JPS58207638A - 蒸気乾燥装置 - Google Patents

蒸気乾燥装置

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Publication number
JPS58207638A
JPS58207638A JP8966482A JP8966482A JPS58207638A JP S58207638 A JPS58207638 A JP S58207638A JP 8966482 A JP8966482 A JP 8966482A JP 8966482 A JP8966482 A JP 8966482A JP S58207638 A JPS58207638 A JP S58207638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bath
water
recovery
flon
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8966482A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuya Takagaki
哲也 高垣
Hiroto Nagatomo
長友 宏人
Hisao Seki
関 久夫
Masayoshi Sukegawa
助川 正義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8966482A priority Critical patent/JPS58207638A/ja
Publication of JPS58207638A publication Critical patent/JPS58207638A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は常に均一な乾燥を行なうことのできる蒸気乾燥
装置に関する。
従来、たとえば半導体製品の製造過程において半導体ウ
ェハ(基板)の洗浄後に乾燥ヶ行なう場合、半導体ウェ
ハな処理槽内に収容した状態で処理槽内の蒸気乾燥用薬
浴を加#1蒸発させることにより、半導体ウェハの蒸気
乾燥する方式が提案されている。
ところが、従来の蒸気乾燥装置aは処理槽内が一槽構造
であるので、半導体ウエノ・およびその保持用カートリ
ッジから除去され1こ水等が蒸発後に凝縮されて落下し
た薬液と共に処理槽内に戻されて槽内に蓄積されてしま
う。
そのため、このように半導体ウエノ・および保持用カー
トリッジから除去された水分によって処理槽内の薬液の
濃度が乾燥工程の進行に連れて徐々に大きくなり、水分
(よる蒸気の発住阻・害が生じたり、蒸発が不均一にな
る結果、半導体ウエノ・の乾燥にむらが発生し、歩留り
の低下の原因となるおそれがあった。
本□発明の目的は、前記従来技術の問題点を解法し、常
に均一で安定した蒸気乾燥を行なうことのできる蒸気乾
燥装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明は、処理槽内をたとえ
ば二分割し、被乾燥物に付着していた水分の如き液体が
薬液の中に混入しないように架液檜を薬液専用に用いる
よう構成したものである。
以下、本発明を図面に、示す実施例にしたがって詳細に
説明する。
第1図は本発明による蒸気乾燥装置の一実施例を示す略
断面図である。本実施例は本発明をフロンによる半導体
ウェハの乾燥に適用した場合のものである。
本実施例の蒸気乾燥装置にお(・ては、処理槽1の内部
は仕切板2により薬液槽3と回収槽4とに部分されてお
り、両槽3と4は仕切板2の下部の連通孔5のみを通し
て互いに連通している。
薬液槽3は蒸気乾燥用の薬液として用いられるフロンの
収容に専用されるものであり、その胸囲に設け1こヒー
タ6により処理槽lの壁体をブ「して薬液槽3内のフロ
ンを蒸発温度以上に加熱することによって該フロンを蒸
発させ、処理槽1内における回収槽4の上方に収容した
半導体ウェハ7およびこれを保持するカートリッジ8を
蒸発¥l′燥する。
一方、回収槽4は半導体ウェハ7およびカートリッジ8
に付着して(・た水分や蒸気乾燥後にM紬して落下して
来たフロンを回収し、二液の分離を行なうものである。
すなわち、フロンは水よりも重く、水とは混合せずに分
離して底に集まる。このようにして回収槽4の底に溜ま
ったフロンは再利用可能であるので、本実施例では前記
の如(仕切&2の下部に設けた連通孔5を通してフロン
を回収し、再利用している。この場合に回収されろフロ
ンは水と完全に分離しているので、回収され1こフロン
により薬液槽3内のフロンの濃度が低下し1こり、フロ
ンの蒸発が阻害されることはない。
勿論、水はフロンよりも上方に溜まるので、回収槽4内
の水が連通孔5から薬液槽3の中に流入することはない
。回収槽4の上部に溜まった水はドレン管9により槽外
に排出される。
前記処理槽1の外周には断熱材10が該処理槽1の上端
の開口部を除いてほとんどYj4Yり巻くよう設しナら
れ、また処理槽1の上端の開口部の周囲には冷却パイプ
11が設けられ、蒸気乾燥後のフロン蒸気の凝縮を促進
する。
次に、本実施例の作用について説明する。蒸気乾燥を行
なう場合、ヒータ6により処理槽1の薬液槽3内のフロ
ンを加熱すると、フロンは薬液槽3から蒸発し、矢印で
示すように回収槽4の上方に上昇する。
し、たがって、第1図に示すように、回収槽4の上方に
カートリッジ8で保持した半導体ウェハ7を収容してお
くと、その半導体ウェハ7およびカートリッジ8に付着
していた水は回収槽4に落−卜し、フロン蒸気による乾
燥が行なわれる。筐た、蒸気乾燥に用いられたフロン蒸
気も凝縮して回収槽4の中に落下する。回収槽4の中に
