JPS58196008A - コンデンサ構造体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、共通面において成端する多重コンデンサ・プ
レートを有する低インダクタンス・セラミック・コンデ
ンサ構造体に係り、更に具体的には、プレート成端部が
共通面に於いて整列されると共に上記面内の溝部によっ
て絶縁される改良された構造体に在る。

データ処理装置設計者のたえず目的とするものは高い処
理速度、小型の物理的寸法及びより低い製造コストによ
って特徴付けられる装置を製造する事にある。

設計者は装置を作り上げるＩＣチップ内に可能な限り多
数の回路デバイスを装荷させる事を試みる事によって上
記目的を達成する努力を払っている。設計者は、１つの
チップに出来るだけ沢山のデバイスを入れる事によって
８回路動作を低速化するところのデバイスを結合するの
に必要な相互結線の長さを減じ、よってより速い動作を
可能にしている。更に、チップあたりの回路デバイスの
数を増すことによって、以前には用いられなかった空間
を減らし、結果として装置の物理的寸法が小さくされる
。チップあたりの製造コストが固定化する傾向にあるの
で、チップ上により多くのデバイスを適合させる事によ
って、設計者はデバイスあたりの製造コストを減じるこ
とができる。同数のデバイスを得るのにより少数のチッ
プで済むわけである。

チップあたりより多数のデバイスを作る努力によってい
わゆるＶＬＳＩが生まれた。この技術は単一のチップ上
に２００００個ものメモリ・ユニット及び関連回路、あ
るいは単一のチップに４０００個もの論理ユニット及び
関連回路を形成することができる。

しかしながら、ＶＬＳＩ及び集積回路（ＩＣ）は一般的
には設計者に対する完全な解答を与えるものではないの
が現状である。半導体材料及びＩＣ寸法に関連する限度
の故に、設計者が欲するところの全ての範囲の回路素子
を集積された形に首尾よく形成することは不可能゛であ
った。トランジスタ、ダイオード及び抵抗さえを沌作つ
つける事は比較的簡単であるが、典型的な所要値のコン
デンサ及びインダクタンスは首尾よく作りつけられたと
いう証左が無い。

コンデンサは特別な問題点である。非常に低い値でない
値のキャパシタンスが所望される場合、ＩＣの形で利用
しうる誘電材定数及びプレート面積はその様なコンデン
サの作りつけを困難もしくは不可能にしている。

これに対処する為に、設計者は完全な回路を形成する様
にチップと共働する別個のコンデンサ即ち回路チップか
ら分離したコレデンサを用いてきた。しかしながら、集
積形状の利点を保持するために、設計者等は小型寸法、
高速、低コストの別個のコンデンサを求め続けてきた。

ＶＬＳＩ回路と共に使用するのに適した特定の設計のコ
ンデンサが特開昭５７−２８３４８号公報に開示されて
いる。これは小型、高速及び低製造コストのコンデンサ
である。このコンデンサは積層されたセラミック平行プ
レート型のものであって、コンデンサ・プレートを形成
する様にメタライズされたセラミック誘電層を夫々有す
る多重キャパシタ・セクションを用いている。その構造
体は多重セクションを組合わせる事によって所望の寸法
に形成される。

その構造体は低インダクタンスを有し、従って高速度で
あり、小型である。これはコンデンサ・プレートが共通
のコンデンサ本体の面において露出し、低インダクタン
ス相互結線バス（母線）によって結合されるからである
。この構造体の機能を高めるために、本体の幅の方向に
間隔をおいて配置された１つ以上のタブが各コンデンサ
・プレートに設けられる。次にタブは相互結線タブによ
って相互に接続される。他の回路素子例えばＶＬＳＩチ
ップに対するコンデンサ構造体の最終接続は、半田ポー
ルでもって多層セラミック基板上にその構造体をフリッ
プ・チップ・マウントする事によって実施される。

前記特開昭公報等に示される構造体をできるだけ小型に
するために、プレート・タブの横方向間隔が最小にされ
る。例えばプレート・タブは＼幅約０．１０ｍｍないし
０．２０ｍｍ（４ミルないし８ミル）、間隔約０．１８
ｍｍないし０．２５ｍｍ（７ミルないし１０ミル）が典
型的である。

好ましくない相互干渉を避けるためにタブ及びバスを適
切に配置する事は、寸法が小型であるが故に、困難であ
る。更に、キユアリング時のセラミックの縮小によって
、プレート・タブ位置が変位し、不整合がより悪化する
事は普通の現象である。これらの問題の故に、コンデン
サ構造体の最小寸法は実現が困難であった。

従って本発明の目的は最小寸法の改良された共通面成端
型多層セラミック・コンデンサ構造体を提供する事にあ
る。

本発明の更に他の目的は、プレート・タブ及びその相互
結線バスが最小の分離状態を呈する改良された共通面成
端型多層セラミック・コンデンサ構造体を提供する事に
ある。

本発明の更に他の目的は、同様のプレートの対応するタ
ブが他のプレート・タイプのタブ及びその相互接続バス
に対して整列され、分離される。

改良された共通面成端型多層セラミック・コンデンサ構
造体を提供する事にある。

本発明が関連するコンデンサ構造体は多重コンデンサ・
セクションで構成される所望の長さ、幅及び高さを有す
るセラミック本体によって特徴付けられる。各コンデン
サ・セクションはコンデンサ・プレートを形成する様に
主要面においてメタライズされた誘電性素子によって画
成される。本体を形成する場合、セクションはプレート
が本体の長さ方向に間隔をおいて配置される様に結合さ
れる。各プレートには本体の共通面において露出された
１つ以上のタブが設けられる。よってこの面が構造体の
ための共通成端面を画定する。更に、構造体はグループ
状にプレート・タブを選択的に相互接続する様に配列さ
れる金属条けの形の個々の多重バスを有する。バスを選
択的に相互接続することによって、所望のキャパシタン
ス及び電圧レーティングの１以上の並列プレート・タイ
プ・コンデンサを形成するために−々のグループのプレ
ートを相互接続することができる。

本発明によって、特定のタブ・グループのタブを他のタ
ブ拳グループのタブ、及び関連する相互接続バスに対し
て整列させ且つ離隔させる様に共通成端面において溝部
を設ける事によって最小のタブ及びバス間隔を可能なら
しめるように構造体が改良される。

本発明の一形態において、構造体は各プレートのタイプ
がプレートあたりのタブの数とプレート上のタブの位置
によって定義される多重プレート・タイプを有する。こ
の形態において、プレート・タブは共通面において露出
され、種々のプレート・タイプのタブが本体の幅の方向
に間隔をおいて配置される。更にこの形態ではプレート
のタイプは本体の長さ方向に於いて変化される。本発明
に従って、次の様にして溝部を配列する事によって構造
体が改良される。即ち溝部は同様のプレートのタイプの
対応するタブを本体の長さ方向に配列し、異なるプレー
トのタイプのタブ及びそれらの関連する相互接続バスを
本体の幅方向に離隔させる事によって改良がなされる。

更に、この形態において、溝部は同じプレート・タイプ
の対応するプレート・タブのための境界である。メサ構
造体を画成する様に、本体の幅方向にプレート・タブの
所望位置の両側に配置される。その結果、誤配列タブは
誤配列された部分をトリミングする事によってそれらの
意図した位置へ事実上整列される。

構造体のこの好ましい形態に於いては、個々の相互接続
バスの頂部に絶縁材の層が設けられる。

夫々その様な絶縁層は夫々の相互接続バスが露出される
基部を有する１以上のキャ゛ビテイ（開孔）を含む。キ
ャビティは露出したバスに接触する、絶縁層の上部表面
の上へのびる半田ボールを受は入れる様に形成される。

これによって構造体はさかさまにされ、公知のプリップ
・チップの様に適当な基板に対してボンディングする事
ができる。この形態において、パターン状の絶縁層は流
動時の半田ボールを閉じ込める半田ダムとして働く。本
発明に従い、絶縁層は、溝部を有する共通成端面を完全
にパッシベートする単層を形成する様にメサ構造体を画
成する溝部内へ相互接続バス間において本体の幅の方向
に横方向に伸びる様に構成される。

他の本発明の好ましい形態においては、整列された矩形
のスロットを有する金属プレートの形状のフレームが構
造体の共通面の頂部に配置される。

フレームは構造体の周辺をおおう様に、またそれが頂部
に配置されて、個々の相互接続バスの幅を越えて横方向
に伸び、スロットが全体として溝部の上に配置される様
に位置付げられる。この場合、フレームの周辺が頂部に
おいて離隔したフレーム・セクションを残す様にトリミ
ングされて相互接続パスの幅を越えて伸びる様に、フレ
ームが相互接続バスヘボンデイングされる。付加的な層
がフレーム・セクションの頂部に配置され、フレーム・
セクションが少くとも部分的に露出される基部を有する
キャビティを有する様にパターン形成される。本発明の
他の形態における様に、パターンを有する層は半田ボー
ルの流動の為の半田ダムとして働らく。キャビティは露
出するバスと接触する半田ボールを受は入れる様に形成
される。先の実施例の様に、半田ボールは構造体をフリ
ップ・チップ・マウントしうる様に層の上部表面の上へ
つき出る。本発明のこの形態に於いて、半田ダムは絶縁
材あるいは導電材のパターン状層のいずれでもよい。

本発明の他の形態に於いては、構造体は溝部を有する共
通成端面の上に第１の絶縁層を有し、その第１絶縁層は
メサの上部表面より高い位置まで伸びている。この形態
に於いて、第１の絶縁層はプレート・タブへの接続のた
めの金属相互接続バスを受は入れる様にメサの上部表面
においてパターンが形成される。好ましい実施例の一態
様においては、更にパターンを形成された金属層が、半
田ダムとして働らく様に個々のバスに対して設けられる
。この実施例の他の態様では、第１の絶縁層及び金属相
互結線バスの上に第２の絶縁層が半田ダムとして働らく
様に配置さ些る。半田ダム層はバスが露出される基部を
もつ１以上のキャピテイを備えている。

本発明の改良された構造体を形成する技術において、コ
ンデンサ・プレートを本体において間隔をおいて配置す
る様に誘電体素子及びプレートを有するコンデンサ・セ
クションを含む複数のコンデンサ・セクションを結合す
る事によってまずコンデンサ本体を形成するステップが
用いられる。

プレートは２以上のプレート・タイプを定義するために
本体の幅の方向に変位された１あるいはそれ以上のタブ
を有する。更にタブは構造体の共通成端面において露出
される。本体の形成に続いて、メタライゼーションのブ
ランケット層を、全てのプレート・タイプの全てのタブ
と接触する様に共通成端面に於いて付着させる。ブラン
ケット付着に続いて、ブランケット・メタライゼーショ
ン及び共通成端面において溝部がカットされる。溝部は
共通面を例えば超音波グラインドもしくは鋸歯手段を用
いる事によってカットしうる。溝部はメタライゼーショ
ンを条鰺状にパターン形成し、同じプレート・タイプの
対応するタブを整列させる様に本体の長さ方向に伸びる
様にカットされる。

更に、溝部は異なるプレート・タイプのバス及びタブを
離隔させる様に本体の幅方向に伸びる。バス及び溝部の
同時形成に続いて、絶縁材の層が共通面全体の上に付着
される。続いて、少くともノ（スの部分が露出される、
バスを有する相互接続・（スの領域において、絶縁層に
キャビティの〕くターンが形成される。その絶縁層は通
常のマスク、食刻技術を用いてパターン状にすることが
できる。

最終的に、金属バスと接触し、絶縁層の上部表面から上
に伸びる様にキャビティに半田ボールが加えられる。

構造体を形成する他の技術においては、コンデンサ本体
の形成に続いて、そして相互接続ノ（ス及び溝部の形成
後に、内部に矩形のスロットを有する金属フレームが相
互接続）くスの上部表面にボンディングされる。マウン
トされた場合に、フレームの周辺部はコンデンサ本体の
周辺部を越して伸び、フレーム本体はバスの横方向の端
部を越えて伸びる。フレームのスロットは共通面の溝部
の上に配置される。フレームをノ物ヘボンデイングした
後で、バスの上部にボンディングされたフレームの離隔
されたセクションが残されてその幅を越えて伸びる様に
フレームの周辺部がカットされる。

フレームがトリミングされたのち、離隔されたフレーム
・セクションへ半田ダムが設けられる。前記の様に、半
田ダムは個々のフレーム・セクションが露出される基部
を有するキャビティでもってパターン形成された絶縁材
の層あるいは導電材の層である。半田ダムを付着しその
内部にキャビティを設けるために通常のフォトリソグラ
フィ技術を用いる事ができる。最終的に、フレームに接
触し、半田ダム層の上部表面より上に伸びる半田ボール
がキャビティに与えられる。

代替として、半田ダムはフレームがコンデンサ本体ヘポ
ンデイングされる前にフレームにおいて準備されてもよ
い。

改良された構造体を形成する更に他の技術においては、
本体の形成に続いて及び共通面がメタライズされる前に
、本体の長さ方向において同じプレート・タイプの対応
するタブを整列させ、本体の幅方向において異なるプレ
ート・タイプのプレート・タブを離隔させるために、共
通面において溝部がカットされる。その後で、第１の絶
縁層が、溝部を満たし、メサ構造体の高さを越えて伸び
る様に共通面上に設けられる。次に第１の絶縁層はメサ
構造体の上部表面を露出させる様に標準的な技術を用い
て平坦化及び輪郭形成が実施される。

続いて、相互接続バスを形成するためにメサ構造体の表
面においてメタライゼーションの層が付着される。相互
接続バスの付着後、第１の絶縁層及びバス表面が再び平
坦にされ、半田ダム層が付着される。次いで、半田ダム
層は相互接続バスを少くとも部分的に露出させる基部を
有するキャビティを形成する様にパターン形成される。

最終的に、バスに接触し、半田ダム層の上部表面上に伸
びる半田ボールがキャビティ内に設げられる。前記の様
に、半田ダム層は相互接続バス上のみに付着された導電
層もしくは第１の絶縁層及びバス全体の上から付着され
た第２の絶縁層のいずれでもよい。

ＶＬＳ　Ｉ半導体チップと共に用いるのに適した低イン
ダクタンスセラミック・コンデンサ構造体は特開昭５７
−２８３４８号公報に開示される。

第１図はその構造体を示す図である。

図示される様に、コンデンサ構造体１は幅Ｗ、高さＨ及
び長さしの、全体として矩形断面の本体２によって画定
される。本体２は矩形断面を有する様に示されるが、他
の形状、例えば円断面を有してもよい事を理解されたい
。本体２は第１図において複数の本体セクション６から
構成される様に示されている。セクション６は所望の長
さ、幅及び厚さの誘電性シート４Ａ、４Ｂ１４Ｃの形態
の誘電性素子を含む。図示される様に、シート４Ａ、４
Ｂ、４Ｃは寸法即ち長さ、幅及び厚さがほぼ等しいシー
トである。本体２の構成によって、その幅及び高さはシ
ート４Ａ、４Ｂ１４Ｃの幅及び高さに対応し、本体２の
長さは素子４Ａ、４Ｂ、４Ｃの結合された厚さに対応す
る。単位寸法あたりの構造体１のキャパシタンスを最小
にする為に、誘電性シート４Ａ、４Ｂ１４Ｃは例えばチ
タン酸バリウムＢａＴｉＯｓ　ｆｉｔ−どＯ様な高誘電
率材で作られる。

更に本体セクション３は誘電性シート４Ａ、４Ｂ、４Ｃ
の主要面６Ａ、６Ｂ、６Ｃ上に各々配置されるメタライ
ゼーションの層の形のコンデンサ・プレート５Ａ、５Ｂ
、５Ｃを有している。プレート５Ａ１５Ｂ、５Ｃは面６
Ａ、６Ｂ、６Ｃの全体として中央部に夫々配置され、境
界部７Ａ、７Ｂ及び７Ｃによってシート４Ａ、４Ｂ、４
Ｃの周辺部から離れて配置されている。好ましい態様に
おいて、プレート５Ａ、５Ｂ１５Ｃはほぼ面積が等しい
。第１図に示される様に、プレー）５Ａ、５Ｂ、５Ｃは
各々８Ａ、８Ｂ、８Ｃに添字を付して示されるグループ
のプレート・タブを有する。これらのプレート・タブは
主プレート・セクション９Ａ、９Ｂ、９Ｃからシート４
Ａ、４Ｂ、４Ｃの端部１０Ａ、１０Ｂ、ＩＯＣまで伸び
ている。

以下に於いて詳細に示される様に、好ましい態様に於い
て、構造体１の複数のプレートは異なったキャパシタン
ス及び電圧レーティングの多重コンデンサの個々のコン
デンサの形成を可能にするべく異ったタイプのプレート
である。図示される様に、構造体１は２つの異。なるキ
ャパシタンス及び電圧レーティングを有するコンデンサ
の形成を助長するために６つのタイプのプレー）５Ａ、
５Ｂ及び５Ｃを有する。この態様において、プレートの
タイプはプレートあたりのタブの数とプレートの位置と
によって定義される。具体的に言うと、タブ・グループ
８Ａはタブ８Ａ１ないし８Ａ５を有し、グループ８Ｂは
タブ８Ｂ１及び８Ｂ２を有し、グループ８Ｃはタブ８Ｃ
１及び８Ｃ２を有する。特定のグループのタブは本体２
の幅の方向である、シー）４Ａ、４Ｂもしくは４Ｃの幅
の方向に相互に離隔して配置される。

図示される様に、本体２、シー）４Ａ、４Ｂ。

４Ｃ，プレート５Ａ、５Ｂ、５Ｃ並びにタブ８Ａ。

８Ｂ、８Ｃは空間を有効に使うために断面が全体として
矩形である。もしも本体２の断面が矩形以下のものであ
るならば、シー）４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、プレート５Ａ、５
Ｂ、５Ｃ並びにタブ８Ａ、８Ｂ。

８Ｃの形を所望の形に変えることができる事を理解され
たい。プレート５Ａ、５Ｂ、５Ｃ及び関連するタブ・グ
ループ８Ａ、８Ｂ、８Ｃは通常の方法によって面６に、
６Ｂ、６Ｃヘスクリーンされた例えば銀ペーストの層で
あってもよい。

第１図に示される様に、種々のプレート・タイプのプレ
ート・タブがそれぞれシー）４Ａ、４Ｂ１４Ｃの端部１
０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃへと伸びている。更に、端部１　
ＤＡ、Ｉ　ＤＢ、ｊ　ＯＣは、シートが結合される際に
、端部１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃが組合わせられて本体の
共通面１１（ここでプレート・タブが露出される）を形
成する様に整列される。更に第１図において、種々のプ
レート・タイプのプレート・タブが個々のシート４Ａ、
４Ｂ、４Ｃ上に配置されるが、それはシートが結合され
る場合、特定のプレート・タイプのタブが本体の幅方向
において他のプレート・タイプのプレート・タブ間にお
いて整列する様に配置される。

具体的に言うと、プレート・タイプＡには５つのタブ８
Ａ１ないし８Ａ５があ、す、、それらは対応するシート
４Ａの幅方向に等間隔に配置される。プレート・タイプ
Ｂは、個々のシート４Ｂ上に配置された２つのタブ８Ｂ
１及び８Ｂ２を有する。そしてシー’ト４Ａと組合わさ
れると、タブ８Ｂ１はり７’８Ａ１及び８Ａ２の間にあ
り、タブ８Ｂ２はタブ８Ａ３及び８Ａ４の間に来る。同
様にプレート・タイプＣには個々のシート４ｃ上に２つ
のり７”８Ｃ１及び８Ｃ２が配置され、よってシート４
Ａ、４Ｂと結合されると、タブ８Ｃ１はタブ８Ａ２及び
８Ａ３の間に配置され、タブ８Ｃ２はタブ８Ａ４及び８
Ａ５の間に来る。

本体２内でのコンデンサの形成を助長するために、本体
２の共通面１１において相互接続バス・グループ１２Ａ
１１２Ｂ、１２Ｃが設げられる。

第１図の構造体においては、相互接続バスは同じプレー
ト・タイプの対応するプレート・タブを接続する様に配
列される。従って、バス１２Ａ１．１２Ａ２．１２Ａ３
．１２Ａ４、及び１２Ａ５が、プレート・タイプＡのプ
レート・タブ８Ａ１ないし８Ａ５を相互接続する為に本
体２の長さに沿う面１１に設けられる。更に、プレート
・タイプＢのプレート・タブ８Ｂ１及び８Ｂ２を相互接
続するために本体の長さに沿う面１１に於いてバス１２
Ｂ１及び１２Ｂ２が、プレート・タイプＣのプレート・
タブ８Ｃ１及び８Ｃ２を相互接続するために本体２の長
さに沿う面１１に於いてバス１２Ｃ１及び１２Ｃ２が設
けられる。

プレート−タブの様に、バス・グループ１２Ａ１１２Ｂ
、１２Ｃが本体の幅Ｗの方向に間隔を置いて共通面１１
に配置される。更に、種々のプレート・タイプのプレー
ト・タブが他のプレート・タイプのタブ間に配置される
ように、特定のプレート・タイプに関するバスもまたそ
の様に配置される。すなわち、本体の幅方向に見て、バ
ス１２Ｃ１は１２Ａ２及び１２Ａ３の間に、バス１２Ｂ
２は１２Ａ３及び１２Ａ４の間に、バス１２Ｃ２は１２
Ａ４及び１２Ａ５の間に配置される。

この構成において、コンデンサのサブ・ユニットは２つ
のコンデンサ・プレートの間に１ないしそれ以上の誘電
素１をサンドイッチする様に種々のプレート・タイプの
タブを様々に接続する事によって形成される。コンデン
サのサブ・ユニットは平行プレートｅタイプのユニット
であるので、サブ・ユニットあたりのキャパシタンスは
下記公知の式で表わされる。

Ｃ＝Σ− り ここで、Ｃはキャパシタンスを、Ａはプレートの面積を
、Ｌはプレート間の誘電体の厚さを、Σは誘電率を示す
。

従って、所定の誘電率に関して、コンデンサ・プレート
の面積が大きくなるにつれて、キャパシタンスは大とな
り、プレート間の距離が大きくなると、キャパシタンス
は減る。この場合の様にサブ・ユニットが並列に接続さ
れる場合、構造体の総合キャパシタンスは個々のサブ・
ユニットのキャパシタンスの和に等しい。

更に平行プレート・コンデンサに関して、コンデンサが
耐え得る最大電圧は次式で表わされる。

Ｖ＝Ｄ”ｔ ここで、■は構造体が破壊する事なく耐えうる最大電圧
を、Ｄは誘電材の絶縁耐力を、ｔはプレ−ト間の誘電体
の厚さを示す。

この式が示す様に、誘電体の厚さが増すと、コンデンサ
が耐えうる最大電圧が増す。よって、第１図の構造体で
は、最大電圧レーティングは活性プレート間の誘電体の
厚さに依存する。

上記の様に、構造体１は３種の異ったプレート・タイプ
を有する。それらのプレート−タイプはＡ、Ｂ、Ａ、Ｃ
，Ａ、Ｂ　ｅｔｃの順序で本体の長さ方向に間隔を置い
て配置される。この配列に於いては、２つの異なる電圧
レーティングの２つの異なるキャパシタンスが、同じプ
レー）−タイプの対応するプレート・タブを相互接続す
ることによって形成される。

第１のキャパシタンス及び電圧レーティングを有するコ
ンデンサはプレート・タイプＡ及びＢを一体に取扱かう
事によって、第２のコンデンサはプレート・タイプＡ及
びＣを７体に取扱かう事によって形成することができる
。プレート。タイプの配置によって、並列方式でプレー
ト・タイプＡ及びＢを用いるコンデンサは第１のキャパ
シタンス及び電圧レーティングを有し、同様にしてプレ
ート・タイプＡ及びＣを用いるコンデンサは、ユニツ）
ＡＢの１７／″２のキャパシタンスに等しい第２のキャ
パシタンスΦレーティングを有するが、ユニットＡＢの
２倍の電圧レーティングを呈する。

前記の様に、プレート面積及び誘電材が一定であると、
プレート間の距離が増加するにつれて、電圧レーティン
グは比例して増加し、キャパシタンス・レーティングは
反比例して減る。第１図に示される様に、プレート・タ
イプＡ及び８間の距離は１ユニツト分すなわちシート４
の１枚分の厚さである。プレート・タイプＡ及び６間の
距離は２ユニツト分すなわちシート４０２枚分の厚さで
ある。

従って、ＡＢ及びＡＣコンデンサにおいて等しい数のプ
レートが接続される場合、プレート間の距離のみが示さ
れる結果となる。ＡＣコンデンサ誘電体におけるＢタイ
プ・プレートの存在は、ＢプレートがＡＣコンデンサを
用いる回路から電気的に絶縁される場合、好ましくない
効果は認められないという事実が見出された。コンデン
サがプレー）ＢＣを組合わせる事によって定められる場
合、それはＡＢのプレートに等しい値即ち１ユニツトの
誘電体厚さに等しい値である事に注目されたい。

更に、第１図の構造体においては、全ての同様のプレー
ト・タイプが一体に接続されるので、コンデンサ、例え
ばＡＡ、ＢＢ、ＣＣを形成するために同じプレート・′
タイプを選択的に配列することによって、あるいは誘電
体厚さを変化させるために同じプレート・タイプの成る
対応するタブを除く事によって形成しうるコンデンサに
関しては何の配慮もなされていない。

種々のレーティングのコンデンサの最終的な形成プロセ
スは図示されない多層セラミック（ＭＬＣ）基板上にコ
ンデンサ構造体１をマウントすることによって行なわれ
る。ＭＬＣ基板は、構造体１を結合させるべきＩＣに対
して種々のコンデンサ・バスな接続するのに必要な配線
素子を含む。

ＭＬＣ基板の細部及び構造体１の結合に関しては、前記
の特開昭５７−２８３４８号公報を参照されたい。

ＭＬＣ基板に構造体１を装着する技術は第２図に示され
る欅に半田ポール１３を用いる事によって助長される。

半田ポール１３は構造体１の共通表面１１に配置され、
ＭＬＣ基板の相互接続パターンに対してバス１２Ａ、１
２Ｂ、１２Ｃを電気的に接続する。更に構造体１がＭＬ
Ｃ基板に結合される場合に半田の流動体を閉じ込めるた
めに、層１４の形の半田ダムが共通面１１に設げられる
。

層１４は半田ポールをぬらさない、即ち、粘着し−ない
例えば通常の方法で面１１に塗布されたポリイミドの層
の様な材料で作られる。

第２図に示される様に、層１４はキャピテイ基部１６に
おいて下方の相互接続バスを露出させる様に層を通して
伸びるキャビティ１５の配列を呈する様にパターンが形
成される。層１４におけるキャビティ１５のパターンは
構造体の“フット・プリント（足跡）”と称せられ、Ｍ
ＬＣ基板上の適当な位置に半田ポールを配置し、それを
正しく相互接続する様に設計される。キャビティ１５は
通常のマスク及びエツチング技術を用いる事によつて層
１４内にパターン状に形成される。好ましい態様におい
てはＵＳ−Ｐ４００４０４４の明細書に示されるいわゆ
るリフトオフ・プロセスが用いられる。

前述の様に、ＶＬＳＩ　ＩＣチップの寸法、速度及び低
コストの利点を保持するために、設計者は小型で高速動
作の可能な、その様なチップと共に用いうる単体のコン
デンサを求めてきた。この目的を達成するために前記特
開昭公報に示される発明の発明者は第１図及び第２図に
関連して示した多層共通面成端型コンデンサ構造体を提
案した。しかしながら、前に指摘した様に、上記特開昭
公報の構造体を用いる事によって可能な寸法の十分な縮
小を実現する際に実用上の困難に遭遇した。

具体的には、寸法を最小にするために、設計者は本体２
０幅の方向に見て、プレート・タブの幅をできるだけ小
さくし、本体２の幅方向に見てプレート・タブをできる
だけ密接して配置する事を求めてきた。プレート・タブ
の寸法及び開隔のこれらの縮小は構造体１の幅を最小化
するために研しかしながら、残念ながらタブの幅及び間
隔が減じられるにつれて、破壊電圧がプレート誘電体の
破壊電圧より低くなる極近接点を避ける様にタブ及び相
互接続バスを配置するのが困難になる。

１つのプレートｅタイプのタブと他のプレート・タイプ
のバスとの間の間隔がコンデンサ・プレート間の誘電体
の厚さに等しいかあるいはより小である場合、ユニット
の破壊電圧は上記近接点が維持できる電圧となる。もし
も同じプレート・タイプの対応するプレート・タブが本
体の長さ方向に整列されないならば、成るプレート・タ
イプのバスが形成される場合、他のプレート・タイプの
１あるいはそれ以上のタブに対してそれらのバスが極め
て近接した状態となりうる。これによって動作電圧が最
大となり、実際のコンデンサの誘電体厚さよりも薄い厚
さを有する部分を呈する構造体が形成され得る。

