JPS587136A - 投影式露光方法およびその装置 - Google Patents
投影式露光方法およびその装置Info
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- JPS587136A JPS587136A JP56104455A JP10445581A JPS587136A JP S587136 A JPS587136 A JP S587136A JP 56104455 A JP56104455 A JP 56104455A JP 10445581 A JP10445581 A JP 10445581A JP S587136 A JPS587136 A JP S587136A
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- Japan
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- exposure
- projected
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影式露光装＠における露光方法およびその装
置に関するものである。
置に関するものである。
半導体製造工程におけるホトリゾクラフイ工程では、半
導体ウェーハにマスクパターンを焼付ける投影式露光装
置が使用される。この種の装置としては、１／２．１／
４．１１５、ｌ／１［縮小了ライナ、ホトマスク用リピ
ータ、ｌ：１プロジエクシヨンアライナ等が維げられる
が、いずれのものも所定のパターン？結像面としてのウ
エーノ・表面（場合によってはマスク表面）に結イ象さ
ぞる方式全採用している。したがって１．冑実度の高い
パターン形成−ｅ行なうためには、マスクとウェー・・
との平行度不良に伴なう歪やパターンの平面位置ずれ等
全測定かつ認識し、これら否や位置ずれのない露光全行
なう必要がある。
導体ウェーハにマスクパターンを焼付ける投影式露光装
置が使用される。この種の装置としては、１／２．１／
４．１１５、ｌ／１［縮小了ライナ、ホトマスク用リピ
ータ、ｌ：１プロジエクシヨンアライナ等が維げられる
が、いずれのものも所定のパターン？結像面としてのウ
エーノ・表面（場合によってはマスク表面）に結イ象さ
ぞる方式全採用している。したがって１．冑実度の高い
パターン形成−ｅ行なうためには、マスクとウェー・・
との平行度不良に伴なう歪やパターンの平面位置ずれ等
全測定かつ認識し、これら否や位置ずれのない露光全行
なう必要がある。
このため、従来ではマスクとウエーノ・との平行度や平
面位置葡微少に変化させて多数枚の感光材料′Ｉｔ塗布
したウェー・・にｉｆｔ、’を行ない、これ全卵揮化さ
ぞた上でパターン形成視にて認別し、歪については統計
処理葡行なってこれを検出し、位置ずれｒＣついては最
適パターンを求めてずれ員ヲ検出する方法が採用されて
いる。しかしながら、この方法では多数枚のウェー／・
−＋Ｕ元、現像処理することから検出時間が長くなると
ともに、目視による認別であることから検出精度に高い
ものがイｑられないといら問題が必るっ また、この種の露光装置では鮮鋭なパターン形成るため
に所謂焦点台ぜ全行なら必要もあり、従来ではこの焦点
合せも多数枚のウェー・・に実際に露光を行なって目視
により設定しており、この作業音も含めるとウェーハ露
光全体の作業効率が極めて悪いという問題もある。
面位置葡微少に変化させて多数枚の感光材料′Ｉｔ塗布
したウェー・・にｉｆｔ、’を行ない、これ全卵揮化さ
ぞた上でパターン形成視にて認別し、歪については統計
処理葡行なってこれを検出し、位置ずれｒＣついては最
適パターンを求めてずれ員ヲ検出する方法が採用されて
いる。しかしながら、この方法では多数枚のウェー／・
−＋Ｕ元、現像処理することから検出時間が長くなると
ともに、目視による認別であることから検出精度に高い
ものがイｑられないといら問題が必るっ また、この種の露光装置では鮮鋭なパターン形成るため
に所謂焦点台ぜ全行なら必要もあり、従来ではこの焦点
合せも多数枚のウェー・・に実際に露光を行なって目視
により設定しており、この作業音も含めるとウェーハ露
光全体の作業効率が極めて悪いという問題もある。
したがって本発明の目的はマスク等の被投影体側に適宜
間隔訃いた少々くと屯一対の基準信％ｙ２発生させるよ
う構成し、ウェーハ等の露光体向上に結像された前記基
準信号の間隔寸法音測定してこれを被投影体における寸
法や位置と比較することにより歪やずれ竜會求めること
ができ、また基準信号の像のピーク特性全検出すること
により焦点合ぜ？も同時に行なうことができる投影式露
光方法およびその装置を提供すること［６る。
間隔訃いた少々くと屯一対の基準信％ｙ２発生させるよ
う構成し、ウェーハ等の露光体向上に結像された前記基
準信号の間隔寸法音測定してこれを被投影体における寸
法や位置と比較することにより歪やずれ竜會求めること
ができ、また基準信号の像のピーク特性全検出すること
