JPS58210045A - ４−α，α，α−トリフルオロメチル安息香酸−４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）フエニルエステル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は正の誘電異方性を持ち、かつ広い温度範囲で液
晶相を示す、低粘性の新規な液晶化合物及びそれを含有
する液晶組成物に関する。

液晶表示素子は液晶物質の特性である光学異方性及び誘
電異方性を利用したものであるが、その表示方式にはＴ
Ｎ型（ねじれネマチック型）ＤＳ型（動的散乱循）、ゲ
スト・ホスト型、ＤＡＰ型などがあり、それぞれの方式
により使用される液晶物質に要求される性質も異なる。

しかし、いずれにしてもこれらに用いられる液晶物質は
できるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、又水分、熱、
空気、光などに安定である必要がある。しかし、現在の
ところ、単一化合物ではこの様な条件を７１１４だすも
のはなく、数種の液晶化合物や、非液晶化合物を混合し
て一応実用に耐えるものを得ているのが現状である。史
に表示素子の柚頓によりその訪電率異方性△ｅが正のも
のを必要としたり負のものを必要としたり、或はその中
間的な値を持ったものが必要になったりするが、一般的
に任意の△Ｃの値を持った液晶混合物は△６の値が正の
ものと△６の値が負のものを適宜混合することによって
得られる。

ところが△εの値が正と負のものを混ぜる場合、その△
８の値の絶対値が大きなもの同志では混合しに＜＜、結
晶が出易いので△εの値の絶体値の小さな化合物、しか
も低粘度の相溶性のよい化合物が液晶組成物を構成する
成分として望まれていた。本発明の化合物はこの様な要
望をある程度溝たすものである。

即ち、本発明は一般式 （上式中Ｒは炭素数１〜ｌＯのアルキル基を示す） 息香ｆＲ−４−（）　ｙンスー４′−アルキルシクロヘ
キシル）フェニルエステル及ヒソレヲ含有スる液晶組成
物である。

本発明の化合物は広い温度範囲で液晶相を示す△６が＋
３程度の低粘性の化合物である。又本発明の化合物の光
学異方性は０．０６程屁と小さい特徴がある。

つぎに本発明の化合物の製造法について述べる。４−α
、α、α−トリフルオロ安息香酸クロリドとピリジン存
在下４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）
フェノールト反応シ、目的の４−α、α、α−トリフル
オロ安息香酸４−（トランス−４′−アルキルシクロヘ
キシル）フェニルエステルを製造した。これを化学式で
示すと （Ｉ） （上式中Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を示す）以下
実施例及応用例により更に詳細に説明する。

実施例］〔４−α、α、α−トリフルオロ安息査Ｉｇ−
４−（）ランス−４１−プロピルシクロヘキシル）フェ
ニルエステルの 製造〕 ４−（）ランス−４’−ニア’ロピルシクロヘキシル）
フェノール２．２９　（０，０１モル）をピリジン５０
ｓｄに溶かし、そこ−＼４−α、α、α−トリフルオロ
安息香酸クロリド２．１　？　（０，０１モル）を加え
、よく撹拌してから一晩放置する。

トルエン１００−を加え、トルエン層を５ＮＨ（！ｌ。

ついで２１ＪＮａＯＨＭ　ｇ　、ついで水で中性になる
までトルエンＪ−を洗う。無水硫酸ナトリウムで乾燥後
、減圧でトルエンを留去し、残った結晶をエタノール５
０ｍで再結晶すると目的の４−α。

α、α−トリフルオロ安忌査［−４−（）ランス−４７
７０ピルシクロヘキシル）フェニルニスデルが得られた
。収蓋２．２ｔ、収率５６％でそのｃ　−Ｓｍ点は１４
２．４℃、ｓｍ−Ｎ点は１５５．２℃、Ｎ−Ｉ点は１６
１．７℃であった。

以下同様にして４−（トランス−４′−プロピルシクロ
ヘキシル）フェノールの代りに他のアルキル基を有する
４−（トランス−４′−アルキルシクロヘキシル）フェ
ノール０．０１　モルヲ使用し、他の４・Ｍ作は全く同
様にして第１表に示す（１）式の化合物を製造した。こ
れらの結果を第１表に示す。

第１表 実施例２（応用例１） トランス−４−プロピル−（４′−ノアノフェニル）シ
クロへキザ７　２８％ トランス−４−ペンチル−（４′−シアノフェニル）シ
クロヘキサン　　４２チ トランス−４−へブチル−（４′−シアノフェニル）シ
クロヘキサン　　３０チ なる赦晶ｌ昆合１勿ＡのＮ−１点は５２℃、△εは＋１
．１．８、しきい電圧は１．５３　Ｖ　、飽和電圧は２
．１２Ｖ、２０℃での粘度は２３　ｃｐである。

この混合物Ａ９５部に本発明の１−α、α。

α−トリフルオロ安息香ＩＷ−４−（）ランス−４′−
フ”ロビルシクロヘギシル）フェニルエステル５部を加
えた数品のＮ−１点は５７℃である。

父△Ｃは＋１０．９、しきい電圧は１．６０Ｖ、飽和電
圧は２．２２Ｖ、２０℃での粘度は２１　ｃｐであった
。このように本発明の化合物を使用することにより粘Ｉ
Ｗを上げずにネマチック温度範囲を広げることができた
。

実施例３（応用例２） トフノスー４−ペンチルシクロヘキザンカルホ゛ン酸４
−フＡオロフェニルエステル　４．５ｆｆｌｉトランＸ
−４−ヘプチルノクロヘキサンカル４−α、α、α−ト
リフルオロ安息台絃トランス−４−（）ランス−４’−
フロピノしシクロー＼キシル）フェニルエステル　　　
　　　０．５部４−α、α、α−トリフルオロ安）ｔ４
４ｉｆ＝１−４−（トランス−４７−ベンチルシクロー
＼ギンル）フェニルエステル　　　　　　　　　　　０
．５部からなる液晶混合物のＮ−１点は４１℃、しきい
餉亀圧は１．９ｖ％飽和′咀圧は２．６ｖであった。

又、Ｉｒ）ｓ　１ｋＮ異方性値は＋３、粘度は２０℃で
２８Ｃｐ１光学異方性値は０．０６であった。

以　　上

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 （上式中Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を示す） で表わされる４−α、α、α−トリフロメチル安息香酸
   −４−（）ランス−４′−アルキルシクロヘキシル）フ
   ェニルエステル。
2. （２）一般式 （上式中Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を示す） で表わされる４−α、α、α−トリフルオロメチル安息
   香ｖ−４−（）ランス−４′−アルキルシクロヘキシル
   ）フェニルエステルヲ少くとも１成分含むことを特徴と
   する液晶組成物。