JPH0322684B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、共通面において成端する多重コンデ
ンサ・プレートを有する低インダクタンス・セラ
ミツク・コンデンサ構造体の製造方法に係り、更
に具体的には、プレート成端部が共通面に於いて
整列されると共に上記面内の溝部によつて絶縁さ
れる改良された構造体の製造方法に在る。

データ処理装置設計者のたえず目的とするもの
は高い処理速度、小型の物理的寸法及びより低い
製造コストによつて特徴付けられる装置を製造す
る事にある。

設計者は装置を作り上げるICチツプ内に可能
な限り多数の回路デバイスを装荷させる事を試み
る事によつて上記目的を達成する努力を払つてい
る。設計者は、１つのチツプに出来るだけ沢山の
デバイスを入れる事によつて、回路動作を低速化
するところのデバイスを結合するのに必要な相互
結線の長さを減じ、よつてより速い動作を可能に
している。更に、チツプあたりの回路デバイスの
数を増すことによつて、以前には用いられなかつ
た空間を減らし、結果として装置の物理的寸法が
小さくされる。チツプあたりの製造コストが固定
化する傾向にあるので、チツプ上により多くのデ
バイスを適合させる事によつて、設計者はデバイ
スあたりの製造コストを減じることができる。同
数のデバイスを得るのにより少数のチツプで済む
わけである。

チツプあたりより多数のデバイスを作る努力に
よつていわゆるVLSIが生まれた。この技術は単
一のチツプ上に2000個ものメモリ・ユニツト及び
関連回路、あるいは単一のチツプに4000個もの論
理ユニツト及び関連回路を形成することができ
る。

しかしながら、VLSI及び集積回路（IC）は一
般的には設計者に対する完全な解答を与えるもの
ではないのが現状である。半導体材料及びIC寸
法に関連する限度の故に、設計者が欲するところ
の全ての範囲の回路素子を集積された形に首尾よ
く形成することは不可能であつた。トランジス
タ、ダイオード及び抵抗さえをも作りつける事は
比較的簡単であるが、典型的な所要値のコンデン
サ及びインダクタンスは首尾よく作りつけられた
という証左が無い。

コンデンサは特別な問題点である。非常に低い
値でない値のキヤパシタンスが所望される場合、
ICの形で利用しうる誘電材定数及びプレート面
積はその様なコンデンサの作りつけを困難もしく
は不可能にしている。

これに対処する為に、設計者は完全な回路を形
成する様にチツプと共働する別個のコンデンサ即
ち回路チツプから分離したコンデンサを用いてき
た。しかしながら、集積形状の利点を保持するた
めに、設計者等は小型寸法、高速、低コストの別
個のコンデンサを求め続けてきた。

VLSI回路と共に使用するのに適した特定の設
計のコンデンサが特開昭57−28348号公報に開示
されている。これは小型、高速及び低製造コスト
のコンデンサである。このコンデンサは積層され
たセラミツク平行プレート型のものであつて、コ
ンデンサ・プレートを形成する様にメタライズさ
れたセラミツク誘電層を夫々有する多重キヤパシ
タ・セクシヨンを用いている。その構造体は多重
セクシヨンを組合わせる事によつて所望の寸法に
形成される。

その構造体は低インダクタンスを有し、従つて
高速度であり、小型である。これはコンデンサ・
プレートが共通のコンデンサ本体の面において露
出し、低インダクタンス相互結線バス（母線）に
よつて結合されるからである。この構造体の機能
を高めるために、本体の幅の方向に間隔をおいて
配置された１つ以上のタブが各コンデンサ・プレ
ートに設けられる。次にタブは相互結線タブによ
つて相互に接続される。他の回路素子例えば
VLSIチツプに対するコンデンサ構造体の最終接
続は、半田ボールでもつて多層セラミツク基板上
にその構造体をフリツプ・チツプ・マウントする
事によつて実施される。

前記特開昭公報等に示される構造体をできるだ
け小型にするために、プレート・タブの横方向間
隔が最小にされる。例えばプレート・タブは幅約
0.10mmないし0.20mm（４ミルないし８ミル）、間
隔約0.18mmないし0.25mm（７ミルないし10ミル）
が典型的である。

好ましくない相互干渉を避けるためにタブ及び
バスを適切に配置する事は、寸法が小型であるが
故に、困難である。更に、キユアリング時のセラ
ミツクの縮小によつて、プレート・タブ位置が変
位し、不整合がより悪化する事は普通の現象であ
る。これらの問題の故に、コンデンサ構造体の最
小寸法は実現が困難であつた。

従つて本発明の目的は最小寸法の改良された共
通面成端型多層セラミツク・コンデンサ構造体の
製造方法を提供する事にある。

本発明の更に他の目的は、プレート・タブ及び
その相互結線バスが最小の分離状態を呈する改良
された共通面成端型多層セラミツク・コンデンサ
構造体の製造方法を提供する事にある。

本発明の更に他の目的は、同様のプレートの対
応するタブが他のプレート・タイプのタブ及びそ
の相互接続バスに対して整列され、分離される、
改良された共通面成端型多層セラミツク・コンデ
ンサ構造体の製造方法を提供する事にある。

本発明が関連するコンデンサ構造体は多重コン
デンサ・セクシヨンで構成される所望の長さ、幅
及び高さを有するセラミツク本体によつて特徴付
けられる。各コンデンサ・セクシヨンはコンデン
サ・プレートを形成する様に主要面においてメタ
ライズされた誘電性素子によつて画成される。本
体を形成する場合、セクシヨンはプレートが本体
の長さ方向に間隔をおいて配置される様に結合さ
れる。各プレートには本体の共通面において露出
された１つ以上のタブが設けられる。よつてこの
面が構造体のための共通成端面を画定する。更
に、構造体はグループ状にプレート・タブを選択
的に相互接続する様に配列される金属条片の形の
個々の多重バスを有する。バスを選択的に相互接
続することによつて、所望のキヤパシタンス及び
電圧レーテイングの１以上の並列プレート・タイ
プ・コンデンサを形成するために種々のグループ
のプレートを相互接続することができる。

本発明によつて、特定のタブ・グループのタブ
を他のタブ・グループのタブ及び関連する相互接
続バスに対して整列させ且つ離隔させる様に共通
成端面において溝部を設ける事によつて最小のタ
ブ及びバス間隔を可能ならしめるように構造体が
改良される。

本発明の一形態において、構造体は各プレート
のタイプがプレートあたりのタブの数とプレート
上のタブの位置によつて定義される多重プレー
ト・タイプを有する。この形態において、プレー
ト・タブは共通面において露出され、種々のプレ
ート・タイプのタブが本体の幅の方向に間隔をお
いて配置される。更にこの形態ではプレートのタ
イプは本体の長さ方向に於いて変化される。本発
明に従つて、次の様にして溝部を配列する事によ
つて構造体が改良される。即ち溝部は同様のプレ
ートのタイプの対応するタブを本体の長さ方向に
配列し、異なるプレートのタイプのタブ及びそれ
らの関連する相互接続バスを本体の幅方向に離隔
させる事によつて改良がなされる。更に、この形
態において、溝部は同じプレート・タイプの対応
するプレート・タブのための境界である。メサ構
造体を画成する様に、本体の幅方向にプレート・
タブの所望位置の両側に配置される。その結果、
誤配列タブは誤配列された部分をトリミングする
事によつてそれらの意図した位置へ事実上整列さ
れる。

