性向上のポ
イントであるがゆえに、おたがいの長所を打ち消すこと
なく性能が上がったものと考えられる。
本発明の(C)成分としての硬化促進剤はエポキシ基と
フェノール性水酸基との反応を促進するものであれば良
(、一般に封止用材料に使用されているものを広く使用
することがてき、例えばBDMA等の第3級アミン類、
イミダゾール類、l、8−ジアザビンクロ〔5,4,0
〕ウンデセン−7、トリフェニルホスフィン等の有機リ
ン化合物等が単独もしくは2種以上混合して用いられる
。
フェノール性水酸基との反応を促進するものであれば良
(、一般に封止用材料に使用されているものを広く使用
することがてき、例えばBDMA等の第3級アミン類、
イミダゾール類、l、8−ジアザビンクロ〔5,4,0
〕ウンデセン−7、トリフェニルホスフィン等の有機リ
ン化合物等が単独もしくは2種以上混合して用いられる
。
本発明の(D)成分としての無機充填材としては結晶性
シリカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、タル
ク、マイカ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは1種又
は2種以上混合して使用される。これらの中で特に結晶
性シリカまたは溶融シリカが好適に用いられる。
シリカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、タル
ク、マイカ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは1種又
は2種以上混合して使用される。これらの中で特に結晶
性シリカまたは溶融シリカが好適に用いられる。
その他必要に応じてワックス類等の離型剤、ヘキサブロ
ムベンゼン、デカブロムビフェニルエーテル、二酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の
着色剤、シランカップリング剤その地熱可塑性樹脂等を
適宜添加配合することができる。
ムベンゼン、デカブロムビフェニルエーテル、二酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の
着色剤、シランカップリング剤その地熱可塑性樹脂等を
適宜添加配合することができる。
本発明の半導体封圧用エポキシ樹脂組成物を製造するに
は一般的な方法としては、所定の配合比の原料をミキサ
ー等によって十分に混合した後、更にロールやニーダ−
等により溶融混線処理し、次いで冷却固化させて適当な
大きさに粉砕することにより容易に製造することが出来
る。
は一般的な方法としては、所定の配合比の原料をミキサ
ー等によって十分に混合した後、更にロールやニーダ−
等により溶融混線処理し、次いで冷却固化させて適当な
大きさに粉砕することにより容易に製造することが出来
る。
本発明を以下の実施例で説明する。配合割合は重量部で
表わす。
表わす。
実施例1
ビフェニル型エポキシ化合物(イ)90重量部臭素化ビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(軟化点65°C1臭素
含有率37%、エポキシ当量370)
10重量部イミド環含有フェノールノボラック樹脂(ハ
)95重量部 破砕状溶融シリカ 500重量部三酸化ア
ンチモン 10重量部シランカップリン
グ剤 2重量部トリフェニルホスフィン
2重量部カーボンブラック
3重量部カルナバワックス 3重量
部を常温で十分に混合し、更に95y100°Cて2軸
ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし、こ
れをタブレット化して半導体封止用エボキソ樹脂組成物
を得た。
スフェノールA型エポキシ樹脂(軟化点65°C1臭素
含有率37%、エポキシ当量370)
10重量部イミド環含有フェノールノボラック樹脂(ハ
)95重量部 破砕状溶融シリカ 500重量部三酸化ア
ンチモン 10重量部シランカップリン
グ剤 2重量部トリフェニルホスフィン
2重量部カーボンブラック
3重量部カルナバワックス 3重量
部を常温で十分に混合し、更に95y100°Cて2軸
ロールにより混練し、冷却後粉砕して成形材料とし、こ
れをタブレット化して半導体封止用エボキソ樹脂組成物
を得た。
この材料をトランスファー成形機(成形条件二金型温度
]75°C1硬化時間2分)を用いて成形し、得られた
成形品を175°C18時間で後硬化し評価した。結果
を第1表に示す。
]75°C1硬化時間2分)を用いて成形し、得られた
成形品を175°C18時間で後硬化し評価した。結果
を第1表に示す。
実施例2
実施例1のイミド環含有フェノールノボラック樹脂(ハ
)95重量部を、イミド環含有フェノールノボラック樹
脂(ニ)100重量部に変更した以外は実施例1と同様
にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
)95重量部を、イミド環含有フェノールノボラック樹
脂(ニ)100重量部に変更した以外は実施例1と同様
にして半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
この半導体封止用エポキン樹脂組成の評価結果を第1表
に示す。
に示す。
実施例3〜4、比較例1〜4
同様にして第1表に示す組成の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を得た。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の評価結果を第1表に示す。
脂組成物を得た。この半導体封止用エポキシ樹脂組成物
の評価結果を第1表に示す。
※1
下記式
て示されるビフェニル型エポ
キシ化合物(エポキシ当量175)
※2
下記式
[)
て示されるビフェニル型エボ
キン樹脂化合物
(エポキシ当量120)
※3
下記式
て示されるイミ
ド環含有フェ
ノールノボランク硬化剤(軟化点1
20℃、
0H当量l75)
=0.25
]+m+n
※4
下記式(VI)で示されるイミド環含有フェノールノボ
ラック硬化剤(軟化点120℃、0H当j1+80) HC=CH 1\ ※5 下記式〔■〕で示されるイミド環含有フェノールノボラ
ック硬化剤(軟化点125℃、0H当量210) ※6 下記式 で示されるイミド環含有フェ ノールノボラック硬化剤(軟化点1 0℃、 0H当量1 HC=CH 1\ ※7 下記式 で示されるイミド環含有フェ ノールノボラック硬化剤 (軟化点1 30℃、 OH当量1400) ※8 ※9 ※10 +m十n 175°C2分成形後、金型が開いてから10秒後の成