により焦点合ぜ？も同時に行なうことができる投影式露
光方法およびその装置を提供すること［６る。
以下、本発明を図面の実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明装置の全体構成図であり、１は所要のパ
ターン會形成したマスク等からなる被投影体でるる。こ
の被投影体ｌは歪、位置検査時には略全面を遮光した不
透明板状のものを用いており、その一部には平■万回に
適宜間隔おいた少なくとも一対の光透過部２ａ、２ｂ會
形成している。
ターン會形成したマスク等からなる被投影体でるる。こ
の被投影体ｌは歪、位置検査時には略全面を遮光した不
透明板状のものを用いており、その一部には平■万回に
適宜間隔おいた少なくとも一対の光透過部２ａ、２ｂ會
形成している。
この光透過部２ａ、２ｂは基準信醤會発生さぞ得るもの
であってスリット６るいはピンホール等の開口からなり
、第２図体）に示すように被投影体ｌの四隅部に各辺に
沿ってスリン）２Ａｉ対同配置した構成や同図（Ｂ）に
示すように、十字形に形成したスリット２Ｂ′に枡目状
に配置した構成としている。特に同図（Ｂ）の場合には
任慧のスリット全選択することにより間隔寸法の異なる
ものｔ得ることができる。
であってスリット６るいはピンホール等の開口からなり
、第２図体）に示すように被投影体ｌの四隅部に各辺に
沿ってスリン）２Ａｉ対同配置した構成や同図（Ｂ）に
示すように、十字形に形成したスリット２Ｂ′に枡目状
に配置した構成としている。特に同図（Ｂ）の場合には
任慧のスリット全選択することにより間隔寸法の異なる
ものｔ得ることができる。
一万、前屈被投影体ｌの下方位置にはＸＹテーブル３會
設置し、その上には元首１変換索子４とスリット５とに
’ｆｆする受光器６會載置している。この受光器６のス
リット５位置はウェーハ等の露光体（力の表面位置（結
像面）と一致するよらに構成しており、前記被投影体ｌ
の上下に配置した光源８と結像レンズ９の作用により前
記光透過部２ａ、２ｂがこの結像面７位置（厳密に言え
ば面の近傍）に結像されるよらにしてｂるっそして、こ
の受光器６はＸＹテーブル３の作動に伴なって前記結像
面上ｉＸ、Ｙ方回に方向され、前記光透過部２ａ、２ｂ
の像２ ａｔ、２ｂ′の光量全検出するっまた、前記Ｘ
Ｙテーブル３の一側にはＸＹテーブルの移動量を検出す
るレーザ測長機１０？配置するとともに、信置処理部１
１ｉ介して前記受光器６に接続している。この信号処理
部ｌｌ内ｒ（は前記被投影体ｌの光透過部２ａ、２ｂの
正確な間隔寸法等が記憶され、また図示しない処理結果
の出力（表示）手段全付設している。
設置し、その上には元首１変換索子４とスリット５とに
’ｆｆする受光器６會載置している。この受光器６のス
リット５位置はウェーハ等の露光体（力の表面位置（結
像面）と一致するよらに構成しており、前記被投影体ｌ
の上下に配置した光源８と結像レンズ９の作用により前
記光透過部２ａ、２ｂがこの結像面７位置（厳密に言え
ば面の近傍）に結像されるよらにしてｂるっそして、こ
の受光器６はＸＹテーブル３の作動に伴なって前記結像
面上ｉＸ、Ｙ方回に方向され、前記光透過部２ａ、２ｂ
の像２ ａｔ、２ｂ′の光量全検出するっまた、前記Ｘ
Ｙテーブル３の一側にはＸＹテーブルの移動量を検出す
るレーザ測長機１０？配置するとともに、信置処理部１
１ｉ介して前記受光器６に接続している。この信号処理
部ｌｌ内ｒ（は前記被投影体ｌの光透過部２ａ、２ｂの
正確な間隔寸法等が記憶され、また図示しない処理結果
の出力（表示）手段全付設している。
次に均上の構成の実施例装置の作用とともに本発明方法
全説明する。光源８により伏投影体ｌを照射すること光
透過部２ａ、２ｂを透過した元はレンズ９により前記結
像面７上に結像される。そこで、ＸＹテーブル３全作動
して受光器６會ｘ、Ｙ方向に移動さぜると、元首変換素
子４にはスリソト５牙通した元のみが入射さｔ”ｔてこ
れ全測光し、信喝処理部１１に出力する。同時に信号処
理部１１にはそのときのＸＹテーブル３０位Ｉ位がレー
ザ測長機ｌＯから入力され、この結果、回部では第３図
に示すよらな光量（光度）−距離の光特性？得ることが
できる。
全説明する。光源８により伏投影体ｌを照射すること光
透過部２ａ、２ｂを透過した元はレンズ９により前記結
像面７上に結像される。そこで、ＸＹテーブル３全作動
して受光器６會ｘ、Ｙ方向に移動さぜると、元首変換素
子４にはスリソト５牙通した元のみが入射さｔ”ｔてこ
れ全測光し、信喝処理部１１に出力する。同時に信号処
理部１１にはそのときのＸＹテーブル３０位Ｉ位がレー
ザ測長機ｌＯから入力され、この結果、回部では第３図
に示すよらな光量（光度）−距離の光特性？得ることが
できる。
したがって、この光特性から最大元畦２ａ’、２ｂ′の
平面位イにおよびその間隔寸法全算出し、これを予め記
憶されている被投影体ｌの対応位置、寸法と比較するこ
とにより、結像位置における像の位置ずれや歪音検出す
ることができる。もつとも、位置ずれは一対の光透退部
のみで検出可能であるが、φの検出にはＸ、Ｙ方向の位