構造体のこの好ましい形態に於いては、個々の
相互接続バスの頂部に絶縁材の層が設けられる。
夫々のその様な絶縁層は夫々の相互接続バスが露
出される基部を有する１以上のキヤビテイ（開
孔）を含む。キヤビテイは露出したバスに接触す
る、絶縁層の上部表面の上へのびる半田ボールを
受け入れる様に形成される。これによつて構造体
はさかさまにされ、公知のプリツプ・チツプの様
に適当な基板に対してボンデイングする事ができ
る。この形態において、パターン状の絶縁層は流
動時の半田ボールを閉じ込める半田ダムとして働
く。本発明に従い、絶縁層は、溝部を有する共通
成端面を完全にパツシベートする単層を形成する
様にメサ構造体を画成する溝部内へ相互接続バス
間において本体の幅の方向に横方向に伸びる様に
構成される。

他の本発明の好ましい形態においては、整列さ
れた矩形のスロツトを有する金属プレートの形状
のフレームが構造体の共通面の頂部に配置され
る。フレームは構造体の周辺をおおう様に、また
それが頂部に配置されて、個々の相互接続バスの
幅を越えて横方向に伸び、スロツトが全体として
溝部の上に配置される様に位置付けられる。この
場合、フレームの周辺が頂部において離隔したフ
レーム・セクシヨンを残す様にトリミングされて
相互接続バスの幅を越えて伸びる様に、フレーム
が相互接続バスへボンデイングされる。付加的な
層がフレーム・セクシヨンの頂部に配置され、フ
レーム・セクシヨンが少くとも部分的に露出され
る基部を有するキヤビテイを有する様にパターン
形成される。本発明の他の形態における様に、パ
ターンを有する層は半田ボールの流動の為の半田
ダムとして働らく。キヤビテイは露出するバスと
接触する半田ボールを受け入れる様に形成され
る。先の実施例の様に、半田ボールは構造体をフ
リツプ・チツプ・マウントしうる様に層の上部表
面の上へつき出る。本発明のこの形態に於いて、
半田ダムは絶縁材あるいは導電材のパターン状層
のいずれでもよい。

本発明の他の形態に於いては、構造体は溝部を
有する共通成端面の上に第１の絶縁層を有し、そ
の第１絶縁層はメサの上部表面より高い位置まで
伸びている。この形態に於いて、第１の絶縁層は
プレート・タブへの接続のための金属相互接続バ
スを受け入れる様にメサの上部表面においてパタ
ーンが形成される。好ましい実施例の一態様にお
いては、更にパターンを形成された金属層が、半
田ダムとして働らく様に個々のバスに対して設け
られる。この実施例の他の態様では、第１の絶縁
層及び金属相互結線バスの上に第２の絶縁層が半
田ダムとして働らく様に配置される。半田ダム層
はバスが露出される基部をもつ１以上のキヤビテ
イを備えている。

本発明の改良された構造体を形成する技術にお
いて、コンデンサ・プレートを本体において間隔
をおいて配置する様に誘電体素子及びプレートを
有するコンデンサ・セクシヨンを含む複数のコン
デンサ・セクシヨンを結合する事によつてまずコ
ンデンサ本体を形成するステツプが用いられる。
プレートは２以上のプレート・タイプを定義する
ために本件の幅の方向に変位された１あるいはそ
れ以上のタブを有する。更にタブは構造体の共通
成端面において露出される。本体の形成に続い
て、メタライゼーシヨンのブランケツト層を、全
てのプレート・タイプの全てのタブと接触する様
に共通成端面に於いて付着させる。ブランケツト
付着に続いて、ブランケツト・メタライゼーシヨ
ン及び共通成端面において溝部がカツトされる。
溝部は共通面を例えば超音波グラインドもしくは
鋸歯手段を用いる事によつてカツトしうる。溝部
はメタライゼーシヨンを条片状にパターン形成
し、同じプレート・タイプの対応するタブを整列
させる様に本体の長さ方向に伸びる様にカツトさ
れる。更に、溝部は異なるプレート・タイプのバ
ス及びタブを離隔させる様に本体の幅方向に伸び
る。バス及び溝部の同時形成に続いて、絶縁材の
層が共通面全体の上に付着される。続いて、少く
ともバスの部分が露出される、バスを有する相互
接続バスの領域において、絶縁層にキヤビテイの
パターンが形成される。その絶縁層は通常のマス
ク、食刻技術を用いてパターン状にすることがで
きる。最終的に、金属バスと接触し、絶縁層の上
部表面から上に伸びる様にキヤビテイに半田ボー
ルが加えられる。

構造体を形成する他の技術において、コンデン
サ本体の形成に続いて、そして相互接続バス及び
溝部の形成後に、内部に矩形のスロツトを有する
金属フレームが相互接続バスの上部表面にボンデ
イングされる。マウントされた場合に、フレーム
の周辺部はコンデンサ本体の周辺部を越して伸
び、フレーム本体はバスの横方向の端部を越えて
伸びる。フレームのスロツトは共通面の溝部の上
に配置される。フレームをバスへボンデイングし
た後で、バスの上部にボンデイングされたフレー
ムの離隔されたセクシヨンが残されてその幅を越
えて伸びる様にフレームの周辺部がカツトされ
る。フレームがトリミングされたのち、離隔され
たフレーム・セクシヨンへ半田ダムが設けられ
る。前記の様に、半田ダムは個々のフレーム・セ
クシヨンが露出される基部を有するキヤビテイで
もつてパターン形成された絶縁材の層あるいは導
電材の層である。半田ダムを付着しその内部にキ
ヤビテイを設けるために通常のフオトリソグラフ
イ技術を用いる事ができる。最終的に、フレーム
に接触し、半田ダム層の上部表面より上に伸びる
半田ボールがキヤビテイに与えられる。

代替として、半田ダムはフレームがコンデンサ
本体へボンデイングされる前にフレームにおいて
準備されてもよい。

改良された構造体を形成する更に他の技術にお
いては、本体の形成に続いて及び共通面がメタラ
イズされる前に、本体の長さ方向において同じプ
レート・タイプの対応するタブを整列させ、本体
の幅方向において異なるプレート・タイプのプレ
ート・タブを離隔させるために、共通面において
溝部がカツトされる。その後で、第１の絶縁層
が、溝部を満たし、メサ構造体の高さを越えて伸
びる様に共通面上に設けられる。次に第１の絶縁
層はメサ構造体の上部表面を露出させる様に標準
的な技術を用いて平坦化及び輪郭形成が実施され
る。続いて、相互接続バスを形成するためにメサ
構造体の表面においてメタライゼーシヨンの層が
付着される。相互接続バスの付着後、第１の絶縁
層及びバス表面が再び平坦にされ、半田ダム層が
付着される。次いで、半田ダム層は相互接続バス
を少くとも部分的に露出させる基部を有するキヤ
ビテイを形成する様にパターン形成される。最終
的に、バスに接触し、半田ダム層の上部表面上に
伸びる半田ボールがキヤビテイ内に設けられる。
前記の様に、半田ダム層は相互接続バス上のみに
付着された導電層もしくは第１の絶縁層及びバス
全体の上から付着された第２の絶縁層のいずれで
もよい。

