KR960005804A - 웨이퍼 노광방법 - Google Patents

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KR960005804A
KR960005804A KR1019940016094A KR19940016094A KR960005804A KR 960005804 A KR960005804 A KR 960005804A KR 1019940016094 A KR1019940016094 A KR 1019940016094A KR 19940016094 A KR19940016094 A KR 19940016094A KR 960005804 A KR960005804 A KR 960005804A
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KR
South Korea
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wafer
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exposure
reflectance
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Application number
KR1019940016094A
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English (en)
Inventor
최동순
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 노광방법에 관한 것으로, 반도체 제조공정 중 포토 마스크를 이용한 노광(exposure)시 포커스 위치(focus position)를 선정함에 있어 필드영역의 중앙(center)부위 뿐만 아니라 모든 부위를 포커스 위치로 이용하여 특정부위에서의 패턴불량을 감소시키고, 촛점심도(depth of focus)를 향상시키며, 토플러지(topology)차이로 발생되는 넥킹(necking)및 스컴(scum) 현상을 제거할 수 있는 웨이퍼의 노광방법에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 의한 웨이퍼 노광방법을 설명하기 위해 도시한 웨이퍼 평면도이다.
제2도는 본 발명의 제2실시예에 의한 웨이퍼 노광방법을 설명하기 위해 도시한 웨이퍼 평면도이다.
제3도는 본 발명의 제3실시예에 의한 웨이퍼 노광방법을 설명하기 위해 도시한 웨이퍼 평면도이다.

Claims (3)

  1. 웨이퍼 노광방법에 있어서, 웨이퍼(1)의 필드영역(2)내의 모든 부위를 포커스 위치로 이용하되 필드영역(2)에 다수의 포커스 위치를 정한 다음 이들 포커스 위치를 각각 검사장비로 검사한 후 검사한 결과들의 평균치를 최종 베스트 포커스 위치로 선정하여 노광공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광방법.
  2. 웨이퍼 노광방법에 있어서, 웨이퍼(1)의 필드영역(2)내에 포커스 위치를 노광기의 스테이지위에 웨이퍼(1)를 로딩할 때 좌표 조정방식으로 임의로 선택하여 특정부위를 집중 포커스하여 노광공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광방법.
  3. 웨이퍼 노광방법에 있어서, 웨이퍼(1)의 필드영역(2)상에 소정의 두께로 도포되는 감광막을 반사율 측정장비를 이용하여 다수의 부위에 각각 반사율을 측정하고, 측정된 반사율의 최대치에서 최소치를 뺀 값의 반사율을 구하고, 이 반사율을 갖는 두께로 감광막을 도포하여 노광공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940016094A 1994-07-06 1994-07-06 웨이퍼 노광방법 KR960005804A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980015613A (ko) * 1996-08-23 1998-05-25 문정환 노광장치의 포커스 조절방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19980015613A (ko) * 1996-08-23 1998-05-25 문정환 노광장치의 포커스 조절방법

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