形品のバコール硬度。
ラック硬化剤(軟化点120℃、0H当j1+80) HC=CH 1\ ※5 下記式〔■〕で示されるイミド環含有フェノールノボラ
ック硬化剤(軟化点125℃、0H当量210) ※6 下記式 で示されるイミド環含有フェ ノールノボラック硬化剤(軟化点1 0℃、 0H当量1 HC=CH 1\ ※7 下記式 で示されるイミド環含有フェ ノールノボラック硬化剤 (軟化点1 30℃、 OH当量1400) ※8 ※9 ※10 +m十n 175°C2分成形後、金型が開いてから10秒後の成
形品のバコール硬度。
テンシロン曲げ成形機を用い、250°C1負荷速度1
(1m/min、て測定。
(1m/min、て測定。
スパン64nm、幅10皿、厚み4mの3点曲げ。
成形品(チップサイズ36じ2 パッケージ厚2mm)
20ケについて、85℃、85%RHの水蒸気下で72
時間処理後、240°CのIRリフロー処理を行い、ク
ラックの発生した個数を示す。
20ケについて、85℃、85%RHの水蒸気下で72
時間処理後、240°CのIRリフロー処理を行い、ク
ラックの発生した個数を示す。
※11 成形品(チップサイズ36藺2 パッケージ
厚2M)20ケについて、215℃のVPS処理を行な
ったのち、125℃、100%RHの水蒸気下で500
時間処理を行い、ICチップの故障が生した個数を示す
。
厚2M)20ケについて、215℃のVPS処理を行な
ったのち、125℃、100%RHの水蒸気下で500
時間処理を行い、ICチップの故障が生した個数を示す
。
本発明のビフェニル型エポキシ樹脂、イミド環含有フェ
ノールノボラック硬化剤、硬化促進剤、無機充填材を必
須成分とする半導体封止用樹脂組成物は半田耐熱性およ
び耐湿性に優れており、高集積度IC封圧用樹脂組成物
として非常に信頼性の高いものである。
ノールノボラック硬化剤、硬化促進剤、無機充填材を必
須成分とする半導体封止用樹脂組成物は半田耐熱性およ
び耐湿性に優れており、高集積度IC封圧用樹脂組成物
として非常に信頼性の高いものである。
Claims (1)
- (1)(A)下記式〔 I 〕で示されるビフェニル型エ
ポキシ化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 (式中R_1は、水素又はメチル基) を総エポキシ樹脂量に対して30〜100重量%含有す
るエポキシ樹脂 (B)下記式〔II〕で示される構造のイミド環含有フェ
ノールノボラック硬化剤 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 (式中R_2は▲数式、化学式、表等があります▼、又
は▲数式、化学式、表等があります▼、 0.05≦n/(l−m−n)≦0.8 を総硬化剤量に対して30〜100重量%含むフェノー
ルノボラック系硬化剤。 (C)硬化促進剤 (D)無機充填材を必須成分とする半導体封止用エポキ
シ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27543090A JP2938174B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27543090A JP2938174B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04153213A true JPH04153213A (ja) | 1992-05-26 |
JP2938174B2 JP2938174B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17555411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27543090A Expired - Fee Related JP2938174B2 (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2938174B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04164917A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JPH0820628A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
KR100413357B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-12-31 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
JP2006503144A (ja) * | 2002-10-15 | 2006-01-26 | アグフア−ゲヴエルト | 感熱性平版印刷版前駆体のためのポリマー |
US7563556B2 (en) * | 2006-11-17 | 2009-07-21 | Kodak Graphic Communications Gmbh | Multilayer element with low pH developer solubility |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27543090A patent/JP2938174B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04164917A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JPH0820628A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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JP2006503144A (ja) * | 2002-10-15 | 2006-01-26 | アグフア−ゲヴエルト | 感熱性平版印刷版前駆体のためのポリマー |
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JP2938174B2 (ja) | 1999-08-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |