JPH03195725A - 樹脂組成物 - Google Patents
樹脂組成物Info
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- JPH03195725A JPH03195725A JP33294289A JP33294289A JPH03195725A JP H03195725 A JPH03195725 A JP H03195725A JP 33294289 A JP33294289 A JP 33294289A JP 33294289 A JP33294289 A JP 33294289A JP H03195725 A JPH03195725 A JP H03195725A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高集積度IC封止用樹脂組成物に適する耐熱衝
撃性と半田耐熱性および低粘度性に優れたエポキシ樹脂
組成物に関するものである。
撃性と半田耐熱性および低粘度性に優れたエポキシ樹脂
組成物に関するものである。
従来、ダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部
品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特に集積回路では
耐熱性、耐湿性に優れたO−タレゾールノボラックエポ
キシ樹脂をノボラック型フェノール樹脂で硬化させたエ
ポキシ樹脂が用いられている。
品を熱硬化性樹脂で封止しているが、特に集積回路では
耐熱性、耐湿性に優れたO−タレゾールノボラックエポ
キシ樹脂をノボラック型フェノール樹脂で硬化させたエ
ポキシ樹脂が用いられている。
ところが近年、集積回路の高集積化に伴いチップがだん
だん大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイプか
ら表面実装化された小型、薄型のフラットパッケージ、
SOP、SOJ、PLCCに変わってきている。
だん大型化し、かつパッケージは従来のDIPタイプか
ら表面実装化された小型、薄型のフラットパッケージ、
SOP、SOJ、PLCCに変わってきている。
即ち大型チップを小型で薄いパッケージに封入すること
により、応力によりクランク発生、これらのクラックに
よる耐湿性の低下等の問題が太き(クローズアップされ
てきている。
により、応力によりクランク発生、これらのクラックに
よる耐湿性の低下等の問題が太き(クローズアップされ
てきている。
特に耐熱衝撃性と半田耐熱性の2点をクリアーできる封
止樹脂が必要とされている。
止樹脂が必要とされている。
耐熱衝撃性の向上に対しては、シリコーンオイル、シリ
コーンゴム等のシリコーン化合物や合成ゴム等の添加が
行われてきた。しかしこれらの添加は、成形時の型汚れ
、樹脂パリの発生等不都合な現象が生じるため、シリコ
ーンとエポキシ樹脂又は硬化剤とを反応させたシリコー
ン変性レジンが開発されてきた。(例えば特開昭58−
21417号公報)。現在の封止樹脂は、この活4によ
りかなり耐熱衝撃性が向上している。しかしまだ十分で
はないし、しかも半田耐熱性が低下する傾向であり、問
題となっている。
コーンゴム等のシリコーン化合物や合成ゴム等の添加が
行われてきた。しかしこれらの添加は、成形時の型汚れ
、樹脂パリの発生等不都合な現象が生じるため、シリコ
ーンとエポキシ樹脂又は硬化剤とを反応させたシリコー
ン変性レジンが開発されてきた。(例えば特開昭58−
21417号公報)。現在の封止樹脂は、この活4によ
りかなり耐熱衝撃性が向上している。しかしまだ十分で
はないし、しかも半田耐熱性が低下する傾向であり、問
題となっている。
半田耐熱性の向上に対しては、ポリイミド樹脂やフィラ
ーの検討および3官能樹脂の活用(例えば特開昭61−
168620号公報)が有望とされているが、いずれも
耐熱衝撃性に劣り、しかも樹脂組成物粘度が増加するこ
とによるグイパッドシフト等の不良がおきやすく、これ
らの手法の単独使用ではバランスのとれた樹脂組成物系
を得ることは難しい。
ーの検討および3官能樹脂の活用(例えば特開昭61−
168620号公報)が有望とされているが、いずれも
耐熱衝撃性に劣り、しかも樹脂組成物粘度が増加するこ
とによるグイパッドシフト等の不良がおきやすく、これ
らの手法の単独使用ではバランスのとれた樹脂組成物系
を得ることは難しい。
耐熱衝撃性、半田耐熱性、低粘度性および成形性のいず
れも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する
ことにある。
れも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する
ことにある。
本発明者らはこれらの問題を解決するために鋭意研究を
進め、つぎの組成を持つ樹脂組成物を見出した。耐熱衝
撃性向上と低粘度化に効果を有する(A)下記式〔I〕
で示されるナフタレン型エポキシ化合物と、 半田耐熱性向上に効果を有する下記式(II)で示され
る3官能エポキシ樹脂の混合物會舎叶台か(式中R1〜
R11は、水素、ハロゲン、アルキル基の中から選択さ
れる原子または原子団)(B)下記式(I[[)、(I
V)で示されるシリコーン化合物とフェノール樹脂との
反応物である耐熱衝撃性を有するシリコーン変性フェノ
ール樹脂硬化剤 を組合せ、硬化促進剤と無機充填剤とを必須成分にする
ことにより耐熱衝撃性、半田耐熱性、低粘度性、さらに
成形性にも優れた半導体封止用樹脂組成物が得られるこ
とを見い出して本願発明を完成するに至ったものである
。
進め、つぎの組成を持つ樹脂組成物を見出した。耐熱衝
撃性向上と低粘度化に効果を有する(A)下記式〔I〕
で示されるナフタレン型エポキシ化合物と、 半田耐熱性向上に効果を有する下記式(II)で示され
る3官能エポキシ樹脂の混合物會舎叶台か(式中R1〜
R11は、水素、ハロゲン、アルキル基の中から選択さ
れる原子または原子団)(B)下記式(I[[)、(I
V)で示されるシリコーン化合物とフェノール樹脂との
反応物である耐熱衝撃性を有するシリコーン変性フェノ
ール樹脂硬化剤 を組合せ、硬化促進剤と無機充填剤とを必須成分にする
ことにより耐熱衝撃性、半田耐熱性、低粘度性、さらに
成形性にも優れた半導体封止用樹脂組成物が得られるこ
とを見い出して本願発明を完成するに至ったものである
。
本発明において用いられる式CI)で示される構造のナ
フタレン型エポキシ樹脂は、成形温度(165〜185
°C)において数センチボイズという低粘度を有するた
め、樹脂組成物の粘度を著しく低下させることが可能で
ある。又、ナフタレン型の様に平面的な構造を有する樹
脂は、分子間のバンキングが良好のために樹脂組成物の
強度を向上させるために耐熱衝撃性を向上させうるとい
う特徴を有する。しかしながら、この樹脂は他の樹脂と
の反応性、相溶性が悪く、しかも粘度が低いために成形
性、特にウスバリ特性、金型汚れ性が低下するという問
題を有していた。
フタレン型エポキシ樹脂は、成形温度(165〜185
°C)において数センチボイズという低粘度を有するた
め、樹脂組成物の粘度を著しく低下させることが可能で
ある。又、ナフタレン型の様に平面的な構造を有する樹
脂は、分子間のバンキングが良好のために樹脂組成物の
強度を向上させるために耐熱衝撃性を向上させうるとい
う特徴を有する。しかしながら、この樹脂は他の樹脂と
の反応性、相溶性が悪く、しかも粘度が低いために成形
性、特にウスバリ特性、金型汚れ性が低下するという問
題を有していた。
しかし、この問題は後述するシリコーン変性フェノール
樹脂との組み合わせでクリアすることが可能である。
樹脂との組み合わせでクリアすることが可能である。
弐(If)で示される構造の3官能エポキシ樹脂の使用
量は、これをtA節することにより耐半田ストレス性を
最大限に引き出すことができる。式中のR1、R2、R
4〜R? 、R+。、Roば水素原子、R,、R,、R
,はメチル基が好ましい。
量は、これをtA節することにより耐半田ストレス性を
最大限に引き出すことができる。式中のR1、R2、R
4〜R? 、R+。、Roば水素原子、R,、R,、R
,はメチル基が好ましい。
通常のフェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂等に
比べ、主鎖の運動が制限される構造をしているため、ガ
ラス転移温度(Tg)が高く、優れた耐熱性を有してい
る。
比べ、主鎖の運動が制限される構造をしているため、ガ
ラス転移温度(Tg)が高く、優れた耐熱性を有してい
る。
式(1)および(I[)で示されるエポキシ樹脂と併用
するエポキシ樹脂とは、エポキシ基を有するもの全般を
いう。たとえばビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等
のことをいう。
するエポキシ樹脂とは、エポキシ基を有するもの全般を
いう。たとえばビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等
のことをいう。
式(1)と式(II)のエポキシ樹脂の合計量は総エポ
キシ樹脂量に対して50〜100重量%である必要があ
る。50重量%未満の場合、半田耐熱性と流動性のいず
れか又は両方の欠けた樹脂系となり性能が低下する。
キシ樹脂量に対して50〜100重量%である必要があ
る。50重量%未満の場合、半田耐熱性と流動性のいず
れか又は両方の欠けた樹脂系となり性能が低下する。
式(1)と式(II)のエポキシ樹脂の重量比は、CI
)/[I[)=10/90〜90/10が望ましい。1
0/90以下となると流動性や低粘度性が低下し、90
/10以上となると半田耐熱性が低下する傾向にあるた
めである。
)/[I[)=10/90〜90/10が望ましい。1
0/90以下となると流動性や低粘度性が低下し、90
/10以上となると半田耐熱性が低下する傾向にあるた
めである。
本発明で(B)成分として用いるシリコーン変性フェノ
ール樹脂の原料としてのフェノール樹脂はフェノールノ
ボラック樹脂、タレゾールノボラック樹脂及びこれらの
変性樹脂等が挙げられ、これらは1種又は2種以上混合
して用いることも出来る。
ール樹脂の原料としてのフェノール樹脂はフェノールノ
ボラック樹脂、タレゾールノボラック樹脂及びこれらの
変性樹脂等が挙げられ、これらは1種又は2種以上混合
して用いることも出来る。
これらのフェノール樹脂の中でも、水酸基当量が80〜
150、軟化点が60〜120 ’CでありNa”、C
I−等のイオン性不純物を出来る限り除いたものが好ま
しい。
150、軟化点が60〜120 ’CでありNa”、C
I−等のイオン性不純物を出来る限り除いたものが好ま
しい。
また、本発明のシリコーン変性フェノール樹脂の一方の
原料として用いられるオルガノポリシロキサンは、上述
のフェノール樹脂と反応し得る官能基を有するもので、
官能基としては、たとえばカルボキシル基、シクロヘキ
シル型エポキシ基、グリシジル型エポキシ基、ヒドロシ
ル基等が挙げられる。
原料として用いられるオルガノポリシロキサンは、上述
のフェノール樹脂と反応し得る官能基を有するもので、
官能基としては、たとえばカルボキシル基、シクロヘキ
シル型エポキシ基、グリシジル型エポキシ基、ヒドロシ
ル基等が挙げられる。
分子構造は下記式(II)、(IV)で示されるオルガ
ノポリシロキサンであり N (j2+m+n+2)が10未満の時は、低弾性率
性、高強度性が低下し、しかもフェノールノボラック樹
脂との反応性基(式(I[l)、(IV)のA基)が1
分子中に1つも存在しないオルガノポリシロキサンが副
生成物として存在する可能性が大きくなるためにシリコ
ーン変性フェノール樹脂硬化剤の合成が困難となり、メ
リットが少ない。
ノポリシロキサンであり N (j2+m+n+2)が10未満の時は、低弾性率
性、高強度性が低下し、しかもフェノールノボラック樹
脂との反応性基(式(I[l)、(IV)のA基)が1
分子中に1つも存在しないオルガノポリシロキサンが副
生成物として存在する可能性が大きくなるためにシリコ
ーン変性フェノール樹脂硬化剤の合成が困難となり、メ
リットが少ない。
また、Nが200より大きい場合、フェノールノボラッ
ク樹脂との混和性が低下し、十分に合成反応が進まない
ために、樹脂からシリコーンオイルがブリードし、成形
性を大きく損なう。
ク樹脂との混和性が低下し、十分に合成反応が進まない
ために、樹脂からシリコーンオイルがブリードし、成形
性を大きく損なう。
さらに、式(DI)、(IV)のオルガノポリシロキサ
ンにおいて、m / Nは0〜0.1が望ましく、0.
1を越えるとシロキサン鎖の熱運動が抑制され、シロキ
サン成分のTgが高温側にシフトすることにより高温域
からでないと低応力効果が生じず、樹脂組成物の耐熱S
I!性が低下する。
ンにおいて、m / Nは0〜0.1が望ましく、0.
1を越えるとシロキサン鎖の熱運動が抑制され、シロキ
サン成分のTgが高温側にシフトすることにより高温域
からでないと低応力効果が生じず、樹脂組成物の耐熱S
I!性が低下する。
また、0.1を越えるとオルガノポリシロキサン合成の
コストが高くなってしまう。
コストが高くなってしまう。
m/Nは0.1以下ならばどのような値であっても良い
が、0.05程度が望ましい。
が、0.05程度が望ましい。
シロキサンのTgの高温へのシフトもなく、しかも側鎖
官能基の存在のためフェノールノボラック樹脂との相溶
性が向上し、シリコーン変性フェノール樹脂の合成が容
品となるためである。
官能基の存在のためフェノールノボラック樹脂との相溶
性が向上し、シリコーン変性フェノール樹脂の合成が容
品となるためである。
そして5≦N/n≦50であることが望ましい。
N / nが50より大きければオルガノポリシロキサ
ンとフェノール樹脂との反応性が悪いため、未反応のオ
ルガノポリシロキサンのブリードがあり、成形性が低下
する。5より小さければ、合成反応時にゲル化を起こし
、満足出来るシリコーン変性フェノール樹脂が得られな
い。
ンとフェノール樹脂との反応性が悪いため、未反応のオ
ルガノポリシロキサンのブリードがあり、成形性が低下
する。5より小さければ、合成反応時にゲル化を起こし
、満足出来るシリコーン変性フェノール樹脂が得られな
い。
シリコーン変性フェノール樹脂中のシリコーン成分の含
有量は原料フェノール樹BF4100重量部に対して1
0〜50重量部となる範囲のものが好適に用いられる。
有量は原料フェノール樹BF4100重量部に対して1
0〜50重量部となる範囲のものが好適に用いられる。
シリコーン成分が10重量部未満の場合は耐熱衝撃性が
不十分であり、50重量部を越えれば反応率が低下し、
未反応のオルガノポリシロキサンがブリードし成形性が
低下する。
不十分であり、50重量部を越えれば反応率が低下し、
未反応のオルガノポリシロキサンがブリードし成形性が
低下する。
尚、本発明においてシリコーン変性フェノール樹脂硬化
剤は単独もしくは従来からあるフェノール系樹脂硬化剤
と混合して用いても良いが、これらの混合系においては
ランダム共重合シリコーン変性フェノール樹脂は硬化剤
系の内30重量%以上用いることが好ましく、30重量
%未満となると耐熱衝撃性が低下する。
剤は単独もしくは従来からあるフェノール系樹脂硬化剤
と混合して用いても良いが、これらの混合系においては
ランダム共重合シリコーン変性フェノール樹脂は硬化剤
系の内30重量%以上用いることが好ましく、30重量
%未満となると耐熱衝撃性が低下する。
総エポキシ成分と総フェノール成分は当量比でエポキシ
基/フェノール性水酸基が70/100〜100/70
の範囲が好適である。当量比が70/100未満もしく
は100/70より大きいとTgの低下、熱時硬度の低
下、耐湿性の低下等が生じ、半導体封止用樹脂組成物と
して不適となってしまう。
基/フェノール性水酸基が70/100〜100/70
の範囲が好適である。当量比が70/100未満もしく
は100/70より大きいとTgの低下、熱時硬度の低
下、耐湿性の低下等が生じ、半導体封止用樹脂組成物と
して不適となってしまう。
なお、通常のエポキシ樹脂−フェノール樹脂系組成物に
上記ナフタレン型エポキシ化合物を配合すればウスバリ
特性が低下するが、本発明のようにシリコーン変性フェ
ノール樹脂系組成物にナフタレン型エポキシ化合物を配
合すれば、低分子のエポキシ化合物はシリコーン変性に
よる高重合度成分とも反応するため、ブリードしにくく
なり、ウスバリ特性は低下しない。
上記ナフタレン型エポキシ化合物を配合すればウスバリ
特性が低下するが、本発明のようにシリコーン変性フェ
ノール樹脂系組成物にナフタレン型エポキシ化合物を配
合すれば、低分子のエポキシ化合物はシリコーン変性に
よる高重合度成分とも反応するため、ブリードしにくく
なり、ウスバリ特性は低下しない。
また、本発明に使用される(C)成分である硬化促進剤
はエポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進する
ものであれば良く、一般に封止用材料に使用されている