置や寸法の検出ケ行なう必要があり、複数対（１固）の
光透退部が要求される。
平面位イにおよびその間隔寸法全算出し、これを予め記
憶されている被投影体ｌの対応位置、寸法と比較するこ
とにより、結像位置における像の位置ずれや歪音検出す
ることができる。もつとも、位置ずれは一対の光透退部
のみで検出可能であるが、φの検出にはＸ、Ｙ方向の位
置や寸法の検出ケ行なう必要があり、複数対（１固）の
光透退部が要求される。
一部、受光器６會元軸方回に微小変位できるようにして
おけは、受光器上下変位に伴なって第３図の−ｙｔ−、
％性は同図の一点釦肪や二点鎖想のように変化する。し
たがって、光特性に最もシャープなピークが得られたと
きが光透退部の像も鮮鋭になつたときでｈす、この光軸
位置？所謂焦点が合わされた位置として検出することが
できるのて必るっ第４図には本発明装置の他の実施例看
・示す、本実施例は電子線投影装置に適用しｔｃ例でら
り、２０は光源としての重子線源、２１は被投影体と等
価のパターン発生部で、このパターン発生部２１では前
例の光透退部に相当了る少なくとも一対の亀□、子紳會
基準信号として適宜間隔おいて発生することができる。
おけは、受光器上下変位に伴なって第３図の−ｙｔ−、
％性は同図の一点釦肪や二点鎖想のように変化する。し
たがって、光特性に最もシャープなピークが得られたと
きが光透退部の像も鮮鋭になつたときでｈす、この光軸
位置？所謂焦点が合わされた位置として検出することが
できるのて必るっ第４図には本発明装置の他の実施例看
・示す、本実施例は電子線投影装置に適用しｔｃ例でら
り、２０は光源としての重子線源、２１は被投影体と等
価のパターン発生部で、このパターン発生部２１では前
例の光透退部に相当了る少なくとも一対の亀□、子紳會
基準信号として適宜間隔おいて発生することができる。
また、２２はＸＹテーブルで少ノリその上にはスリフト
２３と頂、子線検出器２４？Ｉ−ｉする受信器２５ケ配
役しでＸ、Ｙ方間に移動することかできる、ぞして、こ
の受信器２５は電子レンズ２６により結像された前記一
対の電子線像？その移動に伴なって検出でき、寸だその
柊！Ｊ［Ｉ］量は前例と同様の測長機２７により検出で
きる、２Ｂは前例と同様の１日妥処理部である。
２３と頂、子線検出器２４？Ｉ−ｉする受信器２５ケ配
役しでＸ、Ｙ方間に移動することかできる、ぞして、こ
の受信器２５は電子レンズ２６により結像された前記一
対の電子線像？その移動に伴なって検出でき、寸だその
柊！Ｊ［Ｉ］量は前例と同様の測長機２７により検出で
きる、２Ｂは前例と同様の１日妥処理部である。
したがってこの実施例ではパターン発生部２１により発
生された少なくとも一対の市、子線の電子レンズ２６に
よる結像奮受信器２５にて検１−．Ｉｊ Ｌ、 。
生された少なくとも一対の市、子線の電子レンズ２６に
よる結像奮受信器２５にて検１−．Ｉｊ Ｌ、 。
両像の位置や間隔寸法全求めてこ′ｉ″′Ｌｔ測長磯２
７測長の信醤とともに信妥処理部２８において処理する
ことにより歪や缶装置ずれ全検出することかできるので
あるっ電子線の強度ピークが最もシャープになる軸位置
において焦点合ゼが好適なものになることは前例と同し
である、 ここで、前記谷実施例において受光器６や受信器２５の
分解能全高める場合には、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示す
よらに再結像用の光学レンズ１２や電子レンズ２９を受
光器６、受信器２５の各スリフト５．２３上に配置し、
結像した一ｉ透過部や電、子線像？拡大して受光、受イ
ｇするよらにしてもよい。また本方法は同様な構成でＸ
線露光装置にも応用可能でめる、 ９上のように本発明の投影露光方法およびその装置によ
れば、被投影体ｉｔ＋ｕに適宜間隔おいた少なくとも一
対の基準１８妥？発生させるよう構成し、この基準毎芸
の露光体イ）γ（Ｈにおける結像の間両寸法や位置？検
出してこれ金板投影体側における寸法と比較することに
より、露光に際しての歪や位置ず７″Ｌ會検出でき、露
光作業効率の同−Ｌや検ＩＪｊ梢度の同士全達成でき、
更に結像の特性全検出１−ることにより同時に最適焦点
合せ位置會も検出子２、ことができるという効果分奏す
る。
７測長の信醤とともに信妥処理部２８において処理する
ことにより歪や缶装置ずれ全検出することかできるので
あるっ電子線の強度ピークが最もシャープになる軸位置
において焦点合ゼが好適なものになることは前例と同し
である、 ここで、前記谷実施例において受光器６や受信器２５の
分解能全高める場合には、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示す
よらに再結像用の光学レンズ１２や電子レンズ２９を受
光器６、受信器２５の各スリフト５．２３上に配置し、
結像した一ｉ透過部や電、子線像？拡大して受光、受イ
ｇするよらにしてもよい。また本方法は同様な構成でＸ
線露光装置にも応用可能でめる、 ９上のように本発明の投影露光方法およびその装置によ