VLSI半導体チツプと共に用いるのに適した低
インダクタンスセラミツク・コンデンサ構造体は
特開昭57−28348号公報に開示される。第１図は
その構造体を示す図である。

図示される様に、コンデンサ構造体１は幅Ｗ、
高さＨ及び長さＬの、全体として矩形断面の本体
２によつて画定される。本体２は矩形断面を有す
る様に示されるが、他の形状、例えば円断面を有
してもよい事を理解されたい。本体２は第１図に
おいて複数の本体セクシヨン３から構成される様
に示されている。セクシヨン３は所望の長さ、幅
及び厚さの誘電性シート４Ａ，４Ｂ，４Ｃの形態
の誘電性素子を含む。図示される様に、シート４
Ａ，４Ｂ，４Ｃは寸法即ち長さ、幅及び厚さがほ
ぼ等しいシートである。本体２の構成によつて、
その幅及び高さはシート４Ａ，４Ｂ，４Ｃの幅及
び高さに対応し、本体２の長さは素子４Ａ，４
Ｂ，４Ｃの結合された厚さに対応する。単位寸法
あたりの構造体１のキヤパシタンスを最大にする
為に、誘電性シート４Ａ，４Ｂ，４Ｃは例えばチ
タン酸バリウムBaTiO₃などの様な高誘電率材で
作られる。

更に本体セクシヨン３は誘電性シート４Ａ，４
Ｂ，４Ｃの主要面６Ａ，６Ｂ，６Ｃ上に各々配置
されるメタライゼーシヨンの層の形のコンデン
サ・プレート５Ａ，５Ｂ，５Ｃを有している。プ
レート５Ａ，５Ｂ，５Ｃは面６Ａ，６Ｂ，６Ｃの
全体として中央部に夫々配置され、境界部７Ａ，
７Ｂ及び７Ｃによつてシート４Ａ，４Ｂ，４Ｃの
周辺部から離れて配置されている。好ましい態様
において、プレート５Ａ，５Ｂ，５Ｃはほぼ面積
が等しい。第１図に示される様に、プレート５
Ａ，５Ｂ，５Ｃは各々８Ａ，８Ｂ，８Ｃに添字を
付して示されるグループのプレート・タブを有す
る。これらのプレート・タブは主プレート・セク
シヨン９Ａ，９Ｂ，９Ｃからシート４Ａ，４Ｂ，
４Ｃの端部１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃまで伸びてい
る。

以下に於いて詳細に示される様に、好ましい態
様に於いて、構造体１の複数のプレートは異なつ
たキヤパシタンス及び電圧レーテイングの多重コ
ンデンサの個々のコンデンサの形成を可能にする
べく異つたタイプのプレートである。図示される
様に、構造体１は２つの異なるキヤパシタンス及
び電圧レーテイングを有するコンデンサの形成を
助長するために３つのタイプのプレート５Ａ，５
Ｂ及び５Ｃを有する。この態様において、タブの
タイプはプレートあたりのタブの数とプレートの
位置とによつて定義される。具体的に言うと、タ
ブ・グループ８Ａはタブ８Ａ１ないし８Ａ５を有
し、グループ８Ｂはタブ８Ｂ１及び８Ｂ２を有
し、グループ８Ｃはタブ８Ｃ１及び８Ｃ２を有す
る。特定のグループのタブは本体２の幅の方向で
ある、シート４Ａ，４Ｂもしくは４Ｃの幅の方向
に相互に離隔して配置される。

図示される様に、本体２、シート４Ａ，４Ｂ，
４Ｃ、プレート５Ａ，５Ｂ，５Ｃ並びにタブ８
Ａ，８Ｂ，８Ｃは空間を有効に使うために断面が
全体として矩形である。もしも本体２の断面が矩
形以下のものであるならば、シート４Ａ，４Ｂ，
４Ｃ、プレート５Ａ，５Ｂ，５Ｃ並びにタブ８
Ａ，８Ｂ，８Ｃの形を所望の形に変えることがで
きる事を理解されたい。プレート５Ａ，５Ｂ，５
Ｃ及び関連するタブ・グループ８Ａ，８Ｂ，８Ｃ
は通常の方法によつて面６Ａ，６Ｂ，６Ｃへスク
リーンされた例えば銀ペーストの層であつてもよ
い。

第１図に示される様に、種々のプレート・タイ
プのプレート・タブがそれぞれシート４Ａ，４
Ｂ，４Ｃの端部１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃへと伸び
ている。更に、端部１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、
シートが結合される際に、端部１０Ａ，１０Ｂ，
１０Ｃが組合わせられて本体の共通面１１（ここ
でプレート・タブが露出される）を形成する様に
整列される。更に第１図において、種々のプレー
ト・タイプのプレート・タブが個々のシート４
Ａ，４Ｂ，４Ｃ上に配置されるが、それはシート
が結合される場合、特定のプレート・タイプがタ
ブが本体の幅方向において他のプレート・タイプ
のプレート・タブ間において整列する様に配置さ
れる。具体的に言うと、プレート・タイプＡには
５つのタブ８Ａ１ないし８Ａ５があり、それらは
対応するシート４Ａの幅方向に等間隔に配置され
る。プレート・タイプＢは、個々のシート４Ｂ上
に配置された２つのタブ８Ｂ１及び８Ｂ２を有す
る。そしてシート４Ａと組合わされると、タブ８
Ｂ１はタブ８Ｂ１及び８Ｂ２の間にあり、タブ８
Ｂ２はタブ８Ａ３及び８Ａ４の間に来る。同様に
プレート・タイプＣには個々のシート４Ｃ上に２
つのタブ８Ｃ１及び８Ｃ２が配置され、よつてシ
ート４Ａ，４Ｂと結合されると、タブ８Ｃ１はタ
ブ８Ａ２及び８Ａ３の間に配置され、タブ８Ｃ２
はタブ８Ａ４及び８Ａ５の間に来る。

本体２内でのコンデンサの形成を助長するため
に、本体２の共通面１１において相互接続バス・
グループ１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが設けられる。
第１図の構造体においては、相互接続バスは同じ
プレート・タイプの対応するプレート・タブを接
続する様に配列される。従つて、バス１２Ａ１，
１２Ａ２，１２Ａ３，１２Ａ４、及び１２Ａ５
が、プレート・タイプＡのプレート・タブ８Ａ１
ないし８Ａ５を相互接続する為に本体２の長さに
沿う面１１に設けられる。更に、プレート・タイ
プＢのプレート・タブ８Ｂ１及び８Ｂ２を相互接
続するために本体の長さに沿う面１１に於いてバ
ス１２Ｂ１及び１２Ｂ２が、プレート・タイプＣ
のプレート・タブ８Ｃ１及び８Ｃ２を相互接続す
るために本体２の長さに沿う面１１に於いてバス
１２Ｃ１及び１２Ｃ２が設けられる。

