KR960011564A - 노광조건 및/또는 투영광학계의 수차측정방법 - Google Patents
노광조건 및/또는 투영광학계의 수차측정방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960011564A KR960011564A KR1019950028048A KR19950028048A KR960011564A KR 960011564 A KR960011564 A KR 960011564A KR 1019950028048 A KR1019950028048 A KR 1019950028048A KR 19950028048 A KR19950028048 A KR 19950028048A KR 960011564 A KR960011564 A KR 960011564A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- photosensitive
- optical system
- projection optical
- photosensitive substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
Abstract
본 발명에서는, 패턴을 감광기판위에 전사할 때의 노광조건 또는 투영광학계의 수차를 측정하는 방법이 개시되어 있으며, 여기에서는, 패턴을 서로 다른 노광조건에서 감광기판위에 복수의 전사하여 해당감광기판위에 복수의 감광패턴을 형성하고, 이 감광패턴의 상을 촬상하고, 상기 촬상에 의해 얻어진 화상신호로부터 상기 감광패턴의 주파수성분을 산출하고, 이 감광패턴의 주파수성분에 의거해서 상기 패턴을 상기 감광기판위에 전사할 때의 최적노광조건을 결정하고 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 노광조건측정계의 구성을 설명하는 개략도,
제2도는 노광장치에 있어서의 포커스검출과 노광량제어를 설명하기 위한 부분적 개략도.
Claims (17)
- 패턴을 감광기판위에 전사할 때의 노광조건을 측정하는 방법에 있어서, 패턴을 서로 다른 노광조건에서 감광기판위에 복수회 전사하여 해당 감광기판위에 복수의 감광패턴을 형성하는 패턴형성공정과, 사기 복수의 감광패턴의 상을 촬상하는 촬상공정과, 상기 촬상공정에서의 얻어진 화상신호로부터 상기 감광기판위에 전사할 때의 최적노광조건을 결정하는 결정공정을 구비한 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광기판은 레지스트가 도포된 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 각 감광패턴은 현상공정후에 형성되는 레지스트패턴인 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 각 감광패턴은 현상공정전에 형성되는 레지스트패턴인 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 전사되는 패턴은 주기성을 지닌 패턴인 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제5항에 있어서, 상기 감광패턴의 주파수중, 상기 주기성 패턴에 의해 결정되는 기본주파수의 파워에 의거해서 최적노광조건을 결정하는 제2결정공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 노광조건은 파라미터로서 노광량을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴은 투영광학계에 의해서 상기 감광기판에 전사되며, 상기 노광조건은 상기 투영광학계의 광축방향에 대한 감광기판의 위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 노광조건측정방법.
- 투영광학계의 수차를 측정하는 방법에 있어서, 레티클의 패턴을 투영광학계에 의해 감광기판위에 전사하여 해당 감광기판위에 감광패턴을 형성하는 패턴형성공정과, 상기 감광패턴의 상을 촬상하는 촬상공정과, 상기 촬상공정에서의 얻어진 화상신호로부터 상기 감광패턴의 주파수성분을 산출하는 산출공정과, 상기 감광패턴의 주파수성분에 의거해서, 상기 투영광학계의 수차를 결정하는 결정공정을 구비한 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 감광기판은 레지스트가 도포된 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 감광패턴은 현상공정후에 형성되는 레지스트패턴인 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 감광패턴은 현상공정전에 레지스트층부분에 형성되는 잠상인 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 레티클은 복수의 피전사패턴을 지니며, 이 패턴은 해당 레티클위의 상이한 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 패턴은 주기성을 지닌 패턴인 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 감광패턴은 주파수성분의 위상에 의거해서, 상기 투영광학계의 수차를 결정하는 제2결정공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제9항에 있어서, 상기 투영광학계의 광축방향에 대해서 다른 위치에서 상기 감광기판위에 복수의 패턴을 전사하며, 해당 감광기판위에 복수의 감광패턴을 형성하는 패턴형성공정을 구비한 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.
