JP2602417B2 - 投影式露光装置 - Google Patents

投影式露光装置

Info

Publication number
JP2602417B2
JP2602417B2 JP6158382A JP15838294A JP2602417B2 JP 2602417 B2 JP2602417 B2 JP 2602417B2 JP 6158382 A JP6158382 A JP 6158382A JP 15838294 A JP15838294 A JP 15838294A JP 2602417 B2 JP2602417 B2 JP 2602417B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
projection
exposure apparatus
signal processing
length measuring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6158382A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0758005A (ja
Inventor
進 小森谷
央 前島
信行 入来
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6158382A priority Critical patent/JP2602417B2/ja
Publication of JPH0758005A publication Critical patent/JPH0758005A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2602417B2 publication Critical patent/JP2602417B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、投影式露光装置に関
し、特に半導体製造工程におけるホトリソグラフイ工程
で用いられる投影式露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程におけるホトリソグラフ
イ工程では、半導体ウェーハにマスクパターンを焼付け
る投影式露光装置が使用される。この種の装置として
は、1/2、1/4、1/5、1/10縮小アライナ、
ホトマスク用リピータ、1:1プロジェクションアライ
ナ等が挙げられるが、いずれのものも所定のパターンを
結像面としてのウェーハ表面(場合によってはマスク表
面)に結像させる方式を採用している。したがって、忠
実度の高いパターン形成を行なうためには、マスクとウ
ェーハとの平行度不良に伴なう歪やパターンの平面位置
ずれ等を測定かつ認識し、これら歪や位置ずれのない露
光を行なう必要がある。
【0003】このため、従来ではマスクとウェーハとの
平行度や平面位置を微少に変化させて多数枚の感光材料
を塗布したウェーハに露光を行ない、これを顕像化させ
た上でパターンを目視にて認別し、歪については統計処
理を行なってこれを検出し、位置ずれについては最適パ
ターンを求めてずれ量を検出する方法が採用されてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では多数枚のウェーハを露光、現像処理することから
検出時間が長くなるとともに、目視による認別であるこ
とから検出精度に高いものが得られないという問題があ
る。
【0005】また、この種の露光装置では鮮鋭なパター
ンを得るために所謂焦点合わせを行なう必要もあり、従
来ではこの焦点合わせも多数枚のウェーハに実際に露光
を行なって目視により設定しており、この作業をも含め
るとウェーハ露光全体の作業効率が極めて悪いという問
題もある。
【0006】本発明の目的は、精度の良い焦点合わせを
行なうことができる投影式露光装置を提供することであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的は、マスク等の
被投影体をテーブル上に載置されたウエーハ等の露光体
上に投影露光する投影式露光装置において、前記被投影
体に形成され、前記投影露光に用いる光を透過させる光
透過部と、前記露光体を載置するテーブル上に設けら
れ、前記光透過部を通る光を検出できるスリットと光電
変換素子を有する受光部と、前記テーブルの作動量を測
るレーザー測長機と、前記受光部からの出力信号と前記
レーザー測長機からの出力信号とを入力し、光量−距離
の光特性を出力する信号処理部とから構成されているこ
とを特徴とする投影式露光装置により達成される。
【0008】
【作用】光源8にり被投影体1を照射すると光透過部2
a,2bを透過した光はレンズ9により前記結像面7上
に結像される。そこでXYテーブル3を作動して受光器
6をX,Y方向に移動させると、光電変換素子4にはス
リット5を通した光のみが入射されてこれを測光し、信
号処理部11に出力する。同時に信号処理部11にはそ
のときのXYテーブル3の位置がレーザ測長機10から
入力され、この結果、同部では図3に示すような光量
(光度)−距離の光特性を得ることができる。受光器6
を光軸方向に微少変位できるようにしておけば、受光器
上下変位に伴って図3の光特性は同図の一点鎖や二点鎖
線のように変化する。したがって、光特性に最もシャー
プなピークが得られたときが光透過部の像も鮮鋭になっ
たときであり、この光軸位置を所謂焦点が合わされた位
置として検出することができるのである。
【0009】
【実施例】図1は本発明装置の全体構成図であり、1は
所要のパターンを形成したマスク等からなる被投影体で
ある。この被投影体1は歪、位置検査時には略全面を遮
光した不透明板状のものを用いており、その一部には平
面方向に適宜間隔おいた少なくとも一対の光透過部2
a,2bを形成している。この光透過部2a,2bは基
準信号を発生させ得るものであってスリットあるいはピ
ンホール等の開口からなり、図2(A)に示すように被
投影体1の四隅部に各辺に沿ってスリット2Aを対向配
置した構成や同図(B)に示すように、十字形に形成し
たスリット2Bを桝目状に配置した構成としている。特
に同図(B)の場合には任意のスリットを選択しするこ
とにより間隔寸法の異なるものを得ることができる。
【0010】一方、前記被投影体1の下方位置にはXY
テーブル3を設置し、その上には光電変換素子4とスリ
ット5とを有する受光器6を載置している。この受光器
6のスリット5位置はウェーハ等の露光体(7)の表面
位置(結像面)と一致するように構成しており、前記被
投影体1の上下に配置した光源8と結像レンズ9の作用
により前記光透過部2a,2bがこの結像面7位置(厳
密に言えば面の近傍)に結像されるようにしている。そ
して、この受光器6はXYテーブル3の作動に伴って前
記結像面上をX,Y方向に移動され、前記光透過部2
a,2bの像2a’2b’の光量を検出する。また、前
記XYテーブル3の一側にはXYテーブルの移動量を検
出するレーザ測長機10を配置するとともに、信号処理
部11を介して前記受光器6に接続している。この信号