落下したフロンと水の混液け、フロンの方が水よりも比
lが大きいことにより、回収槽4内で分離され、フロン
は回収槽4の下部に、水は上部に溜まる。
その結床、フロンは回収槽4の底部から仕切板2の連通
孔5を通って薬液槽3の中に戻され、再び蒸気乾燥のた
めに加熱されて循N再使用される。
一方、回収17fk4の上部に溜まった水は液面近(に
開口したドレン管9から槽外に排出され、薬液槽3には
入らない。
したがって、本実施例においては、薬液槽3の中には常
VCフロンしか存在しないので、水によりフロン蒸気の
発生が阻害されたり、蒸気の発生が不均一になっt、′
りすることはなく、常に安定した蒸気乾燥を得ることが
できることになり、歩留りも向上する。まに、フロンの
循環再利用により省資源、コストの低減も図ることがで
きる。
第2図は本発明の他の1つの実施例を示す略断面図であ
り、第1図の実施例と対応する部分には同一符号を付し
て示す。
本実施例の場合、蒸気乾燥用の薬液としてイソプロピル
アルコール(IPA)が使用されており、イソプロピル
アルコールはフロンと違って水と混合液を形成するので
、薬液ta3と回収槽4との間の仕切板2には連通孔が
形成されておらず、両槽3と4は完全に分離されている
そして、本実施例において半導体ウェハ7およびカート
リッジ8から除去された水とイソプロピルアルコールは
回収槽4内に混合液として−たん溜められ、ドレン管9
で回収されるうこの回収液をヒータと冷却手段再生し、
イソプロピルアルコール巧みを分離して薬液槽3に戻し
、再利用するようにしてもよい。
また、本実施例では、ヒータ6は薬液槽3のみならず、
回収槽4も加熱し、回収槽4内の混合液から蒸発したイ
ソプロピルアルコールの蒸気をフード12で捕集して、
薬液槽3かもの蒸気と合流させ、より有効な薬液利用を
図ることができろようにしている。
さらに、本実施例のカートリッジ8は1枚のみの半導体
ウェハ7を保持する1枚処理方式の治具であるが、抜数
枚を同時処理するものでもよい。
第2図の実施例の場合にも、薬液槽3内に半導体ウェハ
7やカー) IJッジ8かもの水が落下しないように半
導体ウェハ7およびカートリッジ8は薬液槽3の上方か
ら平面的にずれた位置にあるので、薬液槽3のイソプロ
ピルアルコールの濃度は常に変化せず、均一な蒸発を安
定して得ろことができる。
なお、本発明は半導体製品の蒸気乾燥に限定されるもの
ではない。
以上説明したように、本発明によれば、常に均一で安定
し1こ蒸気將燥を行なうことができ、歩留りを向上させ
ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による蒸気乾燥装置の一実流側を示す断
面図、 第2図は本発明の他の1つの実施例を示す断面図である
。 1・・・処理槽、2・・・仕切板、3・・・薬液槽、4
・・・回収槽、5・・連通孔、6・・・ヒータ、7・・
・半導体ウェハ、8・・・カートリッジ、9・・・ドレ
ン管、10・・・断熱材、】1・・・冷却バイブ、12
・・・フード。 代理人 弁理士  薄 1)利 拳

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、被乾燥物を処理槽内に収容して乾燥用の薬液の加熱
    蒸気で乾燥する蒸気乾燥装置において、処理槽内が、加
    熱蒸発させられる薬液を収容する業蔽槽と、蒸気乾燥後
    の薬液および被斬燥物に付着していた液体を回収する回
    収槽とからなることを特徴とする蒸気乾燥装置。
JP8966482A 1982-05-28 1982-05-28 蒸気乾燥装置 Pending JPS58207638A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8966482A JPS58207638A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 蒸気乾燥装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8966482A JPS58207638A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 蒸気乾燥装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58207638A true JPS58207638A (ja) 1983-12-03

Family

ID=13977011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8966482A Pending JPS58207638A (ja) 1982-05-28 1982-05-28 蒸気乾燥装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58207638A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56168072A (en) * 1980-05-30 1981-12-24 Hitachi Ltd Steam drying method and apparatus

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56168072A (en) * 1980-05-30 1981-12-24 Hitachi Ltd Steam drying method and apparatus

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