プレート・タブの様に、バス・グループ１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが本体の幅Ｗの方向に間隔を
置いて共通面１１に配置される。更に、種々のプ
レート・タイプのプレート・タブが他のプレー
ト・タイプのタブ間に配置されるように、特定の
プレート・タイプに関するバスもまたその様に配
置される。すなわち、本体の幅方向に見て、バス
１２Ｃ１は１２Ａ２及び１２Ａ３の間に、バス１
２Ｂ２は１２Ａ３及び１２Ａ４の間に、バス１２
Ｃ２は１２Ａ４及び１２Ａ５の間に配置される。

この構成において、コンデンサのサブ・ユニツ
トは２つのコンデンサ・プレートの間に１ないし
それ以上の誘電素をサンドイツチする様に種々の
プレート・タイプのタブを様々に接続する事によ
つて形成される。コンデンサのサブ・ユニツトは
平行プレート・タイプのユニツトであるので、サ
ブ・ユニツトあたりのキヤパシタンスは下記公知
の式で表わされる。

Ｃ＝ΣＡ／Ｌ ここで、Ｃはキヤパシタンスを、Ａはプレート
の面積を、Ｌはプレート間の誘電体の厚さを、Σ
は誘電率を示す。

従つて、所定の誘電率に関して、コンデンサ・
プレートの面積が大きくなるにつれて、キヤパシ
タンスは大となり、プレート間の距離が大きくな
ると、キヤパシタンスは減る。この場合の様にサ
ブ・ユニツトが並列に接続される場合、構造体の
総合キヤパシタンスは個々のサブ・ユニツトのキ
ヤパシタンスの和に等しい。

更に平行プレート・コンデンサに関して、コン
デンサが耐え得る最大電圧は次式で表わされる。

Ｖ＝Ｄ・ｔ ここで、Ｖは構造体が破壊する事なく耐えうる
最大電圧を、Ｄは誘電材の絶縁耐力を、ｔはプレ
ート間の誘電体の厚さを示す。

この式が示す様に、誘電体の厚さが増すと、コ
ンデンサが耐えうる最大電圧が増す。よつて、第
１図の構造体では、最大電圧レーテイングは活性
プレート間の誘電体の厚さに依存する。

上記の様に、構造体１は３種の異つたプレー
ト・タイプを有する。それらのプレート・タイプ
はＡ、Ｂ、Ａ、Ｃ、Ａ、Betcの順序で本体の長
さ方向に間隔を置いて配置される。この配列に於
いては、２つの異なる電圧レーテイングの２つの
異なるキヤパシタンスが、同じプレート・タイプ
の対応するプレート・タブを相互接続することに
よつて形成される。

第１のキヤパシタンス及び電圧レーテイングを
有するコンデンサはプレート・タイプＡ及びＢを
一体に取扱かう事によつて、第２のコンデンサは
プレート・タイプＡ及びＣを一体に取扱かう事に
よつて形成することができる。プレート・タイプ
の配置によつて、並列方式でプレート・タイプＡ
及びＢを用いるコンデンサは第１のキヤパシタン
ス及び電圧レーテイングを有し、同様にしてプレ
ート・タイプＡ及びＣを用いるコンデンサは、ユ
ニツトABの1/2のキヤパシタンスに等しい第２
のキヤパシタンス・レーテイングを有するが、ユ
ニツトABの２倍の電圧レーテイングを呈する。
前記の様に、プレート面積及び誘電材が一定であ
ると、プレート間の距離が増加するにつれて、電
圧レーテイングは比例して増加し、キヤパシタン
ス・レーテイングは反比例して減る。第１図に示
される様に、プレート・タイプＡ及びＢ間の距離
は１ユニツト分すなわちシート４の１枚分の厚さ
である。プレート・タイプＡ及びＣ間の距離は２
ユニツト分すなわちシート４の２枚分の厚さであ
る。従つて、AB及びACコンデンサにおいて等
しい数のプレートが接続される場合、プレート間
の距離のみが示される結果となる。ACコンデン
サ誘電体におけるＢタイプ・プレートの存在は、
ＢプレートがACコンデンサを用いる回路から電
気的に絶縁される場合、好ましくない効果は認め
られないという事実が見出された。コンデンサが
プレートBCを組合わせる事によつて定められる
場合、それはABのプレートに等しい値即ち１ユ
ニツトの誘電体厚さに等しい値である事に注目さ
れたい。更に、第１図の構造体においては、全て
の同様のプレート・タイプが一体に接続されるの
で、コンデンサ、例えばAA、BB、CCを形成す
るために同じプレート・タイプを選択的に配列す
ることによつて、あるいは誘電体厚さを変化させ
るために同じプレート・タイプの或る対応するタ
ブを除く事によつて形成しうるコンデンサに関し
ては何の配慮もなされていない。

種々のレーテイングのコンデンサの最終的な形
成プロセスは図示されない多層セラミツク
（MLC）基板上にコンデンサ構造体１をマウント
することによつて行なわれる。MLC基板は、構
造体１を結合させるべきICに対して種々のコン
デンサ・バスを接続するのに必要な配線素子を含
む。MLC基板の細部及び構造体１の結合に関し
ては、前記の特開昭57−28348号公報を参照され
たい。

MLC基板に構造体１を装着する技術は第２図
に示される様に半田ボール１３を用いる事によつ
て助長される。半田ボール１３は構造体１の共通
表面１１に配置され、MLC基板の相互接続パタ
ーンに対してバス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを電気
的に接続する。更に構造体１がMLC基板に結合
される場合に半田の流動体を閉じ込めるために、
層１４の形の半田ダムが共通面１１に設けられ
る。層１４は半田ボールをぬらさない、即ち、粘
着しない例えば通常の方法で面１１に塗布された
ポリイミドの層の様な材料で作られる。

第２図に示される様に、層１４はキヤビテイ基
部１６において下方の相互接続バスを露出させる
様に層を通して伸びるキヤビテイ１５の配列を呈
する様にパターンが形成される。層１４における
キヤビテイ１５のパターンは構造体の“フツト・
プリント（足跡）”と称せられ、MLC基板上の適
当な位置に半田ボールを配置し、それを正しく相
互接続する様に設計される。キヤビテイ１５は通
常のマスク及びエツチング技術を用いる事によつ
て層１４内にパターン状に形成される。好ましい
態様においてはUSP4004044の明細書に示される
いわゆるリフトオフ・プロセスが用いられる。

前述の様に、VLSI ICチツプの寸法、速度及
び低コストの利点を保持するために、設計者は小
型で高速動作の可能な、その様なチツプと共に用
いうる単体のコンデンサを求めてきた。この目的
を達成するために前記特開昭公報に示される発明
の発明者は第１図及び第２図に関連して示した多
層共通面成端型コンデンサ構造体を提案した。し
かしながら、前に指摘した様に、上記特開昭公報
の構造体を用いる事によつて可能な寸法の十分な
縮小を実現する際に実用上の困難に遭遇した。