処理部11内には前記被投影体1の光透過部2a,2b
の正確な間隔寸法等が記憶され、また図示しない処理結
果の出力(表示)手段を布設している。
【0011】次に以上の構成の実施装置の作用とともに
本発明を説明する。光源8により被投影体1を照射する
と光透過部2a,2bを透過した光はレンズ9により前
記結像面7上に結像される。そこで、XYテーブル3を
作動して受光器6をX,Y方向に移動させると、光電変
換素子4にはスリット5を通した光のみが入射されてこ
れを測光し、信号処理部11に出力する。同時に信号処
理部11にはその時のXYテーブル3の位置がレーザ測
長機10から入力され、この結果、同部では図3にしめ
すような光量(光度)−距離の光特性を得ることができ
る。
【0012】したがって、この光特性から最大光量2
a’,2b’の平面位置およびその間隔寸法を算出し、
これを予め記憶されている被投影体1の対応位置、寸法
と比較することにより、結像位置における像の位置ずれ
や歪を検出することができる。もっとも、位置ずれは一
対の光透過部のみで検出可能であるが、歪の検出には
X,Y方向の位置や寸法の検出を行なう必要があり、複
数対(個)の光透過部が要求される。
【0013】一方受光器6を光軸方向に微少変位できる
ようにしておけば、受光器上下変位に伴なって図3の光
特性は同図の一点鎖線や二点鎖線のように変化する。し
たがって光特性に最もシャープなピークが得られたとき
が光透過部の最も鮮鋭になったときであり、この光軸位
置を所謂焦点が合わされた位置として検出することがで
きるのである。
【0014】図4には本発明装置の他の実施例を示す。
本実施例は電子線投影装置に適用した例であり、20は
光源としての電子線源、21は被投影体と等価のパター
ン発生部で、このパターン発生部21では前例の光透過
部に相当する少なくとも一対の電子線を基準信号として
適宜間隔おいて発生することができる。また、22はX
Yテーブルでありその上にはスリット23と電子線検出
器24を有する受信器25を配設してX,Y方向に移動
することができる。そして、この受信器25は電子レン
ズ26により結像された前記一対の電子線像をその移動
に伴なって検出でき、またその移動量は前例と同様の測
長機27により検出できる。28は前例と同様の信号処
理部である。
【0015】したがってこの実施例ではパターン発生部
21により発生された少なくとも一対の電子線の電子レ
ンズ26による結像を受信器25にて検出し、両像の位
置や間隔寸法を求めてこれを測長機27からの信号とと
もに信号処理部28において処理することにより歪や位
置ずれを検出することができるのである。電子線の強度
ピークが最もシャープになる軸位置において焦点合わせ
が好適なものになることは前例と同じである。
【0016】ここで、前記各実施例において受光器6や
受信器25の分解能を高める場合には、図5(A),
(B)に示すように再結像用の光学レンズ12や電子レ
ンズ29を受光器6、受信器25の各スリット5、23
上に配置し、結像した光透過部や電子線像を拡大して受
光、受信するようにしてもよい。また本発明は同様な構
成でX線露光装置にも応用可能である。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明の投影式露光装置に
よれば、結像の特性を検出することにより精度の良い最
適焦点合わせ位置を検出することができる。又、基準信
号の露光体位置における結像の間隔寸法や位置を検出し
てこれを被投影体側における寸法と比較することによ
り、露光に際しての歪や位置ずれを検出でき、露光作業
効率の向上や検出精度の向上を達成できるという効果を
奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の投影式露光装置の構成図で
ある。
【図2】(A),(B)は本発明の一実施例に用いられ
る、夫々異なる光透過部を示す被投影体の平面図であ
る。
【図3】本発明の一実施例により検出される光の光特性
図である。
【図4】本発明の他の実施例の電子線投影装置の構成図
である。
【図5】(A),(B)は図1及び図4の実施例の一部
の変形例を示す構成図である。
【符号の説明】
1…被投影体、2a,2b…光透過部(基準信号)、3
…XYテーブル、6…受光器、7…結像面、8…光源、
9…レンズ、10…測長機、11…信号処理部、20…
電子線源、21…パターン発生部、22…XYテーブ
ル、25…受信器、26…電子レンズ、27…測長機、
28…信号処理部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 入来 信行 東京都小平市上水本町1450番地 株式会 社日立製作所武蔵工場内 (56)参考文献 特開 昭47−45577(JP,A) 特開 昭52−117565(JP,A) 特開 昭54−59883(JP,A) 特開 昭51−120180(JP,A) 特開 昭52−136577(JP,A) 特開 昭54−96374(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスク等の被投影体をテーブルの上に載
    置されたウエーハ等の露光体上に投影露光する投影式露
    光装置において、前記被投影体に形成され、前記投影露
    光に用いる光を透過させる光透過部と、前記露光体を載
    置するテーブル上に設けられ、前記光透過部を通る光を
    検出できるスリットと光電変換素子を有する受光部と、
    前記テーブルの作動量を測るレーザー測長機と、前記受
    光部からの出力信号と前記レーザー測長機からの出力信
    号とを入力し、光量−距離の光特性を出力する信号処理
    部とを有し、前記受光部を光軸方向に変位させて前記信
    号処理部で得られる光特性を基に焦点が合わされた位置
    を検出できるように構成されていることを特徴とする投
    影式露光装置。
JP6158382A 1994-07-11 1994-07-11 投影式露光装置 Expired - Lifetime JP2602417B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6158382A JP2602417B2 (ja) 1994-07-11 1994-07-11 投影式露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6158382A JP2602417B2 (ja) 1994-07-11 1994-07-11 投影式露光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3056476A Division JPH04211110A (ja) 1991-03-20 1991-03-20 投影式露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0758005A JPH0758005A (ja) 1995-03-03
JP2602417B2 true JP2602417B2 (ja) 1997-04-23