れば、被投影体ｉｔ＋ｕに適宜間隔おいた少なくとも一
対の基準１８妥？発生させるよう構成し、この基準毎芸
の露光体イ）γ（Ｈにおける結像の間両寸法や位置？検
出してこれ金板投影体側における寸法と比較することに
より、露光に際しての歪や位置ず７″Ｌ會検出でき、露
光作業効率の同−Ｌや検ＩＪｊ梢度の同士全達成でき、
更に結像の特性全検出１−ることにより同時に最適焦点
合せ位置會も検出子２、ことができるという効果分奏す
る。
第１図は本発明装置の構成図、第２図（Ａ）、（Ｂ）
ｉｔ夫々異なる光透過部？示す被投影体の平面円、第３
図は検出した光特性図、第４図は他の実施１シリの構成
図、第５区１（Ａ）、（Ｂ）は第１図および第を図の実
施例の一部の変形例を示す構成図である。 ■・・・被投影体、２ａ、２ｂ 光透１尚ｉ＋１＋ （
基恕傷兵）、３・・・ＸＹテーブル、６・・・受光器、
７・・結像面、８・・光源、９・・レンズ、ｌ Ｏ・測
長機、１１・・・侶喝処理部、２（）・・・′ｍ１子澗
源、２１・・パターン発生部、２２ ・ＸＹテーブル、
２５・・受信器、２６・・・電子レンズ、２７・・測長
機、２８・・信Ａ処理部。 代理人 弁理士 博 １）第１」 辛 第 １ 図 第 ２ 図 （Ａ） （Ｂ）第 ３ 図 ギ９ｆ力１Ｆ
ｉｔ夫々異なる光透過部？示す被投影体の平面円、第３
図は検出した光特性図、第４図は他の実施１シリの構成
図、第５区１（Ａ）、（Ｂ）は第１図および第を図の実
施例の一部の変形例を示す構成図である。 ■・・・被投影体、２ａ、２ｂ 光透１尚ｉ＋１＋ （
基恕傷兵）、３・・・ＸＹテーブル、６・・・受光器、
７・・結像面、８・・光源、９・・レンズ、ｌ Ｏ・測
長機、１１・・・侶喝処理部、２（）・・・′ｍ１子澗
源、２１・・パターン発生部、２２ ・ＸＹテーブル、
２５・・受信器、２６・・・電子レンズ、２７・・測長
機、２８・・信Ａ処理部。 代理人 弁理士 博 １）第１」 辛 第 １ 図 第 ２ 図 （Ａ） （Ｂ）第 ３ 図 ギ９ｆ力１Ｆ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 マスク等の被投影体をウェー ハ等の窯元体上に
投影露光するに際し、前記被投影体にて平面方向に適宜
間隔おい友少なくと本一対の基準信置全発生さぞ、これ
を前記露光体相尚位置に結像するとともにこの基準信会
の像の間隔寸法や位置？測定し、前Ｈ［２被投影体にお
ける間隔寸法や位置とこの測定値と全比較することによ
り投影露光の歪や位置ずれｔ＠出することｒ特徴とする
投影式露光方法。 ２、所要のパターン侶妥全兄生可舵なマスク、電子線パ
ターン発生部等の被投影体と、ウエーノ・等の地元体と
、前記被投影体？露光体上に結像するレンズとを肩する
投影式露光装置において、前記被投影体は平面方向に適
π間隔おいた少なくとも一対の基準伯芸を発生し得るよ
う構成し、前記露光体側には前記基準伯暑の像の間隔寸
法、位置全測定する手段と、この測定値を＠記被投影体
における基準傷兵の間隔寸法、位置と比較する信会処理
手段と？設けたこと全特徴とする投影式露光装置。 ３、基準細長は全体全党不透過状に形成したマスクの一
部に形成したスリットやピンホールからなる光透過部で
おる特許請求の範囲第２項記載の投影式露光装置っ ４、基準信置は電１子線パターン発生部にて発生される
電子線でめる特許請求の範囲第２項記載の投影式露光装
置っ ５、基準信号の像の間隔、位置全測定子る手段（ｄ５、
ＸＹテーブル上に載置してスリット會辿過した元やＸ線
や電１子線を検出する受光器または受信器と、この受光
器や受信器の移動距離全測定−［る測長機と會備える特
許請求の範囲第２項ないし第４項のｂずれかに記載の投
影式露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104455A JPS587136A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 投影式露光方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104455A JPS587136A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 投影式露光方法およびその装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155131A Division JPH0316113A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 露光装置 |
| JP3056476A Division JPH04211110A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | 投影式露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587136A true JPS587136A (ja) | 1983-01-14 |