具体的には、寸法を最小にするために、設計者
は本体２の幅の方向に見て、プレート・タブの幅
をできるだけ小さくし、本体２の幅方向に見てプ
レート・タブをできるだけ密接して配置する事を
求めてきた。プレート・タブの寸法及び開隔のこ
れらの縮小は構造体１の幅を最小化するために研
究されてきた。

しかしながら、残念ながらタブの幅及び間隔が
減じられるにつれて、破壊電圧がプレート誘電体
の破壊電圧より低くなる極近接点を避ける様にタ
ブ及び相互接続バスを配置するのが困難になる。
１つのプレート・タイプのタブと他のプレート・
タイプのバスとの間の間隔がコンデンサ・プレー
ト間の誘電体の厚さに等しいかあるいはより小で
ある場合、ユニツトの破壊電圧は上記近接点が維
持できる電圧となる。もしも同じプレート・タイ
プの対応するプレート・タブが本体の長さ方向に
整列されないならば、或るプレート・タイプのバ
スが形成される場合、他のプレート・タイプの１
あるいはそれ以上のタブに対してそれらのバスが
極めて近接した状態となりうる。この場合は、構
造体の最大動作電圧が誘電体の長さによつて決ま
る最大動作電圧よりも低くなることが起こり得
る。

プレート・タブの不整合はいくつかの原因から
生じる。個々の誘電シートにおいてプレート・タ
ブの正確に配置し、焼成されない状態で対応する
タイプのプレート・タブを構造体の長さの方向に
整列される様にシートを結合する事は困難である
事が分つた。この問題はグリーン・セラミツクが
焼成される場合の構造体の収縮によつて更に悪化
する。構造体は焼成の際に全ての次元において不
規則な収縮を生じるのが普通である。この収縮は
実質上制御不能であつて、タブの累加的不整合を
生じる。更に、共通面１１において相互接続バス
を形成するためのプロセスにおける精度上の限界
によつて、同じプレート・タイプの対応するプレ
ート・タブのための相互接続バスを中心線に於い
て正確に配置する事が困難である事が分つた。こ
れによつて、所定のタブ中心線の一方もしくは他
方の側へのバスの歪曲が生じる。

この整列に関連する困難性は、典型的なタブ幅
が約0.1mmないし0.18mm（４ミルないし７ミル）
で、交互のプレート・タイプのタブ中心間の距離
が約0.2mmないし0.25mm（８ミルないし10ミル）
であるものを実際に作る場合を考えるとより容易
に理解しうるであろう。更に、好ましい態様にお
いて短絡バスの幅は典型例として約0.13mmないし
0.18mm（５ミルないし７ミル）である。毛髪の直
径がおよび0.38mm（15ミル）である事を考える
と、タブ及び短絡バスは毛髪の1/3のオーダーで
あつて、従つてそれらの配置及び整列が重大な問
題を呈する事が理解できる。

第３図は構造体１の部分を示す図である。電圧
レーテイングを減じるプレート・タブの不整列状
態が図示されている。第１図及び第３図に示され
る様に、個々のプレート・タイプ５Ａ，５Ｂ，５
Ｃのプレート・タブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃが本体２の
幅方向に配列されており、プレート・タイプ５
Ａ，５Ｂ，５Ｃが本体の長さ方向に配置されてい
る。本体の長さ方向に配置されたプレート・タイ
プの各行がないしで示されている。更に第１
図及び第３図には、夫々タブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃを
相互に接続すべく本体の長さＬの方向に伸びる相
互接続バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが示される。

第３図において、タブ及びバスのための設計位
置が破線で示され、不整合状態のタブ及びバスの
実際の位置が実線で示される。第３図に示される
様に、タブ及びバスが設計位置からずれる場合、
あるタイプのタブと他のプレート・タイプのバス
との距離はコンデンサ・プレート間の誘電体の厚
さよりも小となりうる。この例が行及び行に
おいて示される。行において、タブ８Ａ１がバ
ス１２Ｂ１に近接し、行において、タブ８Ａ２
がバス１２Ｃ１に近接している。図示される様
に、Ａプレート・タブとＢ及びＣバスとの間の距
離はAB及びACプレート組合せの間の誘電体の
厚さよりも小である。その結果AB及びACコン
デンサの最大動作電圧が減じる。タブ及びバスの
不整合から生じる最大動作電圧における潜在的な
減少を回避するために、本発明の教示するところ
は種々のプレート・タイプのタブ及びバスを整列
及び分離するためにコンデンサ本体の共通成端面
に溝部を設けることにある。

本発明による改良された構造体が第４図に示さ
れる。図示される様に、第１図及び第２図に示さ
れる構造体に対応する改良された構造体の要素に
は同様の参照番号を用いている。従つて改良され
た構造体１００は多重セクシヨン３からなる本体
２によつて示される。セクシヨン３は絶縁シート
４Ａ，４Ｂ，４Ｃを有している。それらのシート
は夫々主要面６Ａ，６Ｂ，６Ｃを有し、これらの
主要面においてコンデンサ・プレート５Ａ，５
Ｂ，５Ｃが中心線に関して配置されている。図示
される様に、プレート５Ａ，５Ｂ，５Ｃには夫々
タブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃが設けられている。特開昭
公報に示される前出の構造体における様に、改良
された構造体のプレート５Ａ，５Ｂ，５Ｃには複
数のタブが設けられ、その数及び位置が個々のプ
レートのタイプを定義する。前出の構造体におけ
るように、プレート・タイプは本体の長さ方向に
交互に配置され、個々のプレート・タイプのタブ
は本体の幅方向に交互に配置されている。前出の
構造体におけるように、プレート５Ａ，５Ｂ，５
Ｃ及びシート４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、全てのプレー
ト・タブが露出する共通成端面１１を構成する様
に整列され、組合わされる。

改良構造体１００の場合、本体の幅方向に異な
るプレート・タイプのタブ間に位置する溝部１７
が共通面１１に設けられる。第４図に明確に示さ
れる様に、溝部１７は本体２の長さ全体にわたつ
て伸びている。更に、溝部１７は本体の幅方向に
みて異なるプレート・タイプのタブ間の空間を埋
める様な寸法を有する。この様に溝部１７を配列
することによつて、設計位置からずれたプレー
ト・タブの部分を消滅させる。従つて、溝部１７
は本体２の長さに沿つて伸びるので、対応するタ
ブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃの残りの部分２１Ａ，２１
Ｂ，２１Ｃを本体の幅方向に整列させる様に働ら
く。溝部１７はずれたタブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃの幅
を減じる働らきをする。従つて、溝部形成技法は
タブのずれがタブ幅より小さい場合に有効であ
る。これからして、溝部形成技法の有効性の範囲
を伸ばすために本発明の他の特徴点はプレート・
タブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃの幅を本発明が用いられな
い場合の幅よりも大ならしめる事にある。この様
にして、適当な幅のタブ残部は設計上のタブ境界
内に見出しうる。換言するならば、タブ幅が増大
すると、より多量のずれを補正する事ができるの
である。しかしながら、ずれを補正するための溝
部形成の可能性及び増大されたタブ幅の増強効果
に関する限度が存在する。具体的に言うと、タブ
のずれが本体の幅方向に大き過ぎ、隣接するプレ
ート・タイプのタブの設計境界と交差する場合、
そのずれを補正することができないのである。溝
部は設計上のタブ位置の間の材料のみを除去する
様に配置され、寸法が与えられるので、もしもあ
るプレート・タイプのタブが他のプレート・タイ
プの通常の境界内へずれるならば、ずれたタブの
部分は溝部形成後に隣接するプレート・タブ境界
内に残るであろう。従つて、タブ残部が相互接続
されるとずれたタブ残部はコンデンサ構造体をシ
ヨートさせた状態のままになる。