ものを広く使用することができ、例えばBDMA等の第
3級アミン類、イミダゾール類、1.8−ジアザビシク
ロ〔5,4,0〕ウンデセン−7、トリフェニルホスフ
ィン等の有機リン化合物等が単独もしくは2種以上混合
して用いられる。
はエポキシ基とフェノール性水酸基との反応を促進する
ものであれば良く、一般に封止用材料に使用されている
ものを広く使用することができ、例えばBDMA等の第
3級アミン類、イミダゾール類、1.8−ジアザビシク
ロ〔5,4,0〕ウンデセン−7、トリフェニルホスフ
ィン等の有機リン化合物等が単独もしくは2種以上混合
して用いられる。
本発明で用いられる(D)成分としての無機充填材とし
ては結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシ
ウム、タルク、マイカ、ガラス繊維等が挙げられ、これ
らは1種又は2種以上混合して使用される。これらの中
で特に結晶性シリカまたは溶融シリカが好適に用いられ
る。
ては結晶性シリカ、溶融シリカ、アルミナ、炭酸カルシ
ウム、タルク、マイカ、ガラス繊維等が挙げられ、これ
らは1種又は2種以上混合して使用される。これらの中
で特に結晶性シリカまたは溶融シリカが好適に用いられ
る。
その他必要に応じてワックス類等の離型剤、ヘキサブロ
ムベンゼン、デカブロムビフェニルエーテル、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の
着色剤、シランカップリング剤その他熱可塑性樹脂等を
適宜添加配合することができる。
ムベンゼン、デカブロムビフェニルエーテル、三酸化ア
ンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等の
着色剤、シランカップリング剤その他熱可塑性樹脂等を
適宜添加配合することができる。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造するに
は一般的な方法としては、所定の配合比の原料をミキサ
ー等によって十分に混合した後、更にロールやニーダ−
等により溶融混練処理し、次いで冷却固化させて適当な
大きさに粉砕することにより容易に製造することが出来
る。
は一般的な方法としては、所定の配合比の原料をミキサ
ー等によって十分に混合した後、更にロールやニーダ−
等により溶融混練処理し、次いで冷却固化させて適当な
大きさに粉砕することにより容易に製造することが出来
る。
〔実施例1〕
フェノールノボラック樹脂(軟化点105°Cl0H当
1t105)とオルガノポリシロキサンとを溶媒中で触
媒存在下で反応させ、第−表に示すシリコーン変性フェ
ノール樹脂(イ〜チ)を得た。
1t105)とオルガノポリシロキサンとを溶媒中で触
媒存在下で反応させ、第−表に示すシリコーン変性フェ
ノール樹脂(イ〜チ)を得た。
ナフタレン型エポキシ化合物 40重量部3官能
エポキシ樹脂 50重量部臭素化ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量370、軟化
点65°C1臭素含有率37%)
10重量部シリコーン変性フェノールノボラック樹
脂(イ)70重量部 破砕状溶融シリカ 500重量部二酸化
アンチモン 10重量部シランカップ
リング剤 2重量部トリフェニルホス
フィン 2 fE1部カーボンブラック
3重量部カルナバワックス
3重量部を常温で十分に混合し、更に95
〜100°Cで2軸ロールにより混練し、冷却後粉砕し
て成形材料とし、これをタブレット化して半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
エポキシ樹脂 50重量部臭素化ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量370、軟化
点65°C1臭素含有率37%)
10重量部シリコーン変性フェノールノボラック樹
脂(イ)70重量部 破砕状溶融シリカ 500重量部二酸化
アンチモン 10重量部シランカップ
リング剤 2重量部トリフェニルホス
フィン 2 fE1部カーボンブラック
3重量部カルナバワックス
3重量部を常温で十分に混合し、更に95
〜100°Cで2軸ロールにより混練し、冷却後粉砕し
て成形材料とし、これをタブレット化して半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を得た。
