JPS5810385A - 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 - Google Patents
絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法Info
- Publication number
- JPS5810385A JPS5810385A JP56107262A JP10726281A JPS5810385A JP S5810385 A JPS5810385 A JP S5810385A JP 56107262 A JP56107262 A JP 56107262A JP 10726281 A JP10726281 A JP 10726281A JP S5810385 A JPS5810385 A JP S5810385A
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- JP
- Japan
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- mold
- cable
- insulated cable
- inert gas
- insulating material
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- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Processing Of Terminals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はゴムまたはプラスチック絶縁ケーブルの接続部
の形成方法に関する。
の形成方法に関する。
ゴムまたはプラスチック絶縁ケーブルはしばしば複数本
を接続して使用されるが、接続による電気的特性の劣化
は、特に極めて高い電圧に対して使用される場合に重大
な問題となる。この問題を解決するために、その接続部
は従来においてはケーブル端部の導体を露出し、その導
体を１ト続した後にその導体接続部上に内部半導電層お
よび補強用の絶縁層を設け、これを加圧下で加熱するこ
とによりケーブルの絶縁層とこの１１（ｉ強絶縁層を一
体化して形成されている。この補強用の絶縁層はケーブ
ルの電気的特性の信頼性を損うことのないようにそして
接続部自体の寸法を出来るだけ小さく出来るようにケー
ブルの絶縁月享２１と同じがあるいは少くともそれに類
似する材料を用いてモールドにより形成されるのが一般
的でル）ろ。
を接続して使用されるが、接続による電気的特性の劣化
は、特に極めて高い電圧に対して使用される場合に重大
な問題となる。この問題を解決するために、その接続部
は従来においてはケーブル端部の導体を露出し、その導
体を１ト続した後にその導体接続部上に内部半導電層お
よび補強用の絶縁層を設け、これを加圧下で加熱するこ
とによりケーブルの絶縁層とこの１１（ｉ強絶縁層を一
体化して形成されている。この補強用の絶縁層はケーブ
ルの電気的特性の信頼性を損うことのないようにそして
接続部自体の寸法を出来るだけ小さく出来るようにケー
ブルの絶縁月享２１と同じがあるいは少くともそれに類
似する材料を用いてモールドにより形成されるのが一般
的でル）ろ。
そのような絶縁材料を用いてのモールド゛は一般に導体
接続部上に内部半導電層を例えば半導電性テープを巻回
するかあるいは半導箱、外熱収縮チューブを加熱収縮さ
せて設けたものを金型内に配置し、適当な加熱装置によ
り金型を所定温度まで予熱した後例えば押出機により、
適当な温１ｆｆＫ加熱された絶縁材料を注入成形して行
われろ。
接続部上に内部半導電層を例えば半導電性テープを巻回
するかあるいは半導箱、外熱収縮チューブを加熱収縮さ
せて設けたものを金型内に配置し、適当な加熱装置によ
り金型を所定温度まで予熱した後例えば押出機により、
適当な温１ｆｆＫ加熱された絶縁材料を注入成形して行
われろ。
このような従来技術においては金型温度はケ−プル、の
絶縁層表面の酸化による劣化を避けるために８０〜２０
０Ｃ程度の比較的低い温度としなければならず、そのた
め絶縁材料の注入速度は必然的に低いものとなり、形成
される補強絶縁層に混入空気による気泡が生じ、これに
よる電気的特性の劣化が生じる場合がある。これは特に
超高圧化が望まれる場合に重要である。
絶縁層表面の酸化による劣化を避けるために８０〜２０
０Ｃ程度の比較的低い温度としなければならず、そのた
め絶縁材料の注入速度は必然的に低いものとなり、形成
される補強絶縁層に混入空気による気泡が生じ、これに
よる電気的特性の劣化が生じる場合がある。これは特に
超高圧化が望まれる場合に重要である。
本発明の目的は比較的高い金型温度の使用を可能にする
絶縁ケーブルの接続部形成方法を提供し、それにより従
来技術の有する問題を解決することである。
絶縁ケーブルの接続部形成方法を提供し、それにより従
来技術の有する問題を解決することである。
以下図面に基づぎ本発明の一実施例を架橋化ポリエチレ
ン絶縁ビニールシースケーブル（以下Ｃｖケーブルと呼
