KR960019491A - 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

노광후에 레지스트막에 형성되는 잠상 높이와 소정 현상시간에 대한 레지스트 패턴 라인폭 사이의 제1상관관계를 구해 둔다. 노광 에너지마다 소정 현상시간과 레지스트 패턴 라인폭 사이에 제2상관관계를 구해 둔다. 실제로 노광된 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이를 측정해 잠상 높이를 구한다. 제1상관관계에서 잠상높이와 소정 현상시간에 대응하는 레지스트 패턴의 라인폭인 예측 라인폭을 구한다. 제2상관관계에서 소정 현상시간과 예측 라인폭에 대응하는 노광 에너지인 예측 노광 에너지를 구한다. 제2상관관계에서 레지스트 패턴의 원하는 라인폭과 예측 노광 에너지에 대응하는 현상시간을 구하고, 이 현상시간에 기초하여 현상을 행하여 레지스트 패턴을 형성한다.

Description

레지스트 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 레지스트 패턴 형성방법의 프로세스 시퀸스의 개략도,
제2도는 상기 제1실시예에 관한 레지스트 패턴 형성방법에서 AFM에 의해 관측된 레지스트막 표면의 개략 단면도,
제3도는 상기 제1실시예에 관한 레지스트 패턴 형성방법의 노광 에너지와 잠상 높이의 관계를 나타내는 도면.

Claims (15)