この材料をトランスファー成形機(成形条件:金型温度
175°C1硬化時間2分)を用いて成形し、得られた
成形品を175°C18時間で後硬化し評価した。結果
を第2表に示す。
175°C1硬化時間2分)を用いて成形し、得られた
成形品を175°C18時間で後硬化し評価した。結果
を第2表に示す。
実施例2〜3
実施例1と同様にして第2表に示す組成物の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得た。
用エポキシ樹脂組成物を得た。
この半導体封止用エポキシ樹脂組成物の評価結果を第2
表に示す。
表に示す。
比較例1〜9
実施例1と同様にして第2表に示す組成物の半導体封止
用エポキシ樹脂組成物を得た。
用エポキシ樹脂組成物を得た。
この半導体対土用エポキシ樹脂組成物の評価結果を第2
表に示す。
表に示す。
※1 下記式(V)で示されるオルガノポリシロキサン
X2 下記式(Vl)で示されるオルガノポリシロキサ
ン ※3 下記式〔■〕で示されるオルガノポリシロキサン ※4 下記式〔■〕で示されるオルガノポリシロキサン ※5 下記式(IX)で示されるオルガノポリシロ※8 下記式(Xll)で示されるナフタレン型エキサン ボキシ化合物(エポキシ当量151) ※6 下記式(X)で示されるオルガノポリシロキサン ※9 下記式(XI[[)で示されるエポキシ樹脂※7 下記式(XI) で示されるオルガノポリシ ロキサン 評価方法 $1OEM”l−66に準じたスパイラルフロー測定用
金型を用い、試料を20g、成形温度175℃、成形圧
カフ、 0 M P a、成形時間2分で成形した時の
成形品の長さ。
ン ※3 下記式〔■〕で示されるオルガノポリシロキサン ※4 下記式〔■〕で示されるオルガノポリシロキサン ※5 下記式(IX)で示されるオルガノポリシロ※8 下記式(Xll)で示されるナフタレン型エキサン ボキシ化合物(エポキシ当量151) ※6 下記式(X)で示されるオルガノポリシロキサン ※9 下記式(XI[[)で示されるエポキシ樹脂※7 下記式(XI) で示されるオルガノポリシ ロキサン 評価方法 $1OEM”l−66に準じたスパイラルフロー測定用
金型を用い、試料を20g、成形温度175℃、成形圧
カフ、 0 M P a、成形時間2分で成形した時の
成形品の長さ。
*11 得られた16PDIP成形品のベントバリの長
さ。
さ。
*12 成形1000シヨツト後の金型汚れの状態を目
視で評価。
視で評価。
$13 175°C時の高化式フロー粘度(ボイズ)*
14 成形品(チップサイズ36醜2、パッケージ厚2
.0mm)20個の温度サイクルのテスト(+ 150
Σイ96℃)にかけ、500サイクルのテストを行いク
ランクの発生した個数を示す。
14 成形品(チップサイズ36醜2、パッケージ厚2
.0mm)20個の温度サイクルのテスト(+ 150
Σイ96℃)にかけ、500サイクルのテストを行いク
ランクの発生した個数を示す。
*15 成形品(チップサイズ36m”、パッケージ厚
2.0ma+)20個について85℃、85%RHの水
蒸気下で72時間処理後、215°CのVPS処理を9
0秒行い、クラックの発生した個数を示す。
2.0ma+)20個について85℃、85%RHの水
蒸気下で72時間処理後、215°CのVPS処理を9
0秒行い、クラックの発生した個数を示す。
本発明のナフタレン型エポキシ化合物、3官能エポキシ
樹脂、シリコーン変性フェノール樹脂硬化剤、硬化促進
剤および無機充填剤を必須成分とする半導体封止用樹脂
組成物は耐熱衝撃性と半田耐熱性に極めて優れ、低粘度
であり、このため金線変形性および充填性に優れ、さら
に成形加工性(樹脂パリ)にも優れ、極めてバランスの
とれた樹脂組成物であるため高集積度IC封止用樹脂組
成物として非常に信頼性の高いものである。
樹脂、シリコーン変性フェノール樹脂硬化剤、硬化促進
剤および無機充填剤を必須成分とする半導体封止用樹脂
組成物は耐熱衝撃性と半田耐熱性に極めて優れ、低粘度
であり、このため金線変形性および充填性に優れ、さら
に成形加工性(樹脂パリ)にも優れ、極めてバランスの
とれた樹脂組成物であるため高集積度IC封止用樹脂組
成物として非常に信頼性の高いものである。
Claims (1)
- (1)下記式〔 I 〕で示されるナフタレン型エポキシ
樹脂化合物と ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 下記式〔II〕で示される3官能エポキシ樹脂の混合物の