溝部の寸法を関する他の考慮すべき点は、溝部
が耐えうる最大電圧が、プレート間の誘電体厚さ
が耐え得る電圧よりも大となる様に溝部の幅を十
分大きくする事である。溝部の幅は溝部に面する
様に用いられる絶縁材の特性に依存して変動しう
る。例えば、溝部が被覆されないままにされる場
合、所定の溝部の幅に関する結果的な空気の誘電
体が第１の最大耐電圧を呈する。もしも溝部がよ
り高い誘電力の例えばポリイミドの様な絶縁材で
被覆されるならば、同じ幅の溝部に対する最大耐
電圧はより高くなるであろう。従つて、もしも絶
縁媒体の誘電力が増すならば、溝部の幅を減じる
ことができる。

最大動作電圧における減少は相互接続バスに対
するプレート・タブの接近によつて生じるので、
バスが配置される共通面１１の表面において最大
の感度が呈せられる。従つて、もしも露出したプ
レート・タブ及び異なるプレート・タイプの最も
近いバスの接近の防止するに十分な寸法の深さを
溝部が有するならば、溝部の深さは厳格ではな
い。好ましい態様において、溝部１７の深さはそ
の幅と略等しい寸法を有する。

溝部１７はプレート・タブの設計位置のいずれ
の側にも位置するので、溝部が形成される場合、
個々のプレート・タブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃに関して
メサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃができる。そ
の様に形成されたメサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１
８Ｃは個々のプレート・タブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃに
関して本体の幅方向における境界を画定する。即
ち、溝部がプレート・タブの横方向の伸びた部分
と遭遇して成端させると、溝部は同じプレート・
タブに対応するタブを本体の長さ方向に整列させ
る。更にこの整列によつて設計者の考えた面１１
上の各目上の境界内に個々のプレート・タブの残
部２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃが形成される。

メサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃは、第４図
及び第５Ｄ図に示される様にプレート・タブ８
Ａ，８Ｂ，８Ｃの残部２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃが
露出される個々の上部表面２０Ａ，２０Ｂ，２０
Ｃを有する。表面２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃの上部
及びタブ残部２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃに関して、
バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃが夫々配置される。

本発明の好ましい一態様に於いて、絶縁層１４
の形の半田でぬれない媒体である半田ダムが溝部
１７、バス・グループ１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを
覆つて共通成端面１１上に設けられる。前出の構
造体におけるように、絶縁層１４は例えば通常の
方法で塗布されるポリイミドの層でもよい。前出
の構造体の様に、通常の技法によつてバス１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上にキヤビテイ１５（キヤビ
テイは個々のバスが露出される基部１６を有す
る）が位置する様に層１４にパターンが形成され
る。キヤビテイ１５は構造体１００がMLC基板
上にとりつけられる時の半導体の流動を閉じこめ
るべく半田ボール１３を受け入れる様に形成され
る。前出の構造体における様に、層１４における
キヤビテイ１５のパターンは個々のバス１２Ａ，
１２Ｂ，１２Ｃ及びそれらのプレート・タイプ５
Ａ，５Ｂ，５ＣをMLC基板へ適当に結合し、コ
ンデンサ・ユニツトが完全に形成される様に設計
される。

第５Ｄ図は第４図のＡ−Ａ線に沿う構造体１０
０の断面図であつて、メサ構造体１８Ａ１，１８
Ｂ１，１８Ａ２及び１８Ｃ１を示す。図示される
様に、タブの残部２１Ａ１，２１Ａ２が、夫々バ
ス１２Ａ１，１２Ａ２に接するメサ構造体の表面
２０Ａ１，２０Ａ２に於いて露出される。更に第
５Ｄ図において、半田ダム層１４が表面１１及び
バス１２Ａ１，１２Ｂ１，１２Ａ２及び１２Ｃ１
を覆つている。しかしながらバス１２Ａ１，１２
Ａ１はバスが半田ボール１３と接するキヤビテイ
１５の基部１６において部分的に露出される。更
に第５Ｄ図に示される様に、半田ボール１３は層
１４の上部表面よりも上につき出ている。前記の
様に、キヤビテイを有する層１４は構造体１が基
板にとりつけられる際の半田流動体に対するダム
として働らく。

更に他の本発明の好ましい実施例が第６Ａ図な
いし第６Ｃ図に示される。この場合も同じ様な素
子は同じ参照番号を用いる。第６Ａ図ないし第６
Ｃ図の実施例の場合、リード・フレーム２４が構
造体の半田ダムを支持するための広い基部を形成
するために用いられる。タブの幅及び間隔が構造
体１００の幅を縮めるために減じられる場合、半
田ボール１３のための半田ダムを収容すべくバス
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上に拡げられた基部を設
けることが望ましい。更に、その様なフレームは
寸法を減じられたメサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１
８Ｃの取り扱かい及びそれらに対する配列の容易
さを助長する。

好ましい態様において、第６Ｂ図に示される様
に、リード・フレーム２４は長さＬ、幅Ｗ及び厚
さＴを有する全体として矩形をしており、構造体
１の共通面１１上に設けられる。リード・フレー
ム２４は、フレームの幅の方向に間隔を置いて配
置された、フレームの長さ方向に伸びる全体とし
て矩形の一連のスロツト２５を有する平坦なプレ
ートである。スロツト２５はフレームの長さ方向
にフレーム２４内において中心合わされ、それら
の長さがフレーム２４の長さを越えない様な寸法
を有する。従つて、フレーム２４のパラメータの
範囲においてフレームのエプロン部２４Ｄが画定
される。フレーム２４の幅の方向におけるスロツ
ト２５の間隔によつて、フレーム素子２４Ａ，２
４Ｂ，２４Ｃがフレーム２４の本体内に画成され
る。フレーム素子２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃはフレ
ームのエプロン部２４Ｄによつて結合される。

組立体において、フレーム素子２４Ａ，２４
Ｂ，２４Ｃが夫々バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの
上部に配置され、その上において中心合わせさ
れ、第６Ｃ図に明示される如く、スロツトが溝部
１７の上で中心合わせされる様に、フレーム２４
が共通面１１上に設けられる。フレーム素子２４
Ａ，２４Ｂ，２４Ｃは、バス１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃを有するメサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ
よりもおよそ50％幅広となる様な寸法を有する。
結果として、素子２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃは、バ
ス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上で中心合わせされる
場合、夫々メサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃの
境界を与える溝部１７内へ伸びる。フレーム素子
２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃは夫々バス１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃの幅を越えて伸びる寸法を有するの
で、従つてスロツト２５は溝部１７の幅よりせま
い幅の寸法となる。好ましい実施例において、ス
ロツト２５は溝部１７の幅のおよそ50％に等し
い、構造体２の長さよりもおよそ10％長い寸法を
有する。

