JPH0137834B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0137834B2
JPH0137834B2 JP56107262A JP10726281A JPH0137834B2 JP H0137834 B2 JPH0137834 B2 JP H0137834B2 JP 56107262 A JP56107262 A JP 56107262A JP 10726281 A JP10726281 A JP 10726281A JP H0137834 B2 JPH0137834 B2 JP H0137834B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
cable
inert gas
conductor
insulating material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56107262A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5810385A (ja
Inventor
Masayuki Yamaguchi
Shiro Tanno
Makoto Isono
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Cable Ltd filed Critical Hitachi Cable Ltd
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Publication of JPS5810385A publication Critical patent/JPS5810385A/ja
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  • Processing Of Terminals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はゴムまたはプラスチツク絶縁ケーブル
の接続部の形成方法に関する。
ゴムまたはプラスチツク絶縁ケーブルはしばし
ば複数本を接続して使用されるが、接続による電
気的特性の劣化は、特に極めて高い電圧に対して
使用される場合に重大な問題となる。この問題を
解決するために、その接続部は従来においてはケ
ーブル端部の導体を露出し、その導体を接続した
後にその導体接続部上に内部半導電体層および補
強用の絶縁層を設け、これを加圧下で加熱するこ
とによりケーブルの絶縁層とこの補強絶縁層を一
体化して形成されている。この補強用の絶縁層は
ケーブルの電気的特性の信頼性を損うことのない
ようにそして接続部自体の寸法を出来るだけ小さ
く出来るようにケーブルの絶縁材料と同じかある
いは少くともそれに類似する材料を用いてモール
ドにより形成されるのが一般的である。
そのような絶縁材料を用いてのモールドは一般
に導体接続部上に内部半導電層を例えば半導電性
テープを巻回するかあるいは半導電性熱収縮チユ
ーブを加熱収縮させて設けたものを金型内に配置
し、適当な加熱装置により金型を所定温度まで予
熱した後例えば押出機により、適当な温度に加熱
された絶縁材料を注入成形して行われる。
このような従来技術においては金型温度はケー
ブルの絶縁層表面の酸化による劣化を避けるため
に80〜200℃程度の比較的低い温度としなければ
ならず、そのため絶縁材料の注入速度は必然的に
低いものとなり、形成される補強絶縁層に混入空
気による気泡が生じ、これによる電気的特性の劣
化が生じる場合がある。これは特に超高圧化が望
まれる場合に重要である。
本発明の目的は比較的高い金型温度の使用を可
能にする絶縁ケーブルの接続部形成方法を提供
し、それにより従来技術の有する問題を解決する
ことである。
以下図面に基づき本発明の一実施例を架橋化ポ
リエチレン絶縁ビニールシースケーブル(以下
CVケーブルと呼ぶ)を例にとり説明する。
第1図は本発明の方法を実施するための装置を
断面で示すものであり、上側金型5および下側金
型5′からなり上側金型5には複数のオーバーフ
ロー孔6が設けられると共にガス孔7が設けてあ
り、このガス孔7は適当な弁を通じて不活性ガス
源9に接続している。下側金型5′は絶縁材料注
入口20を有しこの注入口20はスクリユー形あ
るいはラム形の押出し機21に接続する。上下の
金型5,5′は例えば配置されるケーブルの外径
より僅かに大きい内径をもつフランジ付の適当な
接合部材15により所定状態に組立てられるごと
くになつている。そして組立てた状態において配
置されるケーブルの外周にオーバーフロー用の空
隙を与えるようになつている。
本発明によればまず、例えば半導電性ポリオレ
フインのような材料からなる内部半導電層11を
有するCVケーブルの導体10が適当な導体接続
管10′により接合されその上に例えば半導電性
ポリオレフインからなる内部半導電層11′が前
述のように適当に設けられる。この状態におい
て、接合されたCVケーブルが図示のごとくに配
置され、固定される。
次にこの金型を適当な加熱装置(図示せず)に
より充分に予熱すると共に不活性ガス源9から例
えば窒素ガスまたはSF6ガス等の適当な不活性ガ
スを金型内に大気圧または僅かに正圧力として連
続的に導入し、金型内の空気を排除する。これに
よりCVケーブルの絶縁層12の酸化が金型温度
に拘ず防止される。
この状態において押出し機21から適当な温度
に加熱された例えばポリオレフイン絶縁材料8
を、不活性ガスをオーバーフロー孔6より排除し
つつ押し出し注入し、オーバーフロー孔6および
ケーブル外周のオーバーフロー空隙からの絶縁材
料8の流出後にこれを冷却し、接続部を得る。
このようにすることにより、金型温度を比較的
高くすることが出来るから絶縁材料の注入速度を
上げることが出来作業が容易になる。また上述の
ように不活性ガスの使用によりケーブル絶縁層表
面の硬化を防止することが出来、信頼性の高い接
続部を形成することが出来る。
以上CVケーブルを例にとつて説明したが、本
発明の方法はこれに限らず、他の絶縁ケーブルの
接続部の形成にも使用出来ることは当業者には自
明である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法を実施するための装置の
概略断面図である。 5,5′……金型、6……オーバーフロー孔、
7……不活性ガス孔、8……絶縁材料、9……不
活性ガス源、10……導体、10′……接続管、
11,11′……半導電体層、15……接合部材、
20……注入口、21……押出し機。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ゴムまたはプラスチツク絶縁ケーブルの端部
    を露出した後導体接続管を用いてこれら端部を接
    続し、予め準備した内部半導電層を上記接続管上
    に配置した後、これを金型内に配置し、上記金型
    を所定温度に予熱すると共に上記金型に不活性ガ
    スを充填し、次に押出機により上記ケーブルの絶
    縁材料もしくはそれに類似する絶縁材料を上記不
    活性ガスを排出しつつ上記金型内に押し出し成形
    してなるゴムまたはプラスチツク絶縁ケーブルの
    接続部の形成方法。
JP56107262A 1981-07-09 1981-07-09 絶縁ケ−ブルの接続部の形成方法 Granted JPS5810385A (ja)

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JPS5810385A JPS5810385A (ja) 1983-01-20
JPH0137834B2 true JPH0137834B2 (ja) 1989-08-09

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60105184A (ja) * 1983-11-09 1985-06-10 昭和電線電纜株式会社 ケ−ブル接続部の形成方法
JPS61101535A (ja) * 1984-10-22 1986-05-20 Dainichi Nippon Cables Ltd 架橋高分子中の水分含有量低減法
JPS61243677A (ja) * 1985-04-19 1986-10-29 東京電力株式会社 架橋化ポリエチレン押出成型時の加熱方法
JPH0669260B2 (ja) * 1985-07-03 1994-08-31 住友電気工業株式会社 ゴム、プラスチツク絶縁電力ケ−ブルの押出モ−ルド型接続部の形成方法
JP5621679B2 (ja) * 2011-03-28 2014-11-12 日立金属株式会社 ケーブル端部モールド構造

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JPS5810385A (ja) 1983-01-20

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