JPS58192415A - ゴム・プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法 - Google Patents
ゴム・プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法Info
- Publication number
- JPS58192415A JPS58192415A JP57075796A JP7579682A JPS58192415A JP S58192415 A JPS58192415 A JP S58192415A JP 57075796 A JP57075796 A JP 57075796A JP 7579682 A JP7579682 A JP 7579682A JP S58192415 A JPS58192415 A JP S58192415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- rubber
- internal
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Processing Of Terminals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂押出成形方法によりゴム・プラスチック絶
縁室カケープルの接続部を形成する改良された方法に関
するものである。
縁室カケープルの接続部を形成する改良された方法に関
するものである。
従来のゴム・プラスチック絶縁室カケープル接続部の形
成方法では、第１図に示すように、（ｌｌ接続すべき２
本のゴム・プラスチック絶縁室カケープル１および１′
の端部をペンシリング状に削ってそれぞれ導体を露出さ
せ、（２）圧縮スリーブ等を使用してこれらの導体を接
続し、（８）この接続した導体２上に導体遮蔽層として
内部半導電層８を形成し、（４）この内部半導電層８の
周囲を金型４で覆った後、金型４と電カケープル本体と
により形成された壁間部５にポリエチレン等の樹脂を押
出機６から押出注入して内部半導電層８上に補強絶縁層
を形成し、接続部の樹脂が冷却した後に金型４を取り除
くことにより接続部を形成していた。
成方法では、第１図に示すように、（ｌｌ接続すべき２
本のゴム・プラスチック絶縁室カケープル１および１′
の端部をペンシリング状に削ってそれぞれ導体を露出さ
せ、（２）圧縮スリーブ等を使用してこれらの導体を接
続し、（８）この接続した導体２上に導体遮蔽層として
内部半導電層８を形成し、（４）この内部半導電層８の
周囲を金型４で覆った後、金型４と電カケープル本体と
により形成された壁間部５にポリエチレン等の樹脂を押
出機６から押出注入して内部半導電層８上に補強絶縁層
を形成し、接続部の樹脂が冷却した後に金型４を取り除
くことにより接続部を形成していた。
しかし従来のように導体遮蔽層である内部半導電層上に
直接樹脂を押出して絶縁層を形成する方法には、内部半
導電層と絶縁層との界面に大きな凹凸が生成する欠点が
あった。この原因は一部半導電層上に押出された樹脂が
冷却固化する際Ｋ、導体の熱伝導度が大きいため導体を
包囲する内部半導電層に到達した樹脂は内部半導電層と
接触する部分でたちまち冷却固化してしまうので、内部
半導電層上の樹脂は均一に固化せず、内部半導電層と絶
縁層との界面に凹凸が生ずるためと考えられる０このよ
うに内部半導電層と絶縁層との界面に凹凸が生ずると、
内部半導電層に突起が生ずることになり、この結果電気
的破壊値が低下するという問題がある。
直接樹脂を押出して絶縁層を形成する方法には、内部半
導電層と絶縁層との界面に大きな凹凸が生成する欠点が
あった。この原因は一部半導電層上に押出された樹脂が
冷却固化する際Ｋ、導体の熱伝導度が大きいため導体を
包囲する内部半導電層に到達した樹脂は内部半導電層と
接触する部分でたちまち冷却固化してしまうので、内部
半導電層上の樹脂は均一に固化せず、内部半導電層と絶
縁層との界面に凹凸が生ずるためと考えられる０このよ
うに内部半導電層と絶縁層との界面に凹凸が生ずると、
内部半導電層に突起が生ずることになり、この結果電気
的破壊値が低下するという問題がある。
本発明の目的は、樹脂を押出注入成形することによりゴ
ム・プラスチック絶縁電カケープル接続部を形成する際
に、内部半導電層に突起が生じ難い接続部の形成方法を
提供することにある。
ム・プラスチック絶縁電カケープル接続部を形成する際
に、内部半導電層に突起が生じ難い接続部の形成方法を
提供することにある。
本発明は、上述のゴム・プラスチック絶縁電カケープル
接続部の形成方法において、第１図および第２図に示す
ように１内部半導電層δ上に予め一次絶縁層７全形成し
ておき、次いでこの上に絶縁層８を押出成形することＫ
よシ、従来法において導体を包囲する内部半導電層上に
押出成形された絶縁層が冷却固化する際に絶縁層の場所
によつ１ ８ １ て異なる熱収縮率によって発生する内部半導電層の凹凸
を防止する。
接続部の形成方法において、第１図および第２図に示す
ように１内部半導電層δ上に予め一次絶縁層７全形成し
ておき、次いでこの上に絶縁層８を押出成形することＫ
よシ、従来法において導体を包囲する内部半導電層上に
押出成形された絶縁層が冷却固化する際に絶縁層の場所
によつ１ ８ １ て異なる熱収縮率によって発生する内部半導電層の凹凸
を防止する。
内部半導電層上に主絶縁層を押出す前に、内部半導電層
上に予め一次絶縁層、特に主絶縁層とベースポリマーを
同一とする一次絶縁層を予め設けておくと、この−次絶
縁層が主絶縁層の熱収縮の緩和層となるので、押出成形
された絶縁層が冷却固化する際に絶縁層の場所によって
異々る熱収縮率のために発生する絶縁層側の溝に内部半
導電層が溶融流動することによる内部半導電層の突起の
生成が防止されるものと考えられる０ 本発明において、−次絶縁層は例えば次の方法によ多形
成することができる： ビ）内部半導電層上に主絶縁層とベースポリマーが同一
であるテープを巻回する。さらに加熱融着させてもよい
０ （ロ） 内部半導電層上に主絶縁層とベースポリマーが
同一である樹脂組成物層を押出成形する。さ ｉらに
加熱融着させてもよい０ ヒ］ 内部半導電層上に主絶縁層とベースポリマ曵
４ ↑ −が同一である樹脂組成物の粉末を一次絶縁層の形状に
充填した後加熱融着させる。
上に予め一次絶縁層、特に主絶縁層とベースポリマーを
同一とする一次絶縁層を予め設けておくと、この−次絶
縁層が主絶縁層の熱収縮の緩和層となるので、押出成形
された絶縁層が冷却固化する際に絶縁層の場所によって
異々る熱収縮率のために発生する絶縁層側の溝に内部半
導電層が溶融流動することによる内部半導電層の突起の
生成が防止されるものと考えられる０ 本発明において、−次絶縁層は例えば次の方法によ多形
成することができる： ビ）内部半導電層上に主絶縁層とベースポリマーが同一
であるテープを巻回する。さらに加熱融着させてもよい
０ （ロ） 内部半導電層上に主絶縁層とベースポリマーが
同一である樹脂組成物層を押出成形する。さ ｉらに
加熱融着させてもよい０ ヒ］ 内部半導電層上に主絶縁層とベースポリマ曵
４ ↑ −が同一である樹脂組成物の粉末を一次絶縁層の形状に
充填した後加熱融着させる。
この−次絶縁層の必要厚さは使用する樹脂の禅類、樹脂
押出量、樹脂温度等の要因によシ異なるので特に限定す
ることはできないが、２’１ＢＫＶ級までの架橋ポリエ
チレン絶縁モールドジヨイントを作成した例から、厚さ
１１ｍ以上であれば充分に内部半導電層の凹凸発生を防
止できることが分っている。また、特に厚さの上限値を
定めるものではないが、７龍程Ｉｆまでが一次絶縁層と
して適当である。
押出量、樹脂温度等の要因によシ異なるので特に限定す
ることはできないが、２’１ＢＫＶ級までの架橋ポリエ
チレン絶縁モールドジヨイントを作成した例から、厚さ
１１ｍ以上であれば充分に内部半導電層の凹凸発生を防
止できることが分っている。また、特に厚さの上限値を
定めるものではないが、７龍程Ｉｆまでが一次絶縁層と
して適当である。
次に本発明を実施例および比較例について説明する。
実施□例 ｌ
接続すべき２本の、ａａｒｖ（ｖケーブル２ ｊｉ ０
ＩＩＩ”の端部ヲペンシリング状に削って導体を露出さ
せ、圧縮スリーブを使用して両者の導体を接続し、この
導体接続部上圧架橋剤配合ポリエチレン（商品名： Ｈ
ＦＤＪＯ５８０、日本ユニカー製）をテープ状に加工し
た半導電性テープを巻回し、加熱融着して内部半導電層
を形成した。
ＩＩＩ”の端部ヲペンシリング状に削って導体を露出さ
せ、圧縮スリーブを使用して両者の導体を接続し、この
導体接続部上圧架橋剤配合ポリエチレン（商品名： Ｈ
ＦＤＪＯ５８０、日本ユニカー製）をテープ状に加工し
た半導電性テープを巻回し、加熱融着して内部半導電層
を形成した。
この内部半導電層上にポリエチレン（商品名：ＮＵＣ−
９・０２１５、日本ユニカー製）をテープ状に加工した
ポリエチレンテープを巻回し、加熱融着させて厚さ１．
５ｍｍの一次絶縁層を形成した。次いでこの一次絶縁層
上にポリエチレン（商品名！ ＮＵＣ−９０２５、日本
ユニカー製）を押出して厚さ８．６鴎の主絶縁層を設け
、接続部を形成した。
９・０２１５、日本ユニカー製）をテープ状に加工した
ポリエチレンテープを巻回し、加熱融着させて厚さ１．
５ｍｍの一次絶縁層を形成した。次いでこの一次絶縁層
上にポリエチレン（商品名！ ＮＵＣ−９０２５、日本
ユニカー製）を押出して厚さ８．６鴎の主絶縁層を設け
、接続部を形成した。
実施例 ２
架橋剤配合ポリエチレン（商品名ｇ ＨＦＤＪ −４８
０１ｇ、日本二二カー製）をテープ状に加工したポリエ
チレンテープを内部半導体上に巻回し、加熱融着させて
一次絶縁層を形成し、かつ主絶縁層として架橋剤配合ポ
リエチレン（商品名： ＨＦＤＪ−４２０１３、日本ユ
ニカー裂）を使用した点を除き、実施例１と同様にして
接続部を形成した。
０１ｇ、日本二二カー製）をテープ状に加工したポリエ
チレンテープを内部半導体上に巻回し、加熱融着させて
一次絶縁層を形成し、かつ主絶縁層として架橋剤配合ポ
リエチレン（商品名： ＨＦＤＪ−４２０１３、日本ユ
ニカー裂）を使用した点を除き、実施例１と同様にして
接続部を形成した。
実施例 ８
架橋剤配合ポリエチレン（商品名： ＨＦＤＪ ＋４２
０１Ｅ、日本ユニカー製）を内部半導電層上に押出して
一次絶縁層を形成し、かつ主絶縁層として架橋剤配合ポ
リエチレン（商品名： ＨＦＤＪ −４２０１Ｅ、日本
！−カー１１！ ）を使用し７？、Ａを除き、実施例１
と同様にして接続部を形成した。
０１Ｅ、日本ユニカー製）を内部半導電層上に押出して
一次絶縁層を形成し、かつ主絶縁層として架橋剤配合ポ
リエチレン（商品名： ＨＦＤＪ −４２０１Ｅ、日本
！−カー１１！ ）を使用し７？、Ａを除き、実施例１
と同様にして接続部を形成した。
比較例１
一次絶縁層を設けずにポリエチレン（商品名：ＮＵＣ−
９０２５、日本ユニカー製）全押出して厚さ１０．０鴎
の絶縁層を設けた点を除き、実施例１と同様にして接続
部を形成した。
９０２５、日本ユニカー製）全押出して厚さ１０．０鴎
の絶縁層を設けた点を除き、実施例１と同様にして接続
部を形成した。
実施例１〜８および比較例Ｉにおいて形成したゴム・プ
ラスチック絶縁層カケ−プルの接続部圧ついて、電気学
会電気規格調査会標準規格ＪＥＣ２０８（１９８０）Ｋ
準じて衝撃耐電圧を測定した。この結果を第１表に示す
。
ラスチック絶縁層カケ−プルの接続部圧ついて、電気学
会電気規格調査会標準規格ＪＥＣ２０８（１９８０）Ｋ
準じて衝撃耐電圧を測定した。この結果を第１表に示す
。
第１表
第１表から、内部牛導電層上に予め一次絶縁層を形成し
た後に主絶縁層を押出成形することにより形成されるゴ
ム・プラスチック絶縁層カケ−プルの接続部の電気特性
は、−次絶縁層の存在しない従来構造のものと比べて極
めて良好であることが判る。
た後に主絶縁層を押出成形することにより形成されるゴ
ム・プラスチック絶縁層カケ−プルの接続部の電気特性
は、−次絶縁層の存在しない従来構造のものと比べて極
めて良好であることが判る。
第１図は本発明方法に使用する装置の一例の断面略図、
第２図は本発明方法により形成した絶縁電カケープル接
続部諷〜への一例の断面略図である０１．１′・・・絶
縁層カケープル、 ２・・・接続した導体、８・・・内
部牛導電層、４・・・金型、６・・・空間、６・・・押
出機、７・・・−次絶縁層、８・・・主絶縁層０町 ｋ ・８ 。
続部諷〜への一例の断面略図である０１．１′・・・絶
縁層カケープル、 ２・・・接続した導体、８・・・内
部牛導電層、４・・・金型、６・・・空間、６・・・押
出機、７・・・−次絶縁層、８・・・主絶縁層０町 ｋ ・８ 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １（１）接続すべき２本のゴム・プラスチック絶縁室カ
ケープルの端部をペンシリング状に削って導体を露出さ
せ、（２）該導体を接続し、（８）核接続した導体上に
内部半導電層を形成し、（４）該内部半導電層の周囲を
金型で覆った後該金型と上記電カケープル本体とにより
形成された空間部忙樹脂を押出注入して上記内部半導電
層上に絶縁層を形成することによりゴム・プラスチック
絶縁室カケープル接続部を形成するに浩り、 上記内部半導電層上に予め一次絶縁層を形成した接に主
絶縁層を押出成形することを特徴とするゴム・プラスチ