合計量が ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔II〕 (R_1〜R_1_1:水素、ハロゲン、アルキル基の
中から選択される原子または原子団) 総エポキシ樹脂量に対して50〜100重量%であるエ
ポキシ樹脂組成物。 (B)下記式〔III〕および下記式〔IV〕の内の少なく
とも1種以上のシリコーン化合物とフェノールノボラッ
クとを反応させて得られるシリコーン変性フェノールノ
ボラック樹脂硬化剤を総硬化剤量に対して30〜100
重量%含有する硬化剤。 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 ここで10≦N=l+m+n+2≦200 0≦m/N≦0.1、5≦N/n≦50 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 (R_1:▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式
、化学式、表等があります▼、C_2H_5 R_2:▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
化学式、表等があります▼、C_2H_5、CH_3A
:−R−COOH、▲数式、化学式、表等があります▼
、▲数式、化学式、表等があります▼、H)ここで10
≦N=l+m+n+2≦200 0≦m/N≦0.1、5≦N/n≦50 (C)硬化促進剤および (D)無機充填材 を必須成分とする半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33294289A JPH03195725A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33294289A JPH03195725A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03195725A true JPH03195725A (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=18260529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33294289A Pending JPH03195725A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03195725A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0496929A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR100364227B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2003-02-19 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100384475B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2003-11-28 | 제일모직주식회사 | 반도체소자봉지용액상에폭시수지조성물 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP33294289A patent/JPH03195725A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0496929A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
KR100364227B1 (ko) * | 1997-11-27 | 2003-02-19 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
KR100384475B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2003-11-28 | 제일모직주식회사 | 반도체소자봉지용액상에폭시수지조성물 |
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