プレート・タブの不整合はいくつかの原因から生じる。

個々の誘電シートにおいてプレート・タブを正確に配置
し、焼成されない状態で対応するタイプのプレート・タ
ブを構造体の長さの方向に整列させる様にシートを結合
する事は困難である事が分った。この問題はグリーン・
セラミックが焼成される場合の構造体の収縮によって更
に悪化する。構造体は焼成の際に全ての次元において不
規則な収縮を生じるのが普通である。この収縮は実質上
制御不能であ−って、タブの累加的不整合を生じる。更
に、共通面１１において相互接続ノくスを形成するため
のプロセスにおける精度上の限界によって、同じプレー
ト・タイプの対応するプレート・タブのための相互接続
バスを中心線に於いて正確に配置する事が困難である事
が分った。これによって、所定のタブ中心線の一方もし
くは他方の側へのバスの歪曲が生じる。

この整列に関連する困難性は、典型的なタブ幅が約０．
１ｍｍないし０．１８ｍｍ（４ミルな−・し７ミル）で
、交互のプレート・タイプのタブ中心間の距離が約０．
２　ｍ　ｍないし０．２５ｍｍ（８ミルないし１０ミル
）であるものを実際に作る場合を考えるとより容易に理
解しうるであろう。更に、好ましい態様において短絡バ
スの幅は典型例として約０、ｉ　３ｍｍないし０．１８
ｍｍ　（５ミルないし７ミル）である。毛髪の直径がお
よそ０．３８　ｍ　ｍ　（１５ミル）である事を考える
と、タブ及び短絡ノくスは毛髪の１／３のオーダーであ
って、従ってそれらの配置長ｄ整列が重大な問題を呈す
る事が理解できる。

第３図は構造体１の部分を示す図である。電圧レーティ
ングを減じるプレート・タブの不整列状態が図示されて
いる。第１図及び第６図に示される様に、個々のプレー
ト・タイプ５Ａ、５Ｂ、５Ｃのプレート・タフ憧Ａ、８
Ｂ、８Ｃが本体２の幅方向に配列されており、プレート
・タイプ５Ａ、５Ｂ、５Ｃが本体の長さ方向に配置され
ている。

本体の長さ方向に配置されたプレート・タイプの各行が
工ないし■で示・さ゛れ１て坊・る）。更に第１図及び
第３図には、夫々タブ８’Ａ１８Ｂ１８Ｃを相互に接続
すべ（本体の長さしの方向に伸びる相互接続バス１２Ａ
、１２Ｂ、１２Ｃが示される。

第３図において、タブ及びバスのための設計位置が破線
で示され、不整合状態のタブ及びバスの実際の位置が実
線で示される。第３図に示される様に、タブ及びバスが
設計位置からずれる場合、あるタイプのタブと他のプレ
ート・タイプのバスとの距離はコンデンサ・プレート間
の誘電体の厚さよりも小となりうる。この例が行Ｉ及び
行■において示される。行Ｉにおいて、タブ８Ａ１がバ
ス１２Ｂ１に近接し、行■において、タブ８Ａ２がバス
１２Ｃ１に近接している。図示される様に、Ａプレート
・タブとＢ及びＣバスとの間の距離はＡＢ及びＡＣプレ
ート組合せの間の誘電体の厚さよりも小である。その結
果ＡＢ及びＡＣコンデンサの最大動作電圧が減じる。タ
ブ及びバスの不整合から生じる最大動作電圧における潜
在的な減少を回避するために、本発明の教示するところ
は種々のプレート・タイプのタブ笈びバスを整列及び分
離するためにコンデンサ本体の共通成端面に溝部を設け
ることにある。

本発明による改良された構造体が第４図に示される。図
示される様に、第１図及び第２図に示される構造体に対
応する改良された構造体の要素には同様の参照番号を用
いている。従って改良された構造体１００は多重セクシ
ョン３からなる本体２によって示される。セクション３
は絶縁シート４Ａ、４Ｂ１４Ｃを有している。それらの
シートは夫々主要面６Ａ、６Ｂ、６Ｃを有し、これらの
主要面においてコンデンサ・プレー）５Ａ、５Ｂ１５Ｃ
が中心線に関して配置されている。図示される様に、プ
レー）５Ａ、５Ｂ、５Ｃには夫々タブ８Ａ、８Ｂ、８Ｃ
が設けられている。特開昭公報に示される前出の構造体
における様に、改良された構造体のプレー）５Ａ、５Ｂ
、５Ｃには複数のタブが設けられ、その数及び位置が個
々のプレートのタイプを定義する。前出の構造体におけ
るように、プレート・タイプは本体の長さ方向に交互に
配置され、個々のプレート・タイプのタブは本体の幅方
向に交互に配置されている。前出の構造体におけるよう
に、プレート５Ａ、５Ｂ、５Ｃ及びシート４Ａ、４Ｂ、
４Ｃは、全てのプレート・タブが露出する共通成端面１
１を構成する様に整列され、組合わされる。

改良構造体１００の場合、本体の幅方向に異なるプレー
ト・タイプのタブ間に位置する溝部１７が共通面１１に
設けられる。第４図に明確に示される様に、溝部１７は
本体２の長さ全体にわたって伸びている。更に、溝部１
７は本体の幅方向にみて異なるプレート・タイプのタブ
間の空間を埋める様な寸法を有する。この様に溝部１７
を配列することによって、設計位置からずれたプレート
・タブの部分を消滅させる。従って、溝部１７は本体２
の長さに沿って伸びるので、対応するタブ８Ａ、８Ｂ、
８Ｃの残りの部分２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃを本体の幅方
向に整列させる様に働らく。溝部１７はずれたタブ８Ａ
、８Ｂ、８Ｃの幅を減じる働らきをする。従って、溝部
形成技法はタブのずれがタブ幅より小さい場合に有効で
ある。これからして、溝部形成技法の有効性の範囲を伸
ばすために本発明の他の特徴点はプレート・タブ８Ａ、
８Ｂ、８Ｃの幅を本発明が用いられない場合の幅よりも
犬ならしめる事にある。この様にして、適当な幅のタブ
残部は設計上のタブ境界内に見出しうる。換言するなら
ば、タブ幅が増大すると、より多量のずれを補正する事
ができるのである。しかしながら、ずれを補正するため
の溝部形成の可能性及び増大されたタブ幅の増強効果に
関する限度が存在する。具体的に言うと、タブのずれが
本体の幅方向に大き過ぎ、隣接するプレート・タイプの
タブの設計境界と交差する場合、そのずれを補正するこ
とができないのである。溝部は設計上のタブ位置の間の
材料のみを除去する様に配置され、寸法が与えられるの
で、もしもあるプレート・タイプのタブが他のプレート
−タイプの通常の境界内へずれるならば、ずれたタブの
部分は溝部形成後に隣接するプレート・タブ境界内に残
るであろう。従って、タブ残部が相互接続されるとずれ
たタブ残部はコンデンサ構造体をショートさせた状態の
ままになる。

