JPS58208747A - 固体撮像装置用ホトマスク - Google Patents
固体撮像装置用ホトマスクInfo
- Publication number
- JPS58208747A JPS58208747A JP57091245A JP9124582A JPS58208747A JP S58208747 A JPS58208747 A JP S58208747A JP 57091245 A JP57091245 A JP 57091245A JP 9124582 A JP9124582 A JP 9124582A JP S58208747 A JPS58208747 A JP S58208747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- present
- pattern
- solid
- measurement
- image pickup
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、固体撮濤、装置に片いるホトマスクに係シ、
特にパターン寸法測定に好適なマスクパターン構成に関
する。
特にパターン寸法測定に好適なマスクパターン構成に関
する。
従来のホトマスクは第1図に示′Tように本パターン1
と周辺パターン2とりら級って29、寸法測定は周辺バ
l−ン2及び木バl−ン1を用いて行つ1いる。力お、
3は測定位置である。しかし、本パターン内の測定では
、パターン数が多く測定点が一定では々いため、後で寸
法の再現をすることが困難であるという欠点がある。
と周辺パターン2とりら級って29、寸法測定は周辺バ
l−ン2及び木バl−ン1を用いて行つ1いる。力お、
3は測定位置である。しかし、本パターン内の測定では
、パターン数が多く測定点が一定では々いため、後で寸
法の再現をすることが困難であるという欠点がある。
したがって*発明の目的は、測定点を固定することによ
シ、寸法測定の再現を確実に行なえるようなホトマスク
を提併することにある。
シ、寸法測定の再現を確実に行なえるようなホトマスク
を提併することにある。
このため本発明は本パターンと同様のパターンをマスク
の周辺部に設け1寸法側足位置を明確にするものである
。
の周辺部に設け1寸法側足位置を明確にするものである
。
以下、本発明の実施例を第2図によシ説明する8本発明
は、第2図に示すように周辺部に不休と同じ形林の寸法
測定セル41に形成する。この寸法測定セル4のバl−
ンを用いて寸法検査を実施すれば、再現性の優れた正確
々測定を行うことができる。
は、第2図に示すように周辺部に不休と同じ形林の寸法
測定セル41に形成する。この寸法測定セル4のバl−
ンを用いて寸法検査を実施すれば、再現性の優れた正確
々測定を行うことができる。
このように本発明によるホトマスクによれば寸法′al
11足用セル上用セルことに↓す、(11、測足位量が
明確になる。(211寸法の再現が容易である。(3)
。
11足用セル上用セルことに↓す、(11、測足位量が
明確になる。(211寸法の再現が容易である。(3)
。
(11、(24によシ寸法測定の信頼性が向上する。(
4)。
4)。
本パターンの外(illに形成するためにばらつきの傾
向がわかりやすい。本発明はり、上のような数多くの優
れた効果がある。
向がわかりやすい。本発明はり、上のような数多くの優
れた効果がある。
第1図は従来のホトマスクの平面図、第2図は本発明に
よるホトマスクの一実施例の平面図を示す。 1・・・一本パl−ン、2・・・−后1辺ン、4・・・
・寸法沙1定七ル。 代理人 弁理士 溌、 1) 利 幸第1図
よるホトマスクの一実施例の平面図を示す。 1・・・一本パl−ン、2・・・−后1辺ン、4・・・
・寸法沙1定七ル。 代理人 弁理士 溌、 1) 利 幸第1図
Claims (1)
- 面付撮像装置のホト工程に使用するホトマスクにおいて
、周辺部に本パターンと同−形材のパターンを形成した
ことを特徴とする固体撮像装置用ホトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091245A JPS58208747A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 固体撮像装置用ホトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57091245A JPS58208747A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 固体撮像装置用ホトマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58208747A true JPS58208747A (ja) | 1983-12-05 |
Family
ID=14021031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57091245A Pending JPS58208747A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 固体撮像装置用ホトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58208747A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022103A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
WO1999050712A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57091245A patent/JPS58208747A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH022103A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
WO1999050712A1 (fr) * | 1998-03-26 | 1999-10-07 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication |
US6337162B1 (en) | 1998-03-26 | 2002-01-08 | Nikon Corporation | Method of exposure, photomask, method of production of photomask, microdevice, and method of production of microdevice |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3042639B2 (ja) | 半導体装置製造用フォトレティクル | |
KR950015553A (ko) | 솼 패턴들의 회전이 용이하고 이득 보정이 가능한 ulsi 리쏘그라피를 위한 전자 빔 직접 기록 시스템과 이를 위한 전자 빔 직접 기록 방법 | |
JPS58208747A (ja) | 固体撮像装置用ホトマスク | |
US5552251A (en) | Reticle and method for measuring rotation error of reticle by use of the reticle | |
JPS5534430A (en) | Positioning method in electron beam exposure | |
JPS587136A (ja) | 投影式露光方法およびその装置 | |
KR100192433B1 (ko) | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 | |
JPS61154044A (ja) | プロ−バ−のプロ−ブカ−ド | |
JPH07253657A (ja) | 現像程度測定用パターンを具備したフォトマスクおよび現像程度の測定方法 | |
JPS6076121A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS5839361Y2 (ja) | マスクパタ−ンの位置測定治具 | |
KR960001466Y1 (ko) | 노광 장치의 칩 확대율 보정 패턴 | |
KR0131751Y1 (ko) | 상면 기울기 측정용 테스트 패턴형성 레티클 | |
JPH11186738A (ja) | ビアホールを有する基板の検査方法 | |
JPS62112140U (ja) | ||
JPS55111135A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
JPS55157231A (en) | Method of forming pattern by electron beam | |
TW361055B (en) | Mark for measurement of accuracy in superposition, method for correcting detect of the mark, photomask having the mark, and manufacture and exposure device for the photomask | |
JPS5816239A (ja) | フオトレジスト露光装置 | |
JPS53130033A (en) | Electron beam sensitive material | |
JPS61234542A (ja) | 半導体装置の試験装置 | |
JPS5381083A (en) | Focusing method of projection exposure apparatus | |
JPS63271915A (ja) | 半導体チツプ | |
JPH01160558U (ja) | ||
KR960005804A (ko) | 웨이퍼 노광방법 |