ぶ）を例にとり説明する。
ン絶縁ビニールシースケーブル（以下Ｃｖケーブルと呼
ぶ）を例にとり説明する。
第１図は本発明の方法を実施するための装置を断面で示
すものであり、上１１１１金型５および下側金型５′
からなり上側金型５には枚数のオーバーフロ一孔６が設
けられると共にガス孔７が設けてあり、このガス孔７は
適当な弁を通じて不活性ガス源９に接続している。下１
ｒｉｌｌ金型５′ は絶縁材料注入口２０を有しこの注
入口２０はスクリュー形あるいはラム形の押出し機２１
に接続する。上下の金型５，５′ は例えば配置される
ケーブルの外径より僅かに大きい内径をもつフランジ刊
の適当な接合部材１５により所定状態に叶立てられるご
とくになっている。そして組立てた状態において配置さ
れるケーブルの外周にオーバーフロー用の空隙を与える
よう（（なっている。
すものであり、上１１１１金型５および下側金型５′
からなり上側金型５には枚数のオーバーフロ一孔６が設
けられると共にガス孔７が設けてあり、このガス孔７は
適当な弁を通じて不活性ガス源９に接続している。下１
ｒｉｌｌ金型５′ は絶縁材料注入口２０を有しこの注
入口２０はスクリュー形あるいはラム形の押出し機２１
に接続する。上下の金型５，５′ は例えば配置される
ケーブルの外径より僅かに大きい内径をもつフランジ刊
の適当な接合部材１５により所定状態に叶立てられるご
とくになっている。そして組立てた状態において配置さ
れるケーブルの外周にオーバーフロー用の空隙を与える
よう（（なっている。
本発明によればまず、例えば半導電性ポリオレフィンの
ような材料からなる内部半導７に層１１を有するＣｖケ
ーブル１０の導体１０が適当な導体接続管１０′ に
より接合されその上に例えば半導電性ポリオレフィンか
らなる内部半導電層１１′が前述のように適当に設けら
れる。この状態において、接合されたＣ■ケーブルが図
示のごとくに配↑６され、固定される。
ような材料からなる内部半導７に層１１を有するＣｖケ
ーブル１０の導体１０が適当な導体接続管１０′ に
より接合されその上に例えば半導電性ポリオレフィンか
らなる内部半導電層１１′が前述のように適当に設けら
れる。この状態において、接合されたＣ■ケーブルが図
示のごとくに配↑６され、固定される。
次にこの金型を適当な加熱装置（図示せず）により充分
に予熱すると共に不活性ガス源９から例えば窒素ガスま
たはＳＦｓガス等の適当な不活性ガスを金型内に大気圧
または僅かに正ＬＦ力として連続的に導入し、金型内の
空気を排除する。これによりＣｖケーブルの絶縁層１２
の酸化が金型温度に拘ず防止される。
に予熱すると共に不活性ガス源９から例えば窒素ガスま
たはＳＦｓガス等の適当な不活性ガスを金型内に大気圧
または僅かに正ＬＦ力として連続的に導入し、金型内の
空気を排除する。これによりＣｖケーブルの絶縁層１２
の酸化が金型温度に拘ず防止される。
この状態において押出し機２１から適当な温度に加熱さ
れた例えばポリオレフィン絶縁材料８を、不活性ガスを
オーバーフロ一孔６より排除しつつ押し出し注入し、オ
ーバーフロ一孔６およびケーブル外周のオーバーフロー
空隙からの絶縁材料８の流出後にこれを冷却し、接続部
を得る。
れた例えばポリオレフィン絶縁材料８を、不活性ガスを
オーバーフロ一孔６より排除しつつ押し出し注入し、オ
ーバーフロ一孔６およびケーブル外周のオーバーフロー
空隙からの絶縁材料８の流出後にこれを冷却し、接続部
を得る。
このようにすることにより、金型温度を比較的高くする
ことが出来るから絶縁材料の注入速度を上げることが出
来作業が容易になる。また上述のように不活性ガスの使
用によりケーブル絶縁層表面の硬化を防止することが出
来、信頼性の高い接続部を形成することが出来る。
ことが出来るから絶縁材料の注入速度を上げることが出
来作業が容易になる。また上述のように不活性ガスの使
用によりケーブル絶縁層表面の硬化を防止することが出
来、信頼性の高い接続部を形成することが出来る。
以上ＣＶケーブルを例にとって説明したが、本発明の方
法はこれに限らず、他の絶縁ケーブルの接続部の形成に
も使用出来ることは当業者には自明である。
法はこれに限らず、他の絶縁ケーブルの接続部の形成に
も使用出来ることは当業者には自明である。
第１図は本発明の方法を実施するための装置の概略断面
図である。 ５．５’−−一金型 ６−−−オーバーフロ一孔７−−
−不活性ガス孔 ８−ｍ−絶縁材料 ９−ｍ−不活性ガ
ス源 １０−ｍ−導体 １０′−−一接続管 １１．１
１’−−一半導電体層 １５−ｍ−接合部材 ２０−ｍ
−注入口 ２１−ｍ−押出し機
図である。 ５．５’−−一金型 ６−−−オーバーフロ一孔７−−
−不活性ガス孔 ８−ｍ−絶縁材料 ９−ｍ−不活性ガ
ス源 １０−ｍ−導体 １０′−−一接続管 １１．１
１’−−一半導電体層 １５−ｍ−接合部材 ２０−ｍ
−注入口 ２１−ｍ−押出し機
Claims (1)
- １６−ｆムまたはプラスチック絶縁ケーブルの端部な露
出した後導体接続管を用いてこれら端部を接続し、予め
準備した内部半導電層を上記接続管上に配置した後、こ