溝部の寸法に関する他の考慮すべき点は、溝部が耐えう
る最大電圧が、プレート間の誘電体厚さが耐え得る電圧
よりも大となる様に溝部の幅を十分大きくする事である
。溝部の幅は溝部に面する様に用いられる絶縁材の特性
に依存して変動しうる。例えば、溝部が被覆されないま
まにされる場合、所定の溝部の幅に関する結果的な空気
の誘電体が第１の最大耐電圧を呈する。もしも溝部がよ
り高い誘電力の例えばポリイミドの様な絶縁材で被覆さ
れるならば、同じ幅の溝部に対する最大耐電圧はより高
くなるであろう。従って、もしも絶縁媒体の誘電力が増
すならば、溝部の幅を減じることができる。

最大動作電圧における減少は相互接続バスに対するプレ
ート・タブの接近によって生じるので、バスが配置され
る共通面１１の表面において最大の感度が呈せられる。

従って、もしも露出したプレート・タブ及び異なるプレ
ート・タイプの最も近いバスの接近を防止するに十分な
寸法の深さを溝部が有するならば、溝部の深さは厳格で
はない。

好ましい態様において、溝部１７の深さはその幅と略等
しい寸法を有する。

かの側に位置するので、溝部が形成される場合、個々の
プレート・タブ８Ａ、８Ｂ、８Ｃに関してメサ構造体１
８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃができる。その様に形成されたメ
サ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃは個々のプレート・タ
ブ８Ａ、８Ｂ、８Ｃに関して本体の幅方向における境界
を画定する。即ち、溝部がプレート・タブの横方向の伸
びた部分と遭遇して成端させると、溝部は同じプレート
−タブの対応するタブを本体の長さ方向に整列させる。

更にこの整列によって設計者の考えた面１１上の名目上
の境界内に個々のプレート・タブの残部２１Ａ、２１Ｂ
、２１Ｃが形成される。

メサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃは、第４図及び第５
Ｄ図に示される様にプレート・タブ８Ａ。

８Ｂ、８Ｃの残部２１Ａ、２１Ｂ、２ＩＣが露出される
個々の上部表面２ＯＡ、２０Ｂ、２ＤＣを有する。表面
２ＯＡ、２ＤＢ、２０Ｃの上部及びタブ残部２１Ａ、２
１Ｂ１２１Ｃに関して、バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃが
夫々配置される。

本発明の好ましい一態様に於いて、絶縁層１４の形の半
田でぬれない媒体である半田ダムが溝部１７、バス・グ
ループ１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを覆って共通成端面１１
上に設けられる。前出の構造体におけるように、絶縁層
１４は例えば通常の方法で塗布されるポリイミドの層で
もよい。前出の構造体の様に、通常の技法によってバス
１２Ａ１１２Ｂ、１２Ｃ上にキャビティ１５（キャピテ
イは個々のバスが露出される基部１６を有する）が位置
する様に層１４にパターンが形成される。キャビティ１
５は構造体１００がＭＬＣ基板上にとりつげられる時の
半導体の流動を閉じこめるべ（半田ボール１３を受は入
れる様に形成される。前出の構造体における様に、層１
４におけるキャピテイ１５のパターンは個々のバス１２
Ａ１１２Ｂ。

１２Ｃ及びそれらのプレート・タイプ５Ａ、５Ｂ。

５ＣをＭＬＣ基板へ適当に結合し、コンデンサ・ユニッ
トが完全に形成される様に設計される。

第５Ｄ図は第４図のＡ−Ａ線に沿う構造体１００の断面
図であって、メサ構造体１８Ａ１．１８Ｂ１．１８Ａ２
及び１８Ｃ１を示す。図示される様に、タブの残部２１
Ａ１．２１Ａ２が、夫々バス１２Ａ１．１２Ａ２に接す
るメサ構造体の表面２０Ａ１．２０Ａ２に於いて露出さ
れる。更に第５Ｄ図において、半田ダム層１４が表面１
１及びバス１２Ａ１．１２Ｂ１．１２Ａ２及び１２Ｃ１
を覆っている。しかしながらバス１２Ａ１．１２Ａ２は
バスが半田ボール１３と接するキャピテイ１５０基部１
６において部分的に露出される。更に第５Ｄ図に示され
る様に、半田ボール１６は層１４の上部表面よりも上に
つき出ている。前記の様に、キャビティを有する層１４
は構造体１が基板にとりつげられる際の半田流動体に対
するダムとして働らく。

更に他の本発明の好ましい実施例が第６Ａ図ないし第６
Ｃ図に示される。この場合も同じ様な素子は同じ参照番
号を用いる。第６Ａ図ないし第６Ｃ図の実施例の場合、
リード・フレーム２４が構造体の半田ダムを支持するた
めの広い基部を形成するために用いられる。タブの幅及
び間隔が構造体１００の幅を縮めるために減じられる場
合、半田ホール１６のための半田ダムを収容すべくパス
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ上に拡げられた基部を設けるこ
とが望ましい。更に、その様なフレームは寸法の減じら
れたメサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの取り扱かい及
びそれらに対する配列の容易さを助長する。

好ましい態様において、第６Ｂ図に示される様に、リー
ド・フレーム２４は長さり１幅Ｗ及び厚さＴを有する全
体として矩形をしており、構造体１の共通面１１上に設
けられる。リード・フレーム２４は、フレームの幅の方
向に間隔を置いて配置された、フレームの長さ方向に伸
びる全体として矩形の一連のスロット２５を有する平坦
なプレートで企る。スロット２５はフレームの長さ方向
にフレーム２４内において中心１合、わされ；、それら
の長さがフレーム２４の長キヲ□超えない様な寸法を有
する。従って、フレーム２４のパラメータの範囲におい
てフレームのエプロン部２４Ｄが画定される。フレーム
２４の幅の方向におけるスロット２５０間隔によって、
フレーム素子２４Ａ。

２４Ｂ、２４Ｃがフレーム２４０本体内に画成される。

フレーム素子２４Ａ１２４Ｂ１２４Ｃはフレームのエプ
ロン部２４Ｄによって結合される。

組立体において、フレーム素子２４Ａ、２４Ｂ。

２４Ｃが夫々パス１２Ａ１１２Ｂ１１２ｃの上部に配置
され、その上において中心合わせされ、第６Ｃ図に明示
される如く、スロットが溝部１７の上で中心合わせされ
る様に、フレーム２４が共通面１１上に設けられる。フ
レーム素子２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃは、バ、＜ｊ　２Ａ
、１２Ｂ１１２Ｃを有するメサ構造体１白Ａ、１８Ｂ、
１８Ｃよりもおよそ５０％幅広となる様な寸法を有する
。結果として、素子２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃは、パス１
２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ上で中心合わせされる場合、夫々
メサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの境界を与える溝部
１７内へ伸びる゛。フレーム素子２４Ａ、２４Ｂ、２４
Ｃは夫々バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの幅を超えて伸び
る寸法を有するので、従ってスロット２５は溝部１７の
幅よりせまい幅の寸法となる。好ましい実施例において
、スロット２５は溝部１７の幅のおよそ５０％に等しい
、構造体２の長さよりもおよそ１０％長い寸法を有する
。

フレーム素子２４は銅合金でもよい。合金は所望の物理
的電気的特性に依存する。フレーム素子２４は例えばろ
う接すなわち半田ボール１５の融点より高い融点の高温
鉛−錫半田によって通常の技法を用いてパス１２Ａ、１
２Ｂ１１２Ｃへ結合される。