  1. 기판상에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성공정과, 상기 레지스트막에 소정패턴을 노광하는 노광공정과, 소정 패턴이 노광된 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현장공정을 구비한 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 노광후에 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이와 현장공정에서 레지스트 패턴의 라인폭에 영향을 주는 파라미터의 소정값에 대한 레지스트 패턴의 라인폭 사이의 제1상관관계, 및 노광 에너지 또는 노광초점으로 이루어지는 노광 조건마다 상기 파라미터의 소정값과 레지스트 패턴의 라인폭 사이의 제2상관관계를 구하는 공정과, 실제로 노광된 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이를 측정하여 잠상 높이를 구하는 공정과, 상기 제1상관관계에서 상기 잠상 높이와 상기 파라미터의 소정값에 대응하는 레지스트 패턴의 라인폭인 예측라인폭을 구하는 공정과, 상기 제2상관관계에서 상기 파라미터의 소정값과 상기 예측 라인폭에 대응하는 상기 노광조건인 예측노광조건을 구하는 공정과, 상기 제2상관관계에서 레지스트 패턴의 원하는 라인폭과 상기 예측노광조건에 대응하는 상기 파라미터 값을 구하고, 이 파리미터 값에 기초하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 현상공정의 경우 레지스트 패턴의 라인폭에 영향을 주는 파라미터는 현상시간인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 잠상 높이는 원자력 현미경으로 구하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  4. 기판상에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성공정과, 상기 레지스트막에 소정 패턴을 노광하는 노광공정과, 소정 패턴이 노광된 레지스트막에 열처리를 행하는 열처리 공정과, 열처리를 행한 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 레지스트 패턴 형성공정을 구비한 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 노광후에 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이와 열처리 공정에서 레지스트 패턴의 라인폭에 영향을 주는 파라미터의 소정값에 대한 레지스트 패턴 라인폭 사이의 제1상관관계, 및 노광 에너지 또는 노광초점으로 이루어지는 노광조건마다 상기 파라미터의 소정값과 레지스트 패턴 라인폭 사이의 제2상관관계를 구하는 공정과, 실제로 노광된 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이를 측정하여 잠상 높이를 구하는 공정과, 상기 제1상관관계에서 상기 잠상 높이와 상기 파라미터의 소정값에 대응하는 레지스트 패턴의 라인폭인 예측 라인폭을 구하는 공정과, 상기 제2상관관계에서 상기 파라미터의 소정값과 상기 예측 라인폭에 대응하는 상기 노광조건인 예측노광조건을 구하는 공정과, 상기 제2상관관계에서 레지스트 패턴의 원하는 라인폭과 상기 예측노광조건에 대응하는 상기 파라미터 값을 구하고, 이 파라미터 값에 기초하여 레지스트막에 열처리를 행하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 열처리 공정에서 레지스트 패턴의 라인폭에 영향을 주는 파라미터는 처리시간 또는 처리온도인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 잠상 높이는 원자간력 현미경으로 구하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  7. 기판상에 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성공정과, 상기 레지스트막에 소정패턴을 노광하는 노광공정과, 소정 패턴이 노광된 레지스트막에 표면 수식막을 형성하는 수직막 형성공정과, 표면 수식막이 형성된 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 현상공정을 구비한 레지스트 패턴 형성방법에 있어서, 노광 후에 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이와 수식막 형성공정에서 표면 수식막 폭에 영향을 주는 파라미터의 소정값에 대한 표면 수식막 폭 사이의 제1상관관계, 및 노광 에너지 또는 노광초점으로 이루어지는 노광조건마다 상기 파라미터의 소정값과 표면 수식막 폭 사이의 제2상관관계를 구하는 공정과, 실제로 노광된 레지스트막에 형성되는 잠상의 높이를 측정하여 잠상 높이를 구하는 공정과, 상기 제1상관관계에서 상기 잠상 높이와 상기 파라미터의 소정값에 대응하는 표면 수식막의 폭인 예측 수식막폭을 구하는 공정과, 상기 제2상관관계에서 상기 파라미터의 소정값과 상기 예측 수식막폭에 대응하는 상기 노광조건인 예측 노광조건을 구하는 공정과, 상기 제2상관관계에서 표면 수식막의 원하는 폭과 상기 예측 노광조건에 대응하는 상기 파라미터 값을 구하고, 이 파라미터 값에 기초하여 표면 수식막을 형성하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 수식막 형성공정의 표면 수식막 폭에 영향을 주는 파라미터는 처리시간 또는 처리온도인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 레지스트막은 패턴 노고아되면 산을 발생시키는 레지스트로 이루어지고, 상기 표면 수식막은 패턴 노광된 상기 레지스트막의 노광부에 물을 흡수시킨 후, 물을 흡수한 상기 노광부의 표면에 물 및 금속 알콕시드를 공급함으로써, 상기 노광부의 표면에 형성되는 금속 산화막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 표면 수식막은 패턴 노광된 상기 레지스트막의 미노광부 표면에 형성되는 시릴화막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 잠상 높이는 원자력 현미경으로 구하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 방법.
  12. 레지스트막에 형성된 표면 수식막폭과, 이 표면 수식막이 레지스트막을 현상하여 얻는 레지스트 패턴의 라인폭 사이의 상관관계를 구하는 공정과, 기판상에 실제의 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 실제의 레지스트막에 소정 패턴을 노광하는 공정과, 소정 패턴이 노광된 실제 레지스트막의 표면에 실제 표면 수식막을 형성하는 공정과, 상기 실제 표면 수식막의 폭을 측정하고, 상기 상관관계에서 상기 실제 표면 수식막의 폭과 대응하는 레지스트 패턴의 라인폭인 예측 라인폭을 구하는 공정과, 상기 예측 라인폭이 원하는 라인폭의 허용 범위내인지 아닌지를 판단하고, 상기 예측 라인폭이 허용범위내일 때는 상기 실제 레지스트막에 대해 현상을 행하여 레지스트 패턴을 형성하는 한편, 상기 예측 라인폭이 허용 범위내에 없을 때는 상기 실제 레지스트막을 제거하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 레지스트막은 패턴 노광되면 산을 발생하는 레지스트로 이루어지고, 상기 표면 수식막은 패턴 노광된 상기 레지스트막의 노고아부에 물을 흡수시킨 후, 물을 흡수한 상기 노광부의 표면에 물 및 금속 알콕시드를 공급함으로써, 상기 노광부의 표면에 형성되는 금속 산화막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 표면 수식막은 패턴 노광된 상기 레지스트막의 미노광부의 표면에 형성되는 시릴화막인 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 표면 수식막의 폭은 원자간력 현미경으로 구하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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