フレーム素子２４は銅合金でもよい。合金は所
望の物理的電気的特性に依存する。フレーム素子
２４は例えばろう接すなわち半田ボール１３の融
点より高い融点の高温鉛−錫半田によつて通常の
技法を用いてバス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃへ結合
される。

フレーム２４が構造体１に結合されると、独立
した、切り離されたフレーム素子２４Ａ，２４
Ｂ，２４Ｃができる様にフレーム・エプロン部２
４Ｄをトリミングする。次に、第６Ｃ図に示され
る様に、半田ダム層１４がフレーム部へ被覆さ
れ、他の実施例と同様にして、半田ボール１３を
受け入れるための、フレーム素子を露出させる基
部１６を有するキヤビテイ１５を形成するために
通常の技術を用いてパターンが形成される。半田
ダム材はポリイミドの様な絶縁層もしくは例えば
クロームの様な金属層である。半田ボール１３は
リード・フレーム素子２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃに
接触し、絶縁層１４の上部表面より上へ突出する
様にキヤビテイ１５内に設けられる。この構成に
よつて、構造体１００が前述の様にして基板へマ
ウントされる。

フレーム２４を取りつけた後に半田ダムを形成
する代りに、フレームをコンデンサ本体にボンデ
イングする前に半田ダム層１４をリード・フレー
ム上に形成してもよい。この代替案を用いる場
合、半田ダムはフレームを本体２へボンデイング
するプロセスに耐える様に選択しなければならな
い。

本発明の更に他の実施例を第７Ａ図ないし第７
Ｇ図に示す。再び前述の実施例の場合の様に、共
通の要素が同様にして指定されている。第７Ａ図
ないし第７Ｇ図に示す実施例において、構造体に
は前述の実施例と同様にして溝部１７及びメサ構
造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃが設けられている。
しかしながら第７Ａ図ないし第７Ｇ図の実施例に
おいては、第１層の絶縁体２６は共通面１１の上
に付着されて示される。第１絶縁層２６は溝部１
７を満たす様に配置される。しかしながら、絶縁
層２６は、個々のメサ構造体の上部表面２０Ａ，
２０Ｂ，２０Ｃが露出され、バス１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃの形成のためのメタライゼーシヨンを
受け入れうる様にメサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１
８Ｃの領域においてパターンが形成される。他の
実施例における様に、メサ構造体の最上部２０
Ａ，２０Ｂ，２０Ｃにおけるバス１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃは個々のメサ構造体の境界内に配置さ
れるプレート・タブの残部２１Ａ，２１Ｂ，２１
Ｃと接触する。

第７Ｇ図に示される様に、構造体１００は半田
ダム層（例えば非半田金属層）１４を有する。こ
れは第１の絶縁層２６及び相互接続バス１２Ａ，
１２Ｂ，１２Ｃ上に配置された、通常の技法で設
けた第２の絶縁層である。他の実施例の様に、半
田ダム層１４は相互接続バス１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃが露出される基部１６を有するキヤビテイ１
５を含む様に通常の技法を用いてパターンが形成
される。キヤビテイは、バス１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃと接触し且つMLC基板へ構造体をマウント
しうる様に半田ダム層１４の上部表面よりもつき
出た半田ボール１３を受入れうる様に形成され
る。半田ダム層１４は個々の相互接触バス１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの上に配置されるキヤビテイ
を有するパターンを形成された金属層であつても
よい。

第７Ａ図ないし第７Ｇ図の実施例において、第
１の絶縁層は例えばスパツタリング等の任意の付
着プロセスによつて溝部１７内に形成された二酸
化シリコンであつてもよい。第２の絶縁層１４は
通常のマスク及びエツチング技法を用いてパター
ン形成された、通常の方法で被覆したポリイミド
の層であつてもよい。また金属半田ダム層は通常
の技法でパターンが形成されたクロムであつても
よい。

本発明に従つて、上記実施例を形成する為の好
ましい方法が存在す。第５Ａ図ないし第５Ｄ図に
示される実施例の場合において、この構造体を形
成する好ましい方法は、まずコンデンサ本体を形
成し、共通面１１にメタライゼーシヨンの層をブ
ランケツト付着し、同じプレート・タイプ５Ａ，
５Ｂ，５Ｃの対応するタブ８Ａ，８Ｂ，８Ｃを本
体の長さ方向に整列させる様に共通面１１におい
て溝部１７を形成し、同時にメサ構造体１８Ａ，
１８Ｂ，１８Ｃ及び相互接続バス１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃを画成し、次いで溝部１７及びバス１
２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの表面を覆う様に面１１に
おいて絶縁層として半田ダムを形成し、続いてバ
スを露出される基部を有するキヤビテイ１５をバ
ス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上に形成する様に絶縁
層１４にパターンを形成し、半田ボールが個々の
バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃと接触し且つ層１４
の表面より上につき出る様にキヤビテイ１５内に
半田ボール１３を付着させるステツプを含む。

更に具体的には第５Ａ図ないし第５Ｄ図に示さ
れる実施例の本体２は例えばチタン酸バリウムの
様な未焼結セラミツク材のグリーン・シート（生
シート）を調整することによつて形成される。シ
ートの形成を続いて、公知の方法によつてそのシ
ート上に所望のパターン及び寸法の例えば銀の金
属ペーストの層をスクリーニングする事によつて
コンデンサ・プレートを設けることができる。次
にプレートが形成された所望のパターン及び寸法
のコンデンサ・セクシヨンがシートから打ち抜か
れ、所望の方向に向けられ、焼成された本体２を
形成する様加熱、加圧されて相互に結合される。

その代りに、コンデンサ本体は順次セラミツ
ク・スラリーの層を所望の幅及び高さのモールド
に注ぎ込み、乾燥させ、次いで例えばスクリーニ
ング技能を用いて金属プレートを設ける事によつ
て形成することができる。構造体に関して所望の
長さが達成されるまで後の層も同様の方法で形成
される。次の結合された層を焼結した本体を形成
すべく焼成する。

セラミツク・コンデンサ本体を形成するための
上記の諸方法はコンデンサ製造技術の分野に於い
て公知の技術であつて、本発明の一部でない事を
理解されたい。

本体２の形成に続いて、通常の技法によつてコ
ンデンサの面１１にメタライゼーシヨンの層が付
着される。例えばその層は面１１全体にクロム、
銅及びクロムもしくは他の基板合金を順次真空蒸
着する事によつて形成される。

メタライゼーシヨンがブランケツト付着された
のち、面１１に溝部が形成される。溝部１７は例
えば表面の所望個所に於いて所望の幅及び深さに
鋸歯手段を用いて形成される。そのために、水冷
式の研磨ホイールを用いる事ができる。