フレーム２４が構造体１に結合されると、独立した、切
り離されたフレーム素子２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃができ
る様にフレーム・エプロン部２４Ｄをトリミングする。

次に、第６Ｃ図に示される様に、半田ダム層１４がフレ
ーム部へ被覆され、他の実施例と同様にして、半田ボー
ル１３を受は入れるための、フレーム素子を露出させる
基部１６を有するキャビティ１５を形成するために通常
の技術を用いてパターンが形成される。半田ダム材はポ
リイミドの様な絶縁層もしくは例えばクロームの様な金
属層である。半田ボール１３はリード・フレーム素子２
４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃに接触し、絶縁層１４の上部表面
より上へ突出する様にキャビティ１５内に設けられる。

この構成によって、構造体１００が前述の様にして基板
へマウントされる。

フレーム２４を取りつけた後に半田ダムを形成する代り
に、フレームをコンデンサ本体にボンディングする前に
半田ダム層１４をリード・フレーム上に形成してもよい
。この代替案を用いる場合、半田ダムはフレームを本体
２ヘボンデイングするプロセスに耐える様に選択しなけ
ればならない。

本発明の更に他の実施例を第７Ａ図ないし第７Ｇ図に示
す。再び前述の実施例の場合の様に、共通の要素が同様
にして指定されている。第７Ａ図ないし第７Ｇ図に示す
実施例において、構造体には前述の実施例と同様にして
溝部１７及びメサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃが設け
られている。

しかしながら第７Ａ図ないし第７Ｇ図の実施例において
は、第１層の絶縁体２６は共通面１１の上に付着されて
示される。第１絶縁層２６は溝部１７を満たす様に配置
される。しかしながら、絶縁層２６は、個々のメサ構造
体の上部表面２０Ａ。

２０Ｂ、２０Ｃが露出され、バス１２Ａ、１２Ｂ。

１２Ｃの形成のためのメタライゼーションを受は入れう
る様にメサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの領域におい
てパターンが形成される。他の実施例における様に、メ
サ構造体の最上部２ＯＡ、２０Ｂ、２ＤＣにおけるバス
１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは個々のメサ構造体の境界内に
配置されるプレート・タブの残部２１Ａ、２１Ｂ、２１
Ｃと接触する。

第７Ｇ図に示される様に、構造体１００は半田ダム層（
例えば非半田金属層）１４を有する。これは第１の絶縁
層２６及び相互接続バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ上に配
置された、通常の技法で設けた第２の絶縁層である。他
の実施例の様に、半田ダム層１４は相互接続バス１２Ａ
、１２Ｂ、１２Ｃが露出される基部１６を有するキャピ
テイ１５を含む様に通常の技法を用いてパターンが形成
される。キャピテイは、バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃと
接触し且つＭＬＣ基板へ構造体をマウンドしつる様に半
田ダム層１４の上部表面よりもつき出た半田ボール１３
を受入れうる様に形成される。

半田ダム層１４は個々の相互接続バス１２Ａ、１２Ｂ、
１２Ｃの上に配置されるキャビティを有するパターンを
形成された金属層であってもよい。

第７Ａ図ないし第７Ｇ図の実施例において、第１の絶縁
層は例えばスパッタリング等の任意の付着プロセスによ
って溝部１７内に形成された二酸化シリコンであっても
よい。第２の絶縁層１４は通常のマスク及びエツチング
技法を用いてパターン形成された、通常の方法で被覆し
たポリイミドの層であってもよい。また金属半田ダム層
は通常の技法でパターンが形成されたクロムであっても
よい。

本発明に従って、上記実施例を形成する為の好ましい方
法が存在する。第６Ａ図ないし第６Ｄ図に示される実施
例の場合において、この構造体を形成する好ましい方法
は、まずコンデンサ本体を形成し、共通面１１にメタラ
イゼーションの層をプランケット付着し、同じプレート
−タイプ５Ａ。

５Ｂ、５Ｃの対応するタブ８Ａ、８Ｂ、８Ｃを本体の長
さ方向に整列させる様に共通面１１において溝部１７を
形成し、同時にメサ構造体１８Ａ、１８Ｂ１１８Ｃ及び
相互接続バス１２Ａ、１２Ｂ１１２Ｃを画成し、次いで
溝部１７及びバス１２Ａ１１２Ｂ、１２Ｃの表面を覆う
様に面１１において絶縁層として半田ダムを形成し、続
いてバスを露出される基部を有するキャビティ１５をバ
ス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ上に形成する様に絶縁層１４
にパターンを形成し、半田ボールが個々のバス１２Ａ１
１２Ｂ、１２Ｃと接触し且つ層１４の表面より上につき
出る様にキャピテイ１５内に半田ボール１３を付着させ
るステップを含む。

更に具体的には第６Ａ図ないし第６Ｄ図に示される実施
例の本体２は例えばチタン酸バリウムの様な未焼結セラ
ミック材のグリーン・シート（生シート）を調整するこ
とによって形成される。シートの形成に続いて、公知の
方法によってそのシート上に所望のパターン及び寸法の
例えば銀の金属ペーストの層をスクリーニングする事に
よってコンデンサ・プレートを設けることができる。次
にプレートが形成された所望のパターン及び寸法のコン
デンサ・セクションがシートから打ち抜かれ、所望の方
向に向けられ、焼成された本体２を形成する様加熱、加
圧されて相互に結合される。

その代りに、コンデンサ本体は順次セラミック・スラリ
ーの層を所望の幅及び高さのモールドに注ぎ込み、乾燥
させ、次いで例えばスクリーニング技法を用いて金属プ
レートを設ける事によって形成することができる。構造
体に関して所望の長さが達成されるまで後の層も同様の
方法で形成される。次に結合された層を焼結した本体を
形成すべく焼成する。

セラミック・コンデンサ本体を形成するための上記の諸
方法はコンデンサ製造技術の分野に於いて公知の技術で
あって、本発明の一部でない事を理解登れたい。

本体２の形成に続いて、通常の技法によってコンデンサ
の面１１にメタライゼーションの層１５が付着される。

例えばその層は面１１全体にクロム、銅及びクロムもし
くは他の基板合金を順次真空蒸着する事によって形成さ
れる。

メタライゼーションがブランケット付着されたのち、面
１１に溝部が形成される。溝部１７は例えば表面の所望
個所に於いて所望の幅及び深さに鋸歯手段を用いて形成
される。そのために、水冷式の研磨ホイールを用いる事
ができる。

鋸歯手段によって溝部がほられた後、溝部形成時に生じ
た損傷をいやすために構造体をアニールする。

鋸歯手段の代りに、共通面１１を超音波研磨によって溝
部を形成してもよい。超音波研磨の場合、歯が所望の溝
部の位置及び寸法に対応したくしの形をした研磨手段が
共通面１１に配置され、研磨スラリーが供給される間に
超音波駆動される。研磨は所望の一部の深さが達成され
るまで所定の時間にわたって続けられる。

次に、面１１に例えばポリイミドの絶縁材の層の形状に
半田ダムが設けられる。ポリイミドはメサ構造体１８Ａ
、１８Ｂ、１８Ｃ及び溝部１７の表面上を被覆する様に
、例えばスプレーもしくは浸漬法によって塗布される。