- 제14항에 있어서, 상기 감광패턴의 주파수중, 상기 주기성 패턴에 의해 결정되는 기본주파수의 파워에 의거해서 상기 투영광학계의 상면위치를 결정하는 제3결정공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 투영광학계의 수차측정방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP94-209800 | 1994-09-02 | ||
JP20980094A JP3297545B2 (ja) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | 露光条件及び投影光学系の収差測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960011564A true KR960011564A (ko) | 1996-04-20 |
KR100210567B1 KR100210567B1 (ko) | 1999-07-15 |
Family
ID=16578809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950028048A KR100210567B1 (ko) | 1994-09-02 | 1995-08-31 | 노광조건 및/또는 투영광학계의 수차측정방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5814425A (ko) |
JP (1) | JP3297545B2 (ko) |
KR (1) | KR100210567B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100803483B1 (ko) * | 2000-07-11 | 2008-02-14 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 노광조건결정장치와 노광조건결정방법 및 처리장치 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100500939B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-10-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 위치에서의 자동 초점 조정/편평도 조정 |
JP2000315642A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Nec Corp | 収差による位置ずれ及びディストーションの計測方法と装置並びにレチクル |
US7242464B2 (en) * | 1999-06-24 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | Method for characterizing optical systems using holographic reticles |
US7016025B1 (en) | 1999-06-24 | 2006-03-21 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for characterization of optical systems |
US6360012B1 (en) * | 1999-06-25 | 2002-03-19 | Svg Lithography Systems, Inc. | In situ projection optic metrology method and apparatus |
US6459480B1 (en) * | 2000-09-14 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Measurement method of Zernike coma aberration coefficient |
TW563178B (en) * | 2001-05-07 | 2003-11-21 | Nikon Corp | Optical properties measurement method, exposure method, and device manufacturing method |
WO2003056392A1 (en) | 2001-12-24 | 2003-07-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Determining the aberrations of an imaging system |
JP3884371B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2007-02-21 | 株式会社東芝 | レチクル、露光モニタ方法、露光方法、及び半導体装置の製造方法 |
US7113255B2 (en) * | 2003-12-19 | 2006-09-26 | Asml Holding N.V. | Grating patch arrangement, lithographic apparatus, method of testing, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7671979B2 (en) * | 2004-04-28 | 2010-03-02 | Litel Instruments | Apparatus and process for determination of dynamic lens field curvature |
US7518703B2 (en) * | 2005-06-28 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8194242B2 (en) * | 2005-07-29 | 2012-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2659550B2 (ja) * | 1988-04-29 | 1997-09-30 | ホーヤ株式会社 | パターン形成方法 |
JPH03155112A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Nikon Corp | 露光条件測定方法 |
JPH03266449A (ja) * | 1990-03-15 | 1991-11-27 | Nec Corp | 機能評価用基板 |
US5124216A (en) * | 1990-07-31 | 1992-06-23 | At&T Bell Laboratories | Method for monitoring photoresist latent images |
US5674652A (en) * | 1991-02-28 | 1997-10-07 | University Of New Mexico | Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control |
US5476738A (en) * | 1994-05-12 | 1995-12-19 | International Business Machines Corporation | Photolithographic dose determination by diffraction of latent image grating |
-
1994
- 1994-09-02 JP JP20980094A patent/JP3297545B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-29 US US08/520,746 patent/US5814425A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-08-31 KR KR1019950028048A patent/KR100210567B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100803483B1 (ko) * | 2000-07-11 | 2008-02-14 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 노광조건결정장치와 노광조건결정방법 및 처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0878307A (ja) | 1996-03-22 |
JP3297545B2 (ja) | 2002-07-02 |
US5814425A (en) | 1998-09-29 |
KR100210567B1 (ko) | 1999-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5804340A (en) | Photomask inspection method and inspection tape therefor | |
EP1006413B1 (en) | Alignment method and exposure apparatus using the same | |
US7898644B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
KR960011564A (ko) | 노광조건 및/또는 투영광학계의 수차측정방법 | |
KR980005334A (ko) | 노광 방법 및 노광 장치 | |
WO1994001808A1 (en) | System for detecting a latent image using an alignment apparatus | |
KR960019491A (ko) | 레지스트 패턴 형성방법 | |
US5770338A (en) | Phase shifting overlay mark that measures exposure energy and focus | |
JPH08222513A (ja) | パターン形成方法 | |
JP3634550B2 (ja) | 投影レンズの収差測定方法 | |
US8692975B2 (en) | Measurement apparatus, exposure apparatus, and device fabrication method | |
KR960010023B1 (ko) | 투영노광(投影露光) 방법 및 투영노광용 광학 마스크 | |
US6344896B1 (en) | Method and apparatus for measuring positional shift/distortion by aberration | |
US6171739B1 (en) | Method of determining focus and coma of a lens at various locations in an imaging field | |
US6122056A (en) | Direct phase shift measurement between interference patterns using aerial image measurement tool | |
KR20000071810A (ko) | 수차에 기인한 위치상의 이동과 위치 어긋남의 측정 장치및 방법 | |
JPH10154647A (ja) | パターン形成異常検出方法 | |
US6831766B2 (en) | Projection exposure apparatus using wavefront detection | |
JP3344592B2 (ja) | 収差計測方法 | |
JP2000021716A (ja) | 露光装置及びこれを用いたデバイスの製造方法 | |
JPH11184070A (ja) | 収差測定方法および収差測定用フォトマスク | |
JP3339051B2 (ja) | 投影光学系の球面収差測定方法 | |
US6291118B1 (en) | Elimination of proximity effect in photoresist | |
US6040119A (en) | Elimination of proximity effect in photoresist | |
JP2000082650A (ja) | 投影露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130320 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140326 Year of fee payment: 16 |