鋸歯手段によつて溝部がほられた後、溝部形成
時に生じた損傷をいやすために構造体をアニール
する。

鋸歯手段の代りに、共通面１１を超音波研磨に
よつて溝部を形成してもよい。超音波研磨の場
合、歯が所望の溝部の位置及び寸法に対応したく
しの形をした研磨手段が共通面１１に配置され、
研磨スラリーが供給される間に超音波駆動され
る。研磨は所望の溝部の深さが達成されるまで所
定の時間にわたつて続けられる。

次に、面１１に例えばポリイミドの絶縁材の層
の形状に半田ダムが設けられる。ポリイミドはメ
サ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ及び溝部１７の
表面上を被覆する様に、例えばスプレーもしくは
浸漬法によつて塗布される。

半田ダム１４の形成後通常のエツチング技法に
よりキヤビテイ１５を形成する様パターンが作ら
れる。キヤビテイ１５はバス１６と共に形成され
たバス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ上の層１４内に配
置され、バスを露出させる。キヤビテイを有する
パターンを形成するために、通常のリフト・オ
フ・マスキング技法を用いることができる。その
後で、バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに接触する様
に、また半田ダム層１４の表面からつき出る様に
キヤビテイ１５内に半田ボールを付着する。

第６Ａ図ないし第６Ｃ図に示される実施例の場
合、溝部１７、メサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８
Ｃ及び相互接続バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは実
質的に第５Ａ図ないし第５Ｂ図に示される実施例
に関連して示された様に形成される。しかし、溝
部、メサ構造体及び相互接続バスの形成に続い
て、上記のリード・フレーム２４が共通面１１に
配置され、夫々バス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃにボ
ンデイングされる。フレーム２４は例えば半田ボ
ール１３の融点より高融点の鉛−錫半田でもつて
ろう接する事によつてバス１２Ａ，１２Ｂ，１２
Ｃへボンデイングされる。ボンデイングされたの
ち、第６Ｂ図に示される様にリード・フレーム・
エプロン部２４Ｄがバス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ
上に個々のフレーム素子を残す様にトリミングさ
れる。エプロン２４Ｄは例えば剪断によつてトリ
ミングされる。次に、夫々フレーム素子２４Ａ，
２４Ｂ，２４Ｃ上に絶縁層もしくは金属層として
半田ダム層を設けるために通常のマスク及びエツ
チング技法が用いられる。続いてリード・フレー
ム素子２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ上にこれらを露出
させる基部を有する層１４内にキヤビテイ１５を
層１４内に形成するパターン形成プロセスが行な
われる。キヤビテイ１５の形成に続いてリード・
フレーム素子２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃに接触し、
層１４の上部表面から突出する半田ボール１３を
設ける。その代りに、半田ダム層１４はフレーム
２４がコンデンサ本体上にマウントされる前に、
フレーム２４上に形成されてもよい。この手法は
整列及び処理上の困難を緩和する利点を有する。

第７Ａ図ないし第７Ｇ図に示される実施例に関
して、その好ましい形成方法は次の通りである。
セラミツク本体の形成に続いて、第５Ａ図ないし
第５Ｄ図及び第６Ａ図ないし第６Ｃ図に示される
実施例に関して説明した様にして溝部１７が共通
面１１に形成される。但し第７Ａ図に示される様
にバス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを形成するために
用いられるメタライゼーシヨン層のブランケツト
付着前に形成される。溝部１７及び結果として生
じるメサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃの形成に
続いて、二酸化シリコンの様な第１の絶縁材の層
が、溝部１７を満たしメサ構造体の表面２０Ａ，
２０Ｂ，２０Ｃを被覆する様に、共通面１１上に
形成される。第１の絶縁層は例えばスパツタリン
グによつて、二酸化シリコンでもつて形成され
る。

第１絶縁層２６の形成に続いて、例えばイオ
ン・ミリングあるいはグラインデイングによつて
第７Ｂ図に中間構造体を形成する様に層が平坦化
される。次に、メサ構造体１８Ａ，１８Ｂ，１８
Ｃ及び個々のプレート・タブ残部２１Ａ，２１
Ｂ，２１Ｃの上部表面２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを
露出させる様に、通常のマスク及びエツチング技
法を用いて絶縁層２６にパターンを形成する。そ
の結果を第７Ｃ図に示す。次いで、例えばクロ
ム、銅、クロムのメタライゼーシヨン層が、第７
Ｄ図の中間構造体を形成すべく個々のメサ構造体
１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃの露出した表面２０Ａ，
２０Ｂ，２０Ｃに於いて通常の技法を用いて付着
される。次に、構造体の上部表面が、第７Ｅ図の
中間構造体を形成する様に、例えば電子ミリング
もしくはグラインデイングの様な通常のプロセス
を用いて再び平坦化される。第７Ｅ図に示される
中間体の形成に続いて、例えばポリイミドの第２
層の絶縁層１４の形に半田ダムが付着される。ポ
リイミドもしくは他の絶縁材の半田ダム層は、第
７Ｆ図の中間構造体を生じる通常の技法を用いて
形成しうる。その代りに、形成された相互接続バ
ス１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの上部表面に局部的に
金属半田ダムのパターンを形成してもよい。最終
的に、前記の構造体の場合の様に、バスを露出さ
せる基部１６を有するキヤビテイ１５を形成する
ために通常の技法を用いて半田ダム層１４にパタ
ーンが形成される。次に相互接続バスに接触し、
前述の様に半田ダム層の上部表面から突出した半
田ボール１３をキヤビテイ１５内に付着させる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は既に提案済みのコンデン
サ構造体を説明する図、第４図は本発明に従う改
良された構造体を説明する図、第５Ａ図ないし第
５Ｄ図は本発明に従う改良された構造体を形成す
るステツプを説明する図、第６Ａ図ないし第６Ｃ
図は本発明の他構造体を形成するステツプを説明
する図、第７Ａ図ないし第７Ｇ図は本発明に従う
構造体の形成ステツプの他の態様を説明する図で
ある。 第４図において１００……改良されたコンデン
サ構造体、２……本体、３……多重セクシヨン、
４Ａ……シート、５Ａ……コンデンサ・プレー
ト、６Ａ……主要面、１１……共通成端面、１２
Ａ１〜１２Ａ５……バス、１２Ｂ１，１２Ｂ２…
…バス、１２Ｃ１，１２Ｃ２……バス、１４……
半田ダム層、１５……キヤビテイ、１６……基
部、１７……溝部、１８Ａ……メサ構造体、２１
Ａ１，２１Ａ２……プレート・タブの残部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ タブを有し、タブの位置と数によつてグルー
   プ分けされた金属プレートを有する複数の誘電性
   シートを形成し、同じグループの金属プレートの
   対応するタブが共通面において積層方向に一列並
   び且つ異なるグループの金属プレートが混在する
   ように上記誘電性シートを積層して、タブの端面
   が上記共通面において露出したコンデンサ本体を
   形成し、各列のタブを相互接続するバスを形成す
   ることを含むコンデンサ構造体の製造方法におい
   て、 上記コンデンサ本体の上記共通面の全面に導電
   層を付着し、タブ列の間に溝を形成して上記相互
   接続バスを形成すると共にタブを整列させること
   を特徴とするコンデンサ構造体の製造方法。