半田ダム１４の形成後通常のエツチング技法によりキャ
ビティ１５を形成する様パターンが作られる。キャピテ
イ１５はバス１６と共に形成されたバス１２Ａ、１２Ｂ
、１２Ｃ上の・層１４内に配置され、バスを露出させる
。キャビティを有するパターンを形成するために、通常
のリフト・オフ・マスキング技法を用いることができる
。その後で、バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃに接触する様
に、また半田ダム層１４の表面からつき出る様にキャピ
テイ１５内に半田ボールを付着する。

第７Ａ図ないし第７Ｃ図に示される実施例の場合、溝部
１７、メサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ及び相互接続
バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃは実質的に第６Ａ図ないし
第６Ｂ図に示される実施例に関連して示された様に形成
される。しかし、溝部、メサ構造体及び相互接続バスの
形成に続いて、上記のリード・フレーム２４が共通面１
１に配置され、夫々バス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃにボン
ディングされる。フレーム２４は例えば半田ボール１３
の融点より高融点の鉛−錫半田でもってろう接する事に
よってバス１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃヘボンデイングされ
る。ボンディングされたのち、第６Ｂ図に示される様に
リード・フレーム・エプロン部２４Ｄがバス１２Ａ、１
２Ｂ、１２０上に個々のフレーム素子を残す様にトリミ
ングされる。

エプロン２４Ｄは例えば剪断によってトリミングされる
。次に、夫々フレーム素子２４Ａ、２４Ｂ。

２４Ｃ上に絶縁層もしくは金属層として半田ダム層を設
けるために通常のマスク及びエツチング技法が用いられ
る。続いてリード・フレーム素子２４Ａ、２４Ｂ、２４
Ｃ上にこれらを露出させる基部を有する層１４内にキャ
ピテイ１５を層１４内に形成するパターン形成プロセス
が行なわれる。

キャビティ１５の形成に続いてリード・フレーム素子２
４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃに接触し、層１４の上部表面から
突出する半田ボール１５を設ける。

その代りに、半田ダム層１４はフレーム２４がコンデン
サ本体上にマウントされる前に、フレーム２４上に形成
されてもよい。この手法は整列及び処理上の困難を緩和
する利点を有する。

第７Ａ図ないし第７Ｇ図に示される実施例に関して、そ
の好ましい形成方法は次の通りである。

セラミック本体の形成に続いて、第５八図ないし第５Ｄ
図及び第６Ａ図ないし第６Ｃ図に示される実施例に関し
て説明した様にして溝部１７が共通面１１に形成される
。但し第７Ａ図に示される様にバス１２Ａ、１２Ｂ、１
２Ｃを形成するために用いうｔするメタライゼーション
層のブランケット付着前に形成される。溝部１７及び結
果として生じるメサ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの形
成に続いて、二酸化シリコンの様な第１の絶縁材の層が
、溝部１７を満たしメサ構造体の表面２ＯＡ、２０Ｂ、
２ＤＣを被覆する様に、共通面１１上に形成される。第
１の絶縁層は例えばスパッタリングによって、二酸化シ
リコンでもって形成される。

第１絶縁層２６の形成に続いて、例えばイオン・ミリン
グあるいはグラインディングによって第７Ｂ図の中間構
造体を形成する様に層が平坦化される。次に、メサ構造
体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃ及び個々のプレート・タブ残
部２１Ａ、２１Ｂ。

２ＩＣの上部表面２ＯＡ、２０Ｂ、２０Ｃを露出させる
様に、通常のマスク及びエツチング技法を用いて絶縁層
２６にパターンを形成する。その結果を第７Ｃ図に示す
。次いで、例えばクロム、銅、クロムのメタライゼーシ
ョン層が、第７Ｄ図の中間構造体を形成すべく個々のメ
サ構造体１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃの露出した表面２ＯＡ
、２０Ｂ。

２０Ｃに於いて通常の技法を用いて付着される。

次′に、構造体の上部表面が、第７Ｅ図の中間構造体を
形成する様に、例えば電子ミリングもしくはグラインデ
ィングの様な通常のプロセスを用いて再び平坦化される
。第７Ｅ図に示される中間体の形成に続いて、例えばポ
リイミドの第２層の絶縁層１４の形に半田ダムが付着さ
れる。ポリイミドもしくは他の絶縁材の半田ダム層は、
第７Ｆ図の中間構造体を生じる通常の技法を用いて形成
しうる。その代りに、形成された相互接続バス１２Ａ１
１２Ｂ、１２Ｃの上部表面に隣接する様に金属半田ダム
にパターンを形成してもよい。最終的に、前記の構造体
の場合の様に、バスを露出させる基部１６を有するキャ
ビティ１５を形成するために通常の技法を用いて半田ダ
ム層１４にパターンが形成される。次に相互接続バスに
接触し、前述の様に半田ダム層の上部表面から突出した
半田ボール１３をキャビティ１５内に付着させる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は既に提案済みのコンデンサ構造体
を説明する図、第４図は本発明に従う改良された構造体
を説明する図、第５Ａ図ないし第５Ｄ図は本発明に従う
改良された構造体を形成するステップを説明する図、第
６Ａ図ないし第６Ｄ図は本発明の他構造体を形成するス
テップを説明する図、第７Ａ図ないし第７Ｇ図は本発明
に従う構造体の形成ステップの他の態様を説明する図で
ある。 第４図において１００・・・・改良されたコンデンサ構
造体、２・・・・本体、３・・・・多重セクション、４
Ａ・・・・シート、５Ａ・・・・コンデンサ拳プレート
、６Ａ・・・・主要面、１１・・・・共通成端面、１２
Ａ１〜１２Ａ５・・・・バス、１２Ｂ１．１２Ｂ２・・
・・バス、１２Ｃ１，１２Ｃ２・・・・バス、１４・・
・・半田ダム層、１５・・・・キャビティ、１６・・・
・基部、１７・・・・溝部、１８Ａ・・・・メサ構造体
、２１Ａ１．２１Ａ２・・・・プレー）−タブの残部。 出願人インターナショナル・ビジネスφマシーンズ・コ
ールたクタン代理人　弁理士　　岡　　　１）　　次　
　　生（外１名） 手　　続　　補　　正　　書（方式） 昭和５８年を月Ｂ日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５８年　特許願　第１６３２９　　号五補正をする
者 ４、代理人 ６　補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄 Ｚ　補正の内容 明細書第５２頁の図面の簡単な説明の欄の記載のうち同
頁第１４行ないし第１５行の「第６Ａ図ないし第６Ｄ図
は」を「第６Ａ図ないし第６Ｃ図は」と訂正する。 （２）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 所定の長さ、幅及び高さのセラミック本体からなる下記
   構成を含むコンデンサ構造体。 （イ）上記本体の長さ方向に上記本体内において間隔を
   おいて配列された、上記本体の共通面において露出され
   る１つないしそれ以上のタブを夫々が有している多重コ
   ンデンサ・プレート。 （ロ）特定のキャパシタンス値及び電圧レーティングを
   呈するコンデンサを形成する様に電気的に接続するため
   のバスであって、上記タブを選択的に及び電気的に相互
   接続する１つないしそれ以上のバス。 （ハ）タブをグループ別に整列させ且つ形成されたバス
   の分離を保証するコンデンサ本体の共通面に設けられた
   溝部。