ック絶縁室カケープル接続部の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075796A JPS58192415A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | ゴム・プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075796A JPS58192415A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | ゴム・プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192415A true JPS58192415A (ja) | 1983-11-09 |
Family
ID=13586519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075796A Pending JPS58192415A (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | ゴム・プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192415A (ja) |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP57075796A patent/JPS58192415A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0132730B2 (ja) | ||
| JPS58192415A (ja) | ゴム・プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法 | |
| JPS5810385A (ja) | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 | |
| JP2789583B2 (ja) | ケーブル接続部の成形方法 | |
| JPS59198816A (ja) | ケ−ブル接続部の形成方法 | |
| JPS5810384A (ja) | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 | |
| JPS58192424A (ja) | プラスチツク絶縁ケ−ブル接続部 | |
| JPH0510012B2 (ja) | ||
| JPS59139585A (ja) | ゴム・プラスチック絶縁ケーブル接続部の補強絶縁層成型方法 | |
| JPS6337947B2 (ja) | ||
| JPS581985A (ja) | 架橋ポリオレフインケ−ブル接続部の製造法 | |
| JP3139719B2 (ja) | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケーブルの接続方法 | |
| JPS6231315A (ja) | 絶縁ケ−ブルの接続部形成方法 | |
| JPS5859025A (ja) | 架橋ポリエチレン絶縁ケ−ブル接続部の製造法 | |
| JPS6057657B2 (ja) | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 | |
| JPS5810386A (ja) | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 | |
| JPS5858812A (ja) | プラスチツク絶縁電力ケ−ブル接続部の形成法 | |
| JPS6116486A (ja) | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブル接続部の形成方法 | |
| JPS6142383B2 (ja) | ||
| JPS6155879A (ja) | ケ−ブル接続部の形成方法 | |
| JPS59171483A (ja) | ポリオレフイン絶縁ケ−ブル用接続部製作時の加熱方法 | |
| JPS61243674A (ja) | ケ−ブル接続部内部半導電層の形成方法 | |
| JPS6180779A (ja) | プラスチツク絶縁ケ−ブルの押出モ−ルド接続部 | |
| JPS6260419A (ja) | 架橋ポリエチレン絶縁電力ケ−ブルの接続部の形成方法 | |
| JPS60211782A (ja) | プラスチツク絶縁ケ−ブルの押出モ−ルド接続部 |