| JPH0516014B2 JPH0516014B2 (ja) | 1993-03-03 |
Family
ID=14381082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104455A Granted JPS587136A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | 投影式露光方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587136A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6018738A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| US4854745A (en) * | 1986-09-01 | 1989-08-08 | Oiles Industry Co., Ltd. | Thrust bearing made of synthetic resin |
| JPH03249637A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Ushio Inc | フィルム露光装置 |
| US5153916A (en) * | 1990-04-20 | 1992-10-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for detecting focal plane |
| JPH05251303A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-09-28 | Nikon Corp | 投影型露光装置 |
| US5914774A (en) * | 1994-12-15 | 1999-06-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with function to measure imaging characteristics of projection optical system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56104455A patent/JPS587136A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120180A (en) * | 1975-04-15 | 1976-10-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern printing device |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6018738A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
| JPH0534619B2 (ja) * | 1983-07-11 | 1993-05-24 | Nippon Kogaku Kk | |
| US4854745A (en) * | 1986-09-01 | 1989-08-08 | Oiles Industry Co., Ltd. | Thrust bearing made of synthetic resin |
| JPH03249637A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-07 | Ushio Inc | フィルム露光装置 |
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| JPH05251303A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-09-28 | Nikon Corp | 投影型露光装置 |
| JPH0754794B2 (ja) * | 1992-04-27 | 1995-06-07 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置 |
| US5914774A (en) * | 1994-12-15 | 1999-06-22 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus with function to measure imaging characteristics of projection optical system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0516014B2 (ja) | 1993-03-03 |
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