れを金型内に配置し、上記金型を所定温度に予熱すると
共に上記金型に不活性ガスを充填し、次に押出機により
上記ケーブルの絶縁相料もしくはそれに類似する絶縁材
料を上記不活性ガスを排出しつつ上記金型内に押し比し
成形してなるゴムまたはプラスチック絶縁ケーブルの接
続部の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107262A JPS5810385A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107262A JPS5810385A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810385A true JPS5810385A (ja) | 1983-01-20 |
| JPH0137834B2 JPH0137834B2 (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=14454583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107262A Granted JPS5810385A (ja) | 1981-07-09 | 1981-07-09 | 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810385A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60105184A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-10 | 昭和電線電纜株式会社 | ケ−ブル接続部の形成方法 |
| JPS61101535A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-20 | Dainichi Nippon Cables Ltd | 架橋高分子中の水分含有量低減法 |
| JPS61243677A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | 東京電力株式会社 | 架橋化ポリエチレン押出成型時の加熱方法 |
| JPS627322A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | 住友電気工業株式会社 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの押出モ−ルド型接続部の形成方法 |
| JP2012204263A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Hitachi Cable Ltd | ケーブル端部モールド構造 |
-
1981
- 1981-07-09 JP JP56107262A patent/JPS5810385A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60105184A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-10 | 昭和電線電纜株式会社 | ケ−ブル接続部の形成方法 |
| JPS61101535A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-20 | Dainichi Nippon Cables Ltd | 架橋高分子中の水分含有量低減法 |
| JPH0443089B2 (ja) * | 1984-10-22 | 1992-07-15 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | |
| JPS61243677A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | 東京電力株式会社 | 架橋化ポリエチレン押出成型時の加熱方法 |
| JPH0211986B2 (ja) * | 1985-04-19 | 1990-03-16 | Tokyo Denryoku Kk | |
| JPS627322A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-14 | 住友電気工業株式会社 | ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの押出モ−ルド型接続部の形成方法 |
| JP2012204263A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Hitachi Cable Ltd | ケーブル端部モールド構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0137834B2 (ja) | 1989-08-09 |
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