Family

ID=15670500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6158382A Expired - Lifetime JP2602417B2 (ja) 1994-07-11 1994-07-11 投影式露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2602417B2 (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4443096A (en) * 1981-05-18 1984-04-17 Optimetrix Corporation On machine reticle inspection device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0758005A (ja) 1995-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3689516B2 (ja) 電子ビーム露光装置
JP3610175B2 (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
KR950034480A (ko) 투영 노광 장치 및 방법
KR960011563A (ko) 투영 노광 시스템
JPH09210629A (ja) 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPS6286819A (ja) 位置検出方法
JPH0544170B2 (ja)
JPH09320931A (ja) 結像特性計測方法及び該方法を使用する転写装置
JPH1022213A (ja) 位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3262415B2 (ja) 像読取り装置、表面状態検査装置及び該装置を備える露光装置
JP3428705B2 (ja) 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法
KR20000076936A (ko) 전자 빔 리소그라피 방법 및 그 제조장치
JP2602417B2 (ja) 投影式露光装置
JPH08162397A (ja) 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JPH0516014B2 (ja)
JPH0616480B2 (ja) 縮小投影式アライメント方法およびその装置
JPH0562882A (ja) 結像位置測定方法
JP2910151B2 (ja) 位置検出装置
CN108333880B (zh) 光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法
JP3667009B2 (ja) 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPH104055A (ja) 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JPS62149127A (ja) 荷電ビ−ム露光装置
JPH0316113A (ja) 露光装置
JP2775988B2 (ja) 位置検出装置
JPH0640539B2 (ja) パタ−ン検出方法と該方